JPH0112251Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0112251Y2 JPH0112251Y2 JP16918780U JP16918780U JPH0112251Y2 JP H0112251 Y2 JPH0112251 Y2 JP H0112251Y2 JP 16918780 U JP16918780 U JP 16918780U JP 16918780 U JP16918780 U JP 16918780U JP H0112251 Y2 JPH0112251 Y2 JP H0112251Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- node
- circuit
- photocurrent
- reference current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は自動露出制御回路に関し、露出時間に
対してリミツタ機構を付加した露出制御回路に関
する。
対してリミツタ機構を付加した露出制御回路に関
する。
電子シヤツターカメラにおいて被写体輝度と露
出時間の理想的な関係は第１図に示す直線Ａで示
される。図中横軸は被写体輝度の対数値、縦軸は
露出時間の対数値である。ここで例えば被写体輝
度がほとんどない暗黒状態では理想的な露出時間
は無限の秒時となるが、このような被写体輝度・
露出時間関係をもたせて構成されたカメラは実用
する上で不便がある。そのため従来から自動露出
制御が行われるカメラにおいて、予め設定した秒
時に達すればたとえ露出不足であろうともシヤツ
タが閉じるリミツタ機構を付加したり、或いは三
脚の利用等を配慮して選択的にリミツタ機構を使
えるようにした露出制御回路が開発されている。
出時間の理想的な関係は第１図に示す直線Ａで示
される。図中横軸は被写体輝度の対数値、縦軸は
露出時間の対数値である。ここで例えば被写体輝
度がほとんどない暗黒状態では理想的な露出時間
は無限の秒時となるが、このような被写体輝度・
露出時間関係をもたせて構成されたカメラは実用
する上で不便がある。そのため従来から自動露出
制御が行われるカメラにおいて、予め設定した秒
時に達すればたとえ露出不足であろうともシヤツ
タが閉じるリミツタ機構を付加したり、或いは三
脚の利用等を配慮して選択的にリミツタ機構を使
えるようにした露出制御回路が開発されている。
第２図は特公昭53−40893号公報に記載された、
従来から開発されているリミツタ機能を付加した
露出制御回路で、基準電流源と光電流源とをダイ
オードに組合わせて光電流と基準電流との差に等
しい電流がダイオードの一端子に与えられる。ダ
イオードの他の端子は積分回路に結合されてい
て、これに光電流も結合されている。光電流が普
通の輝度の間の如く、基準電流よりも大きい時
は、差電流はダイオードを逆バイアスする値を代
表する。従つて、光電流のみが積分される様にな
り最小露出間隔と最大の露出間隔との間にある露
出間隔が得られる。光電流が基準電流より低い時
は、差電流はダイオードを順方向にバイアスさせ
る値を代表しこれが光電流に加えられて大きさが
基準電流に等しい合成電流を生じる。従つて、基
準電流のみが積分され一定の最大露出間隔があら
かじめ定められた値以下の複写体輝度のすべての
レベルに対して得られる。
従来から開発されているリミツタ機能を付加した
露出制御回路で、基準電流源と光電流源とをダイ
オードに組合わせて光電流と基準電流との差に等
しい電流がダイオードの一端子に与えられる。ダ
イオードの他の端子は積分回路に結合されてい
て、これに光電流も結合されている。光電流が普
通の輝度の間の如く、基準電流よりも大きい時
は、差電流はダイオードを逆バイアスする値を代
表する。従つて、光電流のみが積分される様にな
り最小露出間隔と最大の露出間隔との間にある露
出間隔が得られる。光電流が基準電流より低い時
は、差電流はダイオードを順方向にバイアスさせ
る値を代表しこれが光電流に加えられて大きさが
基準電流に等しい合成電流を生じる。従つて、基
準電流のみが積分され一定の最大露出間隔があら
かじめ定められた値以下の複写体輝度のすべての
レベルに対して得られる。
即ち、上記回路が動作する場合、第１図の図中
直線Ｂで示す如く、予め設定した露出時間B′の
レベルより短かい秒時では直線Ａで対応付けられ
る正確な露出条件が与えられ、露出時間がB′レ
ベルよりも長い秒時の場合は予め設定した固定の
B′レベルの秒時を与える、ように動作する。
直線Ｂで示す如く、予め設定した露出時間B′の
レベルより短かい秒時では直線Ａで対応付けられ
る正確な露出条件が与えられ、露出時間がB′レ
ベルよりも長い秒時の場合は予め設定した固定の
B′レベルの秒時を与える、ように動作する。
上記従来回路によつて一応のリミツタ機能を得
ることができるが、入射光に比例して発生する電
流と独立した基準電流とを重畳して電流制御する
ため、B′レベルの最大露出間隔近傍では第１図
曲線Ｃで示す如く理想的な特性が得られず、誤差
の生じる欠点があつた。
ることができるが、入射光に比例して発生する電
流と独立した基準電流とを重畳して電流制御する
