JPH01120103A - フィルタ装置 - Google Patents
フィルタ装置Info
- Publication number
- JPH01120103A JPH01120103A JP62278084A JP27808487A JPH01120103A JP H01120103 A JPH01120103 A JP H01120103A JP 62278084 A JP62278084 A JP 62278084A JP 27808487 A JP27808487 A JP 27808487A JP H01120103 A JPH01120103 A JP H01120103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wave
- magnetostatic
- magnetic
- filter device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁気共鳴現象を利用したマイクロ波用フィル
タ装置の特性改良に関するものである。
タ装置の特性改良に関するものである。
（従来の技術）
第３図は磁気共鳴を利用したフィルタ装置の従来例を示
す構成斜視図である。２つのコイル２ａ。
す構成斜視図である。２つのコイル２ａ。
３ａの軸を直交させ、その中心にＹＩＧ（（イツトリウ
ム−鉄−ガーネット）単結晶５ａを球形に磨いたものを
置き、静磁界Ｈを両コイルの軸に直交するように（図で
は上下方向に）加える。同軸ケーブル１ａからマイクロ
波をコイル２ａに投入しても、これに直交しているコイ
ル４ａしたがってケーブル３ａには出力が現れない。と
ころが共鳴磁界Ｈｒに相当する磁界を加えると、ケーブ
ル３ａにマイクロ波が現れる。コイル２ａによるマイク
ロ波磁界が、共鳴条件にあるＹｒＧの磁気モーメントを
回転さぽ、この回転している磁気モーメントがコイル４
ａにマイクロ波電流を誘導するからである。このときコ
イル２ａとＹＩＧ５ａはモーター、ＹＩＧ５ａとコイル
４ａは発１４機の役目をしている。同軸３ａのほうから
マイクロ波を入力すれば同軸１ａへ出力が現れる。静磁
界Ｈを固定してマイクロ波の周波数を変えると、特定の
周波数の付近だけ出力が現れ、波長選択特性を示す。こ
れはマイクロ波帯の周波数可変のフィルタで、共振周波
数は静磁界用コイルの励Ｔｉａｌｌ流に比例する。
ム−鉄−ガーネット）単結晶５ａを球形に磨いたものを
置き、静磁界Ｈを両コイルの軸に直交するように（図で
は上下方向に）加える。同軸ケーブル１ａからマイクロ
波をコイル２ａに投入しても、これに直交しているコイ
ル４ａしたがってケーブル３ａには出力が現れない。と
ころが共鳴磁界Ｈｒに相当する磁界を加えると、ケーブ
ル３ａにマイクロ波が現れる。コイル２ａによるマイク
ロ波磁界が、共鳴条件にあるＹｒＧの磁気モーメントを
回転さぽ、この回転している磁気モーメントがコイル４
ａにマイクロ波電流を誘導するからである。このときコ
イル２ａとＹＩＧ５ａはモーター、ＹＩＧ５ａとコイル
４ａは発１４機の役目をしている。同軸３ａのほうから
マイクロ波を入力すれば同軸１ａへ出力が現れる。静磁
界Ｈを固定してマイクロ波の周波数を変えると、特定の
周波数の付近だけ出力が現れ、波長選択特性を示す。こ
れはマイクロ波帯の周波数可変のフィルタで、共振周波
数は静磁界用コイルの励Ｔｉａｌｌ流に比例する。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、第３図のような構成において、ＹＩＧ球
は鋭、い共鳴特性をもっている（つまりＱが高い）が、
２つの入出力ループが接近しているため、その間を直接
信号が伝わってしまう。すなわち、フィルタのカットオ
フ周波数域での信号のモレが多く、アイソレーションが
悪い。またフィルタの周波数特性を急峻にするために第
３図のものをカスケードに接続すると、構成が複雑にな
るし、組立て工数もかかる。
は鋭、い共鳴特性をもっている（つまりＱが高い）が、
２つの入出力ループが接近しているため、その間を直接
信号が伝わってしまう。すなわち、フィルタのカットオ
フ周波数域での信号のモレが多く、アイソレーションが
悪い。またフィルタの周波数特性を急峻にするために第
３図のものをカスケードに接続すると、構成が複雑にな
るし、組立て工数もかかる。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、入出力のアイソレーションおよび周波数特性の
