JPH01109641A - 発光薄膜形成方法 - Google Patents

発光薄膜形成方法

Info

Publication number
JPH01109641A
JPH01109641A JP63244673A JP24467388A JPH01109641A JP H01109641 A JPH01109641 A JP H01109641A JP 63244673 A JP63244673 A JP 63244673A JP 24467388 A JP24467388 A JP 24467388A JP H01109641 A JPH01109641 A JP H01109641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cation
compound
yttrium
composite oxide
terbium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63244673A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0664995B2 (ja
Inventor
Vincent J Fratello
ビンセント　ジェー　フラテーロ
Eliezer M Rabinovich
エリザー　エム　ロビノビッチ
Joseph Shmulovich
ジョセフ　シュムロビッチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH01109641A publication Critical patent/JPH01109641A/ja
Publication of JPH0664995B2 publication Critical patent/JPH0664995B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/22—Applying luminescent coatings
    • H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0805—Chalcogenides
    • C09K11/0822—Chalcogenides with rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77742—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/77747—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77922—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77927—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
    • H01J2209/01—Generalised techniques
    • H01J2209/012—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の背景） ［産業上の利用分野］ 本発明は発光材料を含む装置及び発光材料を含む装置を
形成する方法に関する。特に、この装置は、二ｆ＃＝；
陰極線管のような表示装置である。
［従来技術の説明］ 可視表示装置を含む表示装置は大衆に利用可能な現代の
テクノロジー及び市販の装置において重要な役割りを演
じている０代表的な表示装置には、テレビジョンセット
で使用される陰極線管、監視装置で使用される管装置及
び投写テレビジョンで使用される管装置がある。又、商
業的に重要なものとして、−船釣にＸ線放射か可視放射
光線に変換されるＸ線結像装置がある。けい光体は種々
のエネルギー、特に、電磁放射エネルギー及び電子ビー
ムエネルギーを赤外線領域又は紫外線領域のような可視
領域のすぐ隣りの可視領域又は放射線領域の放射に変換
するために使用される。
陰極線管（ＣＲＴ）は特に表示装置として有用である。
これらは直接目視型のテレビジョンセット、投写テレビ
ジョンセット、コンピュータ端末のモニタ、テレビジョ
ン及び航空エレクトロニクスシステムなどで広く使用さ
れている。（投写管）のような多くの用途ては、非常に
高いパワー密度の電子ビームの使用によってのみ得るこ
とかてきる高輝度の映像か要求される。この高パワー密
度によりしばしば従来の陰極線管は劣化され、従って、
高輝度陰極線管の寿命は制限されてしまう、一般大衆に
より広く使用されている従来のテレビジョン管の場合で
も、けい光体スクリーンか劣化することはしばしば明白
な事実である。
高輝度陰極線管の開発における重要な進歩は、単結晶基
板のガーネットよりなる一定の発光エピタキシャル膜か
陰極線管の劣化なしに粉末けい光体の場合よりも更に高
いパワー密度に耐えることかできるという発見てあった
（例えば、ジェー。
エム、ロハートソン（Ｊ、Ｍ、Ｒｏｂｅｒｔｓ。
ｎ）外によるアプライド　、フィジックス　レターｒ（
Ａｐｐｌｉｅｄ　　Ｌ垣り王ユｃｓ　　Ｌｅｔｔｓｒｓ
）、３７　（旦）、ｐｐ、４７１〜４７２．１９８０年
９月１日発行参照）、そしてエピタキシャル層にイツト
リウムアルミニウムガーネットを使用するいくつかのシ
ステムを検査した。その検査した活性剤はＴｂ、Ｅｕ、
Ｐｒ、Ｔｍ及びＣｅであった。これらのエピタキシャル
層はＴｂ０−ＢｔＯｚフラックスを用いて液相エピタキ
シーエビタキシー及びスパッタリングのようないくつか
の方法があるが、これら全ては普通高価であって大量生
産に充分に適するものではない、高効率、高分解能を持
ち、低価格で大量生産することができる発光表示装置を
製造する方法を持つことは大いに望まれている。けい光
体の不存在又は劣化度の減少、より高い分解能及びより
高い輝度よりなる改良性能を持つ現在大量生産されてい
る陰極線管に匹敵する価格で陰極線管を製造する方法は
特に注目の対象となる。
ゾル−ゲル方法はガラス及び結晶固体を作るための公知
の方法である。それは又アモルファス及び結晶の薄膜の
付着に適している。有機溶媒から酸化物の暦を付着する
方法は１９６９年ニューヨーク州アカデミツクプレス社
、ジー、ヘス（Ｇ。
）ｌｅｓｓ）及びアール、イー、チュン（Ｒ，Ｅ。
１１ｍ５）互、ｐｐ、８７〜１４１においてエイチ、シ
ュローダ（）Ｌ、５ｃｈｒｏｅｄｅｒ）による「オキサ
イド　レイヤーズ　デボジテット　フロム　オーガニッ
ク　ソリューションズ（Ｏｘｉｄｅ　　Ｌａｙｅｒｓ　
　Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　　ｆｒｏｍ　　Ｏｒｇａｎｉｃ
　　５ｏｌｕｔｉｏｎｓ）Ｊにより研究されている。又
、いくつかの他の文献も本発明の理解に有用てあろう、
それには、ジャｏ１ｉｄｓ）、５７，３７１〜８８　（
１９８３年）におけるエイチ、デイ、スリツチ（）ｉ、
Ｄｉｓｌｉｃｈ）の「グラシー　アンド　クリスタリン
システムズ　フロム　ゲルス：ケミカル　ベイシス　ア
ンド　テクニカル　アプリケーション（Ｇｌａｓｓｙ　
　ａｎｄ　　ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｙｓｔｅｍｓ　
　ｆｒｏｍ　　Ｇｅ１ｓ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｂａ５
ｉｓ　　ａｎｄ　　Ｔｅｃｈｎｉｃ３１　　Ａｐｐｌｉ
ｃａｔｉｏｎにジャーナル旦）、旦、２３７〜４１　（
１９８４年）におけるエイチ、ディスリッチ（Ｈ，Ｄｉ
ｓｌｉｃｈ）の「グラシー　アンド　クリスタリン　シ
ステムズ　フロム　ゲルス：ケミカル　ベイシス　アン
ド　テクニカル　アプリケーション（Ｇ　１　ａ　ｓ　
ｓｙ　　ａｎｄ　　Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　　Ｓｙｓ
ｔｅｍｓ　　ｆｒｏｍ　　Ｇｅ１ｓ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｂａｓｉｓ　　ａｎｄ　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ａｐ
ｐｌ　１ｃａｔｉｏｎＪ　；同書のピー、ヒンズ（Ｐ、
Ｈｉｎｚ）及びエイチ、ディスリッチ（Ｈ，Ｄｉｓｌｉ
ｃｈ）の「アンチ−リフレフティング　ライトースキャ
ッタリング　コーチインゲス　ヴアイア　ザ　ツルージ
ェル　プロセシュア（Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ
　　Ｌｉｇｈｔ−３ｃａｔｔｅｒｉｎｇ　　Ｃｏａｔｉ
ｎｇｓｖｉａ　　ｔｈｅ　　５ｏｌ−Ｇｅｌ　　Ｐｒｏ
ｃｅｄｕｒｅ）Ｊ　８２．４１１〜１６　（１９８６年
）；同書のニス、サッカ（Ｓ、５ａｋｋａ）、ケイ。
カミャ（Ｋ、Ｋａｍｉｙａ）、ケイ、マキタ（Ｋ、　Ｍ
Ｂｋ　ｉ　ｔａ）及びワイ、ヤマモト（Ｙ、　Ｙａｍａ
ｍｏｔｏ）の「フォーメーション　オフシーツ　アンド
　コーティング　フィルムス　フロム　アルコクサイド
　ソリューションズ（Ｆ。
ｒｍａｔｉｏｎ　　ｏｆ　　５ｈｅｅｔｓ　　ａｎｄＣ
ｏａｔｉｎｇ　　Ｆｉｌｍｓ　　ｆｒｏｍ　　Ａｌｋｏ
ｘｉｄｅ　　５ｏｌｕｔｉｏｎｓ）Ｊ、６３．２２３−
３５　（１９８４年）かある。
又いくつかの文献はゲル方法に関連する発光材料の使用
を記載している（例えば、１９７５年１２月１６日にレ
オン　シーペン（Ｌｅｏｎ　　Ｌｅｖａｎｓ）に発行さ
れた米国特許第３，９２７゜２２４号及び１９７４年６
月１１日にレオン　レーペンに発行された米国特許第３
，８１６，３２７号）。これらの文献は発光材料の組み
込みに関するゾル−ゲルの使用を記載している。
（発明の概要） 本発明は、少なくとも第１の陽イオンと第２の陽イオン
よりなる複合酸化物を含む発光材料よりなる？を雪を作
る方法である０発光材料は、加熱されたとき、長範囲の
網構造を持つガラス固体又は結晶固体を形成する陽イオ
ン−酸素種の網構造を作るようにされたゾル−ゲル方法
によって作られる０本発明の方法は、溶液中に存在する
少なくとも第２の陽イオンと共に少なくとも第１の陽イ
オンを持つ化合物の加水分解及び重合化により、アモル
ファス物質又は結晶物質のいずれかを熱処理で形成する
陽イオン−酸素種の拡張Ｓｔａ網構造を形成することで
ある。ガラス固体又は結晶固体はしばしば原子構造が公
知のバルク発光複合酸化物に対応しているが、更に低い
温度ですぐに特定の用途に望まれる形て（例え、ば、陰
極線管のフェイスプレートのコーティングとして）及び
基板に対する良好な熱接触を保証するに充分な付着力を
もつよう作られる。通常、ガラス又は結晶材料は、陰極
線管のような表示装置としてしばしば適当な基板上の層
の形をしている０表示装置は、複合酸化物の層の必要部
分としてけい光発生イオンを有し極めて付着力のある層
として形成された少なくとも２つの異なる陽イオン種を
持つ複合酸化物の暦よりなる。
［実施例の説明］ 本発明は、良好な発光複合酸化物材料が比較的低温で作
ることかでき、そして、この発光複合酸化物材料は暦と
して適所に形成することができるという発見に基づいて
いる。複合酸化物は、例えば、希土類ドープの二酸化ケ
イ素（例えば、数モルパーセントＴｐ、Ｅｕ、又はＳｍ
をドープした５ｉ０２）並びにＹ２Ｓｉｎｓ　、Ｙ３　
ＡＩＳ　Ｏ１２などのような希土類ドープの酸化物より
なる。この方法は、時には他の化合物と共に、加水分解
及び重合化されて発光に必要な陽イオンよりなる２つ以
上の異なる陽イオンを含むポリマー網構造を形成するこ
とである。このポリマー網構造は次にガラス材料又は結
晶材料を形成するように加熱される。
この形成された複合酸化物は対応する酸化物の溶融のよ
うな従来方法によって作られる対応バルク複合酸化物と
同一の発光特性を有している。この方法の利点は適所に
形成される複合酸化物の薄層を作ること、が容易である
こと、製造物の一様性、及び複合酸化物の形成に必要と
される温度か低いことである。
発光材料を形成するには２つの異なる陽イオンが必要で
ある。その１つの陽イオンは加水分解時に重合化される
化合物を用いて導入される。−船釣に、これは、加水分
解時に重合化を受ける有機金属化合物である０代表的な
例としてはアルコキシドシリコンがある。入手の可能性