ため、B′レベルの最大露出間隔近傍では第１図
曲線Ｃで示す如く理想的な特性が得られず、誤差
の生じる欠点があつた。
本考案は上記のような欠点を除去し、理想的な
リミツタ特性を持つシヤツタ動作を行わせ得る露
出制御回路を提供するもので、次に実施例を挙げ
て詳細に説明する。
リミツタ特性を持つシヤツタ動作を行わせ得る露
出制御回路を提供するもので、次に実施例を挙げ
て詳細に説明する。
第３図においてPDは被写体の輝度を検出して
光電流を出力するフオトダイオードで、該フオト
ダイオードPDのアノードは電池の陰極側に接続
され、カソードは、トランジスタQ1，Q2からな
る第１カレントミラー及びトランジスタQ3，Q4
からなる第２カレントミラーに接続されている。
トランジスタQ5，Q6は基準電流IRを作る回路で、
この基準電流IRは上記第２カレントミラーを介す
ることによつて２つの基準電流IR1，IR2（IR≒IR1≒
IR2）が導き出される。導き出された一方の電流
IR1は第１カレントミラーのトランジスタQ1とフ
オトダイオードPDとの接続点に、他方の電流IR2
は第１カレントミラーのトランジスタQ2とコン
デンサＣとの接続点に夫々与えられる。該コンデ
ンサＣの他端は電池の陰極側に接続され、コンデ
ンサＣに並列にスイツチSWが設けられている。
該スイツチSWはシヤツタ動作に伴つて閉成さ
れ、初期条件の設定を行ない、シヤツタの開成と
同時に閉成される。上記電流IR2が与えられたコ
ンデンサＣとトランジスタQ2の接続点には更に
比較器Compの一方の入力端が接続され、該入力
端に与えられる積分回路の電圧が、他方の入力端
にVrefから与えられている電圧と比較され、出力
信号が形成される。比較器Compの出力信号はリ
レー駆動のためのコイルMgに与えられ、シヤツ
タ動作が制御される。
光電流を出力するフオトダイオードで、該フオト
ダイオードPDのアノードは電池の陰極側に接続
され、カソードは、トランジスタQ1，Q2からな
る第１カレントミラー及びトランジスタQ3，Q4
からなる第２カレントミラーに接続されている。
トランジスタQ5，Q6は基準電流IRを作る回路で、
この基準電流IRは上記第２カレントミラーを介す
ることによつて２つの基準電流IR1，IR2（IR≒IR1≒
IR2）が導き出される。導き出された一方の電流
IR1は第１カレントミラーのトランジスタQ1とフ
オトダイオードPDとの接続点に、他方の電流IR2
は第１カレントミラーのトランジスタQ2とコン
デンサＣとの接続点に夫々与えられる。該コンデ
ンサＣの他端は電池の陰極側に接続され、コンデ
ンサＣに並列にスイツチSWが設けられている。
該スイツチSWはシヤツタ動作に伴つて閉成さ
れ、初期条件の設定を行ない、シヤツタの開成と
同時に閉成される。上記電流IR2が与えられたコ
ンデンサＣとトランジスタQ2の接続点には更に
比較器Compの一方の入力端が接続され、該入力
端に与えられる積分回路の電圧が、他方の入力端
にVrefから与えられている電圧と比較され、出力
信号が形成される。比較器Compの出力信号はリ
レー駆動のためのコイルMgに与えられ、シヤツ
タ動作が制御される。
フオトダイオードPDで検出された光電流ILは
トランジスタQ3によつて導き出された上記基準
電流IR1が引き算されて第１カレントミラーに与
えられる。
トランジスタQ3によつて導き出された上記基準
電流IR1が引き算されて第１カレントミラーに与
えられる。
ここでフオトダイオードPDの光電流ILが基準
電流IR1より大きい状態（IL≧IR1）では、第１カ
レントミラーのトランジスタQ1のコレクタ電流
IL′は IL′＝IL−IR1となり、 カレントミラーであることから上記電流IL′はト
ランジスタQ2側に、 IL″≒IL′の電流を引き出し、 これにトランジスタQ3のもう一つの基準電流
IR2が加えられ、積分電流は IL″＋IR2≒IL−IR1＋IR2＝ILとなる。
電流IR1より大きい状態（IL≧IR1）では、第１カ
レントミラーのトランジスタQ1のコレクタ電流
IL′は IL′＝IL−IR1となり、 カレントミラーであることから上記電流IL′はト
ランジスタQ2側に、 IL″≒IL′の電流を引き出し、 これにトランジスタQ3のもう一つの基準電流
IR2が加えられ、積分電流は IL″＋IR2≒IL−IR1＋IR2＝ILとなる。
結局フオトダイオードPDの光電流と同じ値の
電流がコンデンサＣに流れ込んで第１図のレベル
B′より大きい直流Ａの状態での露出時間、被写
体輝度の関係が得られる。
電流がコンデンサＣに流れ込んで第１図のレベル
B′より大きい直流Ａの状態での露出時間、被写
体輝度の関係が得られる。
他方フオトダイオードPDの光電流ILが基準電
流IR1より小さい状態（IL＜IR1）では、トランジ
スタQ2はカツトオフし、トランジスタQ2のコレ
クタ電流IL″は零 IL″＝IL′＝０となる。
流IR1より小さい状態（IL＜IR1）では、トランジ
スタQ2はカツトオフし、トランジスタQ2のコレ
クタ電流IL″は零 IL″＝IL′＝０となる。
このときコンデンサＣに流れ込む電流はトラン
ジスタQ3のもう一つのコレクタ電流即ち基準電