優れたマイクロ波帯用フィルタ装置を実現することを目
的とする。
もので、入出力のアイソレーションおよび周波数特性の
優れたマイクロ波帯用フィルタ装置を実現することを目
的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は磁性体の磁気共鳴を利用して波長選択性をもた
せたフィルタ装置に係るもので、その特徴とするところ
は交互に配置して多層構造を形成する磁性膜および非磁
性膜と、前記磁性膜の少なくとも１つに近接して設けた
電極とを備えるとともに、入力マイクロ波を７４極に印
加して発生する静磁波が磁性膜上を伝搬するように構成
した点にある。
せたフィルタ装置に係るもので、その特徴とするところ
は交互に配置して多層構造を形成する磁性膜および非磁
性膜と、前記磁性膜の少なくとも１つに近接して設けた
電極とを備えるとともに、入力マイクロ波を７４極に印
加して発生する静磁波が磁性膜上を伝搬するように構成
した点にある。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係るフィルタ装置の一実施例を示す構
成斜視図である。１はＧＧＧ （ガドリニウム−ガリウ
ム−ガーネット）基板、２１．２２はこのＧＧＧ基板１
の両面上にＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ、液相法）により形成されるＹＩＧ（イ
ツトリウム−鉄−ガーネット）薄膜、３１．３２はこの
ＹＩＧ薄膜２１．２２の両面にそれぞれ対向して設けら
れる誘電体、４１．４２はこの誘電体３１．３２のＹＩ
ＧＲＩ膜２１，２２と反対側の面上にそれぞれ形成され
るグランドプレーン、５．６はグランドプレーン４１．
４２と反対側の誘電体３１．３２の面上にそれぞれ形成
される静磁波励起用電極および静磁波検出用電極、７は
電極５に接続し、マイクロ波を印加する入力端子、８は
電極６に接続する出力端子である。上記構成の各層はで
きる限り近接して配置する。
成斜視図である。１はＧＧＧ （ガドリニウム−ガリウ
ム−ガーネット）基板、２１．２２はこのＧＧＧ基板１
の両面上にＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ
Ｅｐｉｔａｘｙ、液相法）により形成されるＹＩＧ（イ
ツトリウム−鉄−ガーネット）薄膜、３１．３２はこの
ＹＩＧ薄膜２１．２２の両面にそれぞれ対向して設けら
れる誘電体、４１．４２はこの誘電体３１．３２のＹＩ
ＧＲＩ膜２１，２２と反対側の面上にそれぞれ形成され
るグランドプレーン、５．６はグランドプレーン４１．
４２と反対側の誘電体３１．３２の面上にそれぞれ形成
される静磁波励起用電極および静磁波検出用電極、７は
電極５に接続し、マイクロ波を印加する入力端子、８は
電極６に接続する出力端子である。上記構成の各層はで
きる限り近接して配置する。
上記のような構成のフィルタ装置の動作を次に説明する
。静磁ＪｌｉｌＨを図の矢印の方向（各層の膜面と垂直
の方向）に印加した状態で入力端子７を介して電極５に
マイクロ波を印加すると、静磁場Ｈに応じた波長λの静
磁波の体積波（前進波）がＹＩＧ膜２膜上１上搬する。
。静磁ＪｌｉｌＨを図の矢印の方向（各層の膜面と垂直
の方向）に印加した状態で入力端子７を介して電極５に
マイクロ波を印加すると、静磁場Ｈに応じた波長λの静
磁波の体積波（前進波）がＹＩＧ膜２膜上１上搬する。
このとき静磁波が伝搬する方向のＹＩＧ股２１の両端の
長さをＬとすると、 ２Ｌ＝Ｎλ （Ｎ−１，２，３，・・・）・・・（１
） の関係を満たす波長λの波だけがＹＩＧＩ膜２１膜室１
波をつくる。この定在波は下のＹＩＧ膜２２に伝わり、
ＹＩＧ膜２膜上２上静磁体積波を伝搬さばる。そこで図
のように適肖な位置に検出用電極６を設ければ、ＹＩＧ
膜２膜上２上磁波を検出することができ、その結果ＹＩ
ＧＩ！２１および２２のいずれにおいても定在波を形成
しない周波数成分が取除かれたマイクロ波出力を出力端
子８から取出すことができる。すなわち入力端子７と出
力端子８の間は鋭い波長選択性を備えたマイクロ波用の
フィルタ装置として動作することになる。
長さをＬとすると、 ２Ｌ＝Ｎλ （Ｎ−１，２，３，・・・）・・・（１
） の関係を満たす波長λの波だけがＹＩＧＩ膜２１膜室１
波をつくる。この定在波は下のＹＩＧ膜２２に伝わり、
ＹＩＧ膜２膜上２上静磁体積波を伝搬さばる。そこで図