及び低価格のためにテトラエチルオルトシリケートが好
適である。他の陽イオン及びこれらのアルコキシド（ア
ルミニウム、チタニウム、ゲルマニウム及びタングステ
ンのアルコキシドを含む）も使用することができる。
第２の陽イオンは（はとんど第１の陽イオンのように）
加水分解の後又は同時に重合化する化合物の形か、又は
、加水分解及び第１の陽、イオンの重合化をもたらす溶
性種ののいずれかの形て導入される。溶性種は一般的に
水、アルコール又は酸に可溶である０発光イオンは第１
又は第２の陽イオンのいずれかの代替物とすることかで
きるか、通常は第２の陽イオンを意味する０代表的な第
２の陽イオンは、ランタン及びルテチウム並びにイツト
リウムを含む希土類イオン（原子番号５７〜７１）であ
る、第２の陽イオンとして有用な他の代表的なイオンは
、チタニウム、バナジウム、クロム、マンガン及び亜鉛
を含む遷移金属イオンである。
一般的には、第１の陽イオンを含む化合物（−船釣にア
ルコキシド金属）は溶媒に溶けて第２の陽イオンの化合
物の溶液と混合されてそれら２っ以上の陽イオンよりな
る−様なゾルを形成するようにされる。陽イオン化合物
の少なくとも１つ（即ち、第１の陽イオン）は加水分解
時に重合化できるものでなければならない、第２の陽イ
オン化合物も加水分解時に重合化できるものでよく（例
えば、アルコキシド金属）又は硝酸塩、塩化物、臭化物
、ヨウ化物、硫化物などのような可溶塩であってもよい
、水はこれらの溶液の１つに存在する。溶液の条件（例
えば、ｐＨ）は加水分解又は重合化を保証するようなも
のである。ゾルは基板又は他の表面を塗布するために使
用され、又は、バルクの発光酸化物を形成すべき場合の
ように使用されてもよい、基板を塗布する場合には、交
互に、基板をゾルで塗布し、そして、室温空気で、又は
、加熱により乾燥することによって複数回コーティング
を形成してもよい、この作成過程の最初の段階では、加
水分解及び重合化により大いに高シリカガラスでみられ
るようにＪｌ＃ｌ！陽イオン−酸素網構造が形成される
と考えられる。
結果として得られる材料は次に熱処理されて発晶相を含
むものであってもよい、この熱処理は、発光を最大にす
るために一般的には約８００℃〜１５００℃の温度範囲
で行なわれる。結果として生じる発光は従来の方法によ
って作られたバルク材料の特性からしばしば予知するこ
とができる。
本発明は特定実施例の作成の説明により更によく理解す
ることができよう、特定の希土類ドープとイ・ントリウ
ムオルトシリケート材料が優れた発光特性を有するとい
うことは公知である０例えば、テルビウム活性イツトリ
ウムオルトシリケートは優れた緑色けい光体である。
テトラエチルオルトシリケートはシリコン源として及び
加水分解及び重合化を受ける化合物として使用すると便
利である。イツトリウム及びテルビウム源は硝酸イツト
リウム及び硝酸テルビウムである。良好な発光特性を生
じるとして知られている化合物は４６モル％のＹｔ　Ｏ
ｘ　、４モル％の”ｒｂｔ　ｏ、及び５０モル％の５ｉ
ｎ２である。
１モルのＴＥＯＳは４モルのエチルアルコールに溶解さ
れる。硝酸イツト、リウム及び硝酸テルビウムは、ＭＣ
Ｉの添加により約ｌにｍＷｌされたＰＨを持つ水に溶解
される。追加の水かゲル化を遅らせてより薄いより一様
なコーティングを生じさせるためにしばしば使用される
。これら２つの溶液は通常室温で混合されるが冷却を行
なってもよい、ｐＨ調整に使用されるＨＣｌは他の酸で
置き換えてもよい、特に、ＨｉＢＯｆｆは、形成された
Ｂ２Ｏ３が焼成時に基板への膜の付着を良好にするため
に使用してもよい。
調製された溶液は溶融シリカ及び直径か１．８５ｃｍ及
び２．５４ｃｍのサファイアディスクに付着される。こ
の付着の前に、見本は徹底的にきれい、される、、：れ
ら。見本は。１　ｃｈｎｏｘ■によりイオンを除去され
た超音波浴の高温（７０℃）水溶液で洗われ、イオン除
去の水ですすかれ、そして、チッ素で送風乾燥される。
その後、サファイアディスクは１分間１８０℃で濃縮Ｈ
，＋　ＢＯ，及び硫酸の混合物でエツチングされ、（超
音波浴）の水でゆすがれ、そして、Ｎ２で送風乾燥され
る。溶融シリカのサンプルは３０分間緩衝ＨＦ溶液でエ
ツチングされ、ゆすがれ、モしてＮ２て乾燥される。
これらの膜は、溶液充填のせまい矩形状の水晶セルにこ
れらのディスクを手て浸漬することによる浸漬コーティ
ングを用いて付着される。これらのディスクは約０．５
ｃｍ／秒の速度で引き出され、そして、空中で乾燥及び
ゲル化される。この乾燥された膜は空気中において管炉
で焼成され。
６００°Ｃでの焼成により良好な一様性を持つ濃密なア
モルファス膜か形成された。このような低温焼成の後に
は、第２の層を（−船釣には、６暦まで）付着するなど
することができる。溶液内への最初の浸漬により約０．
３５ＪＬｍの厚さが生じ。
２回の層コーティングをすればｌｐｍの厚さにすること
ができる。６００’Ｃで作製された膜の組成の解析はラ
ザフォードバックスキャッタリング（ＲＢＳ）法を用い
て行なわれ、そして、期待された組成を示した。
２暦の溶液をコーティングされた一連の溶融シリカ及び
サファイアのサンプルについて結晶相の形成及び光放射
物の発展状態か研究された。６００′Ｃて予め加熱され
たサファイアは次に所望の温度まで４００℃／時間の速
度で刃口熱され、２時間の間この温度で均熱状態に置か
れ、そして、室空気で冷却された。
これらの膜の構造上の、スペクトル上の及び発光上の特
性はその均熱温度の関数として研究された。陰極ルミネ
ッセンスの測定が別に説明する変形ＳＥＭ装置でその膜
について行なわれた。サンプルは５２５線ラスターモー
ド（２対ｌインタレース）で励起された。この場合ラス
ター領域は一般的には０．２ｘ０．３ｃｍてあった。こ
の膜の分散性のために、全光出力よりもむしろスポット
輝度か監視された。２．５Ｘの対物レンズを持つガンマ
サイエンティフィックマイクロフォトメータモデル（Ｇ
ａｍｍａ　　ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＭｉｃｒｏｐｈｏｔ
ｏｍｅｔｅｒ　　Ｍ　　ｏ　　ｄ　　ｅｌ）７１０−１
０Ｃがこの測定のために使用された。光励起及び光ルミ
