JPH01108739A - 動作デバイスの論理状態検査装置 - Google Patents
動作デバイスの論理状態検査装置Info
- Publication number
- JPH01108739A JPH01108739A JP62265969A JP26596987A JPH01108739A JP H01108739 A JPH01108739 A JP H01108739A JP 62265969 A JP62265969 A JP 62265969A JP 26596987 A JP26596987 A JP 26596987A JP H01108739 A JPH01108739 A JP H01108739A
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- Japan
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- determining
- logic
- timing
- electron beam
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
本発明はＬＳＩのように電子ビームの照射されたデバイ
スの動作状態を二次電子により検査する装置に関し、 動作デバイスの内部回路が論理的に何のような状態であ
るかを高速・高精度に検査できる装置を提供することを
目的とし、 一定のパターン周期で動作するデバイスについて、スト
ロボ電子ビームを使用して該デバイスの論理状態を検査
する装置において、分析電圧の複数の設定値について取
得した二次電子信号の加算平均データを各タイミング点
毎に補間する手段と、所定の二次電子信号スライスレベ
ルとの交点から対応分析電圧のヒストグラム分布を求め
る手段と、請求められたヒストグラムの分布に基づいて
Ｓ／Ｎを判定すると共に、デバイスの動作論理の二値化
レベルを決定し、各タイミング点におけるデバイスの論
理を求める手段とを具備することで構成する。
スの動作状態を二次電子により検査する装置に関し、 動作デバイスの内部回路が論理的に何のような状態であ
るかを高速・高精度に検査できる装置を提供することを
目的とし、 一定のパターン周期で動作するデバイスについて、スト
ロボ電子ビームを使用して該デバイスの論理状態を検査
する装置において、分析電圧の複数の設定値について取
得した二次電子信号の加算平均データを各タイミング点
毎に補間する手段と、所定の二次電子信号スライスレベ
ルとの交点から対応分析電圧のヒストグラム分布を求め
る手段と、請求められたヒストグラムの分布に基づいて
Ｓ／Ｎを判定すると共に、デバイスの動作論理の二値化
レベルを決定し、各タイミング点におけるデバイスの論
理を求める手段とを具備することで構成する。
［産業上の利用分野］
本発明はＬＳＩのように電子ビームの照射されたデバイ
スの動作状態を二次電子により検査する装置に関する。
スの動作状態を二次電子により検査する装置に関する。
従来、電子ビームがストロボ式に照射されたＬＳＩにつ
いて、放出された二次電子によりデバイスの論理状態検
査を行うとき、短時間の処理を行うことを意図している
から、長時間にわたって正確な値を得る方式は比較的困
難であった。そのための技術を開発することが要望され
た。
いて、放出された二次電子によりデバイスの論理状態検
査を行うとき、短時間の処理を行うことを意図している
から、長時間にわたって正確な値を得る方式は比較的困
難であった。そのための技術を開発することが要望され
た。
［従来の技術］
第４図は従来のアナログ的な動作レベルの状態検査装置
を示す図である。第４図において、１はストロボ電子ビ
ーム装置を全体的に示すもの、１１は電子銃、１２は電
子ビームに対する静電偏向器、１３はアパーチャ、１４
は偏向コイル、１５は二次電子検知器、１６はエネルギ
ー分析器、１７はＬＳＩのような被測定デバイスを示す
、また２はストロボ信号発止装置、３はタイミング信号
発生回路、４は演算制御装置を示している。ストロボ信
号発生装置２の出力により制御されて電子銃１１からの
電子ビームがストロボ式に発生する。
を示す図である。第４図において、１はストロボ電子ビ
ーム装置を全体的に示すもの、１１は電子銃、１２は電
子ビームに対する静電偏向器、１３はアパーチャ、１４
は偏向コイル、１５は二次電子検知器、１６はエネルギ
ー分析器、１７はＬＳＩのような被測定デバイスを示す
、また２はストロボ信号発止装置、３はタイミング信号
発生回路、４は演算制御装置を示している。ストロボ信
号発生装置２の出力により制御されて電子銃１１からの
電子ビームがストロボ式に発生する。
静電偏向器１２と偏向コイル１４により偏向された電子
ビームは、アパーチャ１３を通り、被測定デバイス１７
に照射されて二次電子を放出する。