流IR2となり、所定の光電流のレベル以下では基
準電流IR2がコンデンサＣに流れ込むことになり、
急峻なリミツタ動作を得ることができる。
ジスタQ3のもう一つのコレクタ電流即ち基準電
流IR2となり、所定の光電流のレベル以下では基
準電流IR2がコンデンサＣに流れ込むことになり、
急峻なリミツタ動作を得ることができる。
積分電圧が、比較器Compの他端にVrefから与
えられている電圧値に達すると出力信号が形成さ
れ、電磁石Mgが作動してシヤツタを終了させ
る。
えられている電圧値に達すると出力信号が形成さ
れ、電磁石Mgが作動してシヤツタを終了させ
る。
上記露出制御回路において、フオトダイオード
を用いて被写体の輝度を検出せる実施例を挙げた
ので光検出部でのリークは余り大きな問題になら
ないが、CdSのような場合には特に上記回路は有
用である。即ち、フオトダイオードP.Dにリーク
がある場合、リーク電流をIdとすると、 IL≧IR1のとき、IL′＝IL＋Id−IR1となり、 このときIR1＝IR2＋Idとなるようにトランジス
タQ3のコレクタ電流IR1，IR2を選ぶことにより、
積分電流は IL″＋IR2≒IL となつてリーク電流Idを打ち消した回路動作を行
わせることができる。上記トランジスタQ3の２
つのコレクタ電流IR1，IR2に差をもたせて回路設
計することは簡単になし得る。
を用いて被写体の輝度を検出せる実施例を挙げた
ので光検出部でのリークは余り大きな問題になら
ないが、CdSのような場合には特に上記回路は有
用である。即ち、フオトダイオードP.Dにリーク
がある場合、リーク電流をIdとすると、 IL≧IR1のとき、IL′＝IL＋Id−IR1となり、 このときIR1＝IR2＋Idとなるようにトランジス
タQ3のコレクタ電流IR1，IR2を選ぶことにより、
積分電流は IL″＋IR2≒IL となつてリーク電流Idを打ち消した回路動作を行
わせることができる。上記トランジスタQ3の２
つのコレクタ電流IR1，IR2に差をもたせて回路設
計することは簡単になし得る。
以上本考案によれば、比較的簡単な回路で、限
界レベルでのリミツタ動作に誤差のない応答特性
のすぐれた露出制御を行わせることができる。
界レベルでのリミツタ動作に誤差のない応答特性
のすぐれた露出制御を行わせることができる。
第１図は被写体輝度と露出時間の関係を示す
図、第２図は従来の露出制御回路図、第３図は本
考案による露出制御回路図である。 PD：フオトダイオード、Q1，Q2：第１カレン
トミラ、Q3，Q4：第２カレントミラー、Ｃ：コ
ンデンサ、Q5，Q6：基準電流回路、Comp：比較
器、SW：スイツチ、Mg：電磁石。
図、第２図は従来の露出制御回路図、第３図は本
考案による露出制御回路図である。 PD：フオトダイオード、Q1，Q2：第１カレン
トミラ、Q3，Q4：第２カレントミラー、Ｃ：コ
ンデンサ、Q5，Q6：基準電流回路、Comp：比較
器、SW：スイツチ、Mg：電磁石。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第１の節点と第２の節点との間に接続された、
被写体の輝度を検出して光電流を出力する光検出
回路と、 第３の節点と上記第２の節点との間に接続され
たコンデンサと、 所定の輝度に対応する基準電流を上記第１の節
点及び第３の節点に入力せしめる基準電流回路
と、 上記第１の節点に接続された基準トランジスタ
と上記第３の節点に接続された出力トランジスタ
とから成るカレントミラーと、 上記コンデンサの充電電圧が所定値になつたこ
とを検出してシヤツタ動作を制御する回路とを備
えてなる写真露出制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16918780U JPH0112251Y2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16918780U JPH0112251Y2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5790427U JPS5790427U (ja) | 1982-06-03 |
| JPH0112251Y2 true JPH0112251Y2 (ja) | 1989-04-11 |
Family
ID=29527706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16918780U Expired JPH0112251Y2 (ja) | 1980-11-25 | 1980-11-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0112251Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP16918780U patent/JPH0112251Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5790427U (ja) | 1982-06-03 |
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