JPH01125836A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01125836A JPH01125836A JP62248398A JP24839887A JPH01125836A JP H01125836 A JPH01125836 A JP H01125836A JP 62248398 A JP62248398 A JP 62248398A JP 24839887 A JP24839887 A JP 24839887A JP H01125836 A JPH01125836 A JP H01125836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip
- overhung
- protrusion
- resin case
- poured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/02—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C39/10—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はケース内に熱緩衝材が注入されてなる半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来のこの種半導体装置は第３図に示すように構成され
ている。
ている。
第３図は従来の半導体装置を示す縦断面図で、同図にお
いて、符号１は金属ベース板、２はこの金属ペース板１
上に固着された絶縁基板で、この種半導体装置において
は絶縁基板２を使用する代わりに、金属ペース板１上に
絶縁物を積層させて絶縁層を形成したものも使用される
。３は前記絶縁基板上に固着された信号用内部端子、４
〜６は前記絶縁基板２上に固着された水平部４ａ〜６ａ
と、後述する蓋体より外方へ突出する垂直部４ｂ〜６ｂ
とからなる主電流用外部端子、Ｔはこの主電流用外部端
子４および６の各々の水平部４ａ、６ａ上に固着された
半導体チップ、８は前記半導体チップ７の表面電極（図
示せず）と前記信号用内部端子３および主電流用外部端
子５とを接続するためのアルミワイヤーである。９は外
囲ケースとしての樹脂ケースで、この樹脂ケース９は前
記半導体チップＴおよび主電流用外部端子４〜６等を囲
む枠部９＆と、この枠部９＆によって形成された開口部
９ｂとが形成され、前記金属ペース板１上に固着されて
いる。１０はこの樹脂ケース９の枠部９ａ内に注入され
た熱緩衝材としてのシリコンゲル、１１は封止用のエポ
キシ樹脂、１２は前記樹脂ケース９の開口部９ｂを閉塞
するための蓋体で、この蓋体１２は全体が絶縁材によっ
て形成されており、前記主電流用外部端子４〜６が挿通
する透孔（図示せず）を有し、前記樹脂ケース９の枠部
９ａ内に嵌挿されエポキシ樹脂１１が硬化することによ
って固着されている。なお、１３は信号用タブ端子であ
る。
いて、符号１は金属ベース板、２はこの金属ペース板１
上に固着された絶縁基板で、この種半導体装置において
は絶縁基板２を使用する代わりに、金属ペース板１上に
絶縁物を積層させて絶縁層を形成したものも使用される
。３は前記絶縁基板上に固着された信号用内部端子、４
〜６は前記絶縁基板２上に固着された水平部４ａ〜６ａ
と、後述する蓋体より外方へ突出する垂直部４ｂ〜６ｂ
とからなる主電流用外部端子、Ｔはこの主電流用外部端
子４および６の各々の水平部４ａ、６ａ上に固着された
半導体チップ、８は前記半導体チップ７の表面電極（図
示せず）と前記信号用内部端子３および主電流用外部端
子５とを接続するためのアルミワイヤーである。９は外
囲ケースとしての樹脂ケースで、この樹脂ケース９は前
記半導体チップＴおよび主電流用外部端子４〜６等を囲
む枠部９＆と、この枠部９＆によって形成された開口部
９ｂとが形成され、前記金属ペース板１上に固着されて
いる。１０はこの樹脂ケース９の枠部９ａ内に注入され
た熱緩衝材としてのシリコンゲル、１１は封止用のエポ
キシ樹脂、１２は前記樹脂ケース９の開口部９ｂを閉塞
するための蓋体で、この蓋体１２は全体が絶縁材によっ
て形成されており、前記主電流用外部端子４〜６が挿通
する透孔（図示せず）を有し、前記樹脂ケース９の枠部
９ａ内に嵌挿されエポキシ樹脂１１が硬化することによ
って固着されている。なお、１３は信号用タブ端子であ
る。
このように構成された半導体装置を組み立てるには、先
ず、金属ベース板１上に絶縁基板２を固着させ、信号用
内部端子３、主電流用外部端子４〜６および半導体チッ
プＴを固着させた後、アルミワイヤー８でこれらを接続
し、この状態で金属ベース板１上に樹脂ケース９を固着
させる。そして、シリコンゲル１０を樹脂ケース９の内
側に注入し、このシリコンゲル１０がキュアした後にエ
ポキシ樹脂１１を注入する。次いで、蓋体１２を樹脂ケ
ース９の内側に嵌入させ、その下面をエポキシ樹脂１１
に浸し、エポキシ樹脂１１をキュアさせることによって
組立てが終了する。
ず、金属ベース板１上に絶縁基板２を固着させ、信号用
内部端子３、主電流用外部端子４〜６および半導体チッ
プＴを固着させた後、アルミワイヤー８でこれらを接続
し、この状態で金属ベース板１上に樹脂ケース９を固着
させる。そして、シリコンゲル１０を樹脂ケース９の内
側に注入し、このシリコンゲル１０がキュアした後にエ
ポキシ樹脂１１を注入する。次いで、蓋体１２を樹脂ケ
ース９の内側に嵌入させ、その下面をエポキシ樹脂１１
に浸し、エポキシ樹脂１１をキュアさせることによって
組立てが終了する。
しかるに、このように構成された半導体装置においては
、シリコンゲル１０を注入する際にその正確な注入量を
測定することができないため、総重量を測定しなければ
ならなかった。そこで、このような問題を解決するため
に１第４図に示すように１樹脂ケース９における枠部９
ａの内側面に突条９ｂを設ければ、との突条９ｂまでシ
リコンゲル１０を注入することＫよってその注入量を測
定することができるが、このようにすると、シリコンゲ
ル１０注入時に混入される気泡１４が図中矢印で示すよ
うに浮上する際に、突条の下側に溜フ、この気泡１４が
電気的絶縁性を低下させるという不都合が生じる。
、シリコンゲル１０を注入する際にその正確な注入量を
測定することができないため、総重量を測定しなければ
ならなかった。そこで、このような問題を解決するため
に１第４図に示すように１樹脂ケース９における枠部９
ａの内側面に突条９ｂを設ければ、との突条９ｂまでシ
リコンゲル１０を注入することＫよってその注入量を測
定することができるが、このようにすると、シリコンゲ
ル１０注入時に混入される気泡１４が図中矢印で示すよ
うに浮上する際に、突条の下側に溜フ、この気泡１４が
電気的絶縁性を低下させるという不都合が生じる。
本発明に係る半導体装置は、外囲ケースの内側面におけ
る注入された熱緩衝材の液面レベルと対応する位置に突
起を設け、この突起の下面に基部から端部に向かい上方
へ傾斜する傾斜面を形成したものである。
る注入された熱緩衝材の液面レベルと対応する位置に突
起を設け、この突起の下面に基部から端部に向かい上方
へ傾斜する傾斜面を形成したものである。
突起の形成された高さまで熱緩衝材を注入することＫよ
り、その注入量を測定することができると共に、熱緩衝
材中に混在する気泡が傾斜面に沿って浮上する。
り、その注入量を測定することができると共に、熱緩衝
材中に混在する気泡が傾斜面に沿って浮上する。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る半導体装置に使用される金属ベー
ス板およびこの金属ベース板に固着された樹脂ケースの
縦断面図、第２図は要部拡大図である。これらの図にお
いて、符号１は金属ベース板で、この金属ベース板１は
前記従来例で説明したものと同一部材である。２１は前
記金属ベース板上に固着された外囲ケースとしての樹脂
ケースで、この樹脂ケース２１も後述する突条２２が形
成されている他は前記従来例で説明したそれと同等に形
成されている。すなわち、この樹脂ケース２１は半導体
チップ（図示せず）および主電流用端子（図示せず）を
囲む枠部２１ｍと、この枠部によって形成された開口部
２１ｂとが形成されている。
ス板およびこの金属ベース板に固着された樹脂ケースの
縦断面図、第２図は要部拡大図である。これらの図にお
いて、符号１は金属ベース板で、この金属ベース板１は
前記従来例で説明したものと同一部材である。２１は前
記金属ベース板上に固着された外囲ケースとしての樹脂
ケースで、この樹脂ケース２１も後述する突条２２が形
成されている他は前記従来例で説明したそれと同等に形
成されている。すなわち、この樹脂ケース２１は半導体
チップ（図示せず）および主電流用端子（図示せず）を
囲む枠部２１ｍと、この枠部によって形成された開口部
２１ｂとが形成されている。
２２は前記樹脂ケース２１内に注入され九シリコンゲル
１０の注入量を測るための突条で、この突条２２は前記
樹脂ケース２１における枠部２１ｍの内側面に一体く突
設されると共に、この突条２２の下面には基部から端部
に向かい上方へ傾斜する傾斜面２２ｍが形成され、かつ
端部には樹脂ケース２１毎の注入量の違いＫよって生じ
る誤差の許容範囲を示す平面２２ｂが形成されている。
１０の注入量を測るための突条で、この突条２２は前記
樹脂ケース２１における枠部２１ｍの内側面に一体く突
設されると共に、この突条２２の下面には基部から端部
に向かい上方へ傾斜する傾斜面２２ｍが形成され、かつ
端部には樹脂ケース２１毎の注入量の違いＫよって生じ
る誤差の許容範囲を示す平面２２ｂが形成されている。
また、この突条２２の位置は、樹脂ケース２１内にシリ
コンゲル１０が必要量注入された際にそのシリコンゲル
１０の液面レベルと対応する位置に、換言すればこの突
起２２の平面２２ｂまでシリコンゲル１゜を注入するこ
とによって理想的な注入量になる位置に配設されている
。
コンゲル１０が必要量注入された際にそのシリコンゲル
１０の液面レベルと対応する位置に、換言すればこの突
起２２の平面２２ｂまでシリコンゲル１゜を注入するこ
とによって理想的な注入量になる位置に配設されている
。
したがって、突条２２が形成され喪高さまでシリコンゲ
ル１Ｇを注入することにょシ、その注入量を測定するこ
とができ、本実施例においては、突条２２の端部に設は
九千面２２ｂの範囲内にシリコンゲル１０の液面レベル
を保てば、その注入量を過不足なく制御することができ
る。また、シリコンゲル１０中に混入した気泡１４は、
第２図中において矢印で示すように１突条２２の傾斜面
２２ｍに沿って浮上することＫなる。
ル１Ｇを注入することにょシ、その注入量を測定するこ
とができ、本実施例においては、突条２２の端部に設は
九千面２２ｂの範囲内にシリコンゲル１０の液面レベル
を保てば、その注入量を過不足なく制御することができ
る。また、シリコンゲル１０中に混入した気泡１４は、
第２図中において矢印で示すように１突条２２の傾斜面
２２ｍに沿って浮上することＫなる。
なお、本実施例では樹脂ケース２１の枠部２１ｍに突条
２２を形成した例を示したが、枠部２１ｍの内側面に突
出しかつ下面に傾斜面を有するものであればどのような
ものでも同等の効果が得られる。
２２を形成した例を示したが、枠部２１ｍの内側面に突
出しかつ下面に傾斜面を有するものであればどのような
ものでも同等の効果が得られる。
また、枠部２１ｍの内側面に傾斜面を有する突起物を設
ける場合には、樹脂ケース２１が傾斜することによって
シリコンゲル１０の液面が傾くことも考えられるが、突
起物は複数個設けることが望ましい。
ける場合には、樹脂ケース２１が傾斜することによって
シリコンゲル１０の液面が傾くことも考えられるが、突
起物は複数個設けることが望ましい。
以上説明したように本発明によれば、外囲ケースの内側
面における注入された熱緩衝材の液面レベルと対応する
位置に突起を設け、この突起の下面に基部から端部に向
かい上方へ傾斜する傾斜面を形成したため、突起の形成
された高さまで熱緩衝材を注入することによりその注入
量を容易に測定することができると共に、熱緩衝材中に
混在する気泡が傾斜面に沿って浮上するから気泡が突起
の下面に溜ることがないので、信頼性の高い半導体装置
を得ることができる。
面における注入された熱緩衝材の液面レベルと対応する
位置に突起を設け、この突起の下面に基部から端部に向
かい上方へ傾斜する傾斜面を形成したため、突起の形成
された高さまで熱緩衝材を注入することによりその注入
量を容易に測定することができると共に、熱緩衝材中に
混在する気泡が傾斜面に沿って浮上するから気泡が突起
の下面に溜ることがないので、信頼性の高い半導体装置
を得ることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置に使用される金属ペー
ス板およびこの金属ペース板に固着された樹脂ケースの
縦断面図、第２図は要部拡大図、第３図は従来の半導体
装置を示す縦断面図、第４図はシリコンゲル内の気泡の
動きを説明するための図である。 １Ｇ−−・・シリコンゲル、２１・拳・・樹脂ケース、
２１ａ・・・・枠部、２２・・・・突条、２２ａ・・・
・傾斜面。
ス板およびこの金属ペース板に固着された樹脂ケースの
縦断面図、第２図は要部拡大図、第３図は従来の半導体
装置を示す縦断面図、第４図はシリコンゲル内の気泡の
動きを説明するための図である。 １Ｇ−−・・シリコンゲル、２１・拳・・樹脂ケース、
２１ａ・・・・枠部、２２・・・・突条、２２ａ・・・
・傾斜面。
Claims (1)
- 基板上に固着された外囲ケース内に熱緩衝材が注入さ
れてなる半導体装置において、前記外囲ケースの内側面
における注入された熱緩衝材の液面レベルと対応する位
置に突起を設け、この突起の下面に基部から端部に向か
い上方へ傾斜する傾斜面を形成したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248398A JPH01125836A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248398A JPH01125836A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125836A true JPH01125836A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17177513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248398A Pending JPH01125836A (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125836A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478136A (en) * | 1994-08-28 | 1995-12-26 | Inoac Corporation | Headrest and method for its production |
| US8467700B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-06-18 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Configuration for a cartridge usable in an image forming apparatus |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60216571A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS60254643A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63164245A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Ltd | 電子部品 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP62248398A patent/JPH01125836A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60216571A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS60254643A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63164245A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Hitachi Ltd | 電子部品 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478136A (en) * | 1994-08-28 | 1995-12-26 | Inoac Corporation | Headrest and method for its production |
| US8467700B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-06-18 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Configuration for a cartridge usable in an image forming apparatus |
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