JPH011216A - 高耐電圧コンデンサ - Google Patents
高耐電圧コンデンサInfo
- Publication number
- JPH011216A JPH011216A JP62-155374A JP15537487A JPH011216A JP H011216 A JPH011216 A JP H011216A JP 15537487 A JP15537487 A JP 15537487A JP H011216 A JPH011216 A JP H011216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanate
- stannate
- talc
- thermoplastic resin
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、各檀コンデンサに係り、特に＠５’ｆ塑注樹
脂を使用した常温時に大容量、高＠１九圧性にすぐれた
高耐電圧コンデンサに関する。
脂を使用した常温時に大容量、高＠１九圧性にすぐれた
高耐電圧コンデンサに関する。
（従来の技術）
近年、家庭用電気製品やＯＡ機器の小形化が進み、それ
に対応して電子部品の小形化が急速に進展している。こ
のためコンデンサも小形化の必要があり、そのため従来
のコンデンサよりも容量が大きいコンデンサの開発を望
まれている。それに対して従来の樹脂使用によるコンデ
ンサは、誘電体として用いられる樹脂の誘電率の低さか
ら、大容量を必要とするところで使用されるコンデンサ
は、’を極間距離を小さくするか、電極面積を大きくす
るかして、コンデンサを大容量化に対応させていた。ま
た、単にコンデ／すを大容量化するためだけなら、その
形状を大きくするのが一般であった。
に対応して電子部品の小形化が急速に進展している。こ
のためコンデンサも小形化の必要があり、そのため従来
のコンデンサよりも容量が大きいコンデンサの開発を望
まれている。それに対して従来の樹脂使用によるコンデ
ンサは、誘電体として用いられる樹脂の誘電率の低さか
ら、大容量を必要とするところで使用されるコンデンサ
は、’を極間距離を小さくするか、電極面積を大きくす
るかして、コンデンサを大容量化に対応させていた。ま
た、単にコンデ／すを大容量化するためだけなら、その
形状を大きくするのが一般であった。
（発明が解決しようとする問題点）
近頃の電気製品の小形化に対して、コンデンサを大形化
することによって大容量化する方法は、その内部の限ら
れた空間に各装置等を収納するため実用的ではない。ま
た、小型で高容量の従来のフィルムコンデンサやセラミ
ックスコンデンサは成形性の面で、製造工程が複雑なこ
とによる製造時間の長時間化、コスト高等の問題があっ
た。
することによって大容量化する方法は、その内部の限ら
れた空間に各装置等を収納するため実用的ではない。ま
た、小型で高容量の従来のフィルムコンデンサやセラミ
ックスコンデンサは成形性の面で、製造工程が複雑なこ
とによる製造時間の長時間化、コスト高等の問題があっ
た。
また、このようなコンデンサの電極間距離を小さくして
大容量を得る方法もあるが、射出成形性の問題から、電
極間距離を小さくするのにも限界があった。
大容量を得る方法もあるが、射出成形性の問題から、電
極間距離を小さくするのにも限界があった。
（問題点を解決するための手段及び作用）上述のような
問題点を解決するために、以下のような樹脂を使用した
高耐電圧コンデンサを提供する。
問題点を解決するために、以下のような樹脂を使用した
高耐電圧コンデンサを提供する。
高誘電性無機物であるチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ
ｉＯ，）、ジＡ／ ：ｆｆ ７ 酸バリウム（ＢａＺｒ
Ｏ，）、ｆ−タ７酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）、スズ酸
パリ１７ Ａ （ＢａＳｎＯ，）、ジルコン酸カルシウ
ム（ＣａＺｒＯ，） 、スズ酸カルシウＡ （Ｃａｎｎ
ａ、）、チｆｉ７ｍ鉛（ＰｂＴｉＯｓ）、ｆｆｉンＰＪ
ｌランＩ ン（ＬａＯｓ ・２ （”ｔ） ） 、’ｆ
Ｒ化セシウム（ＣｅＯ，）、チタン酸カルシウム（Ｃａ
ＴｉＯ，） 、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｔＯ，）
、スズ酸ビスマス（Ｂ’ｔ （”０ｓ）ｘ ）、スズ酸
ニッケル（ＮｉＳｎＯ，）、ジルコン酸マクネシウム（
ＭｇＺｒＯ，）、スズハマグネシウム（ＭｇＳｎＯ，）
