JPH0375970B2 - - Google Patents
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- JPH0375970B2 JPH0375970B2 JP24170588A JP24170588A JPH0375970B2 JP H0375970 B2 JPH0375970 B2 JP H0375970B2 JP 24170588 A JP24170588 A JP 24170588A JP 24170588 A JP24170588 A JP 24170588A JP H0375970 B2 JPH0375970 B2 JP H0375970B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- card
- shield case
- terminals
- piece
- Prior art date
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高周波電流開閉用リレーに関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
一般に、この種の高周波電流開閉用リレーにお
いては、高周波電流開閉用の接点機構を構成する
接点端子間のアイソレーシヨンが問題となる。す
なわち、接点端子間の距離を小さくすると、浮遊
容量が大きくなつて、接点端子間のインピーダン
スが低下し高周波特性が悪くなるものである。
いては、高周波電流開閉用の接点機構を構成する
接点端子間のアイソレーシヨンが問題となる。す
なわち、接点端子間の距離を小さくすると、浮遊
容量が大きくなつて、接点端子間のインピーダン
スが低下し高周波特性が悪くなるものである。
そこで、第10図に示すように、線材よりなる
接触ばね4a,4bを具備し電磁石装置の接極子
にて駆動されるコ字状のカード1と、接触端子5
a,5b,5cおよびアース端子11a′,11
b′,11c′,11d′が植設されたボデイ13とで
接点機構部が形成されている。カード1は両側片
2a,2bの長さが異なつたコ字状に形成され、
カード1の中央片3に突設された突出片7が電磁
石装置の接極子にて駆動されるようになつてお
り、両側片2a,2bに段違いに取設されている
接触ばね4a,4bにてNC接点端子5a、COM
接点端子5b、NO接点端子5c、COM接点端
子5bを短絡自在にしている。また、接点端子5
a,5b,5cを短絡していない接触ばね4a,
4bはアース端子11a′,11b′,11c′,11
d′に弾接するようにしている。
接触ばね4a,4bを具備し電磁石装置の接極子
にて駆動されるコ字状のカード1と、接触端子5
a,5b,5cおよびアース端子11a′,11
b′,11c′,11d′が植設されたボデイ13とで
接点機構部が形成されている。カード1は両側片
2a,2bの長さが異なつたコ字状に形成され、
カード1の中央片3に突設された突出片7が電磁
石装置の接極子にて駆動されるようになつてお
り、両側片2a,2bに段違いに取設されている
接触ばね4a,4bにてNC接点端子5a、COM
接点端子5b、NO接点端子5c、COM接点端
子5bを短絡自在にしている。また、接点端子5
a,5b,5cを短絡していない接触ばね4a,
4bはアース端子11a′,11b′,11c′,11
d′に弾接するようにしている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述の従来例にあつては、接点
機構部と電磁石装置とが近接して配置されている
場合において、接点機構部に電磁石装置からの悪
影響があり、高周波特性が悪くなるという問題が
あつた。
機構部と電磁石装置とが近接して配置されている
場合において、接点機構部に電磁石装置からの悪
影響があり、高周波特性が悪くなるという問題が
あつた。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであ
り、その目的とするところは、浮遊容量の影響を
少なくして高周波特性を改良するばかりでなく、
接点機構部を遮蔽することにより電磁石装置から
の悪影響を防止して高周波特性をより改良するこ
とができ、しかも構造が簡単な高周波電流開閉用
リレーを提供することにある。
り、その目的とするところは、浮遊容量の影響を
少なくして高周波特性を改良するばかりでなく、
接点機構部を遮蔽することにより電磁石装置から
の悪影響を防止して高周波特性をより改良するこ
とができ、しかも構造が簡単な高周波電流開閉用
リレーを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の高周波電流開閉用リレーは、前後摺動
自在なコ字状カードの両側片の先端にそれぞれ該
カードの中央片と平行な線材よりなる接触ばねの
中央部を支持せしめ、各接触ばねで開閉される接
点端子と該接触ばねと該カードとを金属板よりな
るシールドケース内に収納し、カードの中央片に
突設した突出片をシールドケースの一側面に設け
た切欠よりシールドケース外に突出して、該突出
