JPH02126714A - 静磁波装置 - Google Patents
静磁波装置Info
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- JPH02126714A JPH02126714A JP28169188A JP28169188A JPH02126714A JP H02126714 A JPH02126714 A JP H02126714A JP 28169188 A JP28169188 A JP 28169188A JP 28169188 A JP28169188 A JP 28169188A JP H02126714 A JPH02126714 A JP H02126714A
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- 230000003068 static effect Effects 0.000 title claims abstract 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 5
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000599951 Homo sapiens Insulin-like growth factor I Proteins 0.000 description 1
- 102100037852 Insulin-like growth factor I Human genes 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は静磁波装置に関し、特にたとえばＭＳＷフィ
ルタなどとして用いられる静磁波装置に関する。
ルタなどとして用いられる静磁波装置に関する。
（従来技術）
第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。
を示す図解図である。
第８図に示す静磁波装置１では、ＹＩＧ （イツトリウ
ム、アイアン、ガーネット）薄膜２がＧＧＧ（ガドリニ
ウム、ガリウム、ガーネット）基板３上に形成され、Ｙ
ＩＧＦＩ膜２上には、たとえば蒸着、エツチングなどの
方法によって、短冊状のアンテナ４および５が形成され
ている。
ム、アイアン、ガーネット）薄膜２がＧＧＧ（ガドリニ
ウム、ガリウム、ガーネット）基板３上に形成され、Ｙ
ＩＧＦＩ膜２上には、たとえば蒸着、エツチングなどの
方法によって、短冊状のアンテナ４および５が形成され
ている。
また、第９図に示す静磁波装置ｌでは、ＧＧＧ基板３上
のＹＩＧ薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成
されている。
のＹＩＧ薄膜２上に、導線でアンテナ４および５が形成
されている。
そして、これらの静磁波装置ｌでは、それぞれ、ＧＧＧ
基板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成さ
れている。
基板３の下にたとえば金属からなる接地導体６が形成さ
れている。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、このような従来の静磁波装置では、アンテナ
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。
からその上方に放射される電磁波が損失となってしまう
ため、挿入損失が大きかった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、挿入損失が小さ
い、静磁波装置を提供することである。
い、静磁波装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜の一方主面上に
形成されるアンテナと、アンテナを覆うようにＹＩＧ薄
膜の一方主面上に形成される別のＹＩＧ薄膜とを含む、
静磁波装置である。
形成されるアンテナと、アンテナを覆うようにＹＩＧ薄
膜の一方主面上に形成される別のＹＩＧ薄膜とを含む、
静磁波装置である。
（作用）
アンテナの両側にＹＩＧ″ａ膜が存在するので、アンテ
ナから放射される電磁波の損失が小さくなる。
ナから放射される電磁波の損失が小さくなる。
（発明の効果）
この発明によれば、アンテナから放射される電磁波の損
失が小さくなるので、挿入損失を小さくすることができ
る。
失が小さくなるので、挿入損失を小さくすることができ
る。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
この静磁波装置１０は、薄い矩形状のＹＩＧ（イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット） Ｆｌ膜１２ａを含み、
このＹＩＧ薄膜１２ａは、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガ
リウム、ガーネット）基板１４ａの一方主面上に形成さ
れる。
ウム、アイアン、ガーネット） Ｆｌ膜１２ａを含み、
このＹＩＧ薄膜１２ａは、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガ
リウム、ガーネット）基板１４ａの一方主面上に形成さ
れる。
さらに、ＹＩＧ薄膜１２ａ上には、たとえば蒸着、エツ
チングなどの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ
１６ａおよび１６ｂが間隔を隔てて形成される。
チングなどの方法によって、たとえば短冊状のアンテナ
１６ａおよび１６ｂが間隔を隔てて形成される。
また、ＹＩＧ薄膜１２ａ上には、それらのアンテナ１６
ａおよび１６ｂを覆うようにして、別のＹＩＧ薄膜１２
ｂが形成される。この実施例では、別のＹｌ（Ｊｌ膜１
２ｂは、ＹＩＧ薄膜１２ａと同じ飽和磁化（４πＭＳ）
を有する材料で形成され、しかも、それに励起される静
磁波とＹＩＧ薄膜１２に励起される静磁波との位相が合
うように形成されている。また、この別のＹＩＧ薄膜１
２ｂは、別のＧＧＧ基板１４ｂの一方主面上に形成され
ている。
ａおよび１６ｂを覆うようにして、別のＹＩＧ薄膜１２
ｂが形成される。この実施例では、別のＹｌ（Ｊｌ膜１
２ｂは、ＹＩＧ薄膜１２ａと同じ飽和磁化（４πＭＳ）
を有する材料で形成され、しかも、それに励起される静
磁波とＹＩＧ薄膜１２に励起される静磁波との位相が合
うように形成されている。また、この別のＹＩＧ薄膜１
２ｂは、別のＧＧＧ基板１４ｂの一方主面上に形成され
ている。
さらに、ＧＧＧ基板１４ａおよび別のＧＧＧ基板１４ｂ
の他方主面上には、それぞれ、たとえば金属からなる接
地電極１８ａおよび１８ｂが形成される。
の他方主面上には、それぞれ、たとえば金属からなる接
地電極１８ａおよび１８ｂが形成される。
この静磁波装置１０では、たとえば、ＹｒＧ薄膜１２ａ