ｔＤ少なくとも一種類以上からなるセラミックス部材
を、焼成後もしくは、焼成前に平均粒子径が１声ｍ乃至
１０μｍになるまでジェットミル法および振動ミル法等
で粉末化する。更に、タルクもこれと同様に処理する。
ｉＯ，）、ジＡ／ ：ｆｆ ７ 酸バリウム（ＢａＺｒ
Ｏ，）、ｆ−タ７酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）、スズ酸
パリ１７ Ａ （ＢａＳｎＯ，）、ジルコン酸カルシウ
ム（ＣａＺｒＯ，） 、スズ酸カルシウＡ （Ｃａｎｎ
ａ、）、チｆｉ７ｍ鉛（ＰｂＴｉＯｓ）、ｆｆｉンＰＪ
ｌランＩ ン（ＬａＯｓ ・２ （”ｔ） ） 、’ｆ
Ｒ化セシウム（ＣｅＯ，）、チタン酸カルシウム（Ｃａ
ＴｉＯ，） 、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｔＯ，）
、スズ酸ビスマス（Ｂ’ｔ （”０ｓ）ｘ ）、スズ酸
ニッケル（ＮｉＳｎＯ，）、ジルコン酸マクネシウム（
ＭｇＺｒＯ，）、スズハマグネシウム（ＭｇＳｎＯ，）
ｔＤ少なくとも一種類以上からなるセラミックス部材
を、焼成後もしくは、焼成前に平均粒子径が１声ｍ乃至
１０μｍになるまでジェットミル法および振動ミル法等
で粉末化する。更に、タルクもこれと同様に処理する。
また、焼成前に粉末化されたセラミックス部材は焼成し
ないで使用しても良い。このときのセラミックス部材及
びタルクの平均粒子径の大きさはコンデンサの使用状態
での温度により異なる。例えば、使用時の平均温度が１
００℃の場合は、３μｍ程度の粒子径が最適である。ま
た、１０μｍより粒子径を大きくすると、熱可塑性樹脂
に混合した場合に、熱可塑性樹脂の特性を利用した射出
成形が不可能になる危険性がでてくる。つまり、タルク
の平均粒子は射出成形可能な大きさ以内に収まればよい
。さらに、セラミックス部材及びタルクを粉末状に粉砕
する方法は粒子径の分散率が少なく、平均して粉砕でき
る方法ならば、ジェットミル法および振動ミル法のみに
限定するものではない。
ないで使用しても良い。このときのセラミックス部材及
びタルクの平均粒子径の大きさはコンデンサの使用状態
での温度により異なる。例えば、使用時の平均温度が１
００℃の場合は、３μｍ程度の粒子径が最適である。ま
た、１０μｍより粒子径を大きくすると、熱可塑性樹脂
に混合した場合に、熱可塑性樹脂の特性を利用した射出
成形が不可能になる危険性がでてくる。つまり、タルク
の平均粒子は射出成形可能な大きさ以内に収まればよい
。さらに、セラミックス部材及びタルクを粉末状に粉砕
する方法は粒子径の分散率が少なく、平均して粉砕でき
る方法ならば、ジェットミル法および振動ミル法のみに
限定するものではない。
上記のように粒子径を有する粉末状に粉砕されたセラミ
ックス部材とタルクを、ポリエチレンテレフタレート（
ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ｐｐ）、ポリエチレン（Ｐ
Ｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアクリレ−）（
ＰＭＭＡ）、ポリアミド（ＦＡ）、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＥ
）ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ｐｐｓ）等の少なくとも一種以上からなる熱可
塑性樹脂に、２０ ： ３０ ： ５０〜８０ ： １
０ ： １０ （重量比）の割合いで十分に分散するよ
う２軸押用機、カレンダーロール式混練機およびミキサ
ー等も単独もしくは併用して混合する。このとき誘電率
を高めるためには、セラミックス部材は２０重量％は最
低必要になる。
ックス部材とタルクを、ポリエチレンテレフタレート（
ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ｐｐ）、ポリエチレン（Ｐ
Ｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアクリレ−）（
ＰＭＭＡ）、ポリアミド（ＦＡ）、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＥ
）ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ｐｐｓ）等の少なくとも一種以上からなる熱可
塑性樹脂に、２０ ： ３０ ： ５０〜８０ ： １