片を接極子により前後駆動せしめ、シールドケー
スの金属板を外向きに切り起こしてアース接続端
子を形成したものである。
自在なコ字状カードの両側片の先端にそれぞれ該
カードの中央片と平行な線材よりなる接触ばねの
中央部を支持せしめ、各接触ばねで開閉される接
点端子と該接触ばねと該カードとを金属板よりな
るシールドケース内に収納し、カードの中央片に
突設した突出片をシールドケースの一側面に設け
た切欠よりシールドケース外に突出して、該突出
片を接極子により前後駆動せしめ、シールドケー
スの金属板を外向きに切り起こしてアース接続端
子を形成したものである。
[作用]
本発明は上述のように構成されており、コ字状
カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央
片と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持
せしめ、各接触ばねで接点端子を開閉しているの
で、浮遊容量の影響を少なくして高周波特性を改
良することができ、また、接点端子と該接触ばね
と該カードとを金属板よりなるシールドケース内
に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールド
ケース外に突出して、該突出片を接極子により前
後駆動しているので、接点機構部を確実に遮蔽す
ることにより電磁石装置からの悪影響を防止して
高周波特性をより改良することができ、さらにま
た、シールドケースの金属板を外向きに切り起こ
してアース接続端子を形成したので、構成を簡単
にすることができるようになつている。
カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央
片と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持
せしめ、各接触ばねで接点端子を開閉しているの
で、浮遊容量の影響を少なくして高周波特性を改
良することができ、また、接点端子と該接触ばね
と該カードとを金属板よりなるシールドケース内
に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールド
ケース外に突出して、該突出片を接極子により前
後駆動しているので、接点機構部を確実に遮蔽す
ることにより電磁石装置からの悪影響を防止して
高周波特性をより改良することができ、さらにま
た、シールドケースの金属板を外向きに切り起こ
してアース接続端子を形成したので、構成を簡単
にすることができるようになつている。
[実施例]
第1図および第2図は本発明一実施例を示すも
ので、本実施例では、COM接点端子5bをNC接
点端子5aあるいはNO接点端子5cに切り換え
接続するいわゆる1T構成のリレーを示しており、
電磁石装置12にく字状接極子9の一端を吸着す
ることにより、接極子9の他端にてカード1を押
圧駆動し、カード1に取着した線材よりなる接触
ばね4a,4bにてCOM接点にNC接点とNO接
点とを交互に接触せしめるものである。
ので、本実施例では、COM接点端子5bをNC接
点端子5aあるいはNO接点端子5cに切り換え
接続するいわゆる1T構成のリレーを示しており、
電磁石装置12にく字状接極子9の一端を吸着す
ることにより、接極子9の他端にてカード1を押
圧駆動し、カード1に取着した線材よりなる接触
ばね4a,4bにてCOM接点にNC接点とNO接
点とを交互に接触せしめるものである。
各部について詳しく説明すると、コ字状のカー
ド1は両側片2a,2bがそれぞれ異なつた長さ
にて構成され、前後摺動自在とされている。両側
片2a,2bの先端には該カード1の中央片3と
平行な接触ばね4a,4bがそれぞれ段違いに取
設されている。両接触ばね4a,4bは線材より
なり金メツキが施され、各接触ばね4a,4bの
中央部が上記カード1の側片2a,2bに支持さ
れているものである。各接触ばね4a,4bで開
閉される接点端子5a,5b,5cは、金メツキ
が施された線材よりなり図中右からNC接点、
COM接点、NO接点とされ、両接触ばね4a,
4bの間にて接触ばね4a,4bと平行となるよ
うに並べられ第1図に示すようにボデイ13に植
設されている。各接点端子5a,5b,5cと接
触ばね4a,4bとカード1とは上面開口で金属
板よりなるシールドケース6内に収納され、シー
ルドケース6の後側面に設けた切欠8よりカード
1の中央片3より後方へ突設された突出片7がシ
ールドケース6外に突出されている。そして、こ
の突出片7がく字状の接極子9の一端に対向して
配置されている。一方シールドケース6の、前側
面及び左右両側面は外向きに切り起こされ、シー
ルドケース6の底面より垂下されたアース接続端
子10が形成されている。上記シールドケース6
はボデイ13に設けられた凹部15に嵌着され、
各接点端子5a,5b,5cは切り起こしにより
シールドケース6の底面14に生じる切欠16お
よび底面に穿設した孔17よりシールドケース6
内に挿入される。尚、18はボデイ13の凹部1
5に穿孔したアース接続端子挿入孔であり、19
