JPH01120817A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01120817A JPH01120817A JP27954487A JP27954487A JPH01120817A JP H01120817 A JPH01120817 A JP H01120817A JP 27954487 A JP27954487 A JP 27954487A JP 27954487 A JP27954487 A JP 27954487A JP H01120817 A JPH01120817 A JP H01120817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- impurity region
- microwave
- ions
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法のうち、特にイオン注入によって
不純物領域を形成する方法に関し、既に形成した不純物
領域の拡散を抑制することを目的とし、 第１の領域に不純物イオンを注入し、活性化して第１の
不純物領域を形成した後、第２の領域に不純物イオンを
注入し、且つ、前記第１の不純物領域をマイクロ波反射
膜で被覆して、前記第２の領域にマイクロ波を照射し、
活性化して第２の不純物領域を形成する工程が含まれて
なることを特徴とする。
不純物領域を形成する方法に関し、既に形成した不純物
領域の拡散を抑制することを目的とし、 第１の領域に不純物イオンを注入し、活性化して第１の
不純物領域を形成した後、第２の領域に不純物イオンを
注入し、且つ、前記第１の不純物領域をマイクロ波反射
膜で被覆して、前記第２の領域にマイクロ波を照射し、
活性化して第２の不純物領域を形成する工程が含まれて
なることを特徴とする。
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特にイオン注入
によって不純物領域を形成する方法に関する。
によって不純物領域を形成する方法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置は選択的に不純物領域を
形成してｐｎ接合を設けることが基本技術となっている
が、このような不純物領域は出来る限り精度良く形成す
ることが望ましく、従前からの課題である。
形成してｐｎ接合を設けることが基本技術となっている
が、このような不純物領域は出来る限り精度良く形成す
ることが望ましく、従前からの課題である。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕最近、
半導体装置を製造する際に、イオン注入法によって不純
物領域を形成する方法が汎用されているが、イオン注入
法によって不純物領域を形成した場合、注入した不純物
イオンが結晶を破壊して、注入原子が有効に働かないた
めに結晶を回復して注入原子の活性化を図る必要があり
、それには高温熱処理炉を利用した加熱処理をおこなっ
ている。
半導体装置を製造する際に、イオン注入法によって不純
物領域を形成する方法が汎用されているが、イオン注入
法によって不純物領域を形成した場合、注入した不純物
イオンが結晶を破壊して、注入原子が有効に働かないた
めに結晶を回復して注入原子の活性化を図る必要があり
、それには高温熱処理炉を利用した加熱処理をおこなっ
ている。
しかし、その熱処理温度が９００〜１０００℃と相当な
高温度で３００分間程の熱処理（アニール）をおこなっ
ており、且つ、昇温、降温に時間を要し、そのために、
熱処理時間中に不純物が周囲に拡散して、注入領域の面
積より広い不純物領域に拡大して画定される。このよう
な不純物領域の拡がりは半導体装置の微細化、高集積化
のためには決して好ましいものではなく、例えば、浅い
接合（シャロージヤンクション）の形成を害するもので
ある。
高温度で３００分間程の熱処理（アニール）をおこなっ
ており、且つ、昇温、降温に時間を要し、そのために、
熱処理時間中に不純物が周囲に拡散して、注入領域の面
積より広い不純物領域に拡大して画定される。このよう
な不純物領域の拡がりは半導体装置の微細化、高集積化
のためには決して好ましいものではなく、例えば、浅い
接合（シャロージヤンクション）の形成を害するもので
ある。
従って、発明者は注入した不純物イオンが出来るだけ拡
散しないようにする活性化法として、マイクロ波を照射
して活性化する方法を提案した（特開昭６２−８５４２
７号、特開昭６２−１０１０７５号参照）。
散しないようにする活性化法として、マイクロ波を照射
して活性化する方法を提案した（特開昭６２−８５４２
７号、特開昭６２−１０１０７５号参照）。
このマイクロ波照射法によれば加熱処理法に比べて不純
物領域の拡がりが顕著に少なくなり、その分だけ半導体
装置の微細化に役立つ。
物領域の拡がりが顕著に少なくなり、その分だけ半導体
装置の微細化に役立つ。
ところが、このようなマイクロ波照射法による活性化を
おこなっても、なお不純物領域の拡大が起こり、同様に
半導体装置の微細化に好ましくない影響を与える場合が
ある。
おこなっても、なお不純物領域の拡大が起こり、同様に
半導体装置の微細化に好ましくない影響を与える場合が
ある。
第２図（ａ）〜（ｄ）はそれを説明するための従来の形
成方法の工程順断面図である。まず、第２図（ａｌに示
すように、ｐ型シリコン基板ｌに選択的にレジスト膜マ