ビームは、アパーチャ１３を通り、被測定デバイス１７
に照射されて二次電子を放出する。
この二次電子はエネルギー分析器１６を介して二次電子
検知器１５により検知される。被測定デバイス１７には
タイミング発生回路３を介して所定の変化する電圧信号
を印加していて、検知器１５により検知した二次電子エ
ネルギーはデバイスの電位に依存する。
検知器１５により検知される。被測定デバイス１７には
タイミング発生回路３を介して所定の変化する電圧信号
を印加していて、検知器１５により検知した二次電子エ
ネルギーはデバイスの電位に依存する。
第５図に示す曲線はエネルギー分析器の分析電圧を横軸
に、縦軸に二次電子信号をとり、デバイスの印加電圧を
パラメータとして示したもので、印加電圧が高（なると
曲線は図の右方向ヘシフトする。二次電子信号の成るス
ライスレベルにおいて各曲線を切るとデバイスの印加電
圧に対応した分析電圧ＶＲを、アナログ的に求めること
ができる。
に、縦軸に二次電子信号をとり、デバイスの印加電圧を
パラメータとして示したもので、印加電圧が高（なると
曲線は図の右方向ヘシフトする。二次電子信号の成るス
ライスレベルにおいて各曲線を切るとデバイスの印加電
圧に対応した分析電圧ＶＲを、アナログ的に求めること
ができる。
［発明が解決しようとする問題点］
第５図に示すように従来はアナログ的に求めることが出
来て、短時間における測定は容易であった。しかし、デ
バイスにかける印加信号パターンを種々変化させてデバ
イスの状態を論理的に長時間にわたって把握したいとき
、高精度に有効に求める手段はなかった。また短時間で
処理することが出来なかった。
来て、短時間における測定は容易であった。しかし、デ
バイスにかける印加信号パターンを種々変化させてデバ
イスの状態を論理的に長時間にわたって把握したいとき
、高精度に有効に求める手段はなかった。また短時間で
処理することが出来なかった。
本発明の目的は前述の欠点を改善し、動作デバイスの内
部回路が論理的に何のような状態であるかを高速・高精
度に検査できる装置を提供することにある。
部回路が論理的に何のような状態であるかを高速・高精
度に検査できる装置を提供することにある。
Ｅ問題点を解決するための手段］
第１図は本発明の原理構成を示す図である。第１図にお
いて、１はストロボ電子ビーム装置を全体的に示すもの
、２はストロボ信号発生装置、３はタイミング信号発生
回路、４は演算制御装置、１１は電子銃、２１はデータ
補間手段、２２はヒストグラム分布を求める手段、２３
はデバイスの論理を求める手段を示す。
いて、１はストロボ電子ビーム装置を全体的に示すもの
、２はストロボ信号発生装置、３はタイミング信号発生
回路、４は演算制御装置、１１は電子銃、２１はデータ
補間手段、２２はヒストグラム分布を求める手段、２３
はデバイスの論理を求める手段を示す。
一定のパターン周期で動作するデバイスについて、スト
ロボ電子ビーム装置１を使用して該デバイス１７の状態
を検査する装置において、本発明は下記の構成としてい
る。即ち、 分析電圧の複数の設定値について取得した二次電子信号
の加算平均データを補間する手段２１と、所定の二次電
子信号スライスレベルとの交点により対応するヒストグ
ラム分布を求める手段２２と、該もとめられたヒストグ
ラムの分布に基づいてＳ／間を判定すると共にデバイス
の動作論理の二値化レベルを決定し、各タイミング点に
おけるデバイスの論理を求める手段２３とを具備するこ
とである。
ロボ電子ビーム装置１を使用して該デバイス１７の状態
を検査する装置において、本発明は下記の構成としてい
る。即ち、 分析電圧の複数の設定値について取得した二次電子信号
の加算平均データを補間する手段２１と、所定の二次電
子信号スライスレベルとの交点により対応するヒストグ
ラム分布を求める手段２２と、該もとめられたヒストグ
ラムの分布に基づいてＳ／間を判定すると共にデバイス
の動作論理の二値化レベルを決定し、各タイミング点に
おけるデバイスの論理を求める手段２３とを具備するこ
とである。
［作用］
タイミング発生回路３において所定周期のクロックパル
スを発生させ、デバイスを一定のパターン周期で動作さ
せる０分析電圧を成る値に設定し、ストロボ信号発生回
路２により電子ビーム照射のタイミングを得て、デバイ
ス１７にデバイスの動作パターン周期に同期して複数の
所定のタイミングで電子ビームを照射する。そのときの
二次電子信号を電子ビームの照射タイミングに同期して
サンプリングし、同−繰り返し周期における同一タイミ
ング点同士で二次電子信号データを加算平均する。
スを発生させ、デバイスを一定のパターン周期で動作さ
せる０分析電圧を成る値に設定し、ストロボ信号発生回
路２により電子ビーム照射のタイミングを得て、デバイ
ス１７にデバイスの動作パターン周期に同期して複数の