はカード1の突出片7に設けられた溝20に一端
が挿入係止され、他端が電磁石装置12のヨーク
21に固定された復帰ばねであり、22はシール
ドケース6の上面開口に覆設されるの金属製シー
ルド板である。
ド1は両側片2a,2bがそれぞれ異なつた長さ
にて構成され、前後摺動自在とされている。両側
片2a,2bの先端には該カード1の中央片3と
平行な接触ばね4a,4bがそれぞれ段違いに取
設されている。両接触ばね4a,4bは線材より
なり金メツキが施され、各接触ばね4a,4bの
中央部が上記カード1の側片2a,2bに支持さ
れているものである。各接触ばね4a,4bで開
閉される接点端子5a,5b,5cは、金メツキ
が施された線材よりなり図中右からNC接点、
COM接点、NO接点とされ、両接触ばね4a,
4bの間にて接触ばね4a,4bと平行となるよ
うに並べられ第1図に示すようにボデイ13に植
設されている。各接点端子5a,5b,5cと接
触ばね4a,4bとカード1とは上面開口で金属
板よりなるシールドケース6内に収納され、シー
ルドケース6の後側面に設けた切欠8よりカード
1の中央片3より後方へ突設された突出片7がシ
ールドケース6外に突出されている。そして、こ
の突出片7がく字状の接極子9の一端に対向して
配置されている。一方シールドケース6の、前側
面及び左右両側面は外向きに切り起こされ、シー
ルドケース6の底面より垂下されたアース接続端
子10が形成されている。上記シールドケース6
はボデイ13に設けられた凹部15に嵌着され、
各接点端子5a,5b,5cは切り起こしにより
シールドケース6の底面14に生じる切欠16お
よび底面に穿設した孔17よりシールドケース6
内に挿入される。尚、18はボデイ13の凹部1
5に穿孔したアース接続端子挿入孔であり、19
はカード1の突出片7に設けられた溝20に一端
が挿入係止され、他端が電磁石装置12のヨーク
21に固定された復帰ばねであり、22はシール
ドケース6の上面開口に覆設されるの金属製シー
ルド板である。
しかして、ボデイ13に電磁石装置12を取設
すると共に、ボデイ13の凹部15にシールドケ
ース6を挟着した後、電磁石装置12とカード1
を復帰ばね19にて係合連結する。そして、シー
ルドケース6の開口面に上記シールド板22を覆
設し、電磁石装置12が無励磁状態では接触ばね
4aがCOM接点端子5bとNC接点端子5aとを
接続するように配設する。
すると共に、ボデイ13の凹部15にシールドケ
ース6を挟着した後、電磁石装置12とカード1
を復帰ばね19にて係合連結する。そして、シー
ルドケース6の開口面に上記シールド板22を覆
設し、電磁石装置12が無励磁状態では接触ばね
4aがCOM接点端子5bとNC接点端子5aとを
接続するように配設する。
今、電磁石装置12を励磁すると、接極子9の
一端が該電磁石装置12に吸着され、接極子9に
より突出片7が前方に押圧されてカード1が前方
に摺動し接触ばね4bがCOM接点端子5bと
NO接点端子5cとを接続する。このとき、アー
ス接続端子10をアースに接続しておけば各接点
端子5a,5b,5c間の浮遊容量は小さくな
り、高周波特性が良くなるわけである。
一端が該電磁石装置12に吸着され、接極子9に
より突出片7が前方に押圧されてカード1が前方
に摺動し接触ばね4bがCOM接点端子5bと
NO接点端子5cとを接続する。このとき、アー
ス接続端子10をアースに接続しておけば各接点
端子5a,5b,5c間の浮遊容量は小さくな
り、高周波特性が良くなるわけである。
第3図および第4図は他の実施例を示すもの
で、前記実施例と同様の1T構成のリレーにおい
て、シールドケース6の前後側面をそれぞれ2箇
所内向きに切り起こして、シールドケース6の内
部に立設されるアース端子11a,11b,11
c,11dを形成したものである。すなわち、シ
ールドケース6の前側面を切り起こして形成され
た一対のアース端子11a,11bは接触ばね4
aの前方にてNC接点端子5aおよびCOM接点端
子5bにそれぞれ対向配置され、各接点端子5
a,5bと各アース端子11a,11b間に接触
ばね4aを位置せしめている。一方、別の一対の
アース端子11c,11dは接触ばね4bの後方
にてCOM接点端子5bおよびNO接点端子5c
に対向配置され、各接点端子5b,5cと各アー
ス端子11c,11d間に接触ばね4bを位置せ
しめている。しかして、電磁石装置12の無励磁
状態にあつては、接点開離状態にある接触ばね4
bの両端がアース端子11c,11dに接触さ
れ、電磁石装置12の励磁状態にあつては接触ば
ね4aの両端がアース端子11a,11bに接触
される。故に、接点開離時における接触ばね4
a,4bのいわゆる“浮き”がなくなつて高周波
特性が更に改善される。その上、例えば、第10
図に示すように、特別にアース端子11a′,11
b′,11c′,11d′を設ける必要がなく、構成が
簡単となる。
で、前記実施例と同様の1T構成のリレーにおい
て、シールドケース6の前後側面をそれぞれ2箇
所内向きに切り起こして、シールドケース6の内
部に立設されるアース端子11a,11b,11
