JPH01118239A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH01118239A JPH01118239A JP27542387A JP27542387A JPH01118239A JP H01118239 A JPH01118239 A JP H01118239A JP 27542387 A JP27542387 A JP 27542387A JP 27542387 A JP27542387 A JP 27542387A JP H01118239 A JPH01118239 A JP H01118239A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
光磁気記録などへの応用に注目して各種の磁性薄膜が検
討されている。たとえば、ＴｂＦｅなどの希土鉄族合金
、ＭｎＢ１ ＳＭｎＣｕＢ１ 、オノＰソフエライト、
ＰｔＭｎＳｂ、 ＰｄＭｎＳｂ、 ＮｉＭｎ８ｂ 等
が知られている。ここで信号の質を高くするためにはカ
ー回転角が高いことが必要であり、とシわけ、ＰｔＭｎ
Ｓｂ、 ＰｄＭｎＳｂ、 ＮｉＭｎＳｂ等のＭｎを含有
する合金は、常温でのカー回転がきわめて高い物質とし
て注目されている。
討されている。たとえば、ＴｂＦｅなどの希土鉄族合金
、ＭｎＢ１ ＳＭｎＣｕＢ１ 、オノＰソフエライト、
ＰｔＭｎＳｂ、 ＰｄＭｎＳｂ、 ＮｉＭｎ８ｂ 等
が知られている。ここで信号の質を高くするためにはカ
ー回転角が高いことが必要であり、とシわけ、ＰｔＭｎ
Ｓｂ、 ＰｄＭｎＳｂ、 ＮｉＭｎＳｂ等のＭｎを含有
する合金は、常温でのカー回転がきわめて高い物質とし
て注目されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、Ｍｎを含有する合金は垂直磁気異方性が必ずし
も十分でなく、光磁気メモリー等への実用化には問題で
ある。
も十分でなく、光磁気メモリー等への実用化には問題で
ある。
そこで本発明者は、垂直磁気異方性を上げるべく検討し
、本発明に到達した。
、本発明に到達した。
（発明の構成）
すなわち、本発明の要旨は、基板上に一般式ＸＭｎＺＲ
で表わされる光磁気記録層を設けてなる光磁気記録媒体
。
で表わされる光磁気記録層を設けてなる光磁気記録媒体
。
（上記一般式中、ＸはＦｅ 、 ＣｏおよびＭｎ以外の
遷移金属元素、Ｚはｍｂ、ＩＶ、Ｖ族元素、Ｒは希土類
元素を表わす。）である。
遷移金属元素、Ｚはｍｂ、ＩＶ、Ｖ族元素、Ｒは希土類
元素を表わす。）である。
本発明において光磁気記録層を形成する。
磁性薄膜は、一般式ＸＭｎＺＲ：
ＸはＦｅ、ＣｏおよびＭｎ以外の遷移金属元素、Ｚはｌ
ｂ、■、Ｖ族元素、Ｒは希土類元素である。
ｂ、■、Ｖ族元素、Ｒは希土類元素である。
Ｘ成分の遷移金属としては、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ’ｒ
。
。
Ｚｒ ｙ Ｎｂ 、 Ｍｏ 、 Ｐｄ等から選ばれた少
なくとも一種以上が用いられる。
なくとも一種以上が用いられる。
２成分の元素としては、’ Ｓｂ、 Ｓｎ、 Ｂｉ 、
Ｐｂ 。
Ｐｂ 。
Ａｔ 、 Ｙ等から選ばれた少なくとも１種以上が用い
られる。Ｒ成分の希土類元素としてはＤｙ ＩＴｌ）
、 Ｇｄ 、 Ｎｄ等から選ばれた少なくとも１種以上
が用いられる。
られる。Ｒ成分の希土類元素としてはＤｙ ＩＴｌ）
、 Ｇｄ 、 Ｎｄ等から選ばれた少なくとも１種以上
が用いられる。
（但し、ＩＵＰＡＣ周期律表によるものとする。）好ま
しい磁性薄膜として ０（ｚ≦Ｏ，ユ、ｕ＝Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇａ）が挙げられる
。
しい磁性薄膜として ０（ｚ≦Ｏ，ユ、ｕ＝Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇａ）が挙げられる
。
本発明の光磁気配録層の製法には、公知のスパッタ法、
を主として他に蒸着法、イオンブレーティング法、クラ
スタイオンビーム法等の所謂物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ以下ＰＶＤ法
と略）あるいは化学蒸着法が用いられる。スパッタ法は
、成膜すべき薄膜材料に応じたターゲツト材にＡｒ等の
イオンを衝突させターゲツト材の原子をたたき出す（＝
スパッタ）事によシ基板上にスパッタさせた原子が堆積
することによυ膜形成を行う。Ａｒ等のイオンの生成は
ｌｏ−４〜ｌ０−１Ｔｏｒｒの分圧のガスをスパッタ真
空容器中に導入し、直流又は高周波交流電界をターゲラ
） （Ｔａｒｇｅｔ）と対向電極（通常接地された基板
支持体又は真空容器）の間に比較的容易でアシ、このス
パッタ法にて検討を行った。
を主として他に蒸着法、イオンブレーティング法、クラ
スタイオンビーム法等の所謂物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ以下ＰＶＤ法
と略）あるいは化学蒸着法が用いられる。スパッタ法は
、成膜すべき薄膜材料に応じたターゲツト材にＡｒ等の
イオンを衝突させターゲツト材の原子をたたき出す（＝
スパッタ）事によシ基板上にスパッタさせた原子が堆積
することによυ膜形成を行う。Ａｒ等のイオンの生成は
ｌｏ−４〜ｌ０−１Ｔｏｒｒの分圧のガスをスパッタ真
空容器中に導入し、直流又は高周波交流電界をターゲラ
） （Ｔａｒｇｅｔ）と対向電極（通常接地された基板
支持体又は真空容器）の間に比較的容易でアシ、このス
パッタ法にて検討を行った。
なお、スパッタガスとして水素ガスと不活性ガスの混合
