JPH01108249A - 誘電体組成物 - Google Patents
誘電体組成物Info
- Publication number
- JPH01108249A JPH01108249A JP62262779A JP26277987A JPH01108249A JP H01108249 A JPH01108249 A JP H01108249A JP 62262779 A JP62262779 A JP 62262779A JP 26277987 A JP26277987 A JP 26277987A JP H01108249 A JPH01108249 A JP H01108249A
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- JP
- Japan
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- vdf
- present
- trfe
- pvd
- polymer
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は高誘電率をもつ誘電体組成物に関する。
［従来技術］
ビニリデン系重合体の誘電性に関する文献はすでに数多
く報じられており、たとえば、特公昭５ｇ−２３７３４
号公報、特公昭８０−４６５２８号公報等によって、一
般のプラスチック材料よりも数倍高い誘電率を示すこと
が明らかになっている。
く報じられており、たとえば、特公昭５ｇ−２３７３４
号公報、特公昭８０−４６５２８号公報等によって、一
般のプラスチック材料よりも数倍高い誘電率を示すこと
が明らかになっている。
しかしながらその値は比誘電率ε゛／ε０で換算してｌ
Ｏ〜１５といった程度であった。従ってコンデンサ材料
として小型大容量化を計った場合も限界があった。さら
に、発明者等はＰＶＤ系重合体中に色素を含有させるこ
とにより、ε−／ε。が数百のオーダーまで増加するこ
とを報じたが［Ｐｏ１ｙ＋ｉｅｒ Ｐｒｅｐｒｌｎｔｓ
、Ｊｐｉ、、３８．１０５Ｂ。
Ｏ〜１５といった程度であった。従ってコンデンサ材料
として小型大容量化を計った場合も限界があった。さら
に、発明者等はＰＶＤ系重合体中に色素を含有させるこ
とにより、ε−／ε。が数百のオーダーまで増加するこ
とを報じたが［Ｐｏ１ｙ＋ｉｅｒ Ｐｒｅｐｒｌｎｔｓ
、Ｊｐｉ、、３８．１０５Ｂ。
（１９８７） ｒ含色素フッ化ビニリデン共重合体の誘
電緩和現象」伊達宗宏他］、色素を使用するために光学
的に活性化して保存安定性に問題が生じ、また工業的に
は生産性・コスト等の面で問題があった。
電緩和現象」伊達宗宏他］、色素を使用するために光学
的に活性化して保存安定性に問題が生じ、また工業的に
は生産性・コスト等の面で問題があった。
［目 的］
本発明は、かかる事情に鑑み、誘電率が著しく増大した
新規な誘電体材料を提供することを目的とするものであ
る。
新規な誘電体材料を提供することを目的とするものであ
る。
［構 成］
本発明者は上記の課題を解決するため、従来より研究を
重ねてきたが、前記したビニリデン系重合体に色素を含
有させることによる誘電率の向上を研究する過程で、誘
電率の増大が色素本体ではな（、その対イオンに基因し
ていることを見出し、本発明に至った。
重ねてきたが、前記したビニリデン系重合体に色素を含
有させることによる誘電率の向上を研究する過程で、誘
電率の増大が色素本体ではな（、その対イオンに基因し
ていることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明はビニリデン系重合体（以下ＰＶＤ系
重合体という）および該重合体中に含有されたイオン性
結晶からなる誘電体組成物である。
重合体という）および該重合体中に含有されたイオン性
結晶からなる誘電体組成物である。
本発明で使用されるイオン性結晶とは少なくとも１つ以
上の疎水基を持ったカチオンから成る塩である。これは
該イオン性結晶中のカチオンの正電荷がＰＶＤ系重合体
分子内で分極した負電荷と静電的に結合するだけでなく
、該結晶中の疎水部分がＰＶＤ系重合体中の炭素鎖との
相互作用によって接合されるために、ＰＶＤ系分子分子
イポールに影響を及ぼすと推定される。
上の疎水基を持ったカチオンから成る塩である。これは
該イオン性結晶中のカチオンの正電荷がＰＶＤ系重合体
分子内で分極した負電荷と静電的に結合するだけでなく
、該結晶中の疎水部分がＰＶＤ系重合体中の炭素鎖との
相互作用によって接合されるために、ＰＶＤ系分子分子
イポールに影響を及ぼすと推定される。
上記の疎水基としては炭素数１以上の炭素鎖が挙げられ
る。従って該イオン性結晶としては具体的にはカチオン
性界面活性物質等が挙げられるが、さらに具体的には゛
アルキルアンモニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ア
ルキルホスホニウム塩、アルキルピリジニウム塩等があ
げられる。また該イオン性結晶の対イオンは特に限定さ
れないが、ハロゲン化物等の単純塩が生産コスト上好ま
しい。
る。従って該イオン性結晶としては具体的にはカチオン
性界面活性物質等が挙げられるが、さらに具体的には゛
アルキルアンモニウム塩、アルキルスルホニウム塩、ア
ルキルホスホニウム塩、アルキルピリジニウム塩等があ
げられる。また該イオン性結晶の対イオンは特に限定さ
れないが、ハロゲン化物等の単純塩が生産コスト上好ま
しい。
本発明において使用されているＰＶＤ系重合体には種々
の化合物が報告されているが、例えばポリ弗化ビニリデ
ン、ポリシアン化ビニリデン、弗化ビニリデン及び三弗
化エチレン共重合体、弗化ビニリデン及び四弗化エチレ
ン共重合体、弗化ビニリデン及び弗化ビニル共重合体、
弗化ビニリデン及び六弗化アセトン共重合体、弗化ビニ
リデン、四弗化エチレン及び六弗化プロピレン三成分共
