JPS6037239U - 半導体ウエハ - Google Patents
半導体ウエハInfo
- Publication number
- JPS6037239U JPS6037239U JP12918283U JP12918283U JPS6037239U JP S6037239 U JPS6037239 U JP S6037239U JP 12918283 U JP12918283 U JP 12918283U JP 12918283 U JP12918283 U JP 12918283U JP S6037239 U JPS6037239 U JP S6037239U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- facet
- exposed
- silicon oxide
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は本考案に係る半導体ウェハの一実施例を、第2
図は他の実施例をそれぞれ示す平面図である。 1・・・半導体ウェハ本体、2・・・アルミニウムバタ
ン部、3・・・ファセット部。
図は他の実施例をそれぞれ示す平面図である。 1・・・半導体ウェハ本体、2・・・アルミニウムバタ
ン部、3・・・ファセット部。
Claims (1)
- アルミニウム層をファセット部所定域を除いて形成し、
前記ファセット部所定域の酸化シリコン層を露出させた
ことを特徴とする半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918283U JPS6037239U (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12918283U JPS6037239U (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037239U true JPS6037239U (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=30292789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12918283U Pending JPS6037239U (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037239U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147438U (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-17 | ||
| JPS6327246U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-23 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54129974A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-08 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5575229A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55165625A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP12918283U patent/JPS6037239U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54129974A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-08 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5575229A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55165625A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62147438U (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-17 | ||
| JPS6327246U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60183439U (ja) | 集積回路 | |
| JPS5858342U (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS60121650U (ja) | チツプキヤリア | |
| JPS6134733U (ja) | 半導体ウエハ | |
| JPS6117751U (ja) | テ−プキヤリア半導体装置 | |
| JPS6127348U (ja) | ボンデイングパツド電極 | |
| JPS59112955U (ja) | 半導体素子 | |
| JPH01104029U (ja) | ||
| JPS6094836U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6020159U (ja) | 集積回路半導体装置 | |
| JPS6020161U (ja) | Mis型半導体装置 | |
| JPS5954931U (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS5945928U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5916165U (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS59176154U (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS6134731U (ja) | 化合物半導体単結晶ウエハ− | |
| JPS5878660U (ja) | 集積回路 | |
| JPS5844852U (ja) | 半導体ウエハ | |
| JPS588952U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6094835U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5916166U (ja) | 磁気抵抗素子 | |
| JPS58147278U (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS58193644U (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6142861U (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5829851U (ja) | 半導体素子 |