JPH01108524A - 液晶光並列ａ／ｄ変換器 - Google Patents
液晶光並列ａ／ｄ変換器Info
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- JPH01108524A JPH01108524A JP62267135A JP26713587A JPH01108524A JP H01108524 A JPH01108524 A JP H01108524A JP 62267135 A JP62267135 A JP 62267135A JP 26713587 A JP26713587 A JP 26713587A JP H01108524 A JPH01108524 A JP H01108524A
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- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器は光情報処理産業
特に光画像情報処理産業において用いられるものであり
、アナログの入力画像を光形態のままでデジタルの画像
に変換しなければならない装置を作製する場合に特に重
要になるものである。
特に光画像情報処理産業において用いられるものであり
、アナログの入力画像を光形態のままでデジタルの画像
に変換しなければならない装置を作製する場合に特に重
要になるものである。
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器は透明基板上に透
明導電膜を形成しその上に光導電膜を形成した後網目格
子形状の絶縁膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した
液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導電膜を形成しそ
の上に液晶配向膜を形成した液晶基板をＢとしたとき、
Ａ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに内側にして対
向せしめ、その間隙に電圧変化によって動作可能な液晶
を封入した後、互いに適当な角度に偏光方向のずれた２
つの偏光素子ではさむ構造とすることにより、アナログ
の入力画像を光形態のままでデジタルの負画像あるいは
正画像に変換することを可能としたものである。なお画
像変換を行う場合は対向導電膜間に電圧を印加した状態
で行い、画像情報を含まない初期状態に戻すときは、対
向導電膜間を接地あるいは逆電圧を印加した状態で画像
情報を含まない均一光を照射することにより戻す。
明導電膜を形成しその上に光導電膜を形成した後網目格
子形状の絶縁膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した
液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導電膜を形成しそ
の上に液晶配向膜を形成した液晶基板をＢとしたとき、
Ａ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに内側にして対
向せしめ、その間隙に電圧変化によって動作可能な液晶
を封入した後、互いに適当な角度に偏光方向のずれた２
つの偏光素子ではさむ構造とすることにより、アナログ
の入力画像を光形態のままでデジタルの負画像あるいは
正画像に変換することを可能としたものである。なお画
像変換を行う場合は対向導電膜間に電圧を印加した状態
で行い、画像情報を含まない初期状態に戻すときは、対
向導電膜間を接地あるいは逆電圧を印加した状態で画像
情報を含まない均一光を照射することにより戻す。
従来の液晶光並列Ａ／Ｄ変換器は透明電極マトリックス
を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で個別に駆動したり、あ
るいは透明電極とＴＰＴにはさまれた光導電膜を設けた
電極マトリ・ノクスを駆動する構造になっているものが
多かった。
を薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）で個別に駆動したり、あ
るいは透明電極とＴＰＴにはさまれた光導電膜を設けた
電極マトリ・ノクスを駆動する構造になっているものが
多かった。
しかしながら、従来の液晶光並列Ａ／Ｄ変換器は上記の
ようにＴＰＴで個別の電極を駆動するため構造が複雑に
なり、従って製造歩留りが悪くなるという問題点を有し
ていた。
ようにＴＰＴで個別の電極を駆動するため構造が複雑に
なり、従って製造歩留りが悪くなるという問題点を有し
ていた。
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器は透明基板上に透
