JPS60186030A - ボンデイング方法 - Google Patents

ボンデイング方法

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JPS60186030A
JPS60186030A JP59041582A JP4158284A JPS60186030A JP S60186030 A JPS60186030 A JP S60186030A JP 59041582 A JP59041582 A JP 59041582A JP 4158284 A JP4158284 A JP 4158284A JP S60186030 A JPS60186030 A JP S60186030A
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JP
Japan
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layer
pad
bonding
wire
window
Prior art date
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JP59041582A
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English (en)
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Mikio Segawa
幹雄 瀬川
Kayo Yoshida
加代 吉田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明はボンディング方法、特に超音波を利用した手段
等にてボンディング面に金属細線（ワイヤ）等を接続し
、パッド部分の耐湿性を向上させる方法に関する。
（ｂ）技術の背景 磁気バブルメモリ素子や混成集積回路において、基板上
の回路パターンを外部接続したり、該基板にチップ状素
子を搭載又は搭載された該チップ状素子を基板回路に接
続する手段として、面と面を直接又は金属細線を介する
ボンディングが広く一般に行われている。そして、該ボ
ンディング部分の耐湿性を確保するためには、ＪＣＲ（
ジャンクション・コーティング・レジン）が塗着されて
いる。
（Ｃ）従来、技術と問題点 第１図は従来構成になる磁気バブルメモリ装置の前記ボ
ンディング部分を拡大して示す側断面図である。
金属細線を用いた第１図において、１は上面にガーネッ
ト層が結晶成長されたＧＧＧ基板、２はＧＧＧ基板１の
前記ガーネット層の上に被着されたＳｉＯ□の絶縁層、
３は絶縁層２の上にＡ７！をパターン形成させた外部接
続用パッド、４はＳｉＯ□又は耐熱性シリコン…脂（ポ
リラダーオルガノシロキサン）を被着してなる絶縁層、
５はＳｉＯ□にてなる保護層、６はパッド３の上面に一
端を熱圧着したＡＰ細線、７はボンディング部分を保護
するためのＪＣＲ層である。
このように構成された磁気バブルメモリ装置において、
ボンディング部分はＪＣＲ層７のみによって保護されて
いるが、ＪＣＲ層７の防湿性には限界があり、ＪＣＲを
コーティングするまでの放置時間及び放置条件にによっ
て耐湿性が左右されるため、品位がばらつく欠点及び工
程管理が煩わ′しいという欠点があった。
（ｄ）発明の目的 本発明の目的は、上記問題点を除去しボンディング部分
の信頼性を高めることである。
（ｅ）発明の構成 上記目的は、磁気バブルメモリ素子や混成集積回路にお
いて、基板上にパターン形成されたポンディングパッド
を覆う保護膜を被着したのち、該保護膜に窓明けして該
パッドのポンディング面の表層部を酸素プラズマ等の手
段により酸化させ、次いで超音波を利用する等の酸化層
破壊手段により該酸化層の上から金属細線等をポンディ
ングさせることを特徴としたボンディング方法により達
成される。
（ｆ）発明の実施例 以下に、図面を用いて本発明を磁気バブルメモリ装置に
適用した実施例を説明する。
第２図は本発明の一実施例になる磁気バブルメモリ装置
のボンディング部分を工程順に示す図であり、第１図と
共通部分には同一符合を用いた第２図において、８はパ
ッド３の上面を酸素プラズマに曝して形成されたＡ１の
酸化（ＡｎＯｘ）層である。
第２図（イ）において、ガーネッ１−ＧＧＧ基板１の上
面に厚さ１０００人程度入金４０ｇ膜をスパッタしてな
る絶縁層２を被着さセ、その上面に厚さ５０００人程度
入金ｌの外部接続用パッド３がパターン形成される。
次いで第２図（ロ）に示す如く、パッド、３の突出を平
準化する性質に優れる耐熱性シリコン樹脂の絶縁層４を
スピンコードで厚さ５０００人程度入金面被着し、その
上の全面にＳｉｎ、の保護層５をスパッタで厚さ約１０
００入金度に被着形成させる。
次いで第２図（ハ）に示す如く、パッド３の上面のボン
ディング部分の保護層５と絶縁層４を除去して窓９を穿
設したのち、窓９に露呈するパッド３の上面に酸素プラ
ズマを、例えば約１時間照射して１５０人程入金酸化（
ＡＡＯｘ）層８を形成させる。
次いで第２図（ニ）に示す如く、ＡＩｌ細線６の一端と
パッド３とを超音波ボンディングすると、パッド３とＡ
ｊ２細線６との接合部の酸化層８は超音波エネルギによ
り破壊され／ｌ細線６の一端がパッド３のＡ１層に圧着
される。
そこで第２図（ネ）に示す如く、ボッティングによりＪ
ＣＲ層７を形成させると、ＡＩ！細線６に圧着されない
パッド３の表面は、酸化層８とＪＣＲ層７により２重に
保護されるようになる。
なお、上記実施例はボッティングパッドに金属細線を超
音波ポンディングさせているが、本発明はかかる実施例
に限定されず、例えばボッティングパッドにチップ状搭
載素子を直接ボッティングさせたり、酸化層８はその形
成に際して窓９に露呈するパッド３の上面を空気中に適
宜の時間だけ曝す等の手段にて実現されるこ”とを付記
する。
（ｇ）発明の詳細 な説明した如く本発明によれば、ボッティングパッドの
耐湿性に対する従来の欠点が、ボッティングパッド上面
をパッド酸化層と従来から使用されている保護層とで２
重に保護させることにより除去され、その結果として磁
気バブルメモリ素子や混成集積回路等の特性及び信頼性
を向上し得た効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来構成になる磁気バブルメモリ装置の素子を
その搭載基板に回路接続するボンディング部分を拡大し
て示す側断面図、第２図は本発明の一実施例になる磁気
バブルメモリ装置の素子をその搭載基板に回路接続する
ボンディング部分を工程順に示す図である。 図中において、１基板、２は基板１層の上に被着された
絶縁層、３は絶縁層２の上にパターン形成された外部接
続用バッド、４は絶縁層、５はＳｔＯ□にてなる保ｉ１
層、６はバッド３の上面に一端を熱圧着したＡＩ細線、
７はボンディング部分を保護するためのＪＣＲ層、８は
バッド３の表面に形成させた酸化層、９は絶縁層４と保
護層５を選択的に除去してなる窓である。 第　１　図 第　？　図 （イ） ？ ／ （口ン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁気バブルメモリ素子や混成集積回路において基板上に
    パターン形成されたポンディングパッドを覆う保護膜を
    被着したのち、該保護膜に窓明けして該バンドのボンデ
    ィング面を露呈させ、該保護膜をマスクとして該ボンデ
    ィング面の表層部を酸素プラズマ等の手段により酸化さ
    せ、次いで超音波を利用する等の酸化層破壊手段により
    該酸化層の上から金属細線等をボンディングさせること
    を特徴としたボンディング方法。
JP59041582A 1984-03-05 1984-03-05 ボンデイング方法 Pending JPS60186030A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution
WO2014162387A1 (ja) * 2013-04-01 2014-10-09 パイオニア株式会社 ワイヤの接続構造及び電気機器
CN106158798A (zh) * 2016-07-11 2016-11-23 中航（重庆）微电子有限公司 一种芯片结构及其封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5192167A (en) * 1975-02-10 1976-08-12 Handotaisochi no seizohoho

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