JPH01108741A - マスクとウェハのプリアライメント方法 - Google Patents
マスクとウェハのプリアライメント方法Info
- Publication number
- JPH01108741A JPH01108741A JP62267303A JP26730387A JPH01108741A JP H01108741 A JPH01108741 A JP H01108741A JP 62267303 A JP62267303 A JP 62267303A JP 26730387 A JP26730387 A JP 26730387A JP H01108741 A JPH01108741 A JP H01108741A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- stage
- alignment
- camera
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウェハのグリ1フイメント方法、特に
、X1/a繕光装置に適用しうるマスクとウェハのグリ
1ライメント方法に関する。
、X1/a繕光装置に適用しうるマスクとウェハのグリ
1ライメント方法に関する。
近年の半導体はDBAMに代表されるように高集積化が
進む傾向にあル、超L8Iのパターンの最小線幅もミク
ロンからサブミクロンの領域へ突入しようとしている。
進む傾向にあル、超L8Iのパターンの最小線幅もミク
ロンからサブミクロンの領域へ突入しようとしている。
このような吠況にお−て、従来の紫外線のg線、i線を
用いた光学式の半導体露光装置では、光の波長による解
像度の限界が0.5μm程度と言われており、0.5μ
m以下のパターンに対応できる次世代の嶌光装置が強く
望まれている。この次世代め露光装置として、現在、X
S露光装置が有望視されておシ、研究・開発が進められ
ている。
用いた光学式の半導体露光装置では、光の波長による解
像度の限界が0.5μm程度と言われており、0.5μ
m以下のパターンに対応できる次世代の嶌光装置が強く
望まれている。この次世代め露光装置として、現在、X
S露光装置が有望視されておシ、研究・開発が進められ
ている。
一般に、X線露光装置では発散X線が用いられ、投影レ
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はプロ中シミティ露光である。
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はプロ中シミティ露光である。
マスクと9エバのプロ中シミティギヤ、プは半影ぼけを
小さくするためK10〜50μmと小さく、ランナ9ト
誤差を小さくするためにギヤ、グ設定を厳しく制御する
必要がある。したがって、X線無光装置におけるアライ
メントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせに加え
、ギヤ、グとあおりを正確に設定しなければならず、そ
のための1ライメント方法が各種提案されている。
小さくするためK10〜50μmと小さく、ランナ9ト
誤差を小さくするためにギヤ、グ設定を厳しく制御する
必要がある。したがって、X線無光装置におけるアライ
メントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせに加え
、ギヤ、グとあおりを正確に設定しなければならず、そ
のための1ライメント方法が各種提案されている。
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデバイス1
986年4月号等忙紹介されている米マイクロニクス社
のX線ステ、パ「MX−16oo」カある。「MX−1
600J Kおけるマスクと9エバの1ライメントは、
マスク用マークとしてリニアーフレネル・/−ン・グレ
ー) (LFZP)と呼ばれる光の回折を利用した集光
レンズを用い、ウェハ用マークとして+1i!伏回折格
子を用いて行う。この1ライメント方法についてはB
、 FayらにょシJournal of Vacu
um 5cience TechnologyVol、
16t6)pp、 1954−1958、Nov/D
ec。
986年4月号等忙紹介されている米マイクロニクス社
のX線ステ、パ「MX−16oo」カある。「MX−1
600J Kおけるマスクと9エバの1ライメントは、
マスク用マークとしてリニアーフレネル・/−ン・グレ
ー) (LFZP)と呼ばれる光の回折を利用した集光
レンズを用い、ウェハ用マークとして+1i!伏回折格
子を用いて行う。この1ライメント方法についてはB
、 FayらにょシJournal of Vacu
um 5cience TechnologyVol、
16t6)pp、 1954−1958、Nov/D
ec。
1979の”’0ptical Alignment
System forSubmicron X −ra
y Lithography ”に報告されている。こ
こでその原理について図面を参照して説明する。
