JPH01200682A - 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法Info
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- JPH01200682A JPH01200682A JP63023964A JP2396488A JPH01200682A JP H01200682 A JPH01200682 A JP H01200682A JP 63023964 A JP63023964 A JP 63023964A JP 2396488 A JP2396488 A JP 2396488A JP H01200682 A JPH01200682 A JP H01200682A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気センサーなどに用いる強磁性磁気抵抗効
果素子の製造方法に関する。
果素子の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法としては、例
えば次に示すような方法がある。図面を参照して説明す
ると、第２図において、まず熱酸化シリコン１１上に、
強磁性薄膜及びＳｉＯ□膜を電子ビーム法で蒸着後、ス
パッタエツチング法によりパターンニングして、強磁性
薄膜層１２を形成する。
えば次に示すような方法がある。図面を参照して説明す
ると、第２図において、まず熱酸化シリコン１１上に、
強磁性薄膜及びＳｉＯ□膜を電子ビーム法で蒸着後、ス
パッタエツチング法によりパターンニングして、強磁性
薄膜層１２を形成する。
次に、マグネトロン・スパッタリング法により、Ｓｉｎ
、膜を成膜後、反応性イオンエツチング法によりパター
ンニングして、眉間絶縁膜層１３を形成する。その次に
、電子ビーム法でアルミを蒸着後、ウェットエツチング
法によりパターンニングして、電極配線１ｉ１４を形成
する。最後に、マグネトロン・スパッタリング法により
、Ｓｉ０ｇ膜をパッシベーション膜として成膜し、ワイ
ヤ・ボンディング・パッド形成のために、ウェットエツ
チング法によりパターンニングして、パッシベーション
膜１５を形成するという順序で製造している。
、膜を成膜後、反応性イオンエツチング法によりパター
ンニングして、眉間絶縁膜層１３を形成する。その次に
、電子ビーム法でアルミを蒸着後、ウェットエツチング
法によりパターンニングして、電極配線１ｉ１４を形成
する。最後に、マグネトロン・スパッタリング法により
、Ｓｉ０ｇ膜をパッシベーション膜として成膜し、ワイ
ヤ・ボンディング・パッド形成のために、ウェットエツ
チング法によりパターンニングして、パッシベーション
膜１５を形成するという順序で製造している。
（発明が解決しようとする課題）
この製法の欠点は、工程数が多いことである。
そのため条件制約が次々に追加され、わずかな条件ずれ
で不良が発生しやすい。特に、層間絶縁膜層１３とアル
ミ電極配線層１４との間に、解消しがたい内部応力の問
題が発生し、特性劣化及び膜の剥離を誘発する。また、
強磁性薄膜層にパーマロイ（ＮｉＦｅ）を用いているた
め、アルミ蒸着時の温度を３００℃以下にする必要があ
り、このためアルミの付着力が弱い。さらに、工程数が
多いので、スループットがよ（ない。
で不良が発生しやすい。特に、層間絶縁膜層１３とアル
ミ電極配線層１４との間に、解消しがたい内部応力の問
題が発生し、特性劣化及び膜の剥離を誘発する。また、
強磁性薄膜層にパーマロイ（ＮｉＦｅ）を用いているた
め、アルミ蒸着時の温度を３００℃以下にする必要があ
り、このためアルミの付着力が弱い。さらに、工程数が
多いので、スループットがよ（ない。
特に、電極配線層を初めに形成する場合、強磁性薄膜層
は数百人程度と薄いため、従来技術では、電極表面が粗
く、段差部が急な斜面なので、強磁性薄膜層が断線故障
を起こしやすいという欠点があった。
は数百人程度と薄いため、従来技術では、電極表面が粗
く、段差部が急な斜面なので、強磁性薄膜層が断線故障
を起こしやすいという欠点があった。
この発明は、成膜条件の範囲を広げて、工程数が少なく
、容易にしかも最良の膜を成膜することを目的としてい
る。
、容易にしかも最良の膜を成膜することを目的としてい
る。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明では、絶縁性基板上
に電極配線層を形成し、その後に強磁性薄膜層を形成し
、最後にパッシベーション膜で被覆する。
に電極配線層を形成し、その後に強磁性薄膜層を形成し
、最後にパッシベーション膜で被覆する。
本発明を図面に基づき説明する。第１図において、非導
電性で表面の平滑な、絶縁性基板１上に、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法等によりアルミ等を蒸着