明導電膜を形成しその上に光導電膜を形成した後網目格
子形状の絶縁膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した
液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導電膜を形成しそ
の上に液晶配向膜を形成した液晶基板をＢとしたとき、
Ａ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに内側にして対
向せしめ、その間隙に電圧変化によって動作可能な液晶
を封入した後、互いに適当な角度に偏光方向のずれた２
つの偏光素子ではさむ構造とすることにより、ＴＰＴあ
るいはマトリックス電極を形成することなく光並列Ａ／
Ｄ変換を可能とし上記問題点を解決した。
明導電膜を形成しその上に光導電膜を形成した後網目格
子形状の絶縁膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した
液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導電膜を形成しそ
の上に液晶配向膜を形成した液晶基板をＢとしたとき、
Ａ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに内側にして対
向せしめ、その間隙に電圧変化によって動作可能な液晶
を封入した後、互いに適当な角度に偏光方向のずれた２
つの偏光素子ではさむ構造とすることにより、ＴＰＴあ
るいはマトリックス電極を形成することなく光並列Ａ／
Ｄ変換を可能とし上記問題点を解決した。
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の液晶基板Ａ、Ｂ
各々の透明導電膜間に液晶を駆動可能な電圧を印加した
状態で光導電膜を導通させるのに十分に短い波長の光で
構成されたアナログ画像を本発明による液晶光並列Ａ／
Ｄ変換器に入射させるとアナログ画像を構成する光が照
射された部分の光導電膜はアナログ状に導通するが網目
格子形成の絶縁膜の作用により液晶基板Ａ、Ｂの間隙に
封入された液晶をアナログ画像を構成する光の照射され
た部分のみ網目格子状にすなわちデジタル的に配置させ
る。他のアナログ画像を変換したい場合には、液晶基板
Ａ、Ｂ各々の透明導電膜を接地した状態で画像情報を含
まず光導電膜を導通させるのに十分短い波長の均一光を
照射させて液晶配置状態を一様にした後に、前記のアナ
ログ画像の変換手順に従って変換を行う。
各々の透明導電膜間に液晶を駆動可能な電圧を印加した
状態で光導電膜を導通させるのに十分に短い波長の光で
構成されたアナログ画像を本発明による液晶光並列Ａ／
Ｄ変換器に入射させるとアナログ画像を構成する光が照
射された部分の光導電膜はアナログ状に導通するが網目
格子形成の絶縁膜の作用により液晶基板Ａ、Ｂの間隙に
封入された液晶をアナログ画像を構成する光の照射され
た部分のみ網目格子状にすなわちデジタル的に配置させ
る。他のアナログ画像を変換したい場合には、液晶基板
Ａ、Ｂ各々の透明導電膜を接地した状態で画像情報を含
まず光導電膜を導通させるのに十分短い波長の均一光を
照射させて液晶配置状態を一様にした後に、前記のアナ
ログ画像の変換手順に従って変換を行う。
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の実施例を図面を
用いて説明する。第１図は本発明による液晶光並列Ａ／
Ｄ変換器の１実施例の構成を示した斜視図である。第１
図において１は液晶基板Ａ、２は液晶基板Ｂ、３は透明
導電膜、４は光導電膜、５は網目格子状絶縁膜、６は液
晶配向膜、７はＴＮ液晶、８は偏光板である。本実施例
においては液晶基板Ａ、Ｂとしては両面とも光学研磨さ
れた大きさ２５１ｍ×２５鶴×１ｍｌの青板ガラスを用
い、透明導電膜３は真空蒸着法でＩＴＯを膜厚約１６０
０人形成し、光導電膜４は真空蒸着法でＳｅを膜厚約６
００人形成した。また網目格子状絶縁膜としては膜厚約
１μｍのＳｉＯ□膜をフォトリソグラフにより線幅５０
μｍで格子の大きさ２００８ｍＸ２００μｍの正方格子
に加工した。また、液晶配向膜６としてさらに電圧変化
により動作可能な液晶としてはコントラスト比の大きな
ＴＮ液晶７を用い、偏光素子としては高分子偏光フィル
ムを用いた偏光板８を用いこれら２枚の偏光板の偏光方
向は互いに平行に配置した。
用いて説明する。第１図は本発明による液晶光並列Ａ／
Ｄ変換器の１実施例の構成を示した斜視図である。第１
図において１は液晶基板Ａ、２は液晶基板Ｂ、３は透明
導電膜、４は光導電膜、５は網目格子状絶縁膜、６は液
晶配向膜、７はＴＮ液晶、８は偏光板である。本実施例
においては液晶基板Ａ、Ｂとしては両面とも光学研磨さ