System forSubmicron X −ra
y Lithography ”に報告されている。こ
こでその原理について図面を参照して説明する。
第3図はLFZPを用いたアライメント力法を示す説明
図である。ウェハ21には回折格子22が刻印されてお
シ、ウェハ21の上には所定のギヤ、グだけ離れてマス
ク23が対向している。マスク23には焦点距離がマス
クとウェハのギヤ、グ量に等しいLFZP24が描かれ
ている。第4図はマスク用マークのLFZPの構造を示
す説明図である。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が
並んだ構造になっておシ、縞はマークの中心からの距離
を2λ2 rnとするとrn=nfλ+nτで表わされる。ここで
は、fは焦点距離、λはアライメントに用いるレーザの
波長である。また、第5図はウェハ用マークの回折格子
を示す説明図である。回折格子は大きさの等しい長刀形
が等間隔に並んだ構造になっておシ、回折格子のピッチ
dによって回折角度が決まる。
図である。ウェハ21には回折格子22が刻印されてお
シ、ウェハ21の上には所定のギヤ、グだけ離れてマス
ク23が対向している。マスク23には焦点距離がマス
クとウェハのギヤ、グ量に等しいLFZP24が描かれ
ている。第4図はマスク用マークのLFZPの構造を示
す説明図である。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が
並んだ構造になっておシ、縞はマークの中心からの距離
を2λ2 rnとするとrn=nfλ+nτで表わされる。ここで
は、fは焦点距離、λはアライメントに用いるレーザの
波長である。また、第5図はウェハ用マークの回折格子
を示す説明図である。回折格子は大きさの等しい長刀形
が等間隔に並んだ構造になっておシ、回折格子のピッチ
dによって回折角度が決まる。
第3図においてマスク23の上方から入射された平行レ
ーザビーム25はLFZP24により集光され、タエハ
21面上で焦点を結びスリット吠の像をつくる。この結
像したスリ、トと9工バ21面上の回折格子22が一直
線上に重なると、レーザビームは回折し再びLFZP2
4を通シ平行光となりて位置決め信号として検出される
。
ーザビーム25はLFZP24により集光され、タエハ
21面上で焦点を結びスリット吠の像をつくる。この結
像したスリ、トと9工バ21面上の回折格子22が一直
線上に重なると、レーザビームは回折し再びLFZP2
4を通シ平行光となりて位置決め信号として検出される
。
前述のX線ステ、パ「MX1600」では、閉ループ自
動位置合わせな行うために、マスク用マークのLFZP
24へのレーザビーム25の横方向の入射角を変化させ
る。これによって、結像したスリ、トは直線状の回折格
子22を走査し、アライメントマークのずれ量を電気的
に検出することができる。このとき、ウェハ?2.1面
上でのスリ、トの走査範囲は約2μmなので、アライメ
ントマークのずれ量の検出範囲も約2μmである。
動位置合わせな行うために、マスク用マークのLFZP
24へのレーザビーム25の横方向の入射角を変化させ
る。これによって、結像したスリ、トは直線状の回折格
子22を走査し、アライメントマークのずれ量を電気的
に検出することができる。このとき、ウェハ?2.1面
上でのスリ、トの走査範囲は約2μmなので、アライメ
ントマークのずれ量の検出範囲も約2μmである。
上述した従来のアライメント力法は、位置ずれの検出範
囲が約2μmと狭いため、マスクとウェハをステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にグリアライメントラ行う必要がある。従来のマスクと
9エノ−のグリアライメントは、それぞれの外形を基準
に機械的に突き当てて位置決めすることによって行りて
いるので、グリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウェハの外形とパターンの位f!を精度に大きく左右
される。そのため、マスクの装作にあたり、マスクのパ
ターンを外形に対して位置精度を良くしなければならな
いので、マスクの裏作が困難になるという欠点がありた
。
囲が約2μmと狭いため、マスクとウェハをステージに
装着する際には、ある程度の重ね合わせ精度をもつよう
にグリアライメントラ行う必要がある。従来のマスクと
9エノ−のグリアライメントは、それぞれの外形を基準
に機械的に突き当てて位置決めすることによって行りて
いるので、グリアライメントの重ね合わせ精度はマスク
とウェハの外形とパターンの位f!を精度に大きく左右
される。そのため、マスクの装作にあたり、マスクのパ
ターンを外形に対して位置精度を良くしなければならな
いので、マスクの裏作が困難になるという欠点がありた
。
したかっ、て、グリアライメントの重ね合わせ精度が2
μm以上になる場合には、位置ずれ信号は検出できず、
位置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わ
せるようにステージを動かし、位置ずれ信号を探し出す