ネツセンススペクトルかパーキンエルマー（Ｐｅｒｋｉ
ｎ−Ｅｌｍｅｒ）ＭＰＦ−４けい光分光光度計でとられ
た。これらの？（Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ　　ｍｅｔｅｒ）
１”ＣＪを用いて測定された。この水銀灯、サンプル及
びフォトメータの相対位置は全ての測定において一定と
した。基板における光導入による隣接領域からの影響の
可能性を除去するために、測定領域のみか露出された。
この測定の結果は同時に測定された基準結晶の光出力に
より正規化された。ＵＶ阻止フィルタ（コーニング３−
８０）がサンプルと光度計の間に置かれた。これらの膜
の相組成はフィリップＡＰＤ３６００Ｘ線粉末回折計を
用いて測定された０表面構造はアムレ（Ａｍｒａｙ）１
２００Ｂ　　ＳＥＭで研究された。
６００℃、７００℃及び８ｏｏ℃に２時間均熱維持され
た後に結晶相は観察されなかった。９００℃から始めて
、第１の結晶相が現われたか、これは１２００℃で始ま
る第２の相により徐々に置換された。この第２の相は１
３００°Ｃで完全な発展段階に達する。１４００℃ては
、膜は基板と反応する。第１の２つの相のＸＲＤパター
ンと標準パターンとの比較は明らかにこの両者か事実上
イツトリウムオルトシリケートであるが異なる結晶構造
を有しているということを示した。これらのアモルファ
ス膜の初期の結晶化により Ｙ　２　Ｓ　１０　ｓの低温Ｘｌ膜か形成される。この
膜は１２００℃から始まって高温Ｘ２相に変化し始める
。（例えば、ジェー、イトウ（Ｊ、Ｉｔｏ）及びエイチ
、ジョンソン（Ｈ，Ｊｏｈｎｓｏｎ）による「シンセシ
ーズ　アンド　スタデイ　オブイットリアライト、アメ
リカン　ミネラロジス）（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　　ａｎ
ｄ　　５ｔｕｄｙｏｆ　　Ｙｔｔｒｉａｌｉｔｅ、Ａｍ
ｅｒｉｃａｎＭｉｎｅｒａｌｏｇｉｓｔ）５３Ｊ　１９
４０（１９６８，）参照、）１４００℃までは実際他の
結晶相は存在しない、この事実はＲＢＳ解析の結果と共
に、アモルファスＴｂ：ＹｚＳｉＯｓの網構造の形成か
室温におけるゾルで低温焼成（９００℃以下）中に達成
されたということを示す。
熱処理された膜は各焼成段階の後に光ルミネツセンス及
び陰極ルミネッセンスの性能について評価された。代表
的な結果は第１図に示しである。
ここては、サンプルの光ルミネツセンス出力は焼成温度
又は均熱温度の関数として示しである。第１図から解る
ように、光出力は１２００℃まては温度と共に増加する
か、１３００℃ではルミネッセンスに鋭い減少か見られ
る。ＸＲＤの結果により示された結晶相の状態をたどる
と、光出力のこの落ち込みはＸ２相の完全な発展と相関
付けすることかできる。光ルミネツセンスのこの減少は
完全にはわからないか、明らかに、Ｘ２の相はより低い
光励起効率を有している。
焼成温度の関数としての陰極ルミネッセンスの強度の発
展状態は第２図に示しである。陰極ルミネッセンスの開
始はＸ２相の出現と一致する。最良の結果は約１３００
℃で得られるか、これは光ルミネツセンスの強度の挙動
とは矛盾する。膜における電子ビームエネルギーの完全
な吸収を保証するために電子ビーム侵入範囲（１０ｋＶ
エレクトロンあたり約０．５ｇｍ）よりも膜厚を増加す
ることか重要であった。第２図は１層のみと比較した２
層コーティングの場合の強度の増加を示す、最良の２Ｒ
膜からの全党出力は同じ条件で励起されたＴｂ”：Ｙ、
Ｓｉｎ、の単結晶からの光出力に等しい、しかし、ゾル
−ゲル膜の分散性を考慮すると、これらの外部効率は、
もしも内部変換効率か両方の材料において同一であると
した場合、その単結晶けい光体のそれの２倍であるはず
である。これらの考慮から、最良の膜における内部変換
効率は単一結晶のそれの約４０％に達すると云える。
種々の装置を上記の方法を用いて作ることができる。こ
れらの装置は可視放射に種々の種類の放射を変換するた
めにしばしば使用されるルミネセンス材料を有する。そ
の代表的な装置はＸ線像映装置である。
商業的に特に重要なのは陰極線管（ＣＲＴ）である、こ
の陰極線管は従来のテレビジョン装置、例えば、コンピ
ュータ端末、種々の種類のクラフィックス、及び１種々
の投写型テレビジョン装置用の種々のモニタで使用され
る。
第３図には代表的な陰極線管か示しである。この陰極線
管３０は、外部電気信号源３２に電気接続する手段を持
つ電子放射源３１、通常ガラス及びスクリーン３４で作
られている包被体からなる。−船釣に、電子ビームを偏
向させ、そして、この電子ビームの振幅を変える手段か
設けられている。ルミネセンス材料は通常はフェースプ
レートの内面３５に付着される。これらのＣＲＴ装置の
利点は、光トラッピングがルミネセンス材料の出力効率
を減少させないようにフェースプレートか比較的低屈折
率の材料（例えばガラス）から作ることができるという
ことである。
本発明の有利な特徴は、ゾル−ゲル方法により作られた
材料のルミネセンス特性が従来技術により作られたバル
ク材料の場合とほぼ同じであるということである。イツ
トリウムオルトシリケート用のいくつかの活性イオンの
ルミネセンス特性のリストは本発明の方法により作られ
た材料及び膜のルミネセンス特性を予知する場合に役立
つ、なお、希土類により活性化されたＹ２ＳｉＯ５はし
ばしば効率及び色彩の両方の観点から極めて良好なルミ
ネセンス材料をしばしば生じる。
いくつかの代表的なルミネセンス材料を以下に示す： １）約０．３と２５．０モル％の間の好適な濃度範囲、
そして、０．５と５．０モル％の間の濃度範囲が最も好
適であるガドリニウムドープのイツトリウムオルトシリ
ケート、このけい光体はＵＶ（３１７ｎｍ）で非常に狭
い（３〜４ｎｍ）強力な線を放出するか、これは、けい
光体におけるエネルギー移動を含む種々の用途及び集積
回路の形成の場合のフォトレジストの露光用のＵＶ源と
して有用である。
２）１．０〜１５．０モル％の好適な濃度範囲、そして
４．０と１０．０モル％の最も好適な範囲を持つテルビ
ウムドープのＹ２ＳｉＯ，、このけい光体は約５５０ｎ
ｍ　（緑）で発光し、そして、又極めて強いリン光を出
力する。
３）ガドリニウム及びテルビウムトープのイツトリウム
