JPH01106420A - 化学的気相析出装置 - Google Patents
化学的気相析出装置Info
- Publication number
- JPH01106420A JPH01106420A JP26347087A JP26347087A JPH01106420A JP H01106420 A JPH01106420 A JP H01106420A JP 26347087 A JP26347087 A JP 26347087A JP 26347087 A JP26347087 A JP 26347087A JP H01106420 A JPH01106420 A JP H01106420A
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- Japan
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- section
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- Pending
Links
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 6
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
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- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
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- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、化学的気相析出装置（以下、ＣＶＤ装置と
略称する）に関し、とくに、常圧ＣＶＤ装置の試料物体
吸着手段の改良に係るものである。
略称する）に関し、とくに、常圧ＣＶＤ装置の試料物体
吸着手段の改良に係るものである。
従来の技術
従来の常圧ＣＶＤ装置は、たとえば、第３図の要部断面
図で概要が示されるように、ウェハ１がトレー２に乗せ
られて、ＣＶＤヘッド部３の直下に送られて来たとき、
同ヘッド部３から導入されたＣＶＤ用反応ガスにより、
パウェハｌの表面上に所望のＣＶＤ膜が形成される。こ
のとき、ウェハ■は、トレー２を通じて、下部のヒータ
４により、ＣＶＤ用反応ガスを分解して、析出物を生成
するに十分な温度状態に加熱される。そして、ＣＶＤ膜
の生成されたウェハ１は、トレー２によって移動されＣ
ＶＤヘッド３から離れた位置で、吸着用チャック部５に
よって吸着保持されて、同トレー２から取り上げられる
。
図で概要が示されるように、ウェハ１がトレー２に乗せ
られて、ＣＶＤヘッド部３の直下に送られて来たとき、
同ヘッド部３から導入されたＣＶＤ用反応ガスにより、
パウェハｌの表面上に所望のＣＶＤ膜が形成される。こ
のとき、ウェハ■は、トレー２を通じて、下部のヒータ
４により、ＣＶＤ用反応ガスを分解して、析出物を生成
するに十分な温度状態に加熱される。そして、ＣＶＤ膜
の生成されたウェハ１は、トレー２によって移動されＣ
ＶＤヘッド３から離れた位置で、吸着用チャック部５に
よって吸着保持されて、同トレー２から取り上げられる
。
発明が解決しようとする問題点
上述の従来例ＣＶＤ装置における吸着用チャック部５に
は、ベルヌーイチャックと通称される吸着手段が利用さ
れる。これは、周辺に噴出されるガス流によって生じる
内部真空圧（減圧）によって試料物体を吸着するもので
あるから、吸着手段が所定の試料物体の直上に位置する
とき、その周辺部に向かって、ガス流、たとえば、不活
性ガスの噴流が起こる。ところが、この従来例装置によ
ると、吸着手段の作動状態のときに試料物体周辺に噴出
される不活性ガスが、ＣＶＤヘッド部３の近傍に達する
と、ＣＶＤ用反応ガスの気流を乱して、その反応を不均
一にしたり、あるいは、同ヘッド部３の周囲に析出した
固形物、いわゆる、フレークが被成長ウェハ１上に落下
して、同表面のＣＶＤ膜を損うという問題が起る。
は、ベルヌーイチャックと通称される吸着手段が利用さ
れる。これは、周辺に噴出されるガス流によって生じる
内部真空圧（減圧）によって試料物体を吸着するもので
あるから、吸着手段が所定の試料物体の直上に位置する
とき、その周辺部に向かって、ガス流、たとえば、不活
性ガスの噴流が起こる。ところが、この従来例装置によ
ると、吸着手段の作動状態のときに試料物体周辺に噴出
される不活性ガスが、ＣＶＤヘッド部３の近傍に達する
と、ＣＶＤ用反応ガスの気流を乱して、その反応を不均
一にしたり、あるいは、同ヘッド部３の周囲に析出した
固形物、いわゆる、フレークが被成長ウェハ１上に落下
して、同表面のＣＶＤ膜を損うという問題が起る。
この発明の目的は、かかる吸着用チャック部に起因する
ＣＶＤ膜の不良発生を排除することにある。
ＣＶＤ膜の不良発生を排除することにある。
問題点を解決するための手段
この発明は、試料物体を吸着保持するための吸着用チャ
ック部の近傍に、同吸着用チャック部端から噴出される
不活性ガスの流向を変える側板を配設した構成のＣＶＤ
装置である。
ック部の近傍に、同吸着用チャック部端から噴出される
不活性ガスの流向を変える側板を配設した構成のＣＶＤ
装置である。
作用
この発明によると、吸着用チャック部の近傍に配された
側板によって、同吸着用チャック部から噴出される不活
性ガスがＣＶＤヘッド部に流れ込むのを防ぎ、同ＣＶＤ
ヘッド部の反応ガス流の乱れを起こすことがな（なり、
また、同ヘッド部からのフレークの落下をも減少させる
ことができる。
側板によって、同吸着用チャック部から噴出される不活
性ガスがＣＶＤヘッド部に流れ込むのを防ぎ、同ＣＶＤ
ヘッド部の反応ガス流の乱れを起こすことがな（なり、
また、同ヘッド部からのフレークの落下をも減少させる
ことができる。
実施例
つぎに、この発明を実施例によって詳しくのべる。
第１図は、この発明の実施例ＣＶＤ装置の要部断面図で
あり、ウェハ１．トレー２．ＣＶＤヘッド部３．ヒータ