工程が必要になシ1ライメントに長φ時間がかかるとい
う欠点があった。
μm以上になる場合には、位置ずれ信号は検出できず、
位置ずれ信号の検出範囲内にマスクとウェハを重ね合わ
せるようにステージを動かし、位置ずれ信号を探し出す
工程が必要になシ1ライメントに長φ時間がかかるとい
う欠点があった。
本発明のマスクとウェハの1リアジイメント方法は、6
おりθス、テージとマスクチャ、りからなるマスクステ
ージにプリアライメントマークを有するマスクを挿着す
る第1の挿着工程と、xyステージ上KW賊されたマス
ク用テレビカメラをマスクの前方に移動する第1の移動
工程と、マスク用テレビカメラでマスクのプリアライメ
ントマークを観察してxyθ方向の合わせ込みをする第
1の合わせ込み工程と、前記xyXステージθステージ
と9エバチヤ、りからなるウェハステージにプリアライ
メントマークを有するウェハを挿着する第2の挿着工程
と、ウェハステージを駆動してウェハをウェハ用テレビ
カメラの前方に移動する第2の移動工程と、ウェハ用テ
レビカメラでウェハの1リアライメントマークを観察し
てxyθ方向の合わせ込みをする第2の合せ込み工程と
、ウェハステージを駆動してウェハをマスク前面の露光
位置に移動する第3の移動工程とを含んで構成される。
おりθス、テージとマスクチャ、りからなるマスクステ
ージにプリアライメントマークを有するマスクを挿着す
る第1の挿着工程と、xyステージ上KW賊されたマス
ク用テレビカメラをマスクの前方に移動する第1の移動
工程と、マスク用テレビカメラでマスクのプリアライメ
ントマークを観察してxyθ方向の合わせ込みをする第
1の合わせ込み工程と、前記xyXステージθステージ
と9エバチヤ、りからなるウェハステージにプリアライ
メントマークを有するウェハを挿着する第2の挿着工程
と、ウェハステージを駆動してウェハをウェハ用テレビ
カメラの前方に移動する第2の移動工程と、ウェハ用テ
レビカメラでウェハの1リアライメントマークを観察し
てxyθ方向の合わせ込みをする第2の合せ込み工程と
、ウェハステージを駆動してウェハをマスク前面の露光
位置に移動する第3の移動工程とを含んで構成される。
次に1本発明の!l!施例について、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図は本発明の一実施例をボす斜視図である。
第1図に示すX線露光装置は、ベースlと、ペースIK
搭載されX軸方向に移動できるXステージ2と、Xステ
ージ2に搭載されY軸方向に移動できるXステージ3と
、Xステージ3Ki械され回転運動をする0ステージ4
と、真空吸着機構を有するウェハチャック5と、9工八
6とを含んでiる。ウェハ用テレビカメ:772個はワ
エへ6の2個のプリアライメントマークを観察する位置
に固定されている。X線源8の下刃にはX線を導くへり
クムチャンバ9とあおりタステージ10と?スフチャッ
ク11が取付けられてお)先端にマスク12を真空吸着
している。2個のマスク用テレビカメ213はXステー
ジ3の上にあシ、マスク12のプリアライメントマーク
を観察できる位置に固定され工いる。ざらにヘリクムチ
ャンバ9のgJJWJK取付けられ最終的なファイン1
ライメントを行うための1ライメント光学系14と、Y
ステージ上に搭載された直角ミラー15と、Xステージ
2とXステージ3の位置を計測するレーザ測長器16を
含んで構成される。
搭載されX軸方向に移動できるXステージ2と、Xステ
ージ2に搭載されY軸方向に移動できるXステージ3と
、Xステージ3Ki械され回転運動をする0ステージ4
と、真空吸着機構を有するウェハチャック5と、9工八
6とを含んでiる。ウェハ用テレビカメ:772個はワ
エへ6の2個のプリアライメントマークを観察する位置
に固定されている。X線源8の下刃にはX線を導くへり
クムチャンバ9とあおりタステージ10と?スフチャッ
ク11が取付けられてお)先端にマスク12を真空吸着
している。2個のマスク用テレビカメ213はXステー
ジ3の上にあシ、マスク12のプリアライメントマーク
を観察できる位置に固定され工いる。ざらにヘリクムチ
ャンバ9のgJJWJK取付けられ最終的なファイン1
ライメントを行うための1ライメント光学系14と、Y
ステージ上に搭載された直角ミラー15と、Xステージ
2とXステージ3の位置を計測するレーザ測長器16を
含んで構成される。
第2図(a)〜(e)は第1図に示すxsi光装置にお
ケルマスクと9エバのグリアライメント工程を示す説明
図である。
ケルマスクと9エバのグリアライメント工程を示す説明
図である。
第2図18)はマスク12をマスクチャ、り11で真空
吸着し、マスク用テレビカメラ13をXステージ2とX
ステージ3を駆動して、マスク12のプリアライメント
マークをマスク用テレビカメラ13で観察する工程を示
している。2個のマスク用テレビカメラ13の間隔は、
グリアラ1メントマークの間隔りに等しい。
吸着し、マスク用テレビカメラ13をXステージ2とX
ステージ3を駆動して、マスク12のプリアライメント
マークをマスク用テレビカメラ13で観察する工程を示