オルトシリケート、このけい光体は緑債域て発光し、そ
して、テルビウムのみの場合よりもいくぶん効率的であ
る。好適な濃度範囲はテルビウムの場合５．０〜１５．
０モル％であり、そして、ガドリウムの場合０．１−１
０．０モル％である。テルビウムの場合は５．０〜１０
．０モル％か最も好適であり、ガドリウムの場合は２゜
５〜７．５モル％か最も好適である。
４）０．０５〜１．５モル％の好適な濃度範囲で０．１
〜１．０モル％が最も好適であるセリウムドープのイツ
トリウムオルトシリケート、このけい光体は電子励起の
下で青において強く発光する。それは公知の最良の青ガ
ーネットけい光体よりも約ｌＯ借用るい。
５）セリリウムの場合０．１と１．０モル％の間の好適
な濃度範囲及びテルビウムの場合５．０及び１５．０モ
ル％の間の好適な濃度範囲を持つセリリウム及びテルビ
ウムトープのイツトリウムオルトシリケート、このけい
光体は実質的に青色の放射なせずに緑の発光し、テレビ
ジョン管にとっては理想的なけい光体である。最も好適
な濃度は０．１２〜１．０％モル％のセリウムと５．０
〜１０．０モル％のテルビウムである。
６）ガドリニウム及びセリウムドープのイツトリウムオ
ルトシリケート、このけい光体は可視スペクトルの青色
部分で発光し、そして、ガドリニウムの存在により燐光
の出力かかなり増加される。
好適な濃度は０．１と０．５モル％のセリウム、０．１
〜２０．０モル％のガドリニウムで、０゜１〜０．３５
モル％のセリウム及び０．５〜５゜０モル％ガドリニウ
ムは最も好適である。
７）ユウロピウム及びテルビウムトープのイツトリウム
オルトシリケート、このけい光体は赤色を強く発光し線
出力はそれほどなく、そして、モニターＣＲＴ並びにカ
ラーテレビジョン管に有用である。好適な濃度は５．０
〜７．５モル％のテルビウム及び０．１〜１５．０モル
％のユウロピウムて、１．０〜３．−５モル％のテルビ
ウム及び５．０〜１０．０モル％のユウロピウムか最も
好適である。
（発明の効果） 本発明のゾル−ゲル方法によれば、従来手段により作成
されたバルク複合酸化物とほぼ同じ発光特性の複合酸化
物か得られる。また、複合酸化物の薄層を適所に形成す
ことは容易であり、製造物は一様となり、及び複合酸化
物の形成に必要とされる温度は低くできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は焼成均熱温度の関数として本発明により作られ
たＴ　ｂ　：　Ｙ　２　Ｓ　ｉ　Ｏｓの光ルミネ・シセ
ンス出力のグラフ、 第２図は焼成均熱温度の関数として本発明により作られ
たＴ　ｂ　：　Ｙ　、Ｓ　ｉ　Ｏｓの陰極ルミネッセン
ス出力のグラフ、及び 第３図はフェースプレートの内面におけるルミネセンス
材料を持つ陰極線管の断面図である。 ３０・・・　　　　　　　　　陰極線管、３１・・・　
　　　　　　　電子放射源。 ３２・・・　　　　　　外部電子信号源。 ３３・・・　　　　　　　　　　゛ガラス、３４・・・
　　　　　　　　スクリーン。 出願人：アメリカン　テレフォン　アントテレグラフ　
カムバ二−

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも第１と第２の陽イオンを含みエネルギ
    ーを加えられたときに発光することができる複合酸化物
    を形成し、及び 装置の形成を完了する段階を有し、この完了する段階に
    は装置内への複合酸化物の組み込み段階を含む、発光薄
    膜形成方法において、 複合酸化物の形成段階には、第１の陽イオンを含むと共
    に加水分解されたとき重合化を受けることが可能な有機
    金属化合物を少なくとも第１と第２の化合物と反応させ
    る段階を有し、この第１の化合物は水であり、及び、第
    ２の化合物は第２の陽イオンであることを特徴とする発
    光薄膜形成方法。
  2. （２）複合酸化物は第１と第２の陽イオンの他に少なく
    とも第３の陽イオンを有し、有機金属化合物は少なくと
    も第３の化合物と反応され、この第３の化合物は第１と
    第２の化合物の他に第３の陽イオンを含むことを特徴と
    する請求項（１）記載の方法。
  3. （３）複合酸化物は基板に膜として形成されることを特
    徴とする請求項（１）記載の方 法。
  4. （４）有機金属化合物はアルコキシド金属であることを
    特徴とする請求項（１）記載の方 法。
  5. （５）金属はシリコン、アルミニウム、チタニウム、ゲ
    ルマニウム及びタングステンからなる群から選らばれた
    ものであることを特徴とする請求項（４）記載の方法。
  6. （６）金属はシリコンであることを特徴とする請求項（
    ５）記載の方法。
  7. （７）アルコキシド金属はテトラエチルオルトシリケー
    トであることを特徴とする請求項（６）記載の方法。
  8. （８）第２の陽イオンは希土類イオン（原子番号５７〜
    ７１）、ランタン、ルテチウム及びイットリウムよりな
    る群から選ばれたものであることを特徴とする請求項（
    １）記載の方法。
  9. （９）第２の陽イオンはイットリウムであることを特徴
    とする請求項（８）記載の方法。
  10. （１０）第３の陽イオンは希土類イオン（原子番号５８
    〜７０）からなる群から選ばれたものであることを特徴
    とする請求項（２）に記載の 方法。
  11. （１１）有機金属化合物はテトラエチルオルトシリケー
    トであり、第２の陽イオンはイットリウムであり、及び
    第３の陽イオンは発光を行なうために加えられているこ
    とを特徴とする請求項（１）記載の方法。
  12. （１２）第３の陽イオンはテルビウムであることを特徴
    とする請求項（１１）記載の方法。
  13. （１３）複合酸化物の形成段階は、 ａ、テトラエチルオルトシリケートをエチルアルコール
    に溶かしてテトラエチルオルトシリケート溶液を形成し
    、 ｂ、硝酸イットリウムと硝酸テルビウムを水に溶かして
    イットリウム−テルビウム溶液を形成し、 ｃ、テトラエチルオルトシリケート溶液とイットリウム