のように適肖な位置に検出用電極６を設ければ、ＹＩＧ
膜２膜上２上磁波を検出することができ、その結果ＹＩ
ＧＩ！２１および２２のいずれにおいても定在波を形成
しない周波数成分が取除かれたマイクロ波出力を出力端
子８から取出すことができる。すなわち入力端子７と出
力端子８の間は鋭い波長選択性を備えたマイクロ波用の
フィルタ装置として動作することになる。
磁気共鳴周波数は静磁場Ｈの大きさによって変化するの
で、本装置はマイクロ波帯の周波数可変のフィルタとな
る。なお静磁波デバイスについては、テＬ／ビジーｓ＞
学会誌Ｖｏ １．３８．Ｎｏ、１２（１９８４）、１０
５３／１０６２が詳しい。
で、本装置はマイクロ波帯の周波数可変のフィルタとな
る。なお静磁波デバイスについては、テＬ／ビジーｓ＞
学会誌Ｖｏ １．３８．Ｎｏ、１２（１９８４）、１０
５３／１０６２が詳しい。
第２図は本発明の第２の実施例で層の数を増加すること
により波長選択性をざらに改善したものを示す構成正面
図である。第１図と同じ部分は同一の記号を付して説明
を省略する。ＧＧＧ基板１１．１３．・・・１ｎの両面
にはそれぞれＹＩＧ膜２１と２２．２３と２４．・・・
２ｎと２．ｎ＋１が形成され、各３層構造の間にはＧＧ
ＧＷ板１２，１４、・Ａ、ｎ−１が押入されて、多数の
ＹＩＧｇｌとＧＧＧ）ｌ板を交互に配列している。
により波長選択性をざらに改善したものを示す構成正面
図である。第１図と同じ部分は同一の記号を付して説明
を省略する。ＧＧＧ基板１１．１３．・・・１ｎの両面
にはそれぞれＹＩＧ膜２１と２２．２３と２４．・・・
２ｎと２．ｎ＋１が形成され、各３層構造の間にはＧＧ
ＧＷ板１２，１４、・Ａ、ｎ−１が押入されて、多数の
ＹＩＧｇｌとＧＧＧ）ｌ板を交互に配列している。
このような構成のフィルタ装置によれば、鋭い共鳴特性
を有するそれぞれのＹｒＧ膜が波長選択性を備えたフィ
ルタとして働くので、フィルタの周波数特性が改善され
る。カスケードの段数を増やした第２図のフィルタ装置
ではさらに周波数特性を改善できる。
を有するそれぞれのＹｒＧ膜が波長選択性を備えたフィ
ルタとして働くので、フィルタの周波数特性が改善され
る。カスケードの段数を増やした第２図のフィルタ装置
ではさらに周波数特性を改善できる。
またＹｒＧ膜を複数用いるフィルタがＬドにＹｒＧ膜と
非磁性膜とを交互に配列するだけで構成できるので、構
成が筒中である。特にＹＩＧＩＩＩ！が２枚の場合には
通常のＬＰＥ法で簡単に形成できる。
非磁性膜とを交互に配列するだけで構成できるので、構
成が筒中である。特にＹＩＧＩＩＩ！が２枚の場合には
通常のＬＰＥ法で簡単に形成できる。
また入出力の電極および配線がＹｒＧ、ＧＧＧからなる
多層膜の表裏で、かつ離れているので、フィルタとして
のアイソレーションが優れている。
多層膜の表裏で、かつ離れているので、フィルタとして
のアイソレーションが優れている。
なお上記の実施例では電極からの線の引出しは同一側か
ら行っているが、電極からの引出し線の方向は自由で、
反対側や横方向から行ってもよい。
ら行っているが、電極からの引出し線の方向は自由で、
反対側や横方向から行ってもよい。
したがって入出力の結合を減らしアイソレーションをと
るのが容易である。
るのが容易である。
また上記の実施例では上下２枚の誘電体を用いているが
、これに限らず、例えば１７８体３１を省略してＹ■Ｇ
膜２１に静磁波励起用電極を直接蒸着して形成してもよ
い。
、これに限らず、例えば１７８体３１を省略してＹ■Ｇ
膜２１に静磁波励起用電極を直接蒸着して形成してもよ
い。
また励起用や検出用の電極パターンを工夫し、公知のイ
ンターディジタル電極や平行ストリップアレイ電極等を
用いることにより波長選択性を持たせることもできる。
ンターディジタル電極や平行ストリップアレイ電極等を
用いることにより波長選択性を持たせることもできる。
またＧＧＧ基板は単なるスペーサとして使用しており、
他の非磁性膜を用いることができる。
他の非磁性膜を用いることができる。
また第２図装置において、３層構造とＧＧＧｕ板の間に
波長選択用のパターンを有する電極を設け、ただしその
電極は外部には取出さず、静磁波→マイクロ波→静磁波
→・・・の動作を行うことにより、さらに波長選択性を
・増すことができる。
波長選択用のパターンを有する電極を設け、ただしその
電極は外部には取出さず、静磁波→マイクロ波→静磁波
→・・・の動作を行うことにより、さらに波長選択性を