０ ： １０ （重量比）の割合いで十分に分散するよ
う２軸押用機、カレンダーロール式混練機およびミキサ
ー等も単独もしくは併用して混合する。このとき誘電率
を高めるためには、セラミックス部材は２０重量％は最
低必要になる。
上述の割合いで混合した熱可塑性樹脂を貫通形コンデン
サ、単板形コンデンサ、または積層形コンデンサに使用
することにより、晶いに９電率を持つ高耐電圧コンデン
サを可能にする。さらに、熱可塑性樹脂を使用すること
によりこれまでＬＮ雑な工程であったＸ進形の高耐電圧
コンデンサを射出成形により簡単に製造することができ
、大幅な作業工程の短縮及びコストの低下が計れるもの
である。
サ、単板形コンデンサ、または積層形コンデンサに使用
することにより、晶いに９電率を持つ高耐電圧コンデン
サを可能にする。さらに、熱可塑性樹脂を使用すること
によりこれまでＬＮ雑な工程であったＸ進形の高耐電圧
コンデンサを射出成形により簡単に製造することができ
、大幅な作業工程の短縮及びコストの低下が計れるもの
である。
（実施例）
以下に上述のように構成された高耐電圧コンデンサの実
施例をいくつか示す。
施例をいくつか示す。
実施例１
高誘電体無機物としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３
）を使用する。チタン酸バリウムは、常温（２０°Ｃ）
で誘電率ε＝ ３０００、キュリー点（１２０“Ｃ）で
誘電率Ｉ＝１００００である。このチタン酸バリウムを
１３００″Ｃの高温にて３時間焼成したものをジェット
ミル法又は振動ミル法により、平均粒子径ｌｐｍ乃至１
０μｍに粉砕した。一方、タルクについても同様にして
１μｍ乃至１０μｍに＃砕した。これらをポリブチレン
テレフタレート（ＰＢＴ）ＴＣｌＢａＴｉｏ、 ３０
重ｆ４％、 タルク２０重量％、残部ＰＢＴの割合で混
練機によって十分分散するまで混合しタルク入り熱可塑
性樹脂を製造した。また同様にして、タルクが入らない
ＢａＴｊＯ，３０Ｎ倉％、残部ＦＢ’ｌ’の熱可塑性樹
脂を製造した。
）を使用する。チタン酸バリウムは、常温（２０°Ｃ）
で誘電率ε＝ ３０００、キュリー点（１２０“Ｃ）で
誘電率Ｉ＝１００００である。このチタン酸バリウムを
１３００″Ｃの高温にて３時間焼成したものをジェット
ミル法又は振動ミル法により、平均粒子径ｌｐｍ乃至１
０μｍに粉砕した。一方、タルクについても同様にして
１μｍ乃至１０μｍに＃砕した。これらをポリブチレン
テレフタレート（ＰＢＴ）ＴＣｌＢａＴｉｏ、 ３０
重ｆ４％、 タルク２０重量％、残部ＰＢＴの割合で混
練機によって十分分散するまで混合しタルク入り熱可塑
性樹脂を製造した。また同様にして、タルクが入らない
ＢａＴｊＯ，３０Ｎ倉％、残部ＦＢ’ｌ’の熱可塑性樹
脂を製造した。
このような２種類の高耐電体熱可塑性樹脂を用いて第１
図に示したような貫通形コンデンサ（１）、単板形コン
デンサ（２）、及び積層形コンデンサ（３１に形成した
。すなわち、第１図（−）の貫通形コンデンサ（１）は
、二重円筒状に配股芒れた内部電極（４）と外部電極（
５）とを高誘電体熱可塑性樹脂（６）により密封したも
のである。また、第１図（ｂ）、（Ｃ）の単板形コンデ
ンサ（２）は、一対の円板状の電極（力、（７）を平行
に対回させた状態で高誘電体熱可塑性樹脂（８）で密封
したものである。上記各電極（力、（７）は、はんだ（
９１、（９）を介してリード線α■、（ＩＩを接続した
ものである。また、第１図（ｄ）は、極性の異なる２種
類の平板状の電極αＤ・・・、←４・・・を高誘電体熱
可塑性樹脂０Ｊを介して槓Ｊｗｉさせたものである。こ
のとき、貫通形コンデンサは射出成形機の加熱シリンダ
内で２６０°Ｃで軟化し、第１図に示した形状の内側及
び外側の電極を挿入した金型内に射出して形成した。
図に示したような貫通形コンデンサ（１）、単板形コン
デンサ（２）、及び積層形コンデンサ（３１に形成した
。すなわち、第１図（−）の貫通形コンデンサ（１）は
、二重円筒状に配股芒れた内部電極（４）と外部電極（
５）とを高誘電体熱可塑性樹脂（６）により密封したも
のである。また、第１図（ｂ）、（Ｃ）の単板形コンデ
ンサ（２）は、一対の円板状の電極（力、（７）を平行
に対回させた状態で高誘電体熱可塑性樹脂（８）で密封
したものである。上記各電極（力、（７）は、はんだ（
９１、（９）を介してリード線α■、（ＩＩを接続した
ものである。また、第１図（ｄ）は、極性の異なる２種
類の平板状の電極αＤ・・・、←４・・・を高誘電体熱
可塑性樹脂０Ｊを介して槓Ｊｗｉさせたものである。こ
のとき、貫通形コンデンサは射出成形機の加熱シリンダ