    −テルビウム溶液を互いに混合して塗布溶液を形成し、 ｄ、基板にその塗布溶液を塗布し、及び ｅ、その塗布された基板を熱処理して発光複合酸化物の
    層を形成することを特徴とする請求項（１２）記載の方
    法。
  14. （１４）熱処理は塗布された基板を少なくとも９００℃
    に加熱することを含む請求項（１３）記載の方法。
  15. （１５）塗布された基板は約１３００℃に加熱されるこ
    とを特徴とする請求項（１４）記載の 方法。
  16. （１６）装置は陰極線管を含むことを特徴とする請求項
    （１）記載の方法。
JP63244673A 1987-10-01 1988-09-30 発光薄膜形成方法 Expired - Fee Related JPH0664995B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/103,986 US4965091A (en) 1987-10-01 1987-10-01 Sol gel method for forming thin luminescent films
US103986 1987-10-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01109641A true JPH01109641A (ja) 1989-04-26
JPH0664995B2 JPH0664995B2 (ja) 1994-08-22

Family

ID=22298084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63244673A Expired - Fee Related JPH0664995B2 (ja) 1987-10-01 1988-09-30 発光薄膜形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4965091A (ja)
EP (1) EP0310308B1 (ja)
JP (1) JPH0664995B2 (ja)
KR (1) KR910007700B1 (ja)
DE (1) DE3889275T2 (ja)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2976111B2 (ja) * 1989-04-27 1999-11-10 キヤノン株式会社 カラー画像形成装置、カラー画像形成方法及びカラー画像形成媒体
DE69004765T2 (de) * 1989-09-01 1994-05-26 Agfa Gevaert Nv Leuchtstoffherstellung.
US5175027A (en) * 1990-02-23 1992-12-29 Lord Corporation Ultra-thin, uniform sol-gel coatings
US5182143A (en) * 1990-02-28 1993-01-26 Lord Corporation Layered sol-gel coatings
US5747727A (en) * 1990-08-09 1998-05-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of making a thermocouple
CA2053985A1 (en) * 1990-10-25 1992-04-26 Sumio Hoshino Process for producing thin glass film by sol-gel method
US5272240A (en) * 1991-05-29 1993-12-21 Board Of Regents, The University Of Texas System Fast sol-gel preparation of glasses
US5357015A (en) * 1991-05-29 1994-10-18 Board Of Regents, The University Of Texas Electric field curing of polymers
US5260094A (en) * 1991-09-30 1993-11-09 Cornell Research Foundation, Inc. Preparing densified low porosity titania sol-gel forms
US5219611A (en) * 1991-09-30 1993-06-15 Cornell Research Foundation, Inc. Preparing densified low porosity titania sol gel forms
US5480582A (en) * 1993-06-30 1996-01-02 Pope; Edward J. A. Process for synthesizing amorphous silica microspheres with fluorescence behavior
US5560957A (en) * 1994-10-28 1996-10-01 Xerox Corporation Electroluminescent device
US6579722B1 (en) 1995-07-10 2003-06-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Chemiluminescence chemical detection of vapors and device therefor
US6319551B1 (en) * 1995-12-19 2001-11-20 William M. Risen, Jr. Methods and compositions for forming silica, germanosilicate and metal silicate films, patterns and multilayers
WO1997024635A2 (en) * 1995-12-19 1997-07-10 Risen William M Jr Methods and compositions for joining waveguide structures and the resulting joined products