４および吸着用チャック部５の各構造要素は、本質的に
従来例装置と同じであるが、その吸着用チャック部５の
近傍に、側板６を配設したものである。この側板６は吸
着用チャック部５の先端、すなわち、その吸着口から噴
出される不活性ガスの流れを上向きに変更し、ＣＶＤヘ
ッド部３の側に流れ込まないように、これを防ぐ役割を
担うものである。第２図は、その吸着用チャック部５と
側板６との配設状況を拡大して示す断面図である。
あり、ウェハ１．トレー２．ＣＶＤヘッド部３．ヒータ
４および吸着用チャック部５の各構造要素は、本質的に
従来例装置と同じであるが、その吸着用チャック部５の
近傍に、側板６を配設したものである。この側板６は吸
着用チャック部５の先端、すなわち、その吸着口から噴
出される不活性ガスの流れを上向きに変更し、ＣＶＤヘ
ッド部３の側に流れ込まないように、これを防ぐ役割を
担うものである。第２図は、その吸着用チャック部５と
側板６との配設状況を拡大して示す断面図である。
なお、この側板６の形状は、吸着用チャック部５から噴
出される不活性ガスの流れが、ＣＶＤヘッド部３の周辺
のＣＶＤ用反応ガスならびにその反応ずみの残りのガス
の流れに影響を与えないように選定される要件が満たき
れておればよく、好ましくは、同放出ガスが吸着口を出
て直ちに上方に向かうように、折り曲げられていると良
い。
出される不活性ガスの流れが、ＣＶＤヘッド部３の周辺
のＣＶＤ用反応ガスならびにその反応ずみの残りのガス
の流れに影響を与えないように選定される要件が満たき
れておればよく、好ましくは、同放出ガスが吸着口を出
て直ちに上方に向かうように、折り曲げられていると良
い。
また、この側板６の設置場所は、予め、ウエノ１１の移
動経路、したがって、トレー２の通路が定まっておれば
、ＣＶＤ装置の所定位置に固定設置されるとよいが、そ
れが可変のものでは、吸着用チャック部５の支持構体の
一部に装着され、同吸着用チャック部５と共に移動する
構造物としてもよい。
動経路、したがって、トレー２の通路が定まっておれば
、ＣＶＤ装置の所定位置に固定設置されるとよいが、そ
れが可変のものでは、吸着用チャック部５の支持構体の
一部に装着され、同吸着用チャック部５と共に移動する
構造物としてもよい。
発明の効果
この発明によれば、吸着用チャック部の近傍に配設され
た側板により、同吸着用チャ・ツタ部から噴出される不
活性ガスがＣＶＤヘッド部に流れ込んで、そのＣＶＤ反
応の均一性を乱すことがないとともに、同ヘッド部周辺
のガス流の乱れによって起り易いとされるフレークの落
下によるＣＶＤ膜の品質低下も起らない。
た側板により、同吸着用チャ・ツタ部から噴出される不
活性ガスがＣＶＤヘッド部に流れ込んで、そのＣＶＤ反
応の均一性を乱すことがないとともに、同ヘッド部周辺
のガス流の乱れによって起り易いとされるフレークの落
下によるＣＶＤ膜の品質低下も起らない。
第１図はこの発明の実施例装置の要部断面図、第２図は
その一部拡大図、第３図は従来例装置の要部断面図であ
る。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・トレー、３・・
・・・・ＣＶＤヘッド部、５・・・・・・吸着用チャッ
ク部、６・・・・・・側板。
その一部拡大図、第３図は従来例装置の要部断面図であ
る。 １・・・・・・ウェハ、２・・・・・・トレー、３・・
・・・・ＣＶＤヘッド部、５・・・・・・吸着用チャッ
ク部、６・・・・・・側板。
Claims (1)
- 試料物体を吸着保持するための吸着用チャック部の近
傍に、同吸着用チャック部端から噴出される不活性ガス
の流向を変える側板を配設したことを特徴とする化学的
気相析出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26347087A JPH01106420A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化学的気相析出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26347087A JPH01106420A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化学的気相析出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106420A true JPH01106420A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17389955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26347087A Pending JPH01106420A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | 化学的気相析出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4975214A (en) * | 1986-05-28 | 1990-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic iron oxide containing silicon element and process for producing same |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26347087A patent/JPH01106420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4975214A (en) * | 1986-05-28 | 1990-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic iron oxide containing silicon element and process for producing same |
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