JPH01117227A - 高周波電流開閉用リレー - Google Patents
高周波電流開閉用リレーInfo
- Publication number
- JPH01117227A JPH01117227A JP24170588A JP24170588A JPH01117227A JP H01117227 A JPH01117227 A JP H01117227A JP 24170588 A JP24170588 A JP 24170588A JP 24170588 A JP24170588 A JP 24170588A JP H01117227 A JPH01117227 A JP H01117227A
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- Japan
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- shield case
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高周波電流開閉用リレーに関するものである
。
。
[従来の技術]
一般に、この種の高周波電流開閉用リレーにおいては、
高周波電流開閉用の接点機構を構成する接点端子間のア
イソレーションが問題となる。すなわち、接点端子間の
距離を小さくすると、浮遊容量が大きくなって、接点端
子間のインピーダンスが低下し高周波特性が悪くなるも
のである。
高周波電流開閉用の接点機構を構成する接点端子間のア
イソレーションが問題となる。すなわち、接点端子間の
距離を小さくすると、浮遊容量が大きくなって、接点端
子間のインピーダンスが低下し高周波特性が悪くなるも
のである。
そこで、第10図に示すように、線材よりなる接触ばね
(4a)(4b)を具備し電磁石装置の接極子にて駆動
されるコ字状のカード(1)と、接触端子(5a) (
5b) (5c)およびアース端子(lla)’ (l
lb)’ (11e)’ (lid)’が植設されたボ
ディ(13)とで接点機構部が形成されている。カード
(1)は両側片(2a)(2b)の長さが異なったコ字
状に形成され、カード(1)の中央片(3)に突設され
た突出片(7)が電磁石装置の接極子にて駆動されるよ
うになっており、両側片(2a) (2b)に段違いに
収設されている接触ばね(4a) (4b)にてNC接
点端子(5a)、COM接点端子(5b)、No接点端
子(5c)、COM接点端子(5b)を短緒自在にして
いる。また、接点端子(!l+a)(5b) (5c)
を短絡していない接触ばね(4a)(4b)はアース端
子<1la)’ (Ilb)’ (Ilc)’ (li
d)’に弾接するようにしている。
(4a)(4b)を具備し電磁石装置の接極子にて駆動
されるコ字状のカード(1)と、接触端子(5a) (
5b) (5c)およびアース端子(lla)’ (l
lb)’ (11e)’ (lid)’が植設されたボ
ディ(13)とで接点機構部が形成されている。カード
(1)は両側片(2a)(2b)の長さが異なったコ字
状に形成され、カード(1)の中央片(3)に突設され
た突出片(7)が電磁石装置の接極子にて駆動されるよ
うになっており、両側片(2a) (2b)に段違いに
収設されている接触ばね(4a) (4b)にてNC接
点端子(5a)、COM接点端子(5b)、No接点端
子(5c)、COM接点端子(5b)を短緒自在にして
いる。また、接点端子(!l+a)(5b) (5c)
を短絡していない接触ばね(4a)(4b)はアース端
子<1la)’ (Ilb)’ (Ilc)’ (li
d)’に弾接するようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述の従来例にあっては、接点機構部と
電磁石装置とが近接して配置されている場合において、
接点機構部に電磁石装置からの悪影響があり、高周波特
性が悪くなるという問題があった。
電磁石装置とが近接して配置されている場合において、
接点機構部に電磁石装置からの悪影響があり、高周波特
性が悪くなるという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目
的とするところは、浮遊容量の影響を少なくして高周波
特性を改良するばかりでなく、接点機構部を遮蔽するこ
とにより電磁石装置からの悪影響を防止して高周波特性
をより改良することができ、しかも構造が簡単な高周波
電流開閉用リレーを提供することにある。
的とするところは、浮遊容量の影響を少なくして高周波
特性を改良するばかりでなく、接点機構部を遮蔽するこ
とにより電磁石装置からの悪影響を防止して高周波特性
をより改良することができ、しかも構造が簡単な高周波
電流開閉用リレーを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の高周波電流開閉用リレーは、前後摺動自在なコ
字状カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片
と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、
各接触ばねで開閉される接点端子と該接触ばねと該カー
ドとを金属板よりなるシールドケース内に収納し、カー
ドの中央片に突設した突出片をシールドケースの一側面
に設けた切欠よりシールドケース外に突出して、該突出
片を接極子により前後駆動せしめ、シールドケースの金
属板を外向きに切り起こしてアース接続端子を形成した
ものである。
字状カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片
と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、
各接触ばねで開閉される接点端子と該接触ばねと該カー
ドとを金属板よりなるシールドケース内に収納し、カー
ドの中央片に突設した突出片をシールドケースの一側面
に設けた切欠よりシールドケース外に突出して、該突出
片を接極子により前後駆動せしめ、シールドケースの金
属板を外向きに切り起こしてアース接続端子を形成した
ものである。
[作 用]
本発明は上述のように構成されており、コ字状カードの
両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片と平行な線材
よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、各接触ばねで
接点端子を開閉しているので、浮遊容量の影響を少なく
して高周波特性を改良することができ、また、接点端子
と該接触ばねと該カードとを金属板よりなるシールドケ
ース内、。
両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片と平行な線材
よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、各接触ばねで
接点端子を開閉しているので、浮遊容量の影響を少なく
して高周波特性を改良することができ、また、接点端子
と該接触ばねと該カードとを金属板よりなるシールドケ
ース内、。
に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシールド
ケースの一側面に設けた切欠よりシールドケース外に突
出して、該突出片を接極子により前後駆動しているので
、接点機構部を確実に遮蔽することにより電磁石装置か
らの悪影響を防止して高周波特性をより改良することが
でき、さらにまた、シールドケースの金属板を外向きに
切り起こしてアース接続端子を形成したので、構成を簡
単にすることができるようになっている。
ケースの一側面に設けた切欠よりシールドケース外に突
出して、該突出片を接極子により前後駆動しているので
、接点機構部を確実に遮蔽することにより電磁石装置か
らの悪影響を防止して高周波特性をより改良することが
でき、さらにまた、シールドケースの金属板を外向きに
切り起こしてアース接続端子を形成したので、構成を簡
単にすることができるようになっている。
[実施例]
第1図および第2図は本発明一実施例を示すもので、本
実施例では、COM接点端子5bをNC接点端子5aあ
るいはNC接点端子5Cに切り換え接続するいわゆるI
T構成のリレーを示しており、電磁石装置12にく字状
接極子9の一端を吸着することにより、接極子9の他端
にてカード1を押圧駆動し、カード1に取着した線材よ
りなる接触ばね4a、4bにてCOM接点にNC接点・
とNC接点とを交互に接触せしめるものである。
実施例では、COM接点端子5bをNC接点端子5aあ
るいはNC接点端子5Cに切り換え接続するいわゆるI
T構成のリレーを示しており、電磁石装置12にく字状
接極子9の一端を吸着することにより、接極子9の他端
にてカード1を押圧駆動し、カード1に取着した線材よ
りなる接触ばね4a、4bにてCOM接点にNC接点・
とNC接点とを交互に接触せしめるものである。
各部について詳しく説明すると、コ字状のカード1は両
側片2a、2bがそれぞれ異なった長さにて構成され、
前後摺動自在とされている0両側片2a、2bの先端に
は該カード1の中央片3と平行な接触ばね4a、4bが
それぞれ段違いに収設されている0両接触ばね4a、4
bは線材よりなり金メツキが施され、各接触ばね4a、
4bの中央部が上記カード1の側片2a、2bに支持さ
れているものである。各接触ばね4a、4bで開閉され
る接点端子5a、5b、5cは、金メツキが施された線
材よりなり図中右からNC接点、COM接点、NC接点
とされ、再接触ばね4a、4bの間にて接触ばね4a、
4bと平行となるように並べられ第1図に示すようにボ
ディ13に植設されている。各接点端子5a、5b、5
cと接触ばね4a、4bとカード1とは上面開口で金属
板よりなるシールドケース6内に収納され、シールドケ
ース6の後側面に設けた切欠8よりカード1の中央片3
より後方へ突設された突出片7がシールドケース6外に
突出されている。そして、この突出片7がく字状の接極
子9の一端に対向して配置されている。一方シールドケ
ース6の、前側面及び左右両側面は外向きに切り起こさ
れ、シールドケース6の底面より垂下されたアース接続
端子10が形成されている。上記シールドケース6はボ
ディ13に設けられた凹部15に嵌着され、各接点端子
5a、5b、5cは切り起こしによりシールドケース6
の底面14に生じる切欠16および底面に穿設した孔1
7よりシールドケース6内に挿入される。尚、18はボ
ディ13の凹部15に穿孔したアース接続端子挿入孔で
あり、19はカード1の突出片7に設けられた溝20に
一端が挿入係止され、他端が電磁石装置12のヨーク2
1に固定された復帰ばねであり、22はシールドケース
6の上面開口に覆設されるの金属製シールド板である。
側片2a、2bがそれぞれ異なった長さにて構成され、
前後摺動自在とされている0両側片2a、2bの先端に
は該カード1の中央片3と平行な接触ばね4a、4bが
それぞれ段違いに収設されている0両接触ばね4a、4
bは線材よりなり金メツキが施され、各接触ばね4a、
4bの中央部が上記カード1の側片2a、2bに支持さ
れているものである。各接触ばね4a、4bで開閉され
る接点端子5a、5b、5cは、金メツキが施された線
材よりなり図中右からNC接点、COM接点、NC接点
とされ、再接触ばね4a、4bの間にて接触ばね4a、
4bと平行となるように並べられ第1図に示すようにボ
ディ13に植設されている。各接点端子5a、5b、5
cと接触ばね4a、4bとカード1とは上面開口で金属
板よりなるシールドケース6内に収納され、シールドケ
ース6の後側面に設けた切欠8よりカード1の中央片3
より後方へ突設された突出片7がシールドケース6外に
突出されている。そして、この突出片7がく字状の接極
子9の一端に対向して配置されている。一方シールドケ
ース6の、前側面及び左右両側面は外向きに切り起こさ
れ、シールドケース6の底面より垂下されたアース接続
端子10が形成されている。上記シールドケース6はボ
ディ13に設けられた凹部15に嵌着され、各接点端子
5a、5b、5cは切り起こしによりシールドケース6
の底面14に生じる切欠16および底面に穿設した孔1
7よりシールドケース6内に挿入される。尚、18はボ
ディ13の凹部15に穿孔したアース接続端子挿入孔で
あり、19はカード1の突出片7に設けられた溝20に
一端が挿入係止され、他端が電磁石装置12のヨーク2
1に固定された復帰ばねであり、22はシールドケース
6の上面開口に覆設されるの金属製シールド板である。
しかして、ボディ13に電磁石装置12を収設すると共
に、ボディ13の凹部15にシールドケース6を挟着し
た後、電磁石装置12とカード1を復帰ばね19にて係
合連結する。そして、シールドケース6の開口面に上記
シールド板22を覆設し、電磁石装置12が無励磁状態
では接触ばね4aがCOM接点端子5bとNC接点端子
5aとを接続するように配設する。
に、ボディ13の凹部15にシールドケース6を挟着し
た後、電磁石装置12とカード1を復帰ばね19にて係
合連結する。そして、シールドケース6の開口面に上記
シールド板22を覆設し、電磁石装置12が無励磁状態
では接触ばね4aがCOM接点端子5bとNC接点端子
5aとを接続するように配設する。
今、電磁石装置12を励磁すると、接極子9の一端が該
電磁石装置12に吸着され、接極子9により突出片7が
前方に押圧されてカード1が前方に摺動し接触ばね4b
がCOM接点端子らbとNC接点端子5aとを接続する
。このとき、アース接続端子10をアースに接続してお
けば各接点端子5a、5b、5c間の浮遊容量は小さく
なり、高周波特性が良くなるわけである。
電磁石装置12に吸着され、接極子9により突出片7が
前方に押圧されてカード1が前方に摺動し接触ばね4b
がCOM接点端子らbとNC接点端子5aとを接続する
。このとき、アース接続端子10をアースに接続してお
けば各接点端子5a、5b、5c間の浮遊容量は小さく
なり、高周波特性が良くなるわけである。
第3図および第4図は他の実施例を示すもので、前記実
施例と同様のIT構成のリレーにおいて、シールドケー
ス6の前後側面をそれぞれ2箇所内向きに切り起こして
、シールドケース6の内部に立設されるアース端子11
a、llb、llc。
施例と同様のIT構成のリレーにおいて、シールドケー
ス6の前後側面をそれぞれ2箇所内向きに切り起こして
、シールドケース6の内部に立設されるアース端子11
a、llb、llc。
lidを形成したものである。すなわち、シールドケー
ス6の前側面を切り起こして形成された一対のアース端
子11a、llbは接触ばね4aの前方にてNC接点端
子5aおよびCOM接点端子5bにそれぞれ対向配置さ
れ、各接点端子5a。
ス6の前側面を切り起こして形成された一対のアース端
子11a、llbは接触ばね4aの前方にてNC接点端
子5aおよびCOM接点端子5bにそれぞれ対向配置さ
れ、各接点端子5a。
5bと各アース端子11a、llb間に接触ばね4aを
位置せしめている。一方、別の一対のアース端子11c
、lidは接触ばね4bの後方にてCOM接点端子5b
およびNo接点端子5Cに対向配置され、各接点端子5
b、5cと各アース端子11c、lid間に接触ばね4
bを位置せしめている。しかして、電磁石装置12の無
励磁状態にあっては、接点開離状態にある接触ばね4b
の両端がアース端子11c、lidに接触され、電磁石
装置12の励磁状態にあっては接触ばね4aの両端がア
ース端子11a、llbに接触される。
位置せしめている。一方、別の一対のアース端子11c
、lidは接触ばね4bの後方にてCOM接点端子5b
およびNo接点端子5Cに対向配置され、各接点端子5
b、5cと各アース端子11c、lid間に接触ばね4
bを位置せしめている。しかして、電磁石装置12の無
励磁状態にあっては、接点開離状態にある接触ばね4b
の両端がアース端子11c、lidに接触され、電磁石
装置12の励磁状態にあっては接触ばね4aの両端がア
ース端子11a、llbに接触される。
故に、接点開離時における接触ばね4a、4bのいわゆ
る”浮き”がなくなって高周波特性が更に改善される。
る”浮き”がなくなって高周波特性が更に改善される。
その上、例えば、第10図に示すように、特別にアース
端子11a’ 、llb’ 、11c’ 、lid’を
設ける必要がなく、構成が簡単となる。
端子11a’ 、llb’ 、11c’ 、lid’を
設ける必要がなく、構成が簡単となる。
第5図ないし第7図はさらに他の実施例を示すもので、
前記IT構成のリレーのCOM接点端子5bを2股構造
とし、再接触ばね4a、4bの長手方向の対向する端面
間にdなる間隔を設けて重なり合わないようにしたもの
である。COM接点端子5bは第7図に示すように、U
字状部23と直線部24とを上下に連結しても良いし、
同図(b)に示すよう↓こ 状部25を連結しても良い
、このように構成することで再接触ばね4a、4bの重
なり合い部に生じる浮遊容量を減少せしめることができ
る。
前記IT構成のリレーのCOM接点端子5bを2股構造
とし、再接触ばね4a、4bの長手方向の対向する端面
間にdなる間隔を設けて重なり合わないようにしたもの
である。COM接点端子5bは第7図に示すように、U
字状部23と直線部24とを上下に連結しても良いし、
同図(b)に示すよう↓こ 状部25を連結しても良い
、このように構成することで再接触ばね4a、4bの重
なり合い部に生じる浮遊容量を減少せしめることができ
る。
また、上記実施例にあって2股構造のCOM接点端子5
bを別々の接点端子で構成することにより、2対の接点
をそれぞれ交互に開閉するいわゆるla、lb楕成のリ
レーを構成することができる。
bを別々の接点端子で構成することにより、2対の接点
をそれぞれ交互に開閉するいわゆるla、lb楕成のリ
レーを構成することができる。
第8図および第9図はさらに他の実施例を示すもので、
2対の接点を同時に開閉するいわゆる2a構成のリレー
に関するものである。すなわち、コ字状のカード1の両
側片2a、2bを同じ長さに形成すると共に、再接触ば
ね4a、4bを一直線上に配設し、アース端子11a、
llb、11c、lidをシールドケース6の後側面を
内向きに切り起こすことにより形成すると共に、各接点
端子5a、5b、5c、5dに対向して配置し、アース
端子11a、llb、llc、lidと接点端子5a、
5b、5c、5d 間に再接触ばね4a、4bを位置せ
しめている。しかして、電磁石装置12を励磁すれば、
カード1が前進して両接点端子5a、5b、5c、5d
が同時に閉成され、開離時には再接触ばね4a、4bが
アース端子11a、llb、llc、lidに接触する
ようになっている。
2対の接点を同時に開閉するいわゆる2a構成のリレー
に関するものである。すなわち、コ字状のカード1の両
側片2a、2bを同じ長さに形成すると共に、再接触ば
ね4a、4bを一直線上に配設し、アース端子11a、
llb、11c、lidをシールドケース6の後側面を
内向きに切り起こすことにより形成すると共に、各接点
端子5a、5b、5c、5dに対向して配置し、アース
端子11a、llb、llc、lidと接点端子5a、
5b、5c、5d 間に再接触ばね4a、4bを位置せ
しめている。しかして、電磁石装置12を励磁すれば、
カード1が前進して両接点端子5a、5b、5c、5d
が同時に閉成され、開離時には再接触ばね4a、4bが
アース端子11a、llb、llc、lidに接触する
ようになっている。
[発明の効果コ
本発明は上述のように構成されており、コ字状カードの
両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片と平行な線材
よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、各接触ばねで
接点端子を開閉しているので、浮遊容量の影響を少なく
して高周波特性を改良することができ、また、接点端子
と該接触ばねと該カードとを金属板よりなるシールドケ
ース内に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールドケース
外に突出して、該突出片を接極子により前後駆動してい
るので、接点機構部を確実に遮蔽することにより電磁石
装置からの悪影響を防止して高周波特性をより改良する
ことができ、さらにまた、シールドケースの金属板を外
向きに切り起こしてアース接続端子を形成したので、構
成を簡単にすることができるという効果がある。
両側片の先端にそれぞれ該カードの中央片と平行な線材
よりなる接触ばねの中央部を支持せしめ、各接触ばねで
接点端子を開閉しているので、浮遊容量の影響を少なく
して高周波特性を改良することができ、また、接点端子
と該接触ばねと該カードとを金属板よりなるシールドケ
ース内に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールドケース
外に突出して、該突出片を接極子により前後駆動してい
るので、接点機構部を確実に遮蔽することにより電磁石
装置からの悪影響を防止して高周波特性をより改良する
ことができ、さらにまた、シールドケースの金属板を外
向きに切り起こしてアース接続端子を形成したので、構
成を簡単にすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の分解斜視図、第2図は同上の
正面図、第3図は他の実施例の分解斜視図、第4図は同
上の正面図、第5図はさらに他の実施例の分解斜視図、
第6図は同上の正面図、第7図(a)(b)は同上の要
部分解斜視図、第8図はさらに別の実施例の分解斜視図
、第9図は同上の正面図、第10図は従来例の要部分解
斜視図である。 1はカード、2a、2bは側片、3は中央片、4a、4
bは接触ばね、5a〜5dは接点端子、6はシールドケ
ース、7は突出片、8は切欠、9は接極子、10はアー
ス接続端子である。”代理人 弁理士 石 1)長 七 1・・・カード 第3図 第7図
正面図、第3図は他の実施例の分解斜視図、第4図は同
上の正面図、第5図はさらに他の実施例の分解斜視図、
第6図は同上の正面図、第7図(a)(b)は同上の要
部分解斜視図、第8図はさらに別の実施例の分解斜視図
、第9図は同上の正面図、第10図は従来例の要部分解
斜視図である。 1はカード、2a、2bは側片、3は中央片、4a、4
bは接触ばね、5a〜5dは接点端子、6はシールドケ
ース、7は突出片、8は切欠、9は接極子、10はアー
ス接続端子である。”代理人 弁理士 石 1)長 七 1・・・カード 第3図 第7図
Claims (1)
- (1)前後摺動自在なコ字状カードの両側片の先端にそ
れぞれ該カードの中央片と平行な線材よりなる接触ばね
の中央部を支持せしめ、各接触ばねで開閉される接点端
子と該接触ばねと該カードとを金属板よりなるシールド
ケース内に収納し、カードの中央片に突設した突出片を
シールドケースの一側面に設けた切欠よりシールドケー
ス外に突出して、該突出片を接極子により前後駆動せし
め、シールドケースの金属板を外向きに切り起こしてア
ース接続端子を形成して成る高周波電流開閉用リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170588A JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170588A JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291181A Division JPS57197723A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | High frequency current switching relay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117227A true JPH01117227A (ja) | 1989-05-10 |
| JPH0375970B2 JPH0375970B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=17078304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24170588A Granted JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005311B2 (en) | 1993-09-30 | 2006-02-28 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
| US7102215B2 (en) | 1997-07-29 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24170588A patent/JPH01117227A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7005311B2 (en) | 1993-09-30 | 2006-02-28 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
| US7102212B2 (en) | 1993-09-30 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
| US7288831B2 (en) | 1993-09-30 | 2007-10-30 | Osram Gmbh | Two-pole SMT miniature housing for semiconductor components and method for the manufacture thereof |
| US7102215B2 (en) | 1997-07-29 | 2006-09-05 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
| US7183632B2 (en) | 1997-07-29 | 2007-02-27 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
| US7508002B2 (en) | 1997-07-29 | 2009-03-24 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode structural element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375970B2 (ja) | 1991-12-04 |
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