ガスを用いても良い。
ガスを用いても良い。
次に得られた薄膜はその結晶性を制御するため熱アニー
ルを行う事ができる。通常、成膜直後の薄膜は原子（塊
）の堆積中、充分な拡散時間をもたず凝固（固化）して
おり、結晶性が乱れ又は多相の結晶からなシ又は非晶質
になる場合が多い。光磁気記録媒体としては、このよう
に乱れた結晶性の膜と、完全性の高い膜とでいずれが好
ましいかは、−概には定められないがより結晶性の高い
膜を得るには、本発明の媒体の場合１００〜りｏｏ℃好
ましくはぐｏｏ〜ｂｏ。
ルを行う事ができる。通常、成膜直後の薄膜は原子（塊
）の堆積中、充分な拡散時間をもたず凝固（固化）して
おり、結晶性が乱れ又は多相の結晶からなシ又は非晶質
になる場合が多い。光磁気記録媒体としては、このよう
に乱れた結晶性の膜と、完全性の高い膜とでいずれが好
ましいかは、−概には定められないがより結晶性の高い
膜を得るには、本発明の媒体の場合１００〜りｏｏ℃好
ましくはぐｏｏ〜ｂｏ。
℃で／−，２０時間、真空下で熱アニールを行う。
また、上記アニールにかえて、成膜中に基板を２００℃
程度以上に加熱することもできる。
程度以上に加熱することもできる。
上記の方法によって得られる磁性薄膜は、垂直磁気異方
性が改良され、大きな残留磁気特性を有する。
性が改良され、大きな残留磁気特性を有する。
得られる媒体は、さらに他の磁性体を積層して用いるこ
ともできる。たとえば、非晶質希土遷移金属合金（Ｔｅ
Ｆｅ系など）等の記録感度、抗磁力が大きいかカー回転
角の小さい磁性体との積層により、 ／）非晶質希土遷移金属膜の保護膜として利用でき、 ２）マた、光入射側に本発明に係る媒体を置くことによ
シ非晶質希土遷移金属膜のカー回転角を向上できる。
ともできる。たとえば、非晶質希土遷移金属合金（Ｔｅ
Ｆｅ系など）等の記録感度、抗磁力が大きいかカー回転
角の小さい磁性体との積層により、 ／）非晶質希土遷移金属膜の保護膜として利用でき、 ２）マた、光入射側に本発明に係る媒体を置くことによ
シ非晶質希土遷移金属膜のカー回転角を向上できる。
（実施例）
以下、実施例によりさらに本発明の詳細な説明する。
実施例−１
ＭｎＳｂターゲット上にｐｔとＴｂのチップを配置し、
組成を調整した後、真空槽を／×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下
に排気した。
組成を調整した後、真空槽を／×１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下
に排気した。
Ａｒガスを導入し、りＸ ／ ０−２Ｔｏｒｒに設定し
た後、ＲＦパワー２ｏｏｗ、基板温度ユθ０ ’Ｃでス
パッタを行ないガラス基板上に成膜した。
た後、ＲＦパワー２ｏｏｗ、基板温度ユθ０ ’Ｃでス
パッタを行ないガラス基板上に成膜した。
た膜は、面内異方性が弱くなシ、保磁力もＰｔＭｎＳｂ
に比べ約３倍の値をす。特に垂直磁気上 異方性が大きくなシ、残留磁電の大きさが大巾に改善さ
れた。
に比べ約３倍の値をす。特に垂直磁気上 異方性が大きくなシ、残留磁電の大きさが大巾に改善さ
れた。
（発明の効果）
本発明に係る磁性薄膜は、カー回転角が大きく、特に垂
直磁気異方性が大きく改善されたものである。
直磁気異方性が大きく改善されたものである。
Claims (1)
- （１）基板上に一般式ＸＭｎＺＲで表わされる光磁気記
録層を設けてなる光磁気記録媒体。 （上記一般式中、ＸはＦｅ，ＣｏおよびＭｎ以外の遷移
金属元素、ＺはIIIｂ，IV，Ｖ族元素、Ｒは希土類元素
を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27542387A JPH01118239A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27542387A JPH01118239A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01118239A true JPH01118239A (ja) | 1989-05-10 |
Family
ID=17555305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27542387A Pending JPH01118239A (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01118239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01224960A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US6811889B2 (en) * | 1992-12-01 | 2004-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27542387A patent/JPH01118239A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01224960A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| US6811889B2 (en) * | 1992-12-01 | 2004-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
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