所定のタイミングで電子ビームを照射する。そのときの
二次電子信号を電子ビームの照射タイミングに同期して
サンプリングし、同−繰り返し周期における同一タイミ
ング点同士で二次電子信号データを加算平均する。
この操作を分析電圧の複数の設定値について行い、各タ
イミング点について設定分析電圧に対応して得られた二
次電子信号の加算平均データをデータ補間手段２１でデ
ータ補間する０次に二次電子信号に対する所定のスライ
スレベルとの交点から各タイミング点における対応分析
電圧を求める。
イミング点について設定分析電圧に対応して得られた二
次電子信号の加算平均データをデータ補間手段２１でデ
ータ補間する０次に二次電子信号に対する所定のスライ
スレベルとの交点から各タイミング点における対応分析
電圧を求める。
以上の動作を繰り返し行い、各タイミング点における対
応分析電圧を加算平均し、手段２２によりヒストグラム
分布を求める。次に求められた分布に基づいて手段２３
により各タイミング点のデバイスの論理値を求める。
応分析電圧を加算平均し、手段２２によりヒストグラム
分布を求める。次に求められた分布に基づいて手段２３
により各タイミング点のデバイスの論理値を求める。
［実施例］
第２図は本発明の実施例の構成を示す図である。
第２図において、３１はサンプリングＡ／Ｄ変換器、３
２は遅延回路、３３は加算平均回路、３４はメモリ装置
、３５はＤ／Ａ変換器を示す。動作を説明すると、最初
に演算制御装置４においてエネルギー分析器の分析電圧
を初期値としてＤ／Ａ変換器３５にセットする０次にタ
イミング発生回路３により、被測定デバイスを一定のパ
ターン周期で動作させると共に、基準クロック信号をス
トロボ発生回路２に送り、回路２は電子ビームを電子銃
１１からデバイスのとをさに同期したタイミングでデバ
イスに照射する。第３図はそれらの時間関係を示す動作
タイムチャートである。デバイスの動作パターン−周期
における照射回数をＮｐ回としたとき、放出された二次
電子信号について検知器１５で検知し、サンプリングＡ
／Ｄ変換器３１においてＮ９回サンプリングする。そし
て同口サンプリングしたときの同−順同士（１番目なら
各１番目）を都合Ｎｅ回取り出す。各値を加算平均回路
３３において加算平均し、その結果をメモリ装置３４に
格納する。次に、演算制御装置４はＤ／Ａ変換機３５に
おける分析電圧値を更新し、その値が最終分析電圧値と
なるまでの複数の分析電圧設定値について以上の動作を
繰り返す、メモリ装置３４に格納されたデータを読出し
て各タイミング点毎に補間手段２１により各加算平均値
の間を補関し、それらデータと二次電子信号スライスレ
ベルとの交点から対応分析電圧値を求める。
２は遅延回路、３３は加算平均回路、３４はメモリ装置
、３５はＤ／Ａ変換器を示す。動作を説明すると、最初
に演算制御装置４においてエネルギー分析器の分析電圧
を初期値としてＤ／Ａ変換器３５にセットする０次にタ
イミング発生回路３により、被測定デバイスを一定のパ
ターン周期で動作させると共に、基準クロック信号をス
トロボ発生回路２に送り、回路２は電子ビームを電子銃
１１からデバイスのとをさに同期したタイミングでデバ
イスに照射する。第３図はそれらの時間関係を示す動作
タイムチャートである。デバイスの動作パターン−周期
における照射回数をＮｐ回としたとき、放出された二次
電子信号について検知器１５で検知し、サンプリングＡ
／Ｄ変換器３１においてＮ９回サンプリングする。そし
て同口サンプリングしたときの同−順同士（１番目なら
各１番目）を都合Ｎｅ回取り出す。各値を加算平均回路
３３において加算平均し、その結果をメモリ装置３４に
格納する。次に、演算制御装置４はＤ／Ａ変換機３５に
おける分析電圧値を更新し、その値が最終分析電圧値と
なるまでの複数の分析電圧設定値について以上の動作を
繰り返す、メモリ装置３４に格納されたデータを読出し
て各タイミング点毎に補間手段２１により各加算平均値
の間を補関し、それらデータと二次電子信号スライスレ
ベルとの交点から対応分析電圧値を求める。
以上の動作を繰り返し行い、各タイミング点毎に求めた
対応分析電圧を加算平均することにより、ヒストグラム
分布を求める手段２２において対応 −分析電圧のヒス
トグラム分布を求める。そしてデバイス１７の論理を求
める手段２３において、前記得られたヒストグラム分布
を見てそのデータに基づいてＳ／Ｎを判定すると共に、
分析電圧値によるデバイス１７の動作論理の二値化レベ
ルを求める０次に二値化レベルに基づいてデバイスの各
タイミング点の二値化論理データ“Ｈ”Ｌ”を求める。
対応分析電圧を加算平均することにより、ヒストグラム
分布を求める手段２２において対応 −分析電圧のヒス
トグラム分布を求める。そしてデバイス１７の論理を求
める手段２３において、前記得られたヒストグラム分布
を見てそのデータに基づいてＳ／Ｎを判定すると共に、
分析電圧値によるデバイス１７の動作論理の二値化レベ
ルを求める０次に二値化レベルに基づいてデバイスの各
タイミング点の二値化論理データ“Ｈ”Ｌ”を求める。
［発明の効果］
このようにして本発明によると、被測定デバイスに対し
ストロボ式にデバイス動作パターンの一周期内に複数回
の照射を行い、検出した二次電子信号を演算して論理デ
ータを得るため、スライスレベルと各分析電圧に対する
補間データとの交点を求めてから、ヒストグラムの分布
に基づいてデバイスの論理をディジタル的に求めていて
、結果を得るまでに短時間で済み、且つ精度も高くなる
効果を有する。
ストロボ式にデバイス動作パターンの一周期内に複数回
の照射を行い、検出した二次電子信号を演算して論理デ
ータを得るため、スライスレベルと各分析電圧に対する
補間データとの交点を求めてから、ヒストグラムの分布
に基づいてデバイスの論理をディジタル的に求めていて
、結果を得るまでに短時間で済み、且つ精度も高くなる
効果を有する。
第１図は本発明の原理構成を示す図、
第２図は本発明の実施例の構成を示す図、第３図は第２
図の動作タイムチャート、第４図は従来の検査装置の構
成を示す図、第５図は第４図の動作説明図である。 １・−・−ストロボ電子ビーム装置 ２−・−ストロボ信号発生装置 ３−タイミング信号発生装置 ４・・・・演算制御装置 １１・・・電子銃 １５−・−二次電子検知器 １６−・−エネルギー分析器 １７−・−被測定デバイス ２１−補間手段 ２２−ヒストグラム分布を求める手段 ２３・・・デバイスの論理を求める手段特許出願人
富士通株式会社 代 理 人 弁理士 鈴木栄祐 第１図
図の動作タイムチャート、第４図は従来の検査装置の構
成を示す図、第５図は第４図の動作説明図である。 １・−・−ストロボ電子ビーム装置 ２−・−ストロボ信号発生装置 ３−タイミング信号発生装置 ４・・・・演算制御装置 １１・・・電子銃 １５−・−二次電子検知器 １６−・−エネルギー分析器 １７−・−被測定デバイス ２１−補間手段 ２２−ヒストグラム分布を求める手段 ２３・・・デバイスの論理を求める手段特許出願人
富士通株式会社 代 理 人 弁理士 鈴木栄祐 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一定のパターン周期で動作するデバイス（１７）につ
いて、ストロボ電子ビーム装置（１）を使用して該デバ
イス（１７）の論理状態を検査する装置において、分析
電圧の複数の設定値について取得した二次電子信号の加
算平均データを同一タイミング点毎に補間する手段（２
１）と、 所定の二次電子信号スライスレベルとの交点により対応
する分析電圧のヒストグラム分布を求める手段（２２）
と、 該求められたヒストグラムの分布に基づいてＳ／Ｎを判
定すると共にデバイスの動作論理の二値化レベルを決定
し、各タイミング点におけるデバイスの論理を求める手
段（２３）を演算制御装置（４）内に具備すること を特徴とする動作デバイスの論理状態を検査する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265969A JPH01108739A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 動作デバイスの論理状態検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62265969A JPH01108739A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 動作デバイスの論理状態検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108739A true JPH01108739A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17424559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62265969A Pending JPH01108739A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 動作デバイスの論理状態検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108739A (ja) |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62265969A patent/JPH01108739A/ja active Pending
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