重合体、シアン化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等
が挙げられる。この中でも弗化ビニリデン及び三弗化エ
チレン共重合体［以下Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す
］が好ましい。該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）は共重合比
によりその誘電率が変化するが、本発明はこれら共重合
比に限定されるものではなく、また他のＰＶＤ系重合体
についても同様にその組成比により本発明は限定されな
い。
の化合物が報告されているが、例えばポリ弗化ビニリデ
ン、ポリシアン化ビニリデン、弗化ビニリデン及び三弗
化エチレン共重合体、弗化ビニリデン及び四弗化エチレ
ン共重合体、弗化ビニリデン及び弗化ビニル共重合体、
弗化ビニリデン及び六弗化アセトン共重合体、弗化ビニ
リデン、四弗化エチレン及び六弗化プロピレン三成分共
重合体、シアン化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等
が挙げられる。この中でも弗化ビニリデン及び三弗化エ
チレン共重合体［以下Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略す
］が好ましい。該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）は共重合比
によりその誘電率が変化するが、本発明はこれら共重合
比に限定されるものではなく、また他のＰＶＤ系重合体
についても同様にその組成比により本発明は限定されな
い。
ＰＶＤ系重合体膜を製膜する方法としては浸漬コーティ
ング、スプレーコーティング、スピナーコーティング、
ブレードコーティング、ローラコーティング、カーテン
コーティング等の溶液塗布法やキャスト法、押し出し成
形法等によって形成することができるが、本発明はこれ
ら製膜方法には限定されない。
ング、スプレーコーティング、スピナーコーティング、
ブレードコーティング、ローラコーティング、カーテン
コーティング等の溶液塗布法やキャスト法、押し出し成
形法等によって形成することができるが、本発明はこれ
ら製膜方法には限定されない。
本発明はその構成上コンデンサ構造を形成するため、該
ＰＶＤ系重合体膜を一対の電極でサンドイッチするが、
該電極として使用できるものは金属、合金及びこれらの
酸化物あるいは半導体、導電性ポリマー等が挙げられる
が、本発明はこれら電極材料によっても限定されるもの
ではない。
ＰＶＤ系重合体膜を一対の電極でサンドイッチするが、
該電極として使用できるものは金属、合金及びこれらの
酸化物あるいは半導体、導電性ポリマー等が挙げられる
が、本発明はこれら電極材料によっても限定されるもの
ではない。
以下実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
実施例１
共重合比８５／ ３５のＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）溶液
中に該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の０．５ｖｔ％量に相
当する臭化テトラブチルアンモニウムを分散して、アル
ミニウムを蒸着したガラス上に、スピンコード法により
厚さ １μｍで塗布し、乾燥後さらに上部電極として該
Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）Ｉｌｌｉ上にアルミニウムを
蒸着してサンプルを形成した。比較例と同一周期の交流
電界をＩＯＶ印加し、該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜の
比誘電率を測定したところ、明らかに直流伝導とは異な
る誘電率の上昇が観測されて、その値は約８００に達す
ることが判明した。
中に該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の０．５ｖｔ％量に相
当する臭化テトラブチルアンモニウムを分散して、アル
ミニウムを蒸着したガラス上に、スピンコード法により
厚さ １μｍで塗布し、乾燥後さらに上部電極として該
Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）Ｉｌｌｉ上にアルミニウムを
蒸着してサンプルを形成した。比較例と同一周期の交流
電界をＩＯＶ印加し、該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）膜の
比誘電率を測定したところ、明らかに直流伝導とは異な
る誘電率の上昇が観測されて、その値は約８００に達す
ることが判明した。
実施例２
厚さ２０μ−の共重合比７９／ ２１のＰ （ＶＤＦ−
Ｔ ｒ Ｆ Ｅ）キャスト膜を５ν【％濃度の臭化テト
ラブチルアンモニウム水溶液中に含浸させて、一定時間
放置した。乾燥後、該キャスト膜の両面に金を蒸着して
サンプルを形成した。以下比較例と同様の方法で、該サ
ンプルに２５Ｖ・ ２．５１１２の交流電界を印加して
該キャスト膜の比誘電率を測定したところ室温で約４０
０に達することが判明した。
Ｔ ｒ Ｆ Ｅ）キャスト膜を５ν【％濃度の臭化テト
ラブチルアンモニウム水溶液中に含浸させて、一定時間
放置した。乾燥後、該キャスト膜の両面に金を蒸着して
サンプルを形成した。以下比較例と同様の方法で、該サ
ンプルに２５Ｖ・ ２．５１１２の交流電界を印加して
該キャスト膜の比誘電率を測定したところ室温で約４０
０に達することが判明した。
実施例３
臭化モノドデシルアンモニウム塩を０．５ｗｔ％量加え
た共重合比７３／２７Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）溶液か
らキャスト法によって厚さ４０μ−の薄膜を作成して、
その両面に金を蒸着してサンプルを作成した。５０Ｖ・
１ｌｌｚの交流電界を印加してその比誘電率を測定した
ところ該比誘電率が室温で約５００に達することが判明
した。
た共重合比７３／２７Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）溶液か
らキャスト法によって厚さ４０μ−の薄膜を作成して、
その両面に金を蒸着してサンプルを作成した。５０Ｖ・
１ｌｌｚの交流電界を印加してその比誘電率を測定した
ところ該比誘電率が室温で約５００に達することが判明
した。
実施例４
実施例１で使用したサンプルを加温して、８０℃におけ
る比誘電率を２５Ｖ −１０Ｈ２の交流電界を印加して
／ｉＰｊ定を行ったところ、該比誘電率が約１０００に
達することが判明した。
る比誘電率を２５Ｖ −１０Ｈ２の交流電界を印加して
／ｉＰｊ定を行ったところ、該比誘電率が約１０００に
達することが判明した。
実施例５
実施例２で使用したサンプルを加温して、１００℃にお
ける比誘電率を２５Ｖ−１０１（ｚの交流電界を印加し
てｎ１定を行ったところ、該比誘電率が約１２００に達
することが判明した。
ける比誘電率を２５Ｖ−１０１（ｚの交流電界を印加し
てｎ１定を行ったところ、該比誘電率が約１２００に達
することが判明した。
比較例
共重合比８５／ ３５のＰ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）をキ
ャスト法により厚さ２０μ謬の薄膜を製膜した。
ャスト法により厚さ２０μ謬の薄膜を製膜した。
さらに該Ｐ （ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）ＩＮ！の両面に各々
金を蒸着したサンドイッチ構造のサンプルを作成した。
金を蒸着したサンドイッチ構造のサンプルを作成した。
該サンプルの一方の電極に１５ｖ−ＩＨｚの交流電界を
印加し、他方の電極からその応答を電荷増幅器を通して
測定し、該Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の比誘電率を測定し
たところ、２０℃において約１５．０であった。
印加し、他方の電極からその応答を電荷増幅器を通して
測定し、該Ｐ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）の比誘電率を測定し
たところ、２０℃において約１５．０であった。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明の構成による誘
電体組成物は、ＰＶＤ系重合体中にイオン性結晶を含有
せしめるという簡単な方法により得ることができ、しか
もそれによりＰＶＤ系重合体の誘電率を著しく増大する
ことができる。
電体組成物は、ＰＶＤ系重合体中にイオン性結晶を含有
せしめるという簡単な方法により得ることができ、しか
もそれによりＰＶＤ系重合体の誘電率を著しく増大する
ことができる。
そして、このように誘電率が増大した本発明の組成物は
、超小型大容量コンデンサ等にを用なものである。
、超小型大容量コンデンサ等にを用なものである。
Claims (1)
- ビニリデン系共重合体および該重合体中に含有された
イオン性結晶からなる誘電体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262779A JPH01108249A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262779A JPH01108249A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 誘電体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108249A true JPH01108249A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17380480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262779A Pending JPH01108249A (ja) | 1987-10-20 | 1987-10-20 | 誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108249A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0844652A1 (de) * | 1996-11-08 | 1998-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierbarer Kondensator Verfahren zu seiner Herstellung sowie Speicherfeld unter Verwendung des Kondensators |
-
1987
- 1987-10-20 JP JP62262779A patent/JPH01108249A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0844652A1 (de) * | 1996-11-08 | 1998-05-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierbarer Kondensator Verfahren zu seiner Herstellung sowie Speicherfeld unter Verwendung des Kondensators |
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