れた大きさ２５１ｍ×２５鶴×１ｍｌの青板ガラスを用
い、透明導電膜３は真空蒸着法でＩＴＯを膜厚約１６０
０人形成し、光導電膜４は真空蒸着法でＳｅを膜厚約６
００人形成した。また網目格子状絶縁膜としては膜厚約
１μｍのＳｉＯ□膜をフォトリソグラフにより線幅５０
μｍで格子の大きさ２００８ｍＸ２００μｍの正方格子
に加工した。また、液晶配向膜６としてさらに電圧変化
により動作可能な液晶としてはコントラスト比の大きな
ＴＮ液晶７を用い、偏光素子としては高分子偏光フィル
ムを用いた偏光板８を用いこれら２枚の偏光板の偏光方
向は互いに平行に配置した。
次に第１図に示した実施例における本発明による液晶光
並列Ａ／Ｄ変換器の基本動作を第２図に示す。第２図に
おいて９は本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器、１０
は入力アナログ画像、１１は出力デジタル画像、１２は
駆動電源である。まず駆動電源９により電圧約６ボルト
のバイアス電圧を本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器
に印加した状態でＳｅ光導電膜の感光波長の光（例えば
アルゴンレーザー光）で形成されたアナログ画像１０を
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器９に照射すると本
発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器内には入力アナログ
画像１０に対する負画像が形成される。次に本発明によ
る液晶光並列Ａ／Ｄ変換器９にＳｅ光導電膜の感光波長
に比べ十分長い波長の光（例えば発光波長８５０μｍの
半導体レーザー光）による画像情報を含まない均一光を
照射すると入力アナログ画像１０の負画像として出力デ
ジタル画像１１が得られ目的とする光並列Ａ／Ｄ変換が
可能となる。
並列Ａ／Ｄ変換器の基本動作を第２図に示す。第２図に
おいて９は本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器、１０
は入力アナログ画像、１１は出力デジタル画像、１２は
駆動電源である。まず駆動電源９により電圧約６ボルト
のバイアス電圧を本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器
に印加した状態でＳｅ光導電膜の感光波長の光（例えば
アルゴンレーザー光）で形成されたアナログ画像１０を
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器９に照射すると本
発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器内には入力アナログ
画像１０に対する負画像が形成される。次に本発明によ
る液晶光並列Ａ／Ｄ変換器９にＳｅ光導電膜の感光波長
に比べ十分長い波長の光（例えば発光波長８５０μｍの
半導体レーザー光）による画像情報を含まない均一光を
照射すると入力アナログ画像１０の負画像として出力デ
ジタル画像１１が得られ目的とする光並列Ａ／Ｄ変換が
可能となる。
上記の本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器１１内に形
成された負画像を消去したい場合は駆動電源９により電
圧−６〜０ポルトのバイアス電圧を本発明による液晶光
並列Ａ／Ｄ変換器に印加した状態でＳｅ光導電膜の感光
波長の光（例えばアルゴンレーザー光）による画像情報
を含まない均一光を本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換
器に照射すればよい。これまでは入力アナログ画像を負
のデジタル画像に変換する方法について述べたが、入力
アナログ画像を正のデジタル画像に変換する場合は第１
図の本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の構成図にお
ける偏光板８の偏光方向を互いに直交させればよい。
成された負画像を消去したい場合は駆動電源９により電
圧−６〜０ポルトのバイアス電圧を本発明による液晶光
並列Ａ／Ｄ変換器に印加した状態でＳｅ光導電膜の感光
波長の光（例えばアルゴンレーザー光）による画像情報
を含まない均一光を本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換
器に照射すればよい。これまでは入力アナログ画像を負
のデジタル画像に変換する方法について述べたが、入力
アナログ画像を正のデジタル画像に変換する場合は第１
図の本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の構成図にお
ける偏光板８の偏光方向を互いに直交させればよい。