US5866652A (en) * 1996-02-27 1999-02-02 The Boeing Company Chromate-free protective coatings
DE29724847U1 (de) 1996-06-26 2004-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP0887833B1 (en) * 1997-05-22 2006-08-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. Process for preparing phosphor pattern for field emission panel and photosensitive element
US6004686A (en) * 1998-03-23 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Electroluminescent material and method of making same
US6818153B2 (en) 1998-10-13 2004-11-16 Peter Burnell-Jones Photocurable thermosetting luminescent resins
US6905634B2 (en) 1998-10-13 2005-06-14 Peter Burnell-Jones Heat curable thermosetting luminescent resins
US6207077B1 (en) 2000-02-18 2001-03-27 Orion 21 A.D. Pty Ltd Luminescent gel coats and moldable resins
US6402985B1 (en) * 2000-03-17 2002-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for preparing efficient low voltage phosphors and products produced thereby
US6490081B1 (en) * 2000-07-28 2002-12-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of amplifying optical signals using doped materials with extremely broad bandwidths
US6572784B1 (en) 2000-11-17 2003-06-03 Flex Products, Inc. Luminescent pigments and foils with color-shifting properties
US6565770B1 (en) 2000-11-17 2003-05-20 Flex Products, Inc. Color-shifting pigments and foils with luminescent coatings
KR100424804B1 (ko) * 2001-03-22 2004-04-03 유재수 결정성이 확보된 구형 형광체의 제조방법
JP2004292190A (ja) * 2003-03-25 2004-10-21 Univ Shinshu 二酸化ケイ素薄膜とその製造法
GB0617480D0 (en) 2006-09-06 2006-10-18 Univ Sheffield Novel nanoparticles
WO2009030703A2 (en) * 2007-09-05 2009-03-12 Dsm Ip Assets B.V. Novel nanoparticles
US8900670B2 (en) * 2008-05-23 2014-12-02 Tata Steel Limited Anti-corrosive hybrid sol-gel film on metallic substrates and method of producing the same
DE102009049056A1 (de) * 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
DE102010054279A1 (de) * 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements, Strahlungskonversionselement und optoelektronisches Bauelement enthaltend ein Strahlungskonversionselement
ES2771099T3 (es) 2012-05-22 2020-07-06 Dsm Ip Assets Bv Composición y proceso para producir un recubrimiento de óxido inorgánico poroso

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59138291A (ja) * 1983-01-27 1984-08-08 Kasei Optonix Co Ltd 高透光性螢光膜の形成方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927224A (en) * 1971-12-15 1975-12-16 Owens Illinois Inc Luminescent and/or photoconductive materials
US3816328A (en) * 1971-12-15 1974-06-11 Owens Illinois Inc Method of preparing luminescent and photoconductive materials
