JPH01106492A - 超電導配線基板の製造法 - Google Patents
超電導配線基板の製造法Info
- Publication number
- JPH01106492A JPH01106492A JP62262601A JP26260187A JPH01106492A JP H01106492 A JPH01106492 A JP H01106492A JP 62262601 A JP62262601 A JP 62262601A JP 26260187 A JP26260187 A JP 26260187A JP H01106492 A JPH01106492 A JP H01106492A
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- Japan
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- superconductor
- wiring pattern
- laser beam
- oxidation
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超電導配線基板の製造法に関するものであ
る。
る。
第２図は例えば電気工学ハンドブックに掲載されている
従来のプリント配線基板の製造工程の概略を示すもので
、図において（１）は絶縁体基板、（２１）は銅薄膜、
（３）はレジスト、（２２）は銅配線である。
従来のプリント配線基板の製造工程の概略を示すもので
、図において（１）は絶縁体基板、（２１）は銅薄膜、
（３）はレジスト、（２２）は銅配線である。
次Ｋｍ造工程について説明する。
第２図（ａｔにおいて、絶縁体基板（１）上に、接着法
。
。
メツキ法もしくは真空蒸着法などの手法で銅薄膜（２１
）を形成する。
）を形成する。
第２図（ｂ）において、銅薄膜（２１）上にレジスト（
３）を塗布する。
３）を塗布する。
第２図（ｃｌにおいて、レジスト（３）上に電子ビーム
。
。
光、Ｘ線などを照射して回路配線パターンを露光し、レ
ジスト（３）を現象する。
ジスト（３）を現象する。
第２図（ｄｌにおいて、銅薄膜（２１）をエツチングし
て回路配線パターン状に成形する。
て回路配線パターン状に成形する。
第２図（ｅ）にお・いて、レジスト（３）を除去し、絶
縁体基板（１）上に銅配線（２２）を形成したプリント
配線′基板を得る。
縁体基板（１）上に銅配線（２２）を形成したプリント
配線′基板を得る。
従来のプリント配線基板は以上のよう忙製造されている
ので、多くの工程が必要であり、特にカスタムメイドの
プリント配線基板に対しては、レジスト露光用のマスク
を新しく製造しなければならず、またエツチング液の廃
液の処理を行わなければならないという問題点があった
。
ので、多くの工程が必要であり、特にカスタムメイドの
プリント配線基板に対しては、レジスト露光用のマスク
を新しく製造しなければならず、またエツチング液の廃
液の処理を行わなければならないという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、簡単でしかもドライプロセスで製造できると
共に、カスタムメイドのプリント配線基板に対してもマ
スクなしで対応できる超電導配線基板の製造法を得るこ
とを目的とする。
たもので、簡単でしかもドライプロセスで製造できると
共に、カスタムメイドのプリント配線基板に対してもマ
スクなしで対応できる超電導配線基板の製造法を得るこ
とを目的とする。
この発明忙係る超電導配線基板の製造法は、基板に設け
られた酸化物超電導体膜に所望の回路配線パターンを形
成するに際し、予定する回路配線パターンの外方の部分
にレーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームを
照射して、照射部分を絶縁体化し、残部を酸化物超電導
体からなる回路配線パターンとしたものである。
られた酸化物超電導体膜に所望の回路配線パターンを形
成するに際し、予定する回路配線パターンの外方の部分
にレーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームを
照射して、照射部分を絶縁体化し、残部を酸化物超電導
体からなる回路配線パターンとしたものである。
この発明におけるレーザービーム、イオンビームもしく
は電子ビームの照射は、酸化物超電導膜をアニールした
り、還元反応が生じ酸素欠損を生じたり、結晶状態が変
化し、超電導体から絶縁体に変化させる。
は電子ビームの照射は、酸化物超電導膜をアニールした
り、還元反応が生じ酸素欠損を生じたり、結晶状態が変
化し、超電導体から絶縁体に変化させる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（４）は基板、（５）はこの基板（４）上
に形成したたとえばＹＢａｚＣｕ３０ｙ 、 （Ｌａ−
８ｒ）２ＣｕＯ４等の酸化物超電導体膜、（６）はこの
超電導体膜（６）に照射される、レーザービーム、イオ
ンビームモジくは電子ビーム、（８）は前記レーザービ
ーム、イオンビームもしくは電子ビームを照射されて絶
縁体に変化した部分、（７）は酸化物超電導体膜（５）
上に形成された酸化物層２ｔ４体回路である。
図において、（４）は基板、（５）はこの基板（４）上
に形成したたとえばＹＢａｚＣｕ３０ｙ 、 （Ｌａ−
８ｒ）２ＣｕＯ４等の酸化物超電導体膜、（６）はこの
超電導体膜（６）に照射される、レーザービーム、イオ
ンビームモジくは電子ビーム、（８）は前記レーザービ
ーム、イオンビームもしくは電子ビームを照射されて絶
縁体に変化した部分、（７）は酸化物超電導体膜（５）
上に形成された酸化物層２ｔ４体回路である。
なお、上記各種エネルギービームの発生装置は図示を省
略しているが、公知の種々の装置を用いることができる
。
略しているが、公知の種々の装置を用いることができる
。
次に本発明の製造法について説明する。
第１図（ａ）において、基板（４）上に、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等の手法で、たと
えばＹＢａ ２ｃｕ ３０７ 、 （Ｌａ −８ｒ ）
ｚｃｕ（Ｍ等の酸化物超電導体膜（５）（通常は薄膜
）を形成する。
グ法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等の手法で、たと
えばＹＢａ ２ｃｕ ３０７ 、 （Ｌａ −８ｒ ）
ｚｃｕ（Ｍ等の酸化物超電導体膜（５）（通常は薄膜
）を形成する。
、第１図（ｂ）において、酸化物超電導体膜（５）上に
レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビーム（６
）を集束して、所定の回路配線パターン以外の部分を走
査したり、あるいは所定の回路配線パターンをマスクし
て、薄膜全体を照射して部分的にアニールを行う。
レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビーム（６
）を集束して、所定の回路配線パターン以外の部分を走
査したり、あるいは所定の回路配線パターンをマスクし
て、薄膜全体を照射して部分的にアニールを行う。
レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビーム（６
）を照射されズアニールされた酸化物超電導体膜は、照
射部分に酸素欠損を生じたり、結晶状態が変化して超電
導体から絶縁体（８）Ｋ変化し、残部は酸化物超電導体
回路（７）が形成される。
）を照射されズアニールされた酸化物超電導体膜は、照
射部分に酸素欠損を生じたり、結晶状態が変化して超電
導体から絶縁体（８）Ｋ変化し、残部は酸化物超電導体
回路（７）が形成される。
なおレーザービーム、イオンビームもしくは電子ビーム
（６）によるアニールは水素ガスなどの還元性雰囲気で
行ってもよい。
（６）によるアニールは水素ガスなどの還元性雰囲気で
行ってもよい。
上記のようにして製造された超電導配線基板は、何ら湿
式処理を要せず、そのまま従来のプリント配線基板と同
様に用いることができる。
式処理を要せず、そのまま従来のプリント配線基板と同
様に用いることができる。
なお、上記基板（４）としては、例えばセラミック。
ガラス、樹脂材料など公知のものは何れも特別な制限な
（用いることができる。また、酸化物超電導体膜の組成
など上記実施例のものに限定されるものではない。
（用いることができる。また、酸化物超電導体膜の組成
など上記実施例のものに限定されるものではない。
以上のように、この発明によれば、基板上に設けられた
酸化物超電導体膜に所望の回路配線パターンを形成する
に際し、予定する回路配線パターンの外方の部分にレー
ザービーム、イオンビームもしくは電子ビームを照射し
て、照射部分を絶縁体化し、残部を酸化物超電体回路と
することにより、工程が簡単であり、しかも湿式処理を
必要とせず、マスクも必要としないなどの顕著な効果が
ある。
酸化物超電導体膜に所望の回路配線パターンを形成する
に際し、予定する回路配線パターンの外方の部分にレー
ザービーム、イオンビームもしくは電子ビームを照射し
て、照射部分を絶縁体化し、残部を酸化物超電体回路と
することにより、工程が簡単であり、しかも湿式処理を
必要とせず、マスクも必要としないなどの顕著な効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例による超電導配線基板の製
造方法を概略的に示す工程図、第２図は従来のプリント
配線基板の製造方法を示す工程図である。 図において、（４）は基板、（５）は酸化物超電導体膜
、（６）はレーザービーム、イオンビームもしくは電子
ビーム、（７）は酸化物超電導体回路、（８）は絶縁体
である。 代理人 曾 我 道 照 ゛ パ第１図 ５＝酸化物起電導体膜 ７二酸化物超電導体日路 ８：絶縁林
造方法を概略的に示す工程図、第２図は従来のプリント
配線基板の製造方法を示す工程図である。 図において、（４）は基板、（５）は酸化物超電導体膜
、（６）はレーザービーム、イオンビームもしくは電子
ビーム、（７）は酸化物超電導体回路、（８）は絶縁体
である。 代理人 曾 我 道 照 ゛ パ第１図 ５＝酸化物起電導体膜 ７二酸化物超電導体日路 ８：絶縁林
Claims (2)
- （１）基板上に設けられた酸化物超電導体膜に所望の回
路配線パターンを形成するに際し、予定する回路配線パ
ターンの外方の部分にレーザービーム、イオンビームも
しくは電子ビームを照射して、照射部分を絶縁体化し、
残部を酸化物超電体回路とすることを特徴とする超電導
配線基板の製造法。 - （２）還元性雰囲気においてレーザービーム、イオンビ
ームもしくは電子ビームを照射することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の超電導配線基板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262601A JPH01106492A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導配線基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262601A JPH01106492A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導配線基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106492A true JPH01106492A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17378061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262601A Pending JPH01106492A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 超電導配線基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106492A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220874A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 酸化物超伝導体薄膜の加工方法 |
| JPH04167577A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導配線の作製方法 |
| JPH04168782A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
| JP2010232500A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | National Institute For Materials Science | 固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法 |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62262601A patent/JPH01106492A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220874A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | 酸化物超伝導体薄膜の加工方法 |
| JPH04167577A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導配線の作製方法 |
| JPH04168782A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導素子および作製方法 |
| JP2010232500A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | National Institute For Materials Science | 固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法 |
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