している。2個のマスク用テレビカメラ13の間隔は、
グリアラ1メントマークの間隔りに等しい。
第2図(b)は、プリアライメントマーク17a。
17bをマスク用テレビカメラ13で観察したときのテ
レビモニタの状態を示している。観察されたプリアライ
メントマーク17aとモニタ上の基準マーク18aとの
X方向のずれ量をΔxa%Y刀向のず方向をΔyaとし
、プリアライメントマーク17bと基準マーク18bと
のX方向のずれ量をjxb%Yjj向のずれ量をΔyb
とすると、マスク12のXY0刀向方向れ量Δxm、Δ
ym1ΔθmはΔx=(Δxa+ΔXb)/2、Δy=
(Δya−1−Jyb)/2、Δθ;(Δya−Δyb
)/Dで表わされる。
レビモニタの状態を示している。観察されたプリアライ
メントマーク17aとモニタ上の基準マーク18aとの
X方向のずれ量をΔxa%Y刀向のず方向をΔyaとし
、プリアライメントマーク17bと基準マーク18bと
のX方向のずれ量をjxb%Yjj向のずれ量をΔyb
とすると、マスク12のXY0刀向方向れ量Δxm、Δ
ym1ΔθmはΔx=(Δxa+ΔXb)/2、Δy=
(Δya−1−Jyb)/2、Δθ;(Δya−Δyb
)/Dで表わされる。
ただし、Dはプリアライメントマーク17a、17bの
間隔である。このΔ11 Δy1Δθt4tとに%Xx
yXステージ2f−ジ3、@> j) # X f−ジ
10を動かし、モニタ上でプリ1ライメントマーク17
a、17bと基準マーク18a、18bを重ね合わせて
マスク12のグリア2イメントを行う。
間隔である。このΔ11 Δy1Δθt4tとに%Xx
yXステージ2f−ジ3、@> j) # X f−ジ
10を動かし、モニタ上でプリ1ライメントマーク17
a、17bと基準マーク18a、18bを重ね合わせて
マスク12のグリア2イメントを行う。
第2図(C)は、ワエへ6を9エバチヤ、75KX空吸
着し、ウェハ用テレビカメラ7で2個の1リアライメン
トマークを#察してグリ1ライメントを行う位置KXス
テージ2とXステージ3を移動したところを示している
。9工八6上のプリアライメントマークの間隔もマスク
上のプリ1ライメントマークの間隔りに等しくしておく
。
着し、ウェハ用テレビカメラ7で2個の1リアライメン
トマークを#察してグリ1ライメントを行う位置KXス
テージ2とXステージ3を移動したところを示している
。9工八6上のプリアライメントマークの間隔もマスク
上のプリ1ライメントマークの間隔りに等しくしておく
。
第2図(d)は、グリ1ライメントマーク19a。
19bをウェハ用テレビカメラ7で観察したときのテレ
ビモニタの状態を示している。前述のマスクの場合と同
様に、ウェハ6のXY0方向のずれ量Δxw、Δyw、
Δ0Wを求め、Xステージ2、Xステージ3、θステー
ジ4を動かし、モニタ上でプリアライメントマーク19
a、19bと基準マーク20a、20bを重ね合わせグ
リアライメントを行5゜ 第2図16)は、9工八6のグリ1ライメント完了後、
Xステージ2とXステージ3を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。ウェハ用テレビカメラ7
に対するフエへ6の位置は、マスク12の場合と同様に
、レーザ測長器で正確に計測することができる。マスク
12はすでにマスク用テレビカメラ13に対して正確に
位置決めされているので、マスク12とウェハ6を高い
重ね合わせ@度でグリアライメントすることが可能とな
る。
ビモニタの状態を示している。前述のマスクの場合と同
様に、ウェハ6のXY0方向のずれ量Δxw、Δyw、
Δ0Wを求め、Xステージ2、Xステージ3、θステー
ジ4を動かし、モニタ上でプリアライメントマーク19
a、19bと基準マーク20a、20bを重ね合わせグ
リアライメントを行5゜ 第2図16)は、9工八6のグリ1ライメント完了後、
Xステージ2とXステージ3を最初の露光位置に移動さ
せたときの状態を示している。ウェハ用テレビカメラ7
に対するフエへ6の位置は、マスク12の場合と同様に
、レーザ測長器で正確に計測することができる。マスク
12はすでにマスク用テレビカメラ13に対して正確に
位置決めされているので、マスク12とウェハ6を高い
重ね合わせ@度でグリアライメントすることが可能とな
る。
マスクとウェハの1す1ライメントが完了したら、1ラ
イメント光学系14によシ最終的なファイン1ライメン
トを行い露光を開始する。
イメント光学系14によシ最終的なファイン1ライメン
トを行い露光を開始する。
本発明のマスクとウェハの1リアツイメント方法は、マ
スクとウェハに対しそれぞれ独立したテレビカメラを用
いてグリアライメントできるため、誤差蚤因が少なく重
ね合わせ検反の良い1リアライメントができると一5効
果がある。その結果、最終的な7アインI2イメントの
負担が壕〈できるという効果がある。
スクとウェハに対しそれぞれ独立したテレビカメラを用
いてグリアライメントできるため、誤差蚤因が少なく重
ね合わせ検反の良い1リアライメントができると一5効
果がある。その結果、最終的な7アインI2イメントの