また本実施例では液晶７としてコントラスト比の大きな
ＴＮ液晶を用いたが、さらに高速駆動を要する場合はＳ
ｍＣ液晶あるいは強誘電液晶を用いることも可能である
。さらに光導電膜４としては使用する光の波長によりＣ
ｄＳ＋ ＣｄＳｅ、 Ｚｎ５ｅ。
ＴＮ液晶を用いたが、さらに高速駆動を要する場合はＳ
ｍＣ液晶あるいは強誘電液晶を用いることも可能である
。さらに光導電膜４としては使用する光の波長によりＣ
ｄＳ＋ ＣｄＳｅ、 Ｚｎ５ｅ。
ＨｇＣｄＴｅなどのカルコゲナイド化合物やバナジルフ
タロシアニンなどの光導電性有機物を用いればよい。
タロシアニンなどの光導電性有機物を用いればよい。
本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器を駆動させる場合
は近赤外半導体レーザーおよび近赤外半導体レーザーと
８−ＢａＪ０３などの非線型光学結晶を用いたＳＨＧ素
子を光源として用い２つの近赤外半導体レーザーへの駆
動電源と本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の駆動電
源を同期させることによりＴＮ液晶を用いた場合約２ｍ
５ｅｃｌフレーム、ＳｍＣ液晶を用いた場合約２００μ
ｓｅｃ／フレーム、強誘電液晶を用いた場合約１００μ
ｓｅｃ／フレームの変換速度が得られることがわかった
。
は近赤外半導体レーザーおよび近赤外半導体レーザーと
８−ＢａＪ０３などの非線型光学結晶を用いたＳＨＧ素
子を光源として用い２つの近赤外半導体レーザーへの駆
動電源と本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の駆動電
源を同期させることによりＴＮ液晶を用いた場合約２ｍ
５ｅｃｌフレーム、ＳｍＣ液晶を用いた場合約２００μ
ｓｅｃ／フレーム、強誘電液晶を用いた場合約１００μ
ｓｅｃ／フレームの変換速度が得られることがわかった
。
また第１図における網目格子状絶縁膜としては正方格子
形状に限定する必要はなく六角形光てん格子（ハチの巣
状）や正三角形光てん格子でも良い。また絶縁体材料と
してはＡ ７！２０３やＳｉ＋ＮａやＴａ２０５などの
材料を用いることも可能である。
形状に限定する必要はなく六角形光てん格子（ハチの巣
状）や正三角形光てん格子でも良い。また絶縁体材料と
してはＡ ７！２０３やＳｉ＋ＮａやＴａ２０５などの
材料を用いることも可能である。
以上述べたように本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器
は同盟基板上に透明導電膜を形成しその上に光導電膜を
形成した後網目格子状の絶縁膜を形成しその上に液晶配
向膜を形成した液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導
電膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した液晶基板を
ＢとしたときＡ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに
内側にして対向せしめ、その間隙に電圧変化によって動
作可能な液晶を封入した後、互いに適当な角度に偏光方
向のずれた２つの偏光素子ではさんだ構造とし、侍に使
用する液晶をＴＮ液晶、ＳｍＣ液晶、強誘電液晶とし、
使用する光導電膜がカルコゲナイド化合物膜、光導電性
有機膜とすることにより従来の液晶光並列Ａ／Ｄ変換器
に比べて簡単な構造でしかも正画像変換、負画像変換ど
ちらにも対応のできる光並列Ａ／Ｄ変換が可能となり光
並列画像・イメージ処理に対する効果は大きい。
は同盟基板上に透明導電膜を形成しその上に光導電膜を
形成した後網目格子状の絶縁膜を形成しその上に液晶配
向膜を形成した液晶基板をＡとし、透明基板上に透明導
電膜を形成しその上に液晶配向膜を形成した液晶基板を
ＢとしたときＡ、Ｂ各々の液晶配向膜の形成面を互いに
内側にして対向せしめ、その間隙に電圧変化によって動
作可能な液晶を封入した後、互いに適当な角度に偏光方
向のずれた２つの偏光素子ではさんだ構造とし、侍に使
用する液晶をＴＮ液晶、ＳｍＣ液晶、強誘電液晶とし、
使用する光導電膜がカルコゲナイド化合物膜、光導電性
有機膜とすることにより従来の液晶光並列Ａ／Ｄ変換器
に比べて簡単な構造でしかも正画像変換、負画像変換ど
ちらにも対応のできる光並列Ａ／Ｄ変換が可能となり光
並列画像・イメージ処理に対する効果は大きい。
第１図は本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の１実施
例の構成を示した斜視図であり、第２図は本発明による
