JPH01108706A - 薄膜抵抗素子の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01108706A JPH01108706A JP62265357A JP26535787A JPH01108706A JP H01108706 A JPH01108706 A JP H01108706A JP 62265357 A JP62265357 A JP 62265357A JP 26535787 A JP26535787 A JP 26535787A JP H01108706 A JPH01108706 A JP H01108706A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode terminal
- insulating substrate
- aluminum
- resistor
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁性基板上に抵抗値の調節を行なう薄膜抵抗
体調整パターンを有する薄膜抵抗素子の製造方法に係わ
シ、特に抵抗体調整パターンの電極端子部の形成方法に
関するものである。
体調整パターンを有する薄膜抵抗素子の製造方法に係わ
シ、特に抵抗体調整パターンの電極端子部の形成方法に
関するものである。
従来よりこの種の薄膜抵抗素子において、抵抗体調整パ
ターンおよびその抵抗体調整パターンの電極端子パター
ンは、例えば熱酸化膜を形成したシリコンもしくはセラ
ミックなどからなる絶縁性基板上に白金薄膜などの薄膜
抵抗体により一体的に形成されている。
ターンおよびその抵抗体調整パターンの電極端子パター
ンは、例えば熱酸化膜を形成したシリコンもしくはセラ
ミックなどからなる絶縁性基板上に白金薄膜などの薄膜
抵抗体により一体的に形成されている。
しかしながら、このように構成される薄膜抵抗素子にお
いて、絶縁性基板と薄膜抵抗体との接着力が小さい場合
、電極端子にリード線を接合すると、この電極端子と絶
縁性基板との界面から容易に剥離してしまうという問題
があった。すなわち、抵抗体調整パターンの電極端子パ
ターンからリード線を安定して取シ出す必要があるが、
絶縁性基板と薄膜抵抗体との線膨張係数、熱伝導率等の
物性値に大きな差異がある場合、もしくは薄膜抵抗体の
残留応力が大きい場合に容易にそれらの界面から剥離し
てしまう。
いて、絶縁性基板と薄膜抵抗体との接着力が小さい場合
、電極端子にリード線を接合すると、この電極端子と絶
縁性基板との界面から容易に剥離してしまうという問題
があった。すなわち、抵抗体調整パターンの電極端子パ
ターンからリード線を安定して取シ出す必要があるが、
絶縁性基板と薄膜抵抗体との線膨張係数、熱伝導率等の
物性値に大きな差異がある場合、もしくは薄膜抵抗体の
残留応力が大きい場合に容易にそれらの界面から剥離し
てしまう。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的は、電極端子から安定してリ
ード線を取シ出すことができる薄膜抵抗素子の製造方法
を提供することにある。
れたものであシ、その目的は、電極端子から安定してリ
ード線を取シ出すことができる薄膜抵抗素子の製造方法
を提供することにある。
本発明による薄膜抵抗素子の製造方法は、電極端子パタ
ーン上に絶縁性基板と接着力の良好な導電性薄膜を成膜
して電極端子部を形成するものである。
ーン上に絶縁性基板と接着力の良好な導電性薄膜を成膜
して電極端子部を形成するものである。
本発明においては、導電性薄膜が電極端子パターンを覆
って絶縁性基板上に密着形成される。
って絶縁性基板上に密着形成される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（０は本発明による薄膜抵抗素子の製造
方法の一実施例を説明する工程の断面図であ）、第２図
はその製造工程の７０−チャートを示したものである。
方法の一実施例を説明する工程の断面図であ）、第２図
はその製造工程の７０−チャートを示したものである。
まず、第１図（１１）に示すように熱酸化膜を形成した
シリ；ンウエハもしくはアルミナ基板などからなる絶縁
性基板１上にスパッタリング法もしくは真空蒸着法によ
り白金薄膜２を厚さ約１０．０００λ程度に全面に成膜
する。次にこの白金薄膜２を７オトリノグラフイ法によ
りレジスト膜をパターニングした後、アルゴンイオンに
よるドライエツチング法を用いて不要な部分をエツチン
グし、同図Φ）に示すように薄膜抵抗体調整パターン３
ａおよびその電極端子パターン３ｂとしての薄膜抵抗体
３を形成する。次に同図（Ｃ）に示すように薄膜抵抗体
３が形成された絶縁性基板１上にこの絶縁性基板１と接
着性の良好な金属、例えばアルミニウムをスパッタリン
グ法もしくは真空蒸着法により厚さ約１０．０ＯＯＡ程
度のアルミニウム薄Ｍ４を全面に成膜する。次に同図（
ｄ）に示したようにこのアルミニウム薄膜４をフォトリ
ソグラフィ法によりレジスト膜をパターニングした後、
ウェット・エツチング法を用いて不要な部分をエツチン
グし、電極端子パターン３ｂとし薄膜抵抗体３の電極端
子のみを完全に覆うアルミニウム薄膜パターン５を形成
する。次に同図（ｅ）に示すように薄膜抵抗体３および
アルミニウム薄膜パターン５が形成された絶縁性基板１
上に高周波スパッタリング法もしくはプラズマＣＶＤ法
により酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン展等の耐環
境性保護膜Ｂを厚さ約１０．０００人程度に成膜した後
、同図（０に示すように保護膜６のアルミニウム薄膜パ
ターン５上を反応性イオンエツチング法によりエッチン
グして電極端子部７を形成する。
シリ；ンウエハもしくはアルミナ基板などからなる絶縁
性基板１上にスパッタリング法もしくは真空蒸着法によ
り白金薄膜２を厚さ約１０．０００λ程度に全面に成膜
する。次にこの白金薄膜２を７オトリノグラフイ法によ
りレジスト膜をパターニングした後、アルゴンイオンに
よるドライエツチング法を用いて不要な部分をエツチン
グし、同図Φ）に示すように薄膜抵抗体調整パターン３
ａおよびその電極端子パターン３ｂとしての薄膜抵抗体
３を形成する。次に同図（Ｃ）に示すように薄膜抵抗体
３が形成された絶縁性基板１上にこの絶縁性基板１と接
着性の良好な金属、例えばアルミニウムをスパッタリン
グ法もしくは真空蒸着法により厚さ約１０．０ＯＯＡ程
度のアルミニウム薄Ｍ４を全面に成膜する。次に同図（
ｄ）に示したようにこのアルミニウム薄膜４をフォトリ
ソグラフィ法によりレジスト膜をパターニングした後、
ウェット・エツチング法を用いて不要な部分をエツチン
グし、電極端子パターン３ｂとし薄膜抵抗体３の電極端
子のみを完全に覆うアルミニウム薄膜パターン５を形成
する。次に同図（ｅ）に示すように薄膜抵抗体３および
アルミニウム薄膜パターン５が形成された絶縁性基板１
上に高周波スパッタリング法もしくはプラズマＣＶＤ法
により酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン展等の耐環
境性保護膜Ｂを厚さ約１０．０００人程度に成膜した後
、同図（０に示すように保護膜６のアルミニウム薄膜パ
ターン５上を反応性イオンエツチング法によりエッチン
グして電極端子部７を形成する。
このような方法によれば、絶縁性基板１上に形成された
白金薄［１２からなる電極端子パターン３ｂが、この白
金薄Ｍ１２よりも接着力の大きいアルミニウム薄膜パタ
ーン５に被覆されるとともにこのアルミニウム薄膜パタ
ーン５が絶縁性基板１に密着して成膜され、このアルミ
ニウム薄膜パターン５上に電極端子部７が形成されるの
で、接着力の強固な電極端子７が得られる。
白金薄［１２からなる電極端子パターン３ｂが、この白
金薄Ｍ１２よりも接着力の大きいアルミニウム薄膜パタ
ーン５に被覆されるとともにこのアルミニウム薄膜パタ
ーン５が絶縁性基板１に密着して成膜され、このアルミ
ニウム薄膜パターン５上に電極端子部７が形成されるの
で、接着力の強固な電極端子７が得られる。
なか、前述した実施例において、絶縁性基板と接着力の
良好な金属としてアルミニウムを用いた場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではカ＜、他
の金属などを用いても前述と全く同様の効果が得られる
ことは勿論である。
良好な金属としてアルミニウムを用いた場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものではカ＜、他
の金属などを用いても前述と全く同様の効果が得られる
ことは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、第１の導電性薄Ｊ
ＩＩＫよシ形成された電極端子パターン上に第１の導電
性薄膜よ）も接着力の大きい第２の導電性薄膜を成膜し
て電極端子部を形成したことにより、絶縁性基板上に接
着力の強固な電極端子部が形成されるので、電極端子部
から安定してリード線を取シ出すことができ、品質およ
び信頼性の高い薄膜抵抗素子が得られるという極めて優
れた効果を有する。
ＩＩＫよシ形成された電極端子パターン上に第１の導電
性薄膜よ）も接着力の大きい第２の導電性薄膜を成膜し
て電極端子部を形成したことにより、絶縁性基板上に接
着力の強固な電極端子部が形成されるので、電極端子部
から安定してリード線を取シ出すことができ、品質およ
び信頼性の高い薄膜抵抗素子が得られるという極めて優
れた効果を有する。
第１図は本発明による薄膜抵抗素子の製造方法の一実施
例を説明する工程の断面図、第２図は製造工程のフロー
チャートを示す図である。 １・・・・絶縁性基板、２・−・・白金薄膜、３・・・
・薄膜抵抗体、３ａ・・・・薄膜抵抗体パターン、３ｂ
・・・・電極端子パターン、４・・・・アルミニウム薄
膜、５・・・・アルミニウム薄膜パターン、６・・・・
保護膜、１・・・・電極端子部。
例を説明する工程の断面図、第２図は製造工程のフロー
チャートを示す図である。 １・・・・絶縁性基板、２・−・・白金薄膜、３・・・
・薄膜抵抗体、３ａ・・・・薄膜抵抗体パターン、３ｂ
・・・・電極端子パターン、４・・・・アルミニウム薄
膜、５・・・・アルミニウム薄膜パターン、６・・・・
保護膜、１・・・・電極端子部。
Claims (1)
- 絶縁性基板上に抵抗体調整パターンおよびこの抵抗体
調整パターンの電極端子パターンを第１の導電性薄膜に
より形成してなる薄膜抵抗素子において、前記電極端子
パターン上に第１の導電性薄膜よりも接着力の大きい第
２の導電性薄膜を成膜して電極端子部を形成することを
特徴とした薄膜抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265357A JPH01108706A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265357A JPH01108706A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108706A true JPH01108706A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17416053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265357A Pending JPH01108706A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 薄膜抵抗素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108706A (ja) |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP62265357A patent/JPH01108706A/ja active Pending
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