JPS5918155A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5918155A JPS5918155A JP57128111A JP12811182A JPS5918155A JP S5918155 A JPS5918155 A JP S5918155A JP 57128111 A JP57128111 A JP 57128111A JP 12811182 A JP12811182 A JP 12811182A JP S5918155 A JPS5918155 A JP S5918155A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic composition
- ceramic
- multilayer ceramic
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｐｂｌ含む複合ペロブスカイト型化合物であ
るｐｂ ＜Ｍｑｙ４ＦｅｙＡＡ）ＯＪｔびＰｂ（Ｍｑ％
Ｔａ％）０３を主成分とする磁器組成物に関するもので
あり、その目的とするところは、高誘電率で誘電体損失
が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ１０００℃以下の
低温で焼結が可能な高誘電率系の磁器組成物を提供する
ことにある。
るｐｂ ＜Ｍｑｙ４ＦｅｙＡＡ）ＯＪｔびＰｂ（Ｍｑ％
Ｔａ％）０３を主成分とする磁器組成物に関するもので
あり、その目的とするところは、高誘電率で誘電体損失
が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ１０００℃以下の
低温で焼結が可能な高誘電率系の磁器組成物を提供する
ことにある。
従来、高誘電率系の磁器組成物としてはチタン酸バリウ
ムＢａＴｉＯ３を主成分として、これにジルコン酸カル
シウムＣａ Ｚ ｒＯ３＋チタン酸カルシウムＣａＴｘ
Ｏｓ ＋ スズ酸カルシウムＣａ５ｎｏ３．チタン酸ス
トロンチウムＳ ｒ Ｔ ｉＯ３などを適量添加して特
性を改善したものが実用化されている。これらの磁器の
焼結温度は概わ１３００℃〜１４００℃と高いものであ
った。
ムＢａＴｉＯ３を主成分として、これにジルコン酸カル
シウムＣａ Ｚ ｒＯ３＋チタン酸カルシウムＣａＴｘ
Ｏｓ ＋ スズ酸カルシウムＣａ５ｎｏ３．チタン酸ス
トロンチウムＳ ｒ Ｔ ｉＯ３などを適量添加して特
性を改善したものが実用化されている。これらの磁器の
焼結温度は概わ１３００℃〜１４００℃と高いものであ
った。
近年、電子機器分野の発展とともに、電子機器の小形、
軽量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コ
ンデンサにおいても、小形で大容量を達成するために積
層構造を持った積層セラミックコンデンサが開発され広
く使用されている。
軽量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コ
ンデンサにおいても、小形で大容量を達成するために積
層構造を持った積層セラミックコンデンサが開発され広
く使用されている。
積層セラミックコンデンサにおいては図面に示すように
、磁器誘電体１の上下に内部電極２を配して、小さな単
板コンデンサを多数個並列に接続し、積み重ねた構造を
とっており、内部電極２は交互に左右いずれかの一外部
電極３に接続されている。
、磁器誘電体１の上下に内部電極２を配して、小さな単
板コンデンサを多数個並列に接続し、積み重ねた構造を
とっており、内部電極２は交互に左右いずれかの一外部
電極３に接続されている。
この積層セラミックコンデンサでは、その製造上内部電
極をセラミック誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あるが、従来の高誘電率系の磁器組成物では前述のよう
に焼成温度が１３００℃以上と高いため、内部電極の材
料としてはこのような高温でも安定な白金、あるいはパ
ラジウムのような高価な貴金属を使わざるを得なかった
。従って１００ｏ’ｃ以下の低温で焼結できる磁器誘電
体材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用
いることができれば、内部電極材料として銀糸合金、ニ
ッケル系合金などの安価な金属材料を使用することがで
きるため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給
することが可能となる。
極をセラミック誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あるが、従来の高誘電率系の磁器組成物では前述のよう
に焼成温度が１３００℃以上と高いため、内部電極の材
