JPH01108952U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01108952U JPH01108952U JP290188U JP290188U JPH01108952U JP H01108952 U JPH01108952 U JP H01108952U JP 290188 U JP290188 U JP 290188U JP 290188 U JP290188 U JP 290188U JP H01108952 U JPH01108952 U JP H01108952U
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- JP
- Japan
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- crystal
- layer
- insulating layer
- single crystal
- gate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
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- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図Ａ乃至Ｅは本考案一実施例に係る製造工
程図である。 １…単結晶Ｓｉ基板（第１の単結晶半導体層）
、４…第１のスピネル膜（第１の単結晶絶縁層）
、５…単結晶Ｓｉ膜（単結畳晶ゲート層）、６…
第２のスピネル膜（第２の単結晶絶縁膜）、７…
単結晶Ｓｉ膜（第２の単結晶半導体層）、…ｐ
チヤネルのＮＯＳデバイス、…ｎチヤネルのＭ
ＯＳデバイス。
程図である。 １…単結晶Ｓｉ基板（第１の単結晶半導体層）
、４…第１のスピネル膜（第１の単結晶絶縁層）
、５…単結晶Ｓｉ膜（単結畳晶ゲート層）、６…
第２のスピネル膜（第２の単結晶絶縁膜）、７…
単結晶Ｓｉ膜（第２の単結晶半導体層）、…ｐ
チヤネルのＮＯＳデバイス、…ｎチヤネルのＭ
ＯＳデバイス。
Claims (1)
- 第１のチヤネル部を有する第１の単結晶半導体
層と、該単結晶半導体層上に形成された第１の単
結晶絶縁層と、該第１の単結晶絶縁層上にゲート
として形成された単結晶ゲート層と、該単結晶ゲ
ート層上に形成された第２の単結晶絶縁層と、該
第２の単結晶絶縁層上に形成された第２のチヤネ
ル部を有する第２の単結晶半導体層とからなるこ
とを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP290188U JPH01108952U (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP290188U JPH01108952U (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108952U true JPH01108952U (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=31204074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP290188U Pending JPH01108952U (ja) | 1988-01-13 | 1988-01-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108952U (ja) |
-
1988
- 1988-01-13 JP JP290188U patent/JPH01108952U/ja active Pending