JPH01117660A - 整流回路 - Google Patents

整流回路

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JPH01117660A
JPH01117660A JP62274873A JP27487387A JPH01117660A JP H01117660 A JPH01117660 A JP H01117660A JP 62274873 A JP62274873 A JP 62274873A JP 27487387 A JP27487387 A JP 27487387A JP H01117660 A JPH01117660 A JP H01117660A
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JP
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circuit
mosfet
fet
voltage
terminal
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JP62274873A
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English (en)
Inventor
Shigeo Nakamura
茂雄 中村
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Fanuc Corp
Original Assignee
Fanuc Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
    • H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スイソチングレギヱレータやＤＣ−ＤＣコン
バータ等の構成要素をなす整流ダイオードの替わりに使
用するＭＯＳＦＥＴ　（ＭＯ３形電界効果トランジスタ
）を使用した整流回路に関する。
〔従来の技術〕
従来より、ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴは整流ダイオードの替わり
に使用されている。特に、ゲート入力エネルギーが小さ
くてもよく、電圧降下も小さいので広く使用されている
。
ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴを整流ダイオードとして使用した例を
第２図に示す６図において、Ｔはトランスであり、ＦＥ
ＴＩはＭＯＳ　Ｆ　ＥＴであり、半波整流回路として動
作する。ＦＥＴ２はＭＯＳ　Ｆ　ＥＴであり、フライホ
イールダイオードとして動作する。
Ｌはインダクタンス、Ｃは平滑用のコンデンサである。
第２図に示す整流回路のトランスの一次側に、第３図に
示すような波形を入力する０期間ＴａではＦＥＴ１が導
通し、期間ＴｂではＦＥＴＩは遮断されるが、ＦＥＴ２
はフライホイールダイオードとして導通する。しかし、
期間ＴｃもＦＥＴ２が導通してフライホイールダイオー
ドとして動作することが望ましいが、ゲート電圧がＯで
あり、ＦＥＴは導通することができない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、ＭＯＳＦＥＴを整流ダイオードとして使用
するときは、必要に応じて、ゲート入力をソース・ドレ
イン間が導通するように制御する必要があり、本来整流
ダイオードとして単純に使用することが困難である。
本発明の目的は上記問題点を解決し、ドレイン・ソース
間の電圧だけに基づいて動作するＭＯＳＦＥＴ回路を提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では上記の問題点を解決するために、ＭＯＳ　Ｆ
　ＥＴを有する２端子の整流回路において、 該２端子の電圧を検出する比較回路を具備し、前記ＭＯ
Ｓ　Ｆ　ＥＴのゲート端子に前記比較回路の出力を直接
、または電圧増幅回路あるいは電流増幅回路を介して接
続したことを特徴とする整流回路が、 提供される。
〔作用〕
ドレイン端子がソース端子に比較して高電圧のときは比
較回路の出力はロウレベルとなり、ＭＯＳＦＥＴをオフ
の状態にする。
逆にドレイン端子がソース端子より低電圧のときは、比
較回路の出力はハイレベルになり、ＭＯＳＦＥＴは導通
状態になり、ソース端子からドレイン端子に向けて電流
を流すことができる。
従って、ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子とソース端子を、
それぞれ通常のダイオードのカソード端子とアノード端
子とみなすことができ、ＭＯＳＦＥＴ回路が単純なダイ
オードとして動作する。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図に本発明の一実施例の整流ダイオードとしてのＭ
ＯＳＦＥＴ回路を示す。図において、ＣＯｍは比較回路
であり、端子１と端子２の間の極性を検出する。比較回
路Ｃｏｍには通常極性の異なる電圧＋■と一■が必要で
ある。ＴＲＩはＮＰＮトランジスタであり、ＴＲ２はＰ
ＮＰ　）ランジスタであり、比較回路Ｃｏｍの出力を増
幅する電流増幅作用を行う。これは主にＭＯＳＦＥＴの
入力容量が大きいときに、ゲート信号の立ち上がりを早
くして、ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴの動作を高速にするためであ
る。ＦＥＴはＭＯＳ　Ｆ　ＥＴであり、ゲートはトラン
ジスタＴＲＩのエミッタとトランジスタＴＲ２のエミッ
タに接続されている。
次にこの回路の動作について述べる。端子２側が端子１
側より高電圧のとき、比較回路Ｃｏｍの出力は、−側の
入力端子が＋側の端子より低くなり、出力はハイレベル
になり、その出力はトランジスタＴＲＩとトランジスタ
ＴＲ２で構成される電流増幅器によって、正電圧として
ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴ（ＦＥＴ）のゲートに加えられる。従
って、ＦＥＴは導通状態になり、端子２から端子１へ電
流が流れる。
逆に、端子２側が端子１側より低電圧のとき、比較回路
Ｃｏｍの出力はロウレベルとなり、ＦＥＴのゲートには
、負の電圧が与えられ、ＦＥＴはオフ状態になる。
この結果、図のＭＯＳ　Ｆ　ＥＴ回路は端子２をアノー
ド、端子１をカソードとするダイオードと等価な回路に
なり、ゲートの入力電圧を、考慮する必要はなくなる。
一方ＭＯＳＦＥＴのオン時の抵抗Ｒｏｎは０゜０２オ一
ム／２００Ｖ程度であり、ＩＯＡの電流に対して、電圧
降下は０．２ｖ程度である。一般のショットキーダイオ
ードでも定格電流で電圧降下は０．５５Ｖ程度、通常の
ダイオードでは０゜７Ｖ程度であるので、このＭＯＳ　
Ｆ　ＥＴ回路は電圧降下が低く、電力損失も小さく、一
般の整流ダイオードとして有用である。
上記の説明では、比較回路Ｃｏｍの出力にトランジスタ
の電流増幅器を設けたが、ＭＯＳＦＥＴのゲートの入力
容量が小さいときは、比較回路の出力をゲートに直接結
合することができる。また、電流増幅でなく電圧増幅器
を使用することも可能である。これらは、比較回路Ｃｏ
ｍの出力電流、ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴの入力容量等によって
、設計的に決められる。
さらに、第１図に示す回路素子を１個のウェーハ上に作
り、部品的にも整流ダイオードと同様に取扱い、動作速
度を向上させることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明では、ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴと比
較回路を使用して、ＭＯＳ　Ｆ　ＥＴの両端の電圧を検
出してＭＯＳ　Ｆ　ＥＴを整流ダイオードと同じように
動作させるように構成したので、ゲートの入力信号を考
慮することなく、電圧降下の低い等価ダイオードを得る
ことができ、電源の整流損失を減少させることができる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の整流ダイオードとしてのＭ
ＯＳ　Ｆ　ＥＴ回路を示す図、第２図は従来のＭＯＳ　
Ｆ　ＥＴを整流ダイオードとして使用した例を示す図、 第３図は従来のＭＯＳ　Ｆ　ＥＴ回路に与える入力信号
の例を示す図である。 Ｃｏ　ｍ−・−・−・−・比較回路 ＦＥＴ・−−−一−−・−・−・ＭＯＳＦＥＴＴＲＩ・
・−・−−−−−−−−）ランジスタＴＲ２・−・−一
−−−・−トランジスタ特許出願人　ファナック株式会
社 代理人　　　弁理士　　服部毅巖 第１図 ど１ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＭＯＳＦＥＴを有する２端子の整流回路において
    、 該２端子の電圧を検出する比較回路を具備し、前記ＭＯ
    ＳＦＥＴのゲート端子に前記比較回路の出力を直接、ま
    たは電圧増幅回路あるいは電流増幅回路を介して接続し
    たことを特徴とする整流回路。
JP62274873A 1987-10-30 1987-10-30 整流回路 Pending JPH01117660A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1057247A4 (en) * 1998-01-20 2002-04-17 Bytecraft Pty Ltd AC POWER CONVERTER
JP2008193282A (ja) * 2007-02-02 2008-08-21 Mitsubishi Electric Corp 整流装置
JP2009194791A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Mitsubishi Electric Corp 一方向導通装置
CN103391082A (zh) * 2013-07-08 2013-11-13 辉芒微电子（深圳）有限公司 低阈值电压二极管的替代电路

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