し表面が平滑になるように成膜する。そして段差部がな
だらかになるようにテーパーエツチングを施してアルミ
等の電極配ｖＡ層２を形成する。その後に電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等により強磁性薄膜層３を形成
した後、従来法によってパッシベーション膜４を形成し
て被覆する。
電性で表面の平滑な、絶縁性基板１上に、スパッタリン
グ法、イオンブレーティング法等によりアルミ等を蒸着
し表面が平滑になるように成膜する。そして段差部がな
だらかになるようにテーパーエツチングを施してアルミ
等の電極配ｖＡ層２を形成する。その後に電子ビーム蒸
着法、スパッタリング法等により強磁性薄膜層３を形成
した後、従来法によってパッシベーション膜４を形成し
て被覆する。
本発明においては強磁性薄膜層は強磁性薄膜のみでよく
、層間絶縁膜を必要としない。また、最初にアルミ等を
蒸着するので、蒸着温度を上げて付着力を強めることが
できる。電極配線層は表面が滑らかで、段差部分でゆる
やかな傾斜にすることができ、強磁性薄膜層の１ｔｌｒ
線故障が起こらない。
、層間絶縁膜を必要としない。また、最初にアルミ等を
蒸着するので、蒸着温度を上げて付着力を強めることが
できる。電極配線層は表面が滑らかで、段差部分でゆる
やかな傾斜にすることができ、強磁性薄膜層の１ｔｌｒ
線故障が起こらない。
（発明の効果）
本発明によれば、従来法のような眉間絶縁膜層を必要と
しないため、製造工程数を減らすことができ、内部応力
の問題が生じないため、特性劣化及び膜の剥離を防止で
きる。また、電極配線層の段差部がゆるやかな傾斜にな
っているので、電極表面が平滑となり、強磁性薄膜層に
断線故障が起き難くなった。これにより、信頼性の向上
を図ることができる。
しないため、製造工程数を減らすことができ、内部応力
の問題が生じないため、特性劣化及び膜の剥離を防止で
きる。また、電極配線層の段差部がゆるやかな傾斜にな
っているので、電極表面が平滑となり、強磁性薄膜層に
断線故障が起き難くなった。これにより、信頼性の向上
を図ることができる。
さらに、それぞれの成膜条件を独立に最良に決定するこ
とができるようになり、これにより、さまざまな問題や
不良を少なくできるので、磁気抵抗効果特性の良い素子
を容易に製造できる。
とができるようになり、これにより、さまざまな問題や
不良を少なくできるので、磁気抵抗効果特性の良い素子
を容易に製造できる。
（実施例）
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明する
。
。
実施例１
絶縁性基板として熱酸化膜を有する厚さ４００ ｕｎの
シリコン・ウェハをを用い、この基板上に厚さ０．８−
のアルミをマグネトロン・スパッタリング法で温度４０
０°Ｃで蒸着する。イオンビーム・ミリング法により静
ガスを用いて段差部がなだらかになるように、テーパー
エツチングして電極配線層を形成する。その後に、厚さ
３００人のパーマロイの強磁性薄膜層を形成する。次に
、ワイヤ・ボンディング・バット形成も含めたパッシベ
ーション膜は、マグネトロン・スパッタリング法により
Ａｒガスを用いてＳｉＯ□膜を形成して露出する各層を
被覆した。
シリコン・ウェハをを用い、この基板上に厚さ０．８−
のアルミをマグネトロン・スパッタリング法で温度４０
０°Ｃで蒸着する。イオンビーム・ミリング法により静
ガスを用いて段差部がなだらかになるように、テーパー
エツチングして電極配線層を形成する。その後に、厚さ
３００人のパーマロイの強磁性薄膜層を形成する。次に
、ワイヤ・ボンディング・バット形成も含めたパッシベ
ーション膜は、マグネトロン・スパッタリング法により
Ａｒガスを用いてＳｉＯ□膜を形成して露出する各層を
被覆した。
比較例１
絶縁性基板として熱酸化膜を有する厚さ４００−のシリ
コン・ウェハを用い、この基板上に、厚さ３００人のパ
ーマロイの強磁性薄膜を有する強磁性薄膜層を形成する
。−次に、マグネトロン・スパッタリング法によりＡｒ
ガスを用いて、厚さ２．５−の５ｉＯ１膜の眉間絶縁膜
層を形成する。その後に電子ビーム法により、温度２６
０℃で、１．５岬の電極配線層を形成する。最後に、パ
ッシベーションを行った。
コン・ウェハを用い、この基板上に、厚さ３００人のパ
ーマロイの強磁性薄膜を有する強磁性薄膜層を形成する
。−次に、マグネトロン・スパッタリング法によりＡｒ
ガスを用いて、厚さ２．５−の５ｉＯ１膜の眉間絶縁膜
層を形成する。その後に電子ビーム法により、温度２６
０℃で、１．５岬の電極配線層を形成する。最後に、パ
ッシベーションを行った。
従来法により製造した素子と本発明により製造した素子
の特性を第３図により比較する。
の特性を第３図により比較する。
図かられかるように、本発明によって優れた磁気抵抗効
果特性が得られる。
果特性が得られる。
第１図は、本発明実施例による製造方法を示す強磁性磁