・増すことができる。
また入出力の電極を兼用して１つとすれば、波長選択性
のある２端子フイルタを実現できる。すなわら入力電極
に印加されたマイクロ波はＹｒＧ膜の共振により特定の
周波孕でそのパワーが吸収され、インピーダンスが下が
る。
のある２端子フイルタを実現できる。すなわら入力電極
に印加されたマイクロ波はＹｒＧ膜の共振により特定の
周波孕でそのパワーが吸収され、インピーダンスが下が
る。
（発明の効果）
以上述べたにうに本発明によれば、入出力のアイソレー
ションおよび周波数特性の優れたマイクロ波帯用フィル
タ装置を簡単な構成で実現できる。
ションおよび周波数特性の優れたマイクロ波帯用フィル
タ装置を簡単な構成で実現できる。
第１図は本発明に係るフィルタ装置の一実施例を示す構
成斜視図、第２図は本発明に係るフィルタ装置の他の実
流例を示ず正面図、第３図は磁気共鳴を利用するフィル
タ装置の従来例を示す構成斜視図である。 ５．６・・・電極、１１，１２，１３．・・・１．ｎ・
・・非磁性膜、２１，２２，２３，２４．・・・２ｎ、
２゜ｎトド・・磁性膜。 第 ３ し
成斜視図、第２図は本発明に係るフィルタ装置の他の実
流例を示ず正面図、第３図は磁気共鳴を利用するフィル
タ装置の従来例を示す構成斜視図である。 ５．６・・・電極、１１，１２，１３．・・・１．ｎ・
・・非磁性膜、２１，２２，２３，２４．・・・２ｎ、
２゜ｎトド・・磁性膜。 第 ３ し
Claims (4)
- （１）磁性体の磁気共鳴を利用して波長選択性をもたせ
たフィルタ装置において、交互に配置して多層構造を形
成する磁性膜および非磁性膜と、前記磁性膜の少なくと
も１つに近接して設けた電極とを備え、入力マイクロ波
を電極に印加して発生する静磁波が磁性膜上を伝搬する
ように構成したことを特徴とするフィルタ装置。 - （２）非磁性膜の両面に磁性膜を形成した特許請求の範
囲第１項記載のフィルタ装置。 - （３）２つの磁性膜に近接してそれぞれ電極を設け、一
方を静磁波励起電極、他方を静磁波検出電極とした特許
請求の範囲第１項記載のフィルタ装置。 - （４）他の磁性膜面上または非磁性膜面上に静磁波の波
長選択を行う電極パターンを形成した特許請求の範囲第
１項記載のフィルタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278084A JPH01120103A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | フィルタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278084A JPH01120103A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | フィルタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120103A true JPH01120103A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17592414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62278084A Pending JPH01120103A (ja) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | フィルタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025164433A1 (ja) * | 2024-01-29 | 2025-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 磁気ドメイン構造体 |
-
1987
- 1987-11-02 JP JP62278084A patent/JPH01120103A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025164433A1 (ja) * | 2024-01-29 | 2025-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 磁気ドメイン構造体 |
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