JPH01122989A - チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材 - Google Patents
チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材Info
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- JPH01122989A JPH01122989A JP28089987A JP28089987A JPH01122989A JP H01122989 A JPH01122989 A JP H01122989A JP 28089987 A JP28089987 A JP 28089987A JP 28089987 A JP28089987 A JP 28089987A JP H01122989 A JPH01122989 A JP H01122989A
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- Japan
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- single crystal
- thermal insulating
- semiconductor single
- insulating material
- crucible
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−の
この発明は、チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用
の断熱材に関する。
の断熱材に関する。
従】Ｊと艮玉−
この種の装置、いわゆる引上炉は、ルツボとこのルツボ
の周囲にあたるヒータと保持筒を有している。ルツボ内
にはシリコンを入れてヒータでシリコンを加熱し、断熱
性の保温筒で保温するのである。この保温筒は、カーボ
ンフェルトにレジンをかためたものや、単にカーボンフ
ェルトを巻いたものが使われている。
の周囲にあたるヒータと保持筒を有している。ルツボ内
にはシリコンを入れてヒータでシリコンを加熱し、断熱
性の保温筒で保温するのである。この保温筒は、カーボ
ンフェルトにレジンをかためたものや、単にカーボンフ
ェルトを巻いたものが使われている。
が ° しよ とするｒ
これらはいずれも高温下で使用中に微粒子（パーティク
ル）を発生し、％Ｉｎ中の半導体中結晶を汚染してしま
うおそれがある。
ル）を発生し、％Ｉｎ中の半導体中結晶を汚染してしま
うおそれがある。
尺」Ｊと１刀−
この発明は上述の問題点を解決し半導体単結晶を汚染し
ないチョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材
を提供することを目的とする。
ないチョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材
を提供することを目的とする。
る。
［Ｉ を １ るための
この発明の断熱材は、３次元骨格構造であり空隙率が９
０〜９９％でその平均気孔径が０．１〜５ｍｎ＋である
カーボン基材からなる。
０〜９９％でその平均気孔径が０．１〜５ｍｎ＋である
カーボン基材からなる。
そして好ましくはカーボン１！１にはＳｉＣがコーティ
ングされている。適宜気孔径に合わせて変えることがで
きるが、このコーティング層の厚みは２０μ以上が望ま
しい。
ングされている。適宜気孔径に合わせて変えることがで
きるが、このコーティング層の厚みは２０μ以上が望ま
しい。
ＳｉＣをコーティングすることにより本発明の断熱材中
に残存する微量の不純物の放出を抑止する利点がある。
に残存する微量の不純物の放出を抑止する利点がある。
また、空隙率が９０％より小さいと断熱性の点で問題が
ある。さらに空隙率が９９％より大きいと強度の点で問
題がある。
ある。さらに空隙率が９９％より大きいと強度の点で問
題がある。
平均気孔径が０．１１１１１より小さいと、比表面積が
増加し、不純物の付＠黴が増加し、除去しにくい点で問
題がある。ざらに平均気孔径が５１より大きいと、断熱
効果の点で問題がある。
増加し、不純物の付＠黴が増加し、除去しにくい点で問
題がある。ざらに平均気孔径が５１より大きいと、断熱
効果の点で問題がある。
この発明の断熱材は、３次元骨格構造で従来のカーボン
基材等を使用していないため繊維の脱落等が起きること
はない。
基材等を使用していないため繊維の脱落等が起きること
はない。
えｉｉ
第１図は典型的なチョクラルスキー半導体単結晶製造装
置、いわゆる引上炉を例示している。
置、いわゆる引上炉を例示している。
ヒータ１のまわりにはこの発明の断熱材２゜３が設けら
ている。
ている。
ルツボ４はヒータ１の内側にあり、シャフト５を介して
回転することができる。ルツボ５内には結晶６が入って
おり、種結晶７を回しながら単結晶を引上げるようにな
っている。
回転することができる。ルツボ５内には結晶６が入って
おり、種結晶７を回しながら単結晶を引上げるようにな
っている。
上）ホの断熱材２．３は、保温筒を形成しており、カー
ボン基材からなり３次元骨格溝道を有する。たとえばそ
の骨格構造の空隙率は９５％で、平均気孔径が１．０１
１１１１１である。
ボン基材からなり３次元骨格溝道を有する。たとえばそ
の骨格構造の空隙率は９５％で、平均気孔径が１．０１
１１１１１である。
この断熱材２．３は高温下で使用しても微粒子が発生せ
ず単結晶を汚染しない。
ず単結晶を汚染しない。
なお、ＳｉＣのコーティングをすれば断熱材中に残存す
る微量の不純物の放出を抑止する点で良好になる。
る微量の不純物の放出を抑止する点で良好になる。
上述の断熱材は次のようにして作る。
３次元骨格構造のポーラスな軟質のウレタンに樹脂（た
とえばフルフリルアルコール）を付着させこの樹脂をウ
レタンの穴に入れこむ。そのあと重縮合させて樹脂を硬
化後、非酸化性雰囲気（たとえばＮ２雰囲気）において
１０００℃で焼成する。この焼成によりウレタンは炭化
し、前記樹１ｉま３次元骨格構造のカーボン体となる。
とえばフルフリルアルコール）を付着させこの樹脂をウ
レタンの穴に入れこむ。そのあと重縮合させて樹脂を硬
化後、非酸化性雰囲気（たとえばＮ２雰囲気）において
１０００℃で焼成する。この焼成によりウレタンは炭化
し、前記樹１ｉま３次元骨格構造のカーボン体となる。
以上説明したことから明らかなように、半導体単結晶を
汚染することなく高品質に作ることができる。
汚染することなく高品質に作ることができる。
第１図はこの発明の断熱材を有するチョクラルスキー（
ＣＺ）半導体単結晶製造装置の概略図である。 １・・・・・・・・・ヒータ ２．３・・・断熱材 ４・・・・・・・・・ルツボ
ＣＺ）半導体単結晶製造装置の概略図である。 １・・・・・・・・・ヒータ ２．３・・・断熱材 ４・・・・・・・・・ルツボ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 三次元骨格構造であり、空隙率が９０〜９ ９％で平均気孔径が０．１〜５ｍｍであるカーボン基材
からなることを特徴とするチョクラルスキー半導体単結
晶製造装置用の断熱材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28089987A JPH01122989A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28089987A JPH01122989A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01122989A true JPH01122989A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17631496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28089987A Pending JPH01122989A (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 | チョクラルスキー半導体単結晶製造装置用の断熱材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01122989A (ja) |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP28089987A patent/JPH01122989A/ja active Pending
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