内で２６０°Ｃで軟化し、第１図に示した形状の内側及
び外側の電極を挿入した金型内に射出して形成した。
このコンデンサの製造方法を第２図に示す。すなわち、
まず、上述の組成を有する熱可塑性樹脂粉体をｖＩ４ｇ
する（ステップＩ）。一方、上記コンデンサ電極を金型
のキャビティー中に設置する（ステップ（Ｌ９）。つぎ
に、ステップα荀にて訓整した熱可塑性樹脂を溶融させ
キャビティー内に注入し、インサート射出成形する（ス
テップαｅ）。これらの高耐電体熱可塑性樹脂の誘電率
及びコンデンサの電気容量を測定したところ、タルクを
含有する方が、タルクを含有しないものよりも表１に示
すように良好な結果であった。ただし、これらコンデン
サに使用する高耐電体熱可塑性樹脂の容量はＪｌ形コン
デンサが２．８ ｃｕｔ”であり、その電極間距離は１
１ｍ％ａｔ層形コンデンサが１．Ｑｃｙｔ’であり、そ
の電極間距離は１闘である。
まず、上述の組成を有する熱可塑性樹脂粉体をｖＩ４ｇ
する（ステップＩ）。一方、上記コンデンサ電極を金型
のキャビティー中に設置する（ステップ（Ｌ９）。つぎ
に、ステップα荀にて訓整した熱可塑性樹脂を溶融させ
キャビティー内に注入し、インサート射出成形する（ス
テップαｅ）。これらの高耐電体熱可塑性樹脂の誘電率
及びコンデンサの電気容量を測定したところ、タルクを
含有する方が、タルクを含有しないものよりも表１に示
すように良好な結果であった。ただし、これらコンデン
サに使用する高耐電体熱可塑性樹脂の容量はＪｌ形コン
デンサが２．８ ｃｕｔ”であり、その電極間距離は１
１ｍ％ａｔ層形コンデンサが１．Ｑｃｙｔ’であり、そ
の電極間距離は１闘である。
実施例２
高誘電体無機物としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ
）を使用する。チタン酸バリウムは、常温（２０℃）で
誘電率ｇ＝３ｏｏｏ 、キュリー点（１２０’Ｏ）で誘
電率ｅ＝１００００である。このチタン酸バリウムを１
３００℃の高温にて′３時間焼成したものをジェットミ
ル法又は振動ミル法により、平均粒子径１μｍ乃至１０
μｍに粉砕した。一方、タルクについても同様にして１
μｍ乃至１０μｍに粉砕した。これらをボリブチレ表
１ ンテレフタレート（ＰＢＴ）に、ＢａＴｉ０．４０ Ｎ
＊％。
）を使用する。チタン酸バリウムは、常温（２０℃）で
誘電率ｇ＝３ｏｏｏ 、キュリー点（１２０’Ｏ）で誘
電率ｅ＝１００００である。このチタン酸バリウムを１
３００℃の高温にて′３時間焼成したものをジェットミ
ル法又は振動ミル法により、平均粒子径１μｍ乃至１０
μｍに粉砕した。一方、タルクについても同様にして１
μｍ乃至１０μｍに粉砕した。これらをボリブチレ表
１ ンテレフタレート（ＰＢＴ）に、ＢａＴｉ０．４０ Ｎ
＊％。
タルク１０重量％、残部ＰＢＴの割合で混線機によって
十分分散するまで混合しタルク入り熱可塑性樹脂を製造
した。また、同様にして、タルクが入らないＢａＴｉＯ
ｓ ３０重量％、残部ＰＢＴの熱可塑性樹脂を製造した
。
十分分散するまで混合しタルク入り熱可塑性樹脂を製造
した。また、同様にして、タルクが入らないＢａＴｉＯ
ｓ ３０重量％、残部ＰＢＴの熱可塑性樹脂を製造した
。
このような２種類の茜耐嵐体熱可塑性樹脂を用いて前述
した笥１図に示したような貫通形コンデンサ（１）、単
板形コンデンサ（２）、及び積層形コンデンサ（３）に
形成した。このとき、貫通形コンデンサは射出成形機の
加熱シリンダ内で２６０°Ｃで軟化し、第１図に示した
形状の内側及び外側の電極を挿入した金型内に射出して
形成した。このコンデンサの製造方法を前述した第２図
に示す。これらの高耐電体熱可塑性樹脂の誘電率及びコ
ンデンサの電気容量を測定したところ、タルクを含有す
る万が、タルクを含有しないものよりも表２に示すよう
に良好な結果であった。ただし、これらコンデンサに使
用する高耐電体熱可塑性樹脂の容量は貫通形コンデンサ
が２．８ＣＩ！Ｌ３であり、その電極間距離はｌ１ｍ。
した笥１図に示したような貫通形コンデンサ（１）、単
板形コンデンサ（２）、及び積層形コンデンサ（３）に
形成した。このとき、貫通形コンデンサは射出成形機の
加熱シリンダ内で２６０°Ｃで軟化し、第１図に示した
形状の内側及び外側の電極を挿入した金型内に射出して
形成した。このコンデンサの製造方法を前述した第２図
に示す。これらの高耐電体熱可塑性樹脂の誘電率及びコ
ンデンサの電気容量を測定したところ、タルクを含有す
る万が、タルクを含有しないものよりも表２に示すよう
に良好な結果であった。ただし、これらコンデンサに使
用する高耐電体熱可塑性樹脂の容量は貫通形コンデンサ
が２．８ＣＩ！Ｌ３であり、その電極間距離はｌ１ｍ。
単板形コンデンサがＱ、５ｃｍ”であり、その寛極間距
。
。
表 ２
能はｌ ｍｘ、積層コンデンサが１．Ｏｃ！ＩＬ３であ
゛す、その電像間距離はＩＢである。
゛す、その電像間距離はＩＢである。
なお、上記実施例においては、高誘電体無機物 １と
してＢａＴｉ０．を用いているが、これに限ることなく
、高誘電性無機物であるチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ，）、ジｋ コア （’Ｊｌバリウム（ＢａＺｒ
Ｏ，）、チタｙｌＪバリウム（ＢａＴｉＯ，）、スズ酸
バリウＡ （ＢａＳｎＯ，）、 ｊジルコン愼カルシ
ウム（ＣａＺｒＯ，） 、スズ酸カルシウム（Ｃａｎｎ
ａ、）、チタ７ 酸ａ （ＰｂＴｉＯ，）、チタン酸ラ
ンタフ （ＬａＯ２−２（Ｔｉｅ、） ）、酸化セシウ
Ａ （ＣｅＯ，）、チタン酸カルシウム（ｃａＴｉｏｓ
） 、チタン酸マグネシウ （ム（ＭｇＴｉＯ，）、
スズ酸ビスマス（Ｂ’ｔ （”ｓ）ｓ ）、スズ 。
してＢａＴｉ０．を用いているが、これに限ることなく
、高誘電性無機物であるチタン酸ストロンチウム（Ｓｒ
ＴｉＯ，）、ジｋ コア （’Ｊｌバリウム（ＢａＺｒ
Ｏ，）、チタｙｌＪバリウム（ＢａＴｉＯ，）、スズ酸
バリウＡ （ＢａＳｎＯ，）、 ｊジルコン愼カルシ
ウム（ＣａＺｒＯ，） 、スズ酸カルシウム（Ｃａｎｎ
ａ、）、チタ７ 酸ａ （ＰｂＴｉＯ，）、チタン酸ラ
ンタフ （ＬａＯ２−２（Ｔｉｅ、） ）、酸化セシウ
Ａ （ＣｅＯ，）、チタン酸カルシウム（ｃａＴｉｏｓ
） 、チタン酸マグネシウ （ム（ＭｇＴｉＯ，）、
スズ酸ビスマス（Ｂ’ｔ （”ｓ）ｓ ）、スズ 。
酸ニッケル（ＮｉＳｎＯ，）、ジルコン酸マグネシウム
（き４ｇＺｒＯｓ ）、スズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎ
Ｏ，）ｔＤ少なくとも一棟類以上からなるセラミックス
部材であれ ；ばよい。
（き４ｇＺｒＯｓ ）、スズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎ
Ｏ，）ｔＤ少なくとも一棟類以上からなるセラミックス
部材であれ ；ばよい。
また、熱りを青注４％月旨についても、ＰＢＴに限るこ
となく、ポリエチレンテレフタレー） （ＰＥＴ）、ポ
リプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ｐｇ） 、ポリ
カーボネート（ｐｃ）、ポリアクリレート（ＰＭＭＡ
）、ボリア −ミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、ポリ７ツ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）
、ポリスルフォン（Ｐ８Ｆ）、ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰ、）等の少なくとも一種以上からなるもので
あればよい。
となく、ポリエチレンテレフタレー） （ＰＥＴ）、ポ
リプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ｐｇ） 、ポリ
カーボネート（ｐｃ）、ポリアクリレート（ＰＭＭＡ
）、ボリア −ミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタ
レート（ＰＢＴ）、ポリ７ツ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）
、ポリスルフォン（Ｐ８Ｆ）、ポリフェニレンサルファ
イド（ＰＰ、）等の少なくとも一種以上からなるもので
あればよい。
さらに、配合割合についても、高誘電体無機物２０〜８
０重ｔｈｔ％、粉末状のタルクが１０〜３０重景％、重
量塑性位（脂が１０〜５０重量５′ｏの範Ｉ２］Ｊ「１
で適宜に選択してよい。
０重ｔｈｔ％、粉末状のタルクが１０〜３０重景％、重
量塑性位（脂が１０〜５０重量５′ｏの範Ｉ２］Ｊ「１
で適宜に選択してよい。
以上のように、本発明の高耐電圧コンデンサは、従来の
熱可塑性樹脂を使用したコンデンサと比べ、タルクを含
有する高誘電率熱可塑性）瀉脂を使用することで、耐ト
ラツキング性が向上する。
熱可塑性樹脂を使用したコンデンサと比べ、タルクを含
有する高誘電率熱可塑性）瀉脂を使用することで、耐ト
ラツキング性が向上する。
また、熱可塑性樹脂による射出成形が可能なので、製造
工程が簡略化するとともに、歩留が向上し、製造コスト
が低減する。
工程が簡略化するとともに、歩留が向上し、製造コスト
が低減する。
コンデンサを示す図、第２図は同じく製造工程を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
（１） ： Ｊｔ過通形ンデンサ。
（２）：単板形コンデンサ。
（３）：積層形コンデンサ。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
閤 松山光速
（０Ｌ）
第 ２ 図
Claims (4)
- （１）粉末状の高誘電体無機物が２０重量％乃至８０重
量％、粉末状のタルクが１０重量％乃至３０重量％、熱
可塑性樹脂が１０重量％乃至５０重量％とからなる高誘
電体熱可塑性樹脂を用いることを特徴とした高耐電圧コ
ンデンサ。 - （２）高誘電体無機物が、チタン酸ストロンチウム（Ｓ
ｒＴｉＯ＿３）、またはジルコン酸バリウム（ＢａＺｒ
Ｏ＿３）等の単独もしくは混合物にチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯ＿３）、スズ酸カルシウム（ＣａＳｎＯ＿３
）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ＿３）、チタン醗カルシウ
ム（ＣａＴｉＯ＿３）、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴ
ｉＯ＿３）、スズ酸ビスマス（Ｂｉ＿２（ＴｉＯ＿３）
＿３）、スズ酸ニッケル（ＮｉＳｎＯ＿３）、ジルコン
酸マグネシウム（ＭｇＺｒＯ＿３）、スズ酸マグネシウ
ム（ＭｇＳｎＯ＿３）等の高誘電体無機物を混合したか
らなる特許請求の範囲第１項の高耐電圧コンデンサ。 - （３）タルクは酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）及び酸化カル
シウム（ＣａＯ）を主成分とする特許請求の範囲第１項
記載の高耐電圧コンデンサ。 - （４）熱可塑性樹脂が、ポリエチレンテレフタレート（
ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（Ｐ
Ｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアクリレート（
ＰＭＭＡ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフ
タレート（ＰＢＴ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ
）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＳ）等のうち少なくとも一種類以上からな
る特許請求の範囲第１項記載の高耐電圧コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15537487A JPS641216A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | High withstand voltage capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15537487A JPS641216A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | High withstand voltage capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH011216A true JPH011216A (ja) | 1989-01-05 |
| JPS641216A JPS641216A (en) | 1989-01-05 |
Family
ID=15604538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15537487A Pending JPS641216A (en) | 1987-06-24 | 1987-06-24 | High withstand voltage capacitor |
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1987
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