料としてはこのような高温でも安定な白金、あるいはパ
ラジウムのような高価な貴金属を使わざるを得なかった
。従って１００ｏ’ｃ以下の低温で焼結できる磁器誘電
体材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用
いることができれば、内部電極材料として銀糸合金、ニ
ッケル系合金などの安価な金属材料を使用することがで
きるため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給
することが可能となる。
本発明は上記のような背景のもとに、種々の複合ベロ
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、Ｐｂ （
％Ｆ ｅｙＷｙ ）０３テ表わされる化合物とｐｂ（Ｍ
ｇ％Ｔａ％）ｏ３で表わされる化合物を用いることによ
り、誘電率が高く、誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高
く、なおかつ低温で焼結可能な磁器誘電体材料の開発に
成功したものである。
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、Ｐｂ （
％Ｆ ｅｙＷｙ ）０３テ表わされる化合物とｐｂ（Ｍ
ｇ％Ｔａ％）ｏ３で表わされる化合物を用いることによ
り、誘電率が高く、誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高
く、なおかつ低温で焼結可能な磁器誘電体材料の開発に
成功したものである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
まず、焼結により Ｐ ｂ （Ｍｇ％Ｆ ｅ、Ｗ、 ）
０３及びＰｂ （ＭｑｙＴ ａ％）ｏ３の比率が次表に
示すモル比となるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングス
テン、酸化マグネシウム、酸化タンタルを適量秤量し、
これをボールミルを用いて混合した。この粉体原料を７
５０’Ｃ〜８５０℃で仮焼した後、再びボールミルを用
いて粉砕し、この粉砕原料にポリビニールアルコールを
加えて造粒し、直径１３ ｗｎ、厚み０８閣の円板形状
に成形した。その後９２０〜９８０℃の温度で、マグネ
シア質匡鉢中で焼成したのち、両面に銀を主成分とする
電極を付与し、誘電体試料とした。このようにして作成
した試料について電気特性を測定した結果を次表に示す
。ここで誘電率ε８及び誘電体損失ｔａｎδは周波数１
ｋ）ｈで２５℃で測定した。また絶縁抵抗ＩＲは直流６
０Ｖを印加して、室温中で測定した。なお表中の焼成温
度は、焼結して誘電体磁器を作成するための最低温度で
ある。
０３及びＰｂ （ＭｑｙＴ ａ％）ｏ３の比率が次表に
示すモル比となるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングス
テン、酸化マグネシウム、酸化タンタルを適量秤量し、
これをボールミルを用いて混合した。この粉体原料を７
５０’Ｃ〜８５０℃で仮焼した後、再びボールミルを用
いて粉砕し、この粉砕原料にポリビニールアルコールを
加えて造粒し、直径１３ ｗｎ、厚み０８閣の円板形状
に成形した。その後９２０〜９８０℃の温度で、マグネ
シア質匡鉢中で焼成したのち、両面に銀を主成分とする
電極を付与し、誘電体試料とした。このようにして作成
した試料について電気特性を測定した結果を次表に示す
。ここで誘電率ε８及び誘電体損失ｔａｎδは周波数１
ｋ）ｈで２５℃で測定した。また絶縁抵抗ＩＲは直流６
０Ｖを印加して、室温中で測定した。なお表中の焼成温
度は、焼結して誘電体磁器を作成するための最低温度で
ある。
（以下余白）
表中の試料ｆ；、１及び６は本発明の範囲外のものであ
り、比較のため示したものである０即ち、Ｐｂ （Ｍｇ
ｙ４Ｆｅ、Ｗ、）ｏ３のモル比Ｘが０９０ ’ｉ超える
と誘電体損失ｔａｎδが犬きく実用的でなく、またＸカ
ニ０６０未満では焼成温度が高くなり、さらに高価な酸
化タンタルの比率が犬きくなるため実用的でない。
り、比較のため示したものである０即ち、Ｐｂ （Ｍｇ
ｙ４Ｆｅ、Ｗ、）ｏ３のモル比Ｘが０９０ ’ｉ超える
と誘電体損失ｔａｎδが犬きく実用的でなく、またＸカ
ニ０６０未満では焼成温度が高くなり、さらに高価な酸
化タンタルの比率が犬きくなるため実用的でない。
以上詳述したように、本発明（７） Ｐｂ （Ｍｃｒ３
ＡＦｅ、Ｗ、）０３Ｐ ｂ （Ｍｇｙ’ｒ’ ａ％）０
３系磁器組成物を用いれば、誘電率ε６が３１６０〜４
１ｏＯと大きく、誘電体損失ｔａｎδがｏ６％〜２６チ
と小さく、また絶縁抵抗ＩＲが６２×１ｏ１０Ｑ−Ｃｍ
以上と高い値を示し、温度による容量変化率の小さい高
性能の新規な誘電体磁器組成物が得られる。さらに焼成
温度が９２０℃〜９８０℃ と低温であるために積層セ
ラミックコンデンサに使用した場合に内部電極として銀
糸合金。
ＡＦｅ、Ｗ、）０３Ｐ ｂ （Ｍｇｙ’ｒ’ ａ％）０
３系磁器組成物を用いれば、誘電率ε６が３１６０〜４
１ｏＯと大きく、誘電体損失ｔａｎδがｏ６％〜２６チ
と小さく、また絶縁抵抗ＩＲが６２×１ｏ１０Ｑ−Ｃｍ
以上と高い値を示し、温度による容量変化率の小さい高
性能の新規な誘電体磁器組成物が得られる。さらに焼成
温度が９２０℃〜９８０℃ と低温であるために積層セ
ラミックコンデンサに使用した場合に内部電極として銀
糸合金。
ニッケル系合金などの安価な金属を用いることができ、
積層セラミックコンデンサの低コスト化を図る上で非常
に有効な価値があるものである。加えて、低温での焼結
が可能なため、焼成に用いる電気炉の保全が容易になる
ばかりでなく、使用電力の北からも省エネルギー化が図
れるものである。
積層セラミックコンデンサの低コスト化を図る上で非常
に有効な価値があるものである。加えて、低温での焼結
が可能なため、焼成に用いる電気炉の保全が容易になる
ばかりでなく、使用電力の北からも省エネルギー化が図
れるものである。
従って、積層セラミックコンデンサのみでな〈従来の円
板形磁器コンデンサに応用した場合においても、製造コ
スト上有利となるものである。
板形磁器コンデンサに応用した場合においても、製造コ
スト上有利となるものである。
図面は積層セラミックコンデンサの一例を示す一部切欠
斜視図である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・内部電極、
３・・・・・・外部電極。
斜視図である。 １・・・・・・磁器誘電体、２・・・・・・内部電極、
３・・・・・・外部電極。
Claims (1)
- マグネシウム・鉄・タングステン酸鉛ｐｂ（Ｍｇ、ＡＦ
ｅｑＶζ）０３及びマグネシウム・タンタル酸鉛ｐｂ
（Ｍｇ％Ｔａ％）ｏ３からなる二成分組成物をＰｂ（Ｍ
ｇ、Ｆｅ、Ｗ、）ｘ（Ｍｇ、Ｔａ、）１．０３と表わし
た時に組成比Ｘが０６０≦Ｘ≦Ｑ９０の範囲内にあるこ
とを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128111A JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128111A JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918155A true JPS5918155A (ja) | 1984-01-30 |
| JPH032814B2 JPH032814B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=14976650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128111A Granted JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| JPH02144277U (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-06 | ||
| US5720919A (en) * | 1992-12-23 | 1998-02-24 | Hoechst Aktiengesellschaft | Al2 O3 and Y2 O3 containing silicon nitride having high mechanical strength at high temperatures |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128111A patent/JPS5918155A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| JPH02144277U (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-06 | ||
| US5720919A (en) * | 1992-12-23 | 1998-02-24 | Hoechst Aktiengesellschaft | Al2 O3 and Y2 O3 containing silicon nitride having high mechanical strength at high temperatures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032814B2 (ja) | 1991-01-17 |
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