JPH0418468B2 - - Google Patents

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JPH0418468B2
JPH0418468B2 JP60245113A JP24511385A JPH0418468B2 JP H0418468 B2 JPH0418468 B2 JP H0418468B2 JP 60245113 A JP60245113 A JP 60245113A JP 24511385 A JP24511385 A JP 24511385A JP H0418468 B2 JPH0418468 B2 JP H0418468B2
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JP
Japan
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case
corners
silicone gel
semiconductor device
present
Prior art date
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JP60245113A
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English (en)
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JPS62104145A (ja
Inventor
Yoshio Takagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関し、とりわけ樹脂
封止形半導体装置のケースの改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第４図は、従来の半導体モジユールの平面図で
あり、ここでは、１素子入り電力用半導体モジユ
ールを例にして示している。図において、１はベ
ース板、２はケース、３は絶縁基板、４はベース
電極、５はエミツタ電極、６はモリブデン板、７
はシリコンチツプ、８はベースアルミニウムワイ
ヤ、９はエミツタアルミニウムワイヤである。
第５図は、第４図の断面図であり、ベース、エ
ミツタアルミニウムワイヤ８，９をアルミニウム
ワイヤホンデイングし、ケース２を接着剤でベー
ス板１に接着した後、シリコーンゲル１０の注入
を行い、キユアー後にエポキシ樹脂１１を注入
し、キユアーを行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は、以上のように構成されて
おり、ケース２接着後、シリコンゲル１０を注入
すると、表面張力によつてケース４隅からシリコ
ンゲルがはい上がり、このため次のエポキシ樹脂
を注入した時に、ケースの４隅においてケースと
エポキシ樹脂の接着が悪くなるという問題点があ
つた。
この発明は、上記のような問題点を解決するた
めになされたもので、ゲルのはい上がりを防止で
きる半導体装置を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、ケースの４隅の
中間高さ位置にリブを設けた、あるいは該リブを
設けるとともにケースの４隅のＲ（アール）部を
設けたものである。
〔作用〕
この発明においては、ケースの４隅の中間高さ
位置にリブを設けるか、あるいは該リブを設ける
とともにケースの４隅にＲ（アール）部を設けた
から、ゲルのはい上がりはほとんど発生しない。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。
第１図、第２図は本発明の一実施例の前提とな
る半導体装置を示す平面図およびそのケース部分
の詳細を示す断面図である。図中、第４図、第５
図と同一符号は同一部分を示す。第２図におい
て、２０はケースの４隅に上から下まで同じ形状
に形成したＲ（アール）部である。第３図におい
て、３０はＲ（アール）部２０の中間に設けたリ
ブである。
第１図において、ベース板１上に絶縁基板３と
エミツタ電極４、ベース電極５を載せ、それらと
は別にベース板１の上に、あらかじめモリブデン
板６の上に高温ハンダ付けされたシリコンチツプ
７を載せ、同時に定温ハンダによりハンダ付けす
る。続いてベース、エミツタのアルミニウムワイ
ヤ８，９のボンデイングを行い、ケース２を接着
剤でベース板１に貼付けた後、チツプとアルミニ
ウム保護のためシリコンゲル１０を注入する。こ
のときケース２の４隅の内側をＲ（アール）にし
ていない場合は、上記従来装置のようにシリコン
ゲルの表面張力により、ケース２の上部にまでシ
リコンゲル１０がはい上がり、その後エポキシ樹
脂による封止のときにケース２とエポキシ樹脂１
１との接着が悪くなり、耐湿に関しても悪い結果
となることとなるが、このようにＲ部を設けたこ
とによりこの問題は完全に解消される。
また、第３図は本発明の一実施例による半導体
装置を示し、これは、第４図に示すような４隅が
角になつているケースの中間高さ位置にリブ３０
を設けたものである。
次に作用効果について説明する。
この発明の実施例によれば、エポキシ樹脂の這
い上がりが発生しやすいケースの４隅の中間高さ
位置にリブ３０を設けるようにしており、これに
より、樹脂の這い上がりが発生してもリブ３０の
ところで確実に這い上がりを止めることができ
る。
また、この実施例はリブを設けた４隅に第１
図、第２図に示すようなアールを持たせているの
で、より一層の這い上がり防止効果を得ることが
できる。
なお、上記アール部あるいはリブはケース成形
時に同時に加工すれば、ケースの価格の上昇を招
くことはない。
また、上記各実施例では、１素子入りトランジ
スタモジユールの場合について説明したが、本発
明は多素子入り電力モジユールの樹脂封止形ケー
スにも適用でき、同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体装置によ
れば、ケースの４隅の中間高さ位置にリブを設け
るか、あるいはこのリブを設けたケースの４隅に
Ｒ（アール）部を設けるようにしたので、ゲルの
はい上がりを防止でき、ケースとエポキシ樹脂と
の接着が良好となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の第２の実施例に
よる半導体装置のコーナを示す平面図および断面
図、第３図は本発明の他の実施例のケースの断面
図、第４図および第５図は従来の半導体装置の平
面図および断面図である。 １はベース板、２はケース、３は絶縁基