c,11dを形成したものである。すなわち、シ
ールドケース6の前側面を切り起こして形成され
た一対のアース端子11a,11bは接触ばね4
aの前方にてNC接点端子5aおよびCOM接点端
子5bにそれぞれ対向配置され、各接点端子5
a,5bと各アース端子11a,11b間に接触
ばね4aを位置せしめている。一方、別の一対の
アース端子11c,11dは接触ばね4bの後方
にてCOM接点端子5bおよびNO接点端子5c
に対向配置され、各接点端子5b,5cと各アー
ス端子11c,11d間に接触ばね4bを位置せ
しめている。しかして、電磁石装置12の無励磁
状態にあつては、接点開離状態にある接触ばね4
bの両端がアース端子11c,11dに接触さ
れ、電磁石装置12の励磁状態にあつては接触ば
ね4aの両端がアース端子11a,11bに接触
される。故に、接点開離時における接触ばね4
a,4bのいわゆる“浮き”がなくなつて高周波
特性が更に改善される。その上、例えば、第10
図に示すように、特別にアース端子11a′,11
b′,11c′,11d′を設ける必要がなく、構成が
簡単となる。
第5図ないし第7図はさらに他の実施例を示す
もので、前記1T構成のリレーのCOM接点端子5
bを2股構造とし、両接触ばね4a,4bの長手
方向の対向する端面間にdなる間隔を設けて重な
り合わないようにしたものである。COM接点端
子5bは第7図に示すように、U字状部23と直
線部24とを上下に連結しても良いし、同図bに
示すように状部25を連結しても良い。このよう
に構成することで両接触ばね4a,4bの重なり
合い部に生じる浮遊容量を減少せしめることがで
きる。
もので、前記1T構成のリレーのCOM接点端子5
bを2股構造とし、両接触ばね4a,4bの長手
方向の対向する端面間にdなる間隔を設けて重な
り合わないようにしたものである。COM接点端
子5bは第7図に示すように、U字状部23と直
線部24とを上下に連結しても良いし、同図bに
示すように状部25を連結しても良い。このよう
に構成することで両接触ばね4a,4bの重なり
合い部に生じる浮遊容量を減少せしめることがで
きる。
また、上記実施例にあつて2股構造のCOM接
点端子5bを別々の接点端子で構成することによ
り、2対の接点をそれぞれ交互に開閉するいわゆ
る1a,1b構成のリレーを構成することができ
る。
点端子5bを別々の接点端子で構成することによ
り、2対の接点をそれぞれ交互に開閉するいわゆ
る1a,1b構成のリレーを構成することができ
る。
第8図および第9図はさらに他の実施例を示す
もので、2対の接点を同時に開閉するいわゆる2
a構成のリレーに関するものである。すなわち、
コ字状のカード1の両側片2a,2bを同じ長さ
に形成すると共に、両接触ばね4a,4bを一直
線上に配設し、アース端子11a,11b,11
c,11dをシールドケース6の後側面を内向き
に切り起こすことにより形成すると共に、各接点
端子5a,5b,5c,5dに対向して配置し、
アース端子11a,11b,11c,11dと接
点端子5a,5b,5c,5d間に両接触ばね4
a,4bを位置せしめている。しかして、電磁石
装置12を励磁すれば、カード1が前進して両接
点端子5a,5b,5c,5dが同時に閉成さ
れ、開離時には両接触ばね4a,4bがアース端
子11a,11b,11c,11dに接触するよ
うになつている。
もので、2対の接点を同時に開閉するいわゆる2
a構成のリレーに関するものである。すなわち、
コ字状のカード1の両側片2a,2bを同じ長さ
に形成すると共に、両接触ばね4a,4bを一直
線上に配設し、アース端子11a,11b,11
c,11dをシールドケース6の後側面を内向き
に切り起こすことにより形成すると共に、各接点
端子5a,5b,5c,5dに対向して配置し、
アース端子11a,11b,11c,11dと接
点端子5a,5b,5c,5d間に両接触ばね4
a,4bを位置せしめている。しかして、電磁石
装置12を励磁すれば、カード1が前進して両接
点端子5a,5b,5c,5dが同時に閉成さ
れ、開離時には両接触ばね4a,4bがアース端
子11a,11b,11c,11dに接触するよ
うになつている。
[発明の効果]
本発明は上述のように構成されており、コ字状
カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央
片と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持
せしめ、各接触ばねで接点端子を開閉しているの
で、浮遊容量の影響を少なくして高周波特性を改
良することができ、また、接点端子と該接触ばね
と該カードとを金属板よりなるシールドケース内
に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールド
ケース外に突出して、該突出片を接極子により前
後駆動しているので、接点機構部を確実に遮蔽す
ることにより電磁石装置からの悪影響を防止して
高周波特性をより改良することができ、さらにま
た、シールドケースの金属板を外向きに切り起こ
してアース接続端子を形成したので、構成を簡単