EP0232941A3 (en) * 1986-02-10 1988-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sol-gel process for producing luminescent thin film, and film so produced, and devices utilizing same
NL8602519A (nl) * 1986-10-08 1988-05-02 Philips Nv Luminescerend kwartsglas, werkwijze voor het bereiden van een dergelijk glas en luminescerend scherm voorzien van een dergelijk glas.

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59138291A (ja) * 1983-01-27 1984-08-08 Kasei Optonix Co Ltd 高透光性螢光膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0310308B1 (en) 1994-04-27
KR890007346A (ko) 1989-06-19
DE3889275T2 (de) 1994-09-22
US4965091A (en) 1990-10-23
DE3889275D1 (de) 1994-06-01
KR910007700B1 (ko) 1991-09-30
EP0310308A2 (en) 1989-04-05
EP0310308A3 (en) 1989-08-30
JPH0664995B2 (ja) 1994-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01109641A (ja) 発光薄膜形成方法
Lin et al. Sol–gel deposition and characterization of Mn2+-doped silicate phosphor films
US5808409A (en) Phosphor, cathode-ray tube, fluorescent lamp and radiation intensifying screen
Rao Growth and characterization of Y2O3: Eu3+ phosphor films by sol-gel process
US4931312A (en) Sol-gel process for producing liminescent thin film, and film so produced and devices utilizing same
US6402985B1 (en) Method for preparing efficient low voltage phosphors and products produced thereby
US5695809A (en) Sol-gel phosphors
JP2004134216A (ja) 陰極線管
JPH11293239A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
CN1067423C (zh) 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
JP3329598B2 (ja) 蛍光体、陰極線管、蛍光ランプおよび蛍光体の製造方法
JPH08170077A (ja) 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
US6558574B2 (en) Red phosphor having effective emission at low voltages and method for preparing the same using conductive luminescent material
JPS59138291A (ja) 高透光性螢光膜の形成方法
Han et al. Effects R3+ on the photoluminescent properties of Ca2R8 (SiO4) 6O2: A (R= Y, La, Gd; A= Eu3+, Tb3+) phosphor films prepared by the sol–gel process
JPH05132668A (ja) 高透光性蛍光膜の形成方法
EP0232941A2 (en) Sol-gel process for producing luminescent thin film, and film so produced, and devices utilizing same
Cho et al. The effect of annealing temperature on the CL properties of sol-gel derived Y2O3: Re (Re= Eu3+, Tb3+, Tm3+) phosphors
JP2970294B2 (ja) ブラウン管とその製法
US3549551A (en) Europium activated lithium indium silicate
JPS6047583A (ja) カラ−投写型映像装置
US20060124901A1 (en) Method for preparing high brightness luminescent material and high brightness luminescent material
JPH05140552A (ja) 蛍光体及びその製造方法
JPS5973830A (ja) デイスプレ−用陰極線管
Lo et al. Luminescent properties of sol-gel prepared Y/sub 3/Al/sub 5/O/sub 12: Tb thin films

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees