JPH01108704A - 薄膜抵抗素子 - Google Patents
薄膜抵抗素子Info
- Publication number
- JPH01108704A JPH01108704A JP62265359A JP26535987A JPH01108704A JP H01108704 A JPH01108704 A JP H01108704A JP 62265359 A JP62265359 A JP 62265359A JP 26535987 A JP26535987 A JP 26535987A JP H01108704 A JPH01108704 A JP H01108704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- pattern
- insulating substrate
- resistor
- platinum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁性基板上に白金薄膜抵抗体パターンを有す
る薄膜抵抗素子に係わり、特に抵抗体パターンの構成に
関するものである。
る薄膜抵抗素子に係わり、特に抵抗体パターンの構成に
関するものである。
（従来の技術〕
従来よりこの種の薄膜抵抗素子において、抵抗体調整パ
ターンおよびその抵抗体調整パターンの電極端子パター
ンは、例えば熱酸化膜を形成したシリコンもしくはセラ
２ツクなどからなる絶縁性基板上に白金薄膜などの薄膜
抵抗体によ〕一体的に形成されている。
ターンおよびその抵抗体調整パターンの電極端子パター
ンは、例えば熱酸化膜を形成したシリコンもしくはセラ
２ツクなどからなる絶縁性基板上に白金薄膜などの薄膜
抵抗体によ〕一体的に形成されている。
しかしながらこのように構成される薄膜抵抗素子は、絶
縁性基板上に白金薄膜を成膜して形成されるが、この白
金薄膜の膜厚を数１０００Ａ以上とすると、絶縁性基板
と白金薄膜との密着力が数−漏 ／傷 以下と大幅に低下するという問題があった。
縁性基板上に白金薄膜を成膜して形成されるが、この白
金薄膜の膜厚を数１０００Ａ以上とすると、絶縁性基板
と白金薄膜との密着力が数−漏 ／傷 以下と大幅に低下するという問題があった。
例えばこの白金薄膜を用いて温度センサを製作した場合
、抵抗温度係数の面から考えると、その膜厚を大きくと
多たいが、密着力が大幅に低下するデメリットが生じる
。また、とのような密着力の低下は１、白金の成膜条件
を各種試みても改善することができなかった。
、抵抗温度係数の面から考えると、その膜厚を大きくと
多たいが、密着力が大幅に低下するデメリットが生じる
。また、とのような密着力の低下は１、白金の成膜条件
を各種試みても改善することができなかった。
し大がって本発明は、前述しな従来の問題に鑑みてなさ
れたものでＴｏり、その目的は、白金薄膜抵抗体パター
ンの絶縁性基板上への密着力を向上させ大薄膜抵抗素子
を提供することＫある。
れたものでＴｏり、その目的は、白金薄膜抵抗体パター
ンの絶縁性基板上への密着力を向上させ大薄膜抵抗素子
を提供することＫある。
（問題点を解決するための手段〕
本発明による薄膜抵抗素子線、絶縁性基板と白金薄膜抵
抗体パターンとの間にニオブ薄膜を介在させたものであ
る。
抗体パターンとの間にニオブ薄膜を介在させたものであ
る。
本発明においては、絶縁性基板上にニオブ薄膜が密着さ
れ、このニオブ薄膜上に白金薄膜抵抗体パターンが密着
される。
れ、このニオブ薄膜上に白金薄膜抵抗体パターンが密着
される。
以下図面を用いて本発明の実゛施例を詳細に説明する。
因は本発明による薄膜抵抗素子の一実施例を示す断面図
である。同図において、１はシリコンもしくはセラミッ
クなどからなる絶縁性基板、２は絶縁性基板１上に所定
のパターン形状で成膜されたニオブ薄膜パターン、３ａ
はニオブ薄膜パターン２上に成膜された白金薄膜からな
る抵抗体調整パターン、３ｂはニオブ薄膜パターン２上
に成膜された白金薄膜による電極端子パターンで、Ｓ＃
。
である。同図において、１はシリコンもしくはセラミッ
クなどからなる絶縁性基板、２は絶縁性基板１上に所定
のパターン形状で成膜されたニオブ薄膜パターン、３ａ
はニオブ薄膜パターン２上に成膜された白金薄膜からな
る抵抗体調整パターン、３ｂはニオブ薄膜パターン２上
に成膜された白金薄膜による電極端子パターンで、Ｓ＃
。
これらの抵抗体調整パターン３ａおよび電極端子パター
ン３ｂは、これらの抵抗体調整パターン３ｍ。
ン３ｂは、これらの抵抗体調整パターン３ｍ。
電極端子パターン３ｂとほぼ同じパターン形状で成膜さ
れたニオブ薄膜パターン２上に互いにパターン形状を一
致させて積層形成されている。４は抵抗体調整パターン
３ａが形成された絶縁性基板１上に成膜されな窒化シリ
コン薄膜からなる表面保護膜である。
れたニオブ薄膜パターン２上に互いにパターン形状を一
致させて積層形成されている。４は抵抗体調整パターン
３ａが形成された絶縁性基板１上に成膜されな窒化シリ
コン薄膜からなる表面保護膜である。
このように構成される薄膜抵抗素子は、次のようＫして
製作される。すなわち、絶縁性基板１上に、純度９９％
以上のニオブターゲットを使用して高周波スパッタリン
グ法により＝オプ薄膜を５０〜２００Ａの膜厚で成膜し
、引続きその真空雰囲気中の同一チャンバ内でニオブ薄
膜上に１純度９９．９４以上の白金ターゲットを使用し
て同様に高周波スパッタリング法により白金薄膜を約１
００００Ａ程度に成膜した後、フォトリソグラフィ法に
より所要の白金薄膜パターンをフォトレジスト膜で覆い
、ドライエツチング法によシネ要な部分の白金薄膜およ
びニオブ薄膜を除去してニオブ薄膜パターン２上ＫＸ抗
体調整パターン３ａおよび電極端子パターン３ｂが形成
される。次にこれらの抵抗体調整パターン３ａおよび電
極端子パターン３ｂが形成された絶縁性基板１上にスパ
ッタリング法により、窒化シリコン薄膜を約５０００Ａ
程度の厚さに成膜した後、フォトリソグラフィ法によ）
電極端子形成部以外の窒化シリコン薄膜を７オトレジス
ト膜で覆い、ドライエツチング法により電極端子形成部
の窒化シリコン薄膜を除去して電極端子パターン３ｂを
露出させて完成する。なお、この電極端子パターン３ｂ
Ｋは後でリード線が接合される。
製作される。すなわち、絶縁性基板１上に、純度９９％
以上のニオブターゲットを使用して高周波スパッタリン
グ法により＝オプ薄膜を５０〜２００Ａの膜厚で成膜し
、引続きその真空雰囲気中の同一チャンバ内でニオブ薄
膜上に１純度９９．９４以上の白金ターゲットを使用し
て同様に高周波スパッタリング法により白金薄膜を約１
００００Ａ程度に成膜した後、フォトリソグラフィ法に
より所要の白金薄膜パターンをフォトレジスト膜で覆い
、ドライエツチング法によシネ要な部分の白金薄膜およ
びニオブ薄膜を除去してニオブ薄膜パターン２上ＫＸ抗
体調整パターン３ａおよび電極端子パターン３ｂが形成
される。次にこれらの抵抗体調整パターン３ａおよび電
極端子パターン３ｂが形成された絶縁性基板１上にスパ
ッタリング法により、窒化シリコン薄膜を約５０００Ａ
程度の厚さに成膜した後、フォトリソグラフィ法によ）
電極端子形成部以外の窒化シリコン薄膜を７オトレジス
ト膜で覆い、ドライエツチング法により電極端子形成部
の窒化シリコン薄膜を除去して電極端子パターン３ｂを
露出させて完成する。なお、この電極端子パターン３ｂ
Ｋは後でリード線が接合される。
このような構成によれば、絶縁性基板１上にはニオブ薄
膜パターン２を介して抵抗体調整パター ベン３ａおよ
び電極端子パターン３ｂが形成されるので、ニオブ薄膜
パターン２は絶縁性基板１に密着され、抵抗体調整パタ
ーン３ａおよび電極端子パターン３ｂはニオブ薄膜パタ
ーン２上にそれぞれ密着される。し六がってこれらの抵
抗体調整パターン３ａおよび電極端子パターン３ｂは絶
縁性基板１上に強固に密着配置されるととＫなる。また
、電極端子パターン３ｂが絶縁性基板１に強固に密着形
成されるので、図示しないリード線の接合による電極端
子パターン３ｂの剥れを確実に防止することができる。
膜パターン２を介して抵抗体調整パター ベン３ａおよ
び電極端子パターン３ｂが形成されるので、ニオブ薄膜
パターン２は絶縁性基板１に密着され、抵抗体調整パタ
ーン３ａおよび電極端子パターン３ｂはニオブ薄膜パタ
ーン２上にそれぞれ密着される。し六がってこれらの抵
抗体調整パターン３ａおよび電極端子パターン３ｂは絶
縁性基板１上に強固に密着配置されるととＫなる。また
、電極端子パターン３ｂが絶縁性基板１に強固に密着形
成されるので、図示しないリード線の接合による電極端
子パターン３ｂの剥れを確実に防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、絶縁性基板と白金
薄膜抵抗体パターンとの間に＝オブ薄膜を介在させたこ
とＫよシ、白金薄膜抵抗体パターンが絶縁性基板上に強
固く密着配置されるので、剥離が確実に防止され、品質
および信頼の高い薄膜抵抗素子が得られるという極めて
優れた効果を有する。
薄膜抵抗体パターンとの間に＝オブ薄膜を介在させたこ
とＫよシ、白金薄膜抵抗体パターンが絶縁性基板上に強
固く密着配置されるので、剥離が確実に防止され、品質
および信頼の高い薄膜抵抗素子が得られるという極めて
優れた効果を有する。
図は本発明による薄膜抵抗素子の一実施例を示す断面図
である。 １・・・・絶縁性基板、２・・・・ニオブ薄膜パターン
、３ｍ ・・・・抵抗体調整パターン、３ｂ・・・・電
極端子パターン、４・・・・表面保護膜。 特許出願人 山武ハネウェル株式金社代理人 山川政
樹（ｔν１２名）
である。 １・・・・絶縁性基板、２・・・・ニオブ薄膜パターン
、３ｍ ・・・・抵抗体調整パターン、３ｂ・・・・電
極端子パターン、４・・・・表面保護膜。 特許出願人 山武ハネウェル株式金社代理人 山川政
樹（ｔν１２名）
Claims (1)
- 絶縁性基板上に白金薄膜抵抗体パターンを形成してな
る薄膜抵抗素子において、前記絶縁性基板と白金薄膜抵
抗体パターンとの間にニオブ薄膜を介在させたことを特
徴とする薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265359A JPH01108704A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265359A JPH01108704A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108704A true JPH01108704A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17416082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265359A Pending JPH01108704A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108704A (ja) |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62265359A patent/JPH01108704A/ja active Pending
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