気抵抗効果素子の断面図、 第２図は、従来の製造方法を示す磁気抵抗効果素子の断
面図である。 第３図は、本発明実施例（Ａ）と従来例（Ｂ）による素
子の磁界（Ｘ軸）と抵抗変化率（Ｙ軸）の関係を示すグ
ラフである。 １・・・絶縁性基板 ２・・・電極配線層３・・
・強磁性薄膜層 ４・・・パッシベーション膜１１
・・・熱酸化シリコ、ン １２・・・強磁性薄膜層１
３・・・層間絶縁膜層 １４・・・電極配線層１５
・・・パッシベーション膜。 特許出願人 株式会社 コ パ ル第１図 第２図 第３図 ＋ＡＩ （８）。 ｂユ界ｆｏｅ１ 手続補正書 昭和６３年２月８日 １０発明の名称 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 １、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１２２）株式会社コパル １、代理人 ５、補正の対象
気抵抗効果素子の断面図、 第２図は、従来の製造方法を示す磁気抵抗効果素子の断
面図である。 第３図は、本発明実施例（Ａ）と従来例（Ｂ）による素
子の磁界（Ｘ軸）と抵抗変化率（Ｙ軸）の関係を示すグ
ラフである。 １・・・絶縁性基板 ２・・・電極配線層３・・
・強磁性薄膜層 ４・・・パッシベーション膜１１
・・・熱酸化シリコ、ン １２・・・強磁性薄膜層１
３・・・層間絶縁膜層 １４・・・電極配線層１５
・・・パッシベーション膜。 特許出願人 株式会社 コ パ ル第１図 第２図 第３図 ＋ＡＩ （８）。 ｂユ界ｆｏｅ１ 手続補正書 昭和６３年２月８日 １０発明の名称 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 １、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１２２）株式会社コパル １、代理人 ５、補正の対象
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、平滑面を有するように成膜しテーパ
ーエッチングを施した電極配線層を形成し、その後に、
強磁性薄膜層を形成し、次いで、パッシベーション膜で
被覆する各工程を有する強磁性磁気抵抗効果素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023964A JPH01200682A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023964A JPH01200682A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200682A true JPH01200682A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12125232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023964A Pending JPH01200682A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 強磁性磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200682A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
| WO2022190854A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023964A patent/JPH01200682A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5471084A (en) * | 1991-12-03 | 1995-11-28 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetoresistive element and manufacturing method therefor |
| WO2022190854A1 (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法 |
| JP2022139466A (ja) * | 2021-03-12 | 2022-09-26 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法 |
| US12385989B2 (en) | 2021-03-12 | 2025-08-12 | Tdk Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
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