スク２を設け、そのマスクを被覆していない露出面に燐
イオン（Ｐ＋）を注入する。
成方法の工程順断面図である。まず、第２図（ａｌに示
すように、ｐ型シリコン基板ｌに選択的にレジスト膜マ
スク２を設け、そのマスクを被覆していない露出面に燐
イオン（Ｐ＋）を注入する。
次いで、第２図伽）に示すように、周波数２．４５ＧＨ
２，出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間程度照
射し、燐イオンを活性化してｎ型不純物領域３を画定す
る。
２，出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間程度照
射し、燐イオンを活性化してｎ型不純物領域３を画定す
る。
次いで、第２図（Ｃ）に示すように、ｎ型不純物領域３
の上に選択的に酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜４を被覆し
た後、露出面に砒素イオン（Ａｓ” ）を注入する。
の上に選択的に酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜４を被覆し
た後、露出面に砒素イオン（Ａｓ” ）を注入する。
次いで、第２図（ｄ）に示すように、再び周波数２６４
５ＧｌｌＺ 、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３
分間照射し、砒素イオンを活性化してｎ−型不純物領域
５を画定する。
５ＧｌｌＺ 、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３
分間照射し、砒素イオンを活性化してｎ−型不純物領域
５を画定する。
このような形成方法において、５ｉ０２膜４はマイクロ
波を透過するために、最初に活性化したｎ型不純物領域
３が再びマイクロ波の照射を受けて不純物領域３が拡大
すると云う問題がある。
波を透過するために、最初に活性化したｎ型不純物領域
３が再びマイクロ波の照射を受けて不純物領域３が拡大
すると云う問題がある。
本発明はこのような問題点を解消させ、既に形成した不
純物領域の拡散を抑制することを目的とした形成方法を
提案するものである。
純物領域の拡散を抑制することを目的とした形成方法を
提案するものである。
その目的は、第１の領域に不純物イオンを注入し、活性
化して第１の不純物領域を形成した後、第２の領域に不
純物イオンを注入し、且つ、前記第１の不純物領域をマ
イクロ波反射膜で被覆して、前記第２の領域にマイクロ
波を照射し、活性化して第２の不純物領域を形成する工
程が含まれる製造方法によって達成される。
化して第１の不純物領域を形成した後、第２の領域に不
純物イオンを注入し、且つ、前記第１の不純物領域をマ
イクロ波反射膜で被覆して、前記第２の領域にマイクロ
波を照射し、活性化して第２の不純物領域を形成する工
程が含まれる製造方法によって達成される。
本発明は既に形成された不純物領域の上にマイクロ波反
射膜を被覆して、マイクロ波照射を受けないようにした
後、第２の領域にマイクロ波照射して活性化する。そう
すれば、既に形成した不純物領域の拡がりが抑制され、
不純物領域が精度良く形成される。
射膜を被覆して、マイクロ波照射を受けないようにした
後、第２の領域にマイクロ波照射して活性化する。そう
すれば、既に形成した不純物領域の拡がりが抑制され、
不純物領域が精度良く形成される。
以下、図面を参照して実施例により詳細に説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかる形成方法の工程
順断面図である。第１図（ａ）に示すように、従来と同
じく、ｐ型シリコン基板１１にレジスト膜マスク１２を
設け、そのマスクのない露出面（第１の領域）に燐イオ
ン（Ｐ＋）を注入する。イオン注入条件はドーズ１１０
／ｃｎｆ、注入エネルギ−１５０ＫｅＶ程度にする
。
順断面図である。第１図（ａ）に示すように、従来と同
じく、ｐ型シリコン基板１１にレジスト膜マスク１２を
設け、そのマスクのない露出面（第１の領域）に燐イオ
ン（Ｐ＋）を注入する。イオン注入条件はドーズ１１０
／ｃｎｆ、注入エネルギ−１５０ＫｅＶ程度にする
。
次いで、第１図（ｈｌに示すように、周波数２．４５Ｇ
ＩＩ２、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間程
度照射し、燐イオンを活性化して深さ３０００人のｎ型
不純物領域１３（第１の不純物領域）を画定する。この
時、イオン注入領域は注入イオンによって結晶性が破壊
されてアモルファス状態となっているため、その領域の
マイクロ波の吸収性が良く、その部分のみが高温に上昇
し、その他の部分に熱の影響を与えることが少なくて、
注入イオン領域のみ短時間に活性化される。
ＩＩ２、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間程
度照射し、燐イオンを活性化して深さ３０００人のｎ型
不純物領域１３（第１の不純物領域）を画定する。この
時、イオン注入領域は注入イオンによって結晶性が破壊
されてアモルファス状態となっているため、その領域の
マイクロ波の吸収性が良く、その部分のみが高温に上昇
し、その他の部分に熱の影響を与えることが少なくて、
注入イオン領域のみ短時間に活性化される。
次いで、第１図（Ｃ）に示すように、膜厚３０００人の
酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１４を被着し、更に、その
上に膜厚１０００人のアルミニウム（ＡＩ）−膜１５を
被着し、これらをリソグラフィ技術によりパターンニン
グしてｎ型不純物領域１３を選択的に被覆した後、露出
面に砒素イオン（Ａｓ” ）を注入する。イオン注入は
ド・−ズ量１０ ／ｃ１ａ、注入エネルギ−８０Ｋｅ
Ｖ程度でおこなう。
酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜１４を被着し、更に、その
上に膜厚１０００人のアルミニウム（ＡＩ）−膜１５を
被着し、これらをリソグラフィ技術によりパターンニン
グしてｎ型不純物領域１３を選択的に被覆した後、露出
面に砒素イオン（Ａｓ” ）を注入する。イオン注入は
ド・−ズ量１０ ／ｃ１ａ、注入エネルギ−８０Ｋｅ
Ｖ程度でおこなう。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、再び周波数２゜４
５ＧＨ２、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間
照射し、砒素イオンを活性化してｎ−型不純物領域１６
を画定する。その際、アルミニウム膜１５はマイクロ波
反射膜となってマイクロ波を反射し、下層のｎ型不純物
領域１３を加熱することなく、その領域の拡散が抑制さ
れる。
５ＧＨ２、出力２〜３キロワツトのマイクロ波を３分間
照射し、砒素イオンを活性化してｎ−型不純物領域１６
を画定する。その際、アルミニウム膜１５はマイクロ波
反射膜となってマイクロ波を反射し、下層のｎ型不純物
領域１３を加熱することなく、その領域の拡散が抑制さ
れる。
従って、不純物領域１３はイオン注入された領域そのま
まに近い状態を保持されて、横方向および縦方向の拡が
りが極めて小さく、不純物領域は高精度に形成される。
まに近い状態を保持されて、横方向および縦方向の拡が
りが極めて小さく、不純物領域は高精度に形成される。
上記例はｎ型不純物領域１３とｎ−型不純物領域１６を
近接して形成する実施例であるが、本発明はｎ型不純物
領域とｐ型不純物領域を近くに設ける場合などにも適用
されるが、２つの不純物領域を接触して設けた場合に特
に有効である。
近接して形成する実施例であるが、本発明はｎ型不純物
領域とｐ型不純物領域を近くに設ける場合などにも適用
されるが、２つの不純物領域を接触して設けた場合に特
に有効である。
なお、マイクロ波反射膜としてはアルミニウム膜の他、
クロム膜など多（の金属膜が考えられる。
クロム膜など多（の金属膜が考えられる。
以上の説明から明らかなように、本発明によればマイク
ロ波反射膜をマスクにしてマイクロ波照射法によりイオ
ン注入領域を高精度に活性化することができるために、
■Ｃなどの半導体装置を一層高集積化、高密度化できて
、その性能向上に役立つものである。
ロ波反射膜をマスクにしてマイクロ波照射法によりイオ
ン注入領域を高精度に活性化することができるために、
■Ｃなどの半導体装置を一層高集積化、高密度化できて
、その性能向上に役立つものである。
第１図ｔａ）〜（ｄ）は本発明にかかる形成方法の工程
順断面図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の形成方法の工程順断面図
である。 図において、 １．１１はｐ型シリコン基板、 ２．１２はレジスト膜マスク、 ３．１３はｎ型不純物領域、 ４．１４は５ｉ０２膜、 １５はアルミニウム（ＡＩ）膜（マイクロ波反射膜）、
５．１６はｎ−型不純物領域 を示している。 φ 修 昏 ※ ２ト弓−ぢｊ３涯【；刀□Ｐｊｆｔ’ｙプ＼万ンと−工
才ｆグｇ畔ｄゴｊ図第１図
順断面図、 第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の形成方法の工程順断面図
である。 図において、 １．１１はｐ型シリコン基板、 ２．１２はレジスト膜マスク、 ３．１３はｎ型不純物領域、 ４．１４は５ｉ０２膜、 １５はアルミニウム（ＡＩ）膜（マイクロ波反射膜）、
５．１６はｎ−型不純物領域 を示している。 φ 修 昏 ※ ２ト弓−ぢｊ３涯【；刀□Ｐｊｆｔ’ｙプ＼万ンと−工
才ｆグｇ畔ｄゴｊ図第１図
Claims (1)
- 第１の領域に不純物イオンを注入し、活性化して第１
の不純物領域を形成した後、第２の領域に不純物イオン
を注入し、且つ、前記第１の不純物領域をマイクロ波反
射膜で被覆して、前記第２の領域にマイクロ波を照射し
、活性化して第２の不純物領域を形成する工程が含まれ
てなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27954487A JPH01120817A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27954487A JPH01120817A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120817A true JPH01120817A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17612464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27954487A Pending JPH01120817A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120817A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278175A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011134836A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 裏面照射型撮像素子の製造方法 |
| US9263498B2 (en) | 2013-06-12 | 2016-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2018182221A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP27954487A patent/JPH01120817A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278175A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011134836A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Toshiba Corp | 裏面照射型撮像素子の製造方法 |
| US9263498B2 (en) | 2013-06-12 | 2016-02-16 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US9601541B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-03-21 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2018182221A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7091114B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH065536A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3277533B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7015084B2 (en) | Method of manufacturing a field effect transistor and a liquid crystal display using the same | |
| JPS60235474A (ja) | 高密度集積ｍｏｓｆｅｔの製造方法 | |
| JP3459658B2 (ja) | 局所的埋込み注入及び分離構成体へ適用可能な超高エネルギ注入用の自己整合型マスキング | |
| JP3371875B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2658959B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2788889B2 (ja) | 半導体装置における分離形成方法 | |
| JP4073171B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2743396B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2821628B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3077804B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3297770B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0414260A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58213442A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH04199706A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236866A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0336312B2 (ja) | ||
| JPS621269B2 (ja) | ||
| JPH03257846A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06267881A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS5837919A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08124873A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPH01161713A (ja) | 半導体装置の製造方法 |