にすることができるという効果がある。
カードの両側片の先端にそれぞれ該カードの中央
片と平行な線材よりなる接触ばねの中央部を支持
せしめ、各接触ばねで接点端子を開閉しているの
で、浮遊容量の影響を少なくして高周波特性を改
良することができ、また、接点端子と該接触ばね
と該カードとを金属板よりなるシールドケース内
に収納し、カードの中央片に突設した突出片をシ
ールドケースの一側面に設けた切欠よりシールド
ケース外に突出して、該突出片を接極子により前
後駆動しているので、接点機構部を確実に遮蔽す
ることにより電磁石装置からの悪影響を防止して
高周波特性をより改良することができ、さらにま
た、シールドケースの金属板を外向きに切り起こ
してアース接続端子を形成したので、構成を簡単
にすることができるという効果がある。
第1図は本発明一実施例の分解斜視図、第2図
は同上の正面図、第3図は他の実施例の分解斜視
図、第4図は同上の正面図、第5図はさらに他の
実施例の分解斜視図、第6図は同上の正面図、第
7図a,bは同上の要部分解斜視図、第8図はさ
らに別の実施例の分解斜視図、第9図は同上の正
面図、第10図は従来例の要部分解斜視図であ
る。 1はカード、2a,2bは側片、3は中央片、
4a,4bは接触ばね、5a〜5dは接点端子、
6はシールドケース、7は突出片、8は切欠、9
は接極子、10はアース接続端子である。
は同上の正面図、第3図は他の実施例の分解斜視
図、第4図は同上の正面図、第5図はさらに他の
実施例の分解斜視図、第6図は同上の正面図、第
7図a,bは同上の要部分解斜視図、第8図はさ
らに別の実施例の分解斜視図、第9図は同上の正
面図、第10図は従来例の要部分解斜視図であ
る。 1はカード、2a,2bは側片、3は中央片、
4a,4bは接触ばね、5a〜5dは接点端子、
6はシールドケース、7は突出片、8は切欠、9
は接極子、10はアース接続端子である。
Claims (1)
- 1 前後摺動自在なコ字状カードの両側片の先端
にそれぞれ該カードの中央片と平行な線材よりな
る接触ばねの中央部を支持せしめ、各接触ばねで
開閉される接点端子と該接触ばねと該カードとを
金属板よりなるシールドケース内に収納し、カー
ドの中央片に突設した突出片をシールドケースの
一側面に設けた切欠よりシールドケース外に突出
して、該突出片を接極子により前後駆動せしめ、
シールドケースの金属板を外向きに切り起こして
アース接続端子を形成して成る高周波電流開閉用
リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170588A JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24170588A JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8291181A Division JPS57197723A (en) | 1981-05-30 | 1981-05-30 | High frequency current switching relay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01117227A JPH01117227A (ja) | 1989-05-10 |
| JPH0375970B2 true JPH0375970B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=17078304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24170588A Granted JPH01117227A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 高周波電流開閉用リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01117227A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0646971B1 (de) | 1993-09-30 | 1997-03-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung |
| WO1999007023A1 (de) | 1997-07-29 | 1999-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelektronisches bauelement |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24170588A patent/JPH01117227A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01117227A (ja) | 1989-05-10 |
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