負担が壕〈できるという効果がある。
また、マスクの外形を基準としてグリアライメントを行
うかわシに、ウェハステージを動かして合わせ込みを行
うため、マスクの外形とマスクパターンの位置精度を出
す必要がな(、ffスクの製作が比較的容易になるとい
う効果がある。
うかわシに、ウェハステージを動かして合わせ込みを行
うため、マスクの外形とマスクパターンの位置精度を出
す必要がな(、ffスクの製作が比較的容易になるとい
う効果がある。
第1図を工不発明の一実施例を示す斜祝図、第2図ta
)〜(e)は本発明のマスクとウェハのグリ1ライメン
トの工程を示す説明図、第3回は従来のアライメント方
法を示す説明図、第4図は第3図に示すアライメント方
法におけるマスク用マークであるリニア・フレネル・ゾ
ーン・グレートを示す平面図、第5図は第3図に示す1
ライメント方法におけるウェハ用マークである回折格子
を示す平面図。 l・・・・・・ペース、2・・・−Xステージ、3・・
・・・・Xステージ、4・・・・・・θステージ、5・
・・・・・9エバチヤ。 り、6・・・・・・ウェハ、7・・・・・・ウェハ用テ
レビカメラ、8・・・・・・X線源、9・・・・・・ヘ
リクムチャンバ、10−・・・・・あおりθステージ、
ll・・・・・・マスクチャ、り、12・・・・・・マ
スク、13・・・・・・マスク用テレビカメラ、14・
・・・・・Iライメント光学系、15・・・・・・直角
ミラー、16・・・・・・レーザ測長器、17a、17
b・・・・・・マスクのグリ1ライメントマーク、18
a、18b基準マーク、19a、19b・・・・・・ウ
ェハのプリアライメントマーク、20a、20b・・・
・・・基準マーク、21・・・・・・9エバ、22・・
・・・・回折格子、23・・・ΔXa、Δxb ・・・
−・プリアライメントマークと基準マークのX方向のず
れ量、ΔyasΔya・・・・・・プリ1ライメントマ
ークと基準マークのX方向のずれ量、d・・・・・・回
折格子のピッチ。 代理人 弁理士 内 原 晋 牛2 回 第2tS21 摺3図 や4図 第S図
)〜(e)は本発明のマスクとウェハのグリ1ライメン
トの工程を示す説明図、第3回は従来のアライメント方
法を示す説明図、第4図は第3図に示すアライメント方
法におけるマスク用マークであるリニア・フレネル・ゾ
ーン・グレートを示す平面図、第5図は第3図に示す1
ライメント方法におけるウェハ用マークである回折格子
を示す平面図。 l・・・・・・ペース、2・・・−Xステージ、3・・
・・・・Xステージ、4・・・・・・θステージ、5・
・・・・・9エバチヤ。 り、6・・・・・・ウェハ、7・・・・・・ウェハ用テ
レビカメラ、8・・・・・・X線源、9・・・・・・ヘ
リクムチャンバ、10−・・・・・あおりθステージ、
ll・・・・・・マスクチャ、り、12・・・・・・マ
スク、13・・・・・・マスク用テレビカメラ、14・
・・・・・Iライメント光学系、15・・・・・・直角
ミラー、16・・・・・・レーザ測長器、17a、17
b・・・・・・マスクのグリ1ライメントマーク、18
a、18b基準マーク、19a、19b・・・・・・ウ
ェハのプリアライメントマーク、20a、20b・・・
・・・基準マーク、21・・・・・・9エバ、22・・
・・・・回折格子、23・・・ΔXa、Δxb ・・・
−・プリアライメントマークと基準マークのX方向のず
れ量、ΔyasΔya・・・・・・プリ1ライメントマ
ークと基準マークのX方向のずれ量、d・・・・・・回
折格子のピッチ。 代理人 弁理士 内 原 晋 牛2 回 第2tS21 摺3図 や4図 第S図
Claims (1)
- あおりθステージとマスクチャックからなるマスクス
テージにプリアライメントマークを有するマスクを挿着
する第1の挿着工程と、xyステージ上に搭載されたマ
スク用テレビカメラをマスクの前方に移動する第1の移
動工程と、マスク用テレビカメラでマスクのプリアライ
メントマークを観察してxyθ方向の合わせ込みをする
第1の合わせ込み工程と、前記xyステージとθステー
ジとウェハチャックからなるウエハステージにプリアラ
イメントマークを有するウェハを挿着する第2の挿着工
程と、ウエハステージを駆動してウェハをウェハ用テレ
ビカメラの前号に移動する第2の移動工程と、ウェハ用
テレビカメラでウェハのプリアライメントマークを観察
してxyθ方向の合わせ込みをする第2の合せ込み工程
と、ウェハステージを駆動してウェハをマスク前面の露
光位置に移動する第3の移動工程とを含むことを特徴と
するマスクとウェハのプリアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267303A JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62267303A JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108741A true JPH01108741A (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0520888B2 JPH0520888B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=17442954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62267303A Granted JPH01108741A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | マスクとウェハのプリアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108741A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5440394A (en) * | 1991-05-01 | 1995-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Length-measuring device and exposure apparatus |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62267303A patent/JPH01108741A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5440394A (en) * | 1991-05-01 | 1995-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Length-measuring device and exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0520888B2 (ja) | 1993-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01161243A (ja) | 相関関係のあるアライメントをされたデュアル光学システムを用いるフラットパネル形ディスプレイ等の大面積電子デバイスを製造するための装置及び方法 | |
| US4617469A (en) | Exposure apparatus with detecting means insertable into an exposure path | |
| JP3292022B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| US10558126B2 (en) | Lithographic apparatus and method | |
| JP2646412B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP2994968B2 (ja) | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 | |
| JPH01101629A (ja) | マスクとウェハのプリアライメント方法 | |
| KR100283838B1 (ko) | 스캔노광장치및스캔노광방법 | |
| JPH0520888B2 (ja) | ||
| JPH055369B2 (ja) | ||
| JPS63128639A (ja) | プリアライメント方法 | |
| EP0450592B1 (en) | Alignment system, particularly for X-ray or photolithography | |
| JP2775988B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS59161815A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2860567B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH08162393A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP2637412B2 (ja) | 位置あわせ方法 | |
| JP2808152B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2513299B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2882821B2 (ja) | アライメント装置 | |
| JP2860569B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2001076995A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP2808151B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3193549B2 (ja) | 露光方法およびその装置 |