および１２ｂの主面に直交する方向に、直流磁界が印加
されて使用される。そして、たとえばアンテナ１６ａに
信号を入力すれば、アンテナ１６ａの両側に発生する電
磁波などによって体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。また、この体積前進静磁波は、２つのＹＩＧ薄
膜１２ａおよび１２ｂ上にアンテナ１６ａからアンテナ
ｌＧｂ側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進
静磁波は、アンテナ１６ｂで受信される。したがって、
この静磁波装置１０では、第８図および第９図に示す従
来例に比べて、アンテナの両側に発生する電磁波を有効
的に用いることができるため、挿入損失が小さくなると
ともにＱ値が大きくなる。
および１２ｂの主面に直交する方向に、直流磁界が印加
されて使用される。そして、たとえばアンテナ１６ａに
信号を入力すれば、アンテナ１６ａの両側に発生する電
磁波などによって体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起
される。また、この体積前進静磁波は、２つのＹＩＧ薄
膜１２ａおよび１２ｂ上にアンテナ１６ａからアンテナ
ｌＧｂ側に伝搬される。それから、伝搬された体積前進
静磁波は、アンテナ１６ｂで受信される。したがって、
この静磁波装置１０では、第８図および第９図に示す従
来例に比べて、アンテナの両側に発生する電磁波を有効
的に用いることができるため、挿入損失が小さくなると
ともにＱ値が大きくなる。
さらに、この実施例の静磁波装置１０は、その構造が対
称型であるため、入出力のインピーダンスマツチングが
とりやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい
構造なので動作の解析が容易である。
称型であるため、入出力のインピーダンスマツチングが
とりやすく設計が容易であり、しかも、理論づけやすい
構造なので動作の解析が容易である。
また、この静磁波装置１０では、２つのＹｒＧ薄膜をそ
れぞれたとえば幅２ｍ、長さ５１の寸法に形成すればＹ
ＩＧ！４ＩＩ！の実効的な幅が約４１鳳となるので、す
なわら、ＹＩＧ薄膜の実効的な幅が１つのＹＩＧ薄膜の
幅の約２倍となるので、従来例に比べて小型になる。
れぞれたとえば幅２ｍ、長さ５１の寸法に形成すればＹ
ＩＧ！４ＩＩ！の実効的な幅が約４１鳳となるので、す
なわら、ＹＩＧ薄膜の実効的な幅が１つのＹＩＧ薄膜の
幅の約２倍となるので、従来例に比べて小型になる。
なお、静磁波装置ＩＯには、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１
２ｂに対して平行でがっ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向に磁界を印加してもよい。
２ｂに対して平行でがっ静磁波の伝搬方向に対して垂直
な方向に磁界を印加してもよい。
この場合、２つのＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂ上には
、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。
、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。
あるいは、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２ｂに対して平行
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２
ｂ上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬される
。このように、静磁波装置１０に印加する磁界の方向を
任意に変更してもよい。
でかつ静磁波の伝搬方向に対して平行な方向に磁界を印
加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜１２ａおよび１２
ｂ上には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬される
。このように、静磁波装置１０に印加する磁界の方向を
任意に変更してもよい。
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ（１
２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ）の幅方向の中央
部分に形成されている。このように、ＹＩＧ薄膜は、Ｇ
ＧＧ基板の幅方向の中央部分にのみ形成されてもよい。
である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ（１
２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ）の幅方向の中央
部分に形成されている。このように、ＹＩＧ薄膜は、Ｇ
ＧＧ基板の幅方向の中央部分にのみ形成されてもよい。
第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ
（１２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ＞の幅方向の
中央部分でその長手方向の中央部分に形成されている。
面図である。この実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２ａ
（１２ｂ）が、ＧＧＧ基板１４ａ（１４ｂ＞の幅方向の
中央部分でその長手方向の中央部分に形成されている。
さらに、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、ＧＧＧ基板１
４ａ （１４ｂ）の長手方向の端部にまで延びて形成さ
れている。
４ａ （１４ｂ）の長手方向の端部にまで延びて形成さ
れている。
第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ１６ａ
および１６ｂがそれぞれ１層の材料で形成されているが
、この実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、そ
れぞれ、ＹＩＧ薄膜１２ａ上に形成された１層の材料と
ＹＩＧＩ膜１２膜上２ｂ上された１層の材料との２Ｎの
材料で形成されている。
図解図である。第１図に示す実施例ではアンテナ１６ａ
および１６ｂがそれぞれ１層の材料で形成されているが
、この実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、そ
れぞれ、ＹＩＧ薄膜１２ａ上に形成された１層の材料と
ＹＩＧＩ膜１２膜上２ｂ上された１層の材料との２Ｎの
材料で形成されている。
