JPS647498B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS647498B2 JPS647498B2 JP54118996A JP11899679A JPS647498B2 JP S647498 B2 JPS647498 B2 JP S647498B2 JP 54118996 A JP54118996 A JP 54118996A JP 11899679 A JP11899679 A JP 11899679A JP S647498 B2 JPS647498 B2 JP S647498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- point
- measured
- electron beam
- pulsed
- irradiation position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、動作中のICの内部電位を自動測定
する装置に関する。
する装置に関する。
第１図は従来のIC自動測定器の例を示す。図
において、１はパターン発生器、２は電源、３は
供試IC、４は制御用コンピユータ、５は比較器
である。このような従来のIC自動測定器では、
制御コンピユータ４からの信号によりパターン発
生器１は試験パターンを供試IC３に加え、供試
IC３の出力端子に現われる出力信号を予じめ制
御用コンピユータ４にプログラムされた期待値と
比較器５で比較する事によりICの良否を判定し
ている。しかし、ICが不良の場合、入出力での
判断だけでは不良個所を求める事は難かしく、従
つて製造工程での異常及びユーザーでのクレーム
品の調査解析を行う際に、従来は各種測定器と入
手による内部探針等により、故障個所を調査して
いた。しかし、さらに微細化されたLSIのパター
ン上を探針する事は非常に困難であり、コンピユ
ータ等を使つた故障解析でも故障個所をはつきり
と確認する事は出来なくなつている。
において、１はパターン発生器、２は電源、３は
供試IC、４は制御用コンピユータ、５は比較器
である。このような従来のIC自動測定器では、
制御コンピユータ４からの信号によりパターン発
生器１は試験パターンを供試IC３に加え、供試
IC３の出力端子に現われる出力信号を予じめ制
御用コンピユータ４にプログラムされた期待値と
比較器５で比較する事によりICの良否を判定し
ている。しかし、ICが不良の場合、入出力での
判断だけでは不良個所を求める事は難かしく、従
つて製造工程での異常及びユーザーでのクレーム
品の調査解析を行う際に、従来は各種測定器と入
手による内部探針等により、故障個所を調査して
いた。しかし、さらに微細化されたLSIのパター
ン上を探針する事は非常に困難であり、コンピユ
ータ等を使つた故障解析でも故障個所をはつきり
と確認する事は出来なくなつている。
本発明は、このような従来測定器に代わる新規
な自動測定器を提供することを目的とし、本発明
測定器によると、IC内部の任意の点での電位及
び動作速度を自動的に測定出来る為に、ICの良
否を高精度に判定出来るとともに、電子ビームに
よりLSIパターン上の電位を調べる為にサブミク
ロンの微細パターン上でも調査が可能である。
な自動測定器を提供することを目的とし、本発明
測定器によると、IC内部の任意の点での電位及
び動作速度を自動的に測定出来る為に、ICの良
否を高精度に判定出来るとともに、電子ビームに
よりLSIパターン上の電位を調べる為にサブミク
ロンの微細パターン上でも調査が可能である。
第２図に本発明による自動測定器の構成例を示
す。１はパターン発生器、２は電源、３は供試
IC、４は制御用コンピユータ、５は比較器、６
１は電子ビーム発生用Ｅ−ガン、６２はビームチ
ヨツパー、６３は偏向器、７は二次電子検出器、
８は増巾器である。この構成側では、制御用コン
ピユータ４からの信号により電源２は電圧を被測
定素子３に印加しパターン発生器１は試験パター
ンを供試IC３に加える。ここまでは従来の自動
測定器と同じであるが、本発明では、電子ビーム
機器６の電子ビーム発生用Ｅ−ガン６１で発生さ
れた電子ビームはビームチヨツパー６２でパルス
ビームになり、コンピユータ４からの偏向器６３
に対する制御電圧により、供試IC３上の被測定
点に照射される。すなわち、制御用コンピユータ
４はビームチヨツパー６２でのビームをチヨツプ
するタイミングと偏向器６３でのビームの偏向量
をプログラムに従つて制御する。電子ビームの照
射により被測定点から、その点の電位に応じた量
で出て来る二次電子は二次電子検出器７によつて
検出され増巾器８により増巾された電気信号は制
御用コンピユータ４の制御のもとに電源２が発生
する期待の基準電圧と比較器５で比較され、その
大小関係が制御用コンピユータ４にプログラムさ
れた通りであれば被測定点は制御用コンピユータ
４により電気的に異常なしと判断される。この
時、制御用コンピユータ４によりビームチヨツパ
ー６３でのビームをチヨツプするタイミングを連
続的に変化させながら、くり返し測定をする事に
より被測定点での時間的電位変化を知り、その点
での動作速度を測定する事も出来る。例えば、第
３図に示すようにチヨツプされたビームを時間軸
にそつて連続的に被測定点に照射すると、被測定
点での電位変化に応じて各タイミングで二次電子
検出器７から出力が取り出される。この出力に従
つて、被測定点での波形を測定することができ
る。ビームをチヨツプせずに直流的に被測定点に
照射した場合には、二次電子の平均出力しか得ら
れないので、正しい信号波形を把握することはで
きないが、チヨツプすることによつて第３図のよ
うに被測定点における信号波形を正しく測定する
ことができる。従つて、第４図ａのようにある回
路の入力点Ｐ１にチヨツプされたビームを照射し
その点Ｐ１での波形を検出し、さらに出力点Ｐ２
での波形を測定し、チヨツプされたビームの基準
タイミングＡ１とＡ２とに基いて各点での波形を
合成すると、その差分が回路における遅れ時間と
なり、回路の入出力間の動作速度を求めることが
できる。又、この時、外部より電位を与え得る電
源配線部及び各入力端子部を前もつて測定する事
によりある設定電位部からの二次電子による信号
レベルを制御用コンピユタ４又はパターン発生器
１に記憶させ、その記憶値とその他の被測定点か
らの二次電子による信号とを比較する事により、
その他の被測定点の電位をより精度よく測定する
事が可能となる。これと同様に外部より任意のタ
イミングで加えられるクロツクパルス入力端子を
被測定点に含み、前もつてくり返し測定する事に
より、この被測定端子での入力電位の時間的変化
による二次電子信号の変化する時間をパターン発
生器１又は制御用コンピユータ４に記憶させ、そ
の記憶された時間とその他任意の被測定点での電
位変化による二次電子信号の変化時間との時間差
を知る事で任意の点での動作速度の測定精度を向
上させる事が出来る。
す。１はパターン発生器、２は電源、３は供試
IC、４は制御用コンピユータ、５は比較器、６
１は電子ビーム発生用Ｅ−ガン、６２はビームチ
ヨツパー、６３は偏向器、７は二次電子検出器、
８は増巾器である。この構成側では、制御用コン
ピユータ４からの信号により電源２は電圧を被測
定素子３に印加しパターン発生器１は試験パター
ンを供試IC３に加える。ここまでは従来の自動
測定器と同じであるが、本発明では、電子ビーム
機器６の電子ビーム発生用Ｅ−ガン６１で発生さ
れた電子ビームはビームチヨツパー６２でパルス
ビームになり、コンピユータ４からの偏向器６３
に対する制御電圧により、供試IC３上の被測定
点に照射される。すなわち、制御用コンピユータ
４はビームチヨツパー６２でのビームをチヨツプ
するタイミングと偏向器６３でのビームの偏向量
をプログラムに従つて制御する。電子ビームの照
射により被測定点から、その点の電位に応じた量
で出て来る二次電子は二次電子検出器７によつて
検出され増巾器８により増巾された電気信号は制
御用コンピユータ４の制御のもとに電源２が発生
する期待の基準電圧と比較器５で比較され、その
大小関係が制御用コンピユータ４にプログラムさ
れた通りであれば被測定点は制御用コンピユータ
４により電気的に異常なしと判断される。この
時、制御用コンピユータ４によりビームチヨツパ
ー６３でのビームをチヨツプするタイミングを連
続的に変化させながら、くり返し測定をする事に
より被測定点での時間的電位変化を知り、その点
での動作速度を測定する事も出来る。例えば、第
３図に示すようにチヨツプされたビームを時間軸
にそつて連続的に被測定点に照射すると、被測定
点での電位変化に応じて各タイミングで二次電子
検出器７から出力が取り出される。この出力に従
つて、被測定点での波形を測定することができ
る。ビームをチヨツプせずに直流的に被測定点に
照射した場合には、二次電子の平均出力しか得ら
れないので、正しい信号波形を把握することはで
きないが、チヨツプすることによつて第３図のよ
うに被測定点における信号波形を正しく測定する
ことができる。従つて、第４図ａのようにある回
路の入力点Ｐ１にチヨツプされたビームを照射し
その点Ｐ１での波形を検出し、さらに出力点Ｐ２
での波形を測定し、チヨツプされたビームの基準
タイミングＡ１とＡ２とに基いて各点での波形を
合成すると、その差分が回路における遅れ時間と
なり、回路の入出力間の動作速度を求めることが
できる。又、この時、外部より電位を与え得る電
源配線部及び各入力端子部を前もつて測定する事
によりある設定電位部からの二次電子による信号
レベルを制御用コンピユタ４又はパターン発生器
１に記憶させ、その記憶値とその他の被測定点か
らの二次電子による信号とを比較する事により、
その他の被測定点の電位をより精度よく測定する
事が可能となる。これと同様に外部より任意のタ
イミングで加えられるクロツクパルス入力端子を
被測定点に含み、前もつてくり返し測定する事に
より、この被測定端子での入力電位の時間的変化
による二次電子信号の変化する時間をパターン発
生器１又は制御用コンピユータ４に記憶させ、そ
の記憶された時間とその他任意の被測定点での電
位変化による二次電子信号の変化時間との時間差
を知る事で任意の点での動作速度の測定精度を向
上させる事が出来る。
第１図は従来の自動測定器の構成を示すブロツ
ク図、第２図は本発明による自動測定器の構成を
示すブロツク図第３図は被測定点での波形測定の
タイミング図、第４図ａは被測定回路図、第４図
ｂはその測定タイミング図である。 １……パターン発生器、３……供試IC、４…
…コンピユータ、５……比較器、６……電子ビー
ム機器、７……二次電子検出装置。
ク図、第２図は本発明による自動測定器の構成を
示すブロツク図第３図は被測定点での波形測定の
タイミング図、第４図ａは被測定回路図、第４図
ｂはその測定タイミング図である。 １……パターン発生器、３……供試IC、４…
…コンピユータ、５……比較器、６……電子ビー
ム機器、７……二次電子検出装置。
Claims (1)
- １ 供試ICに照射する電子ビームを発生する電
子ビーム機器と、発生された電子ビームをパルス
ビームに変換するビームチヨツパーと該パルスビ
ームの供試ICに対する照射位置を予じめ定めら
れたプログラムに従つて移動させる照射位置制御
装置と、前記ビームチヨツパーでのビームをチヨ
ツプするタイミングを連続的に変化せしめる手段
と、前記パルスビームの照射により発生した二次
電子を検出する検出装置と、この検出装置の出力
と前記照射位置に対応する期待値とを比較する装
置とを備えチヨツプタイミングを連続的に変化し
たパルスビームを前記供試ICの被測定点に照射
することによつて当該被測定点をくり返し測定し
てその時間的電位変化を測定することを特徴とす
るIC内部電位自動測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11899679A JPS5643737A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Automatic potential measurement device within ic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11899679A JPS5643737A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Automatic potential measurement device within ic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643737A JPS5643737A (en) | 1981-04-22 |
| JPS647498B2 true JPS647498B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=14750413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11899679A Granted JPS5643737A (en) | 1979-09-17 | 1979-09-17 | Automatic potential measurement device within ic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5643737A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3428965A1 (de) * | 1984-08-06 | 1986-02-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zur detektion und abbildung von messpunkten, die einen bestimmten signalverlauf aufweisen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51108580A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-25 | Fujitsu Ltd | |
| JPS5390876A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Inspecting method for integrated semiconductor circuit device |
-
1979
- 1979-09-17 JP JP11899679A patent/JPS5643737A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5643737A (en) | 1981-04-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0196804B1 (en) | Method and apparatus for testing integrated electronic device | |
| JP2000074986A (ja) | デバイス試験装置 | |
| US20020070738A1 (en) | Semiconductor device inspecting apparatus | |
| US6225815B1 (en) | Charged particle beam test system | |
| JPS647498B2 (ja) | ||
| JPS61225751A (ja) | 粒子ビームパルスの強度分布の間接測定方法 | |
| JPS6254183A (ja) | 動作中に集積回路の機能を監視する方法と装置 | |
| JPH0774218A (ja) | Ｉｃのテスト方法およびそのプローブカード | |
| JPS6114352B2 (ja) | ||
| JP3169006B2 (ja) | 集積回路の故障検査装置及びその検査方法並びにその制御プログラムを記録した記録媒体 | |
| JPS6142817B2 (ja) | ||
| Talanov et al. | Development of a device for automating the diagnostics of plasma parameters by probe method | |
| CN112534358B (zh) | 用于基于电子全息术检测测量值的设备和方法 | |
| JP2770483B2 (ja) | 電子ビームによる抵抗測定装置 | |
| JPH02297855A (ja) | 電子ビームテスタ装置の信号処理方法 | |
| JPH0224585A (ja) | 電子ビームテスタ | |
| SU572845A1 (ru) | Способ измерени колебаний движущегос электростатического носител информации | |
| JPS61250508A (ja) | 膜厚測定装置 | |
| Todokoro et al. | Electron beam tester for logic LSIs | |
| JPH02195271A (ja) | 電圧波形計測システム | |
| JPH04355358A (ja) | 等温容量過渡分光法 | |
| SU853509A1 (ru) | Устройство дл контрол качестваМЕТАллизАции СКВОзНыХ ОТВЕРСТийпЕчАТНыХ плАТ | |
| EA045560B1 (ru) | Способ диагностики плазмы диэлектрического барьерного разряда | |
| JPS61107170A (ja) | 電子ビ−ムプロ−ビング装置 | |
| JPH02183179A (ja) | 集積回路の検査装置 |