液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の基本動作の説明図である。 １・・・液晶基板Ａ ２・・・液晶基板Ｂ ３・・・透明導電膜 ４・・・光導電膜 ５・・・網目格子形状絶縁膜 ６・・・液晶配向膜 ７・・・ＴＮ液晶 ８・・・偏光板 ９・・・本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器１０・・
・入力アナログ画像 １１・・・出力デジタル画像 １２・・・駆動電源 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 画 〆 吟 岨
例の構成を示した斜視図であり、第２図は本発明による
液晶光並列Ａ／Ｄ変換器の基本動作の説明図である。 １・・・液晶基板Ａ ２・・・液晶基板Ｂ ３・・・透明導電膜 ４・・・光導電膜 ５・・・網目格子形状絶縁膜 ６・・・液晶配向膜 ７・・・ＴＮ液晶 ８・・・偏光板 ９・・・本発明による液晶光並列Ａ／Ｄ変換器１０・・
・入力アナログ画像 １１・・・出力デジタル画像 １２・・・駆動電源 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 画 〆 吟 岨
Claims (3)
- （１）透明基板上に透明導電膜を形成しその上に光導電
膜を形成した後、網目格子形状の絶縁膜を形成しその上
に液晶配向膜を形成した液晶基板をＡとし、 透明基板上に透明導電膜を形成しその上に液晶配向膜を
形成した液晶基板をＢとしたとき、Ａ、Ｂ各々の液晶配
向膜の形成面を互いに内側にして対向せしめ、その間隙
に電圧変化によって動作可能な液晶を封入した後、互い
に適当な角度に偏光方向のずれた２つの偏光素子ではさ
んだことを特徴とする液晶光並列Ａ／Ｄ変換器。 - （２）使用する液晶がＴＮ液晶、ＳｍＣ液晶、強誘電液
晶のいずれかである特許請求の範囲第１項記載の液晶光
並列Ａ／Ｄ変換器。 - （３）使用する光導電膜がカルコゲナイド化合物膜ある
いは光導電性有機膜である特許請求の範囲第１項あるい
は第２項記載の液晶光並列Ａ／Ｄ変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267135A JPH01108524A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 液晶光並列ａ／ｄ変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267135A JPH01108524A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 液晶光並列ａ／ｄ変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108524A true JPH01108524A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17440563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267135A Pending JPH01108524A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 液晶光並列ａ／ｄ変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108524A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420091B1 (ko) * | 1998-01-09 | 2004-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 에이전트 시스템과 그 정보 처리 방법 |
| JP2013089929A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Tdk Corp | 軟磁性粉末、圧粉磁芯、及び磁気デバイス |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62267135A patent/JPH01108524A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420091B1 (ko) * | 1998-01-09 | 2004-02-25 | 가부시끼가이샤 도시바 | 에이전트 시스템과 그 정보 처리 방법 |
| JP2013089929A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-13 | Tdk Corp | 軟磁性粉末、圧粉磁芯、及び磁気デバイス |
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