第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、それぞ
れ、金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形
で形成されている。
の実施例では、アンテナ１６ａおよび１６ｂが、それぞ
れ、金属からなる片で全体の幅方向の外側に突き出た形
で形成されている。
なお、上述の各実施例では、ＹＩＧ薄膜１２ａと別のＹ
ＩＧ薄膜１２ｂとが同じ飽和磁化（４層Ｍｍ）を有する
材料で形成されているが、この発明では、ＹＩＧ薄膜１
２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとを飽和磁化（４層Ｍ、）
の異なった材料で形成してもよい。このようにＹＩＧ薄
膜１２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとの飽和磁化（４層Ｍ
ｓ）を異ならせれば、ＹＩＧ薄膜１２ａによる周波数特
性および別のＹ［Ｇ薄膜１２ｂによる周波数特性は、た
とえば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の
周波数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第
７図に示すように広帯域となる。
ＩＧ薄膜１２ｂとが同じ飽和磁化（４層Ｍｍ）を有する
材料で形成されているが、この発明では、ＹＩＧ薄膜１
２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとを飽和磁化（４層Ｍ、）
の異なった材料で形成してもよい。このようにＹＩＧ薄
膜１２ａと別のＹＩＧ薄膜１２ｂとの飽和磁化（４層Ｍ
ｓ）を異ならせれば、ＹＩＧ薄膜１２ａによる周波数特
性および別のＹ［Ｇ薄膜１２ｂによる周波数特性は、た
とえば第６図の実線および点線で示すように通過帯域の
周波数がずれた形となり、静磁波装置全体としては、第
７図に示すように広帯域となる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。
第２図は第１図に示す実施例の変形例を示す要部平面図
である。 第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。 第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。 第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。 第６図は飽和磁化（４層Ｍ３ ）の異なったＹＩＧ薄膜
および別のＹＩＧ薄膜によるそれぞれの周波数特性を示
すグラフである。 第７図は飽和磁化（４層Ｍｓ）の異なったＹＩＧ薄膜お
よび別のＹＩＧＩ膜による周波数特性を示すグラフであ
る。 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。 図において、１０は静磁波装置、１２ａは゛ＹＩＧ薄膜
、１２ｂは別のＹＩＧ薄膜、１６ａおよび１６ｂはアン
テナを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第 図 ｔ４ａ（ｔ４ｂ）
である。 第３図は第１図に示す実施例の他の変形例を示す要部平
面図である。 第４図は第１図に示す実施例のさらに他の変形例を示す
図解図である。 第５図はこの発明の他の実施例を示す平面図である。 第６図は飽和磁化（４層Ｍ３ ）の異なったＹＩＧ薄膜
および別のＹＩＧ薄膜によるそれぞれの周波数特性を示
すグラフである。 第７図は飽和磁化（４層Ｍｓ）の異なったＹＩＧ薄膜お
よび別のＹＩＧＩ膜による周波数特性を示すグラフであ
る。 第８図および第９図は、それぞれ、静磁波装置の従来例
を示す図解図である。 図において、１０は静磁波装置、１２ａは゛ＹＩＧ薄膜
、１２ｂは別のＹＩＧ薄膜、１６ａおよび１６ｂはアン
テナを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 第 図 ｔ４ａ（ｔ４ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＹＩＧ薄膜、 前記ＹＩＧ薄膜の一方主面上に形成されるアンテナ、お
よび 前記アンテナを覆うように前記ＹＩＧ薄膜の一方主面上
に形成される別のＹＩＧ薄膜を含む、静磁波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63281691A JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02126714A true JPH02126714A (ja) | 1990-05-15 |
| JPH0760965B2 JPH0760965B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17642639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63281691A Expired - Fee Related JPH0760965B2 (ja) | 1988-11-07 | 1988-11-07 | 静磁波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760965B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426156B2 (en) * | 1998-05-22 | 2002-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetostatic wave device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | マイクロ波回路応用機器におけるガーネツト薄膜内の静磁波抑制制御方法 |
-
1988
- 1988-11-07 JP JP63281691A patent/JPH0760965B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | マイクロ波回路応用機器におけるガーネツト薄膜内の静磁波抑制制御方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6426156B2 (en) * | 1998-05-22 | 2002-07-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetostatic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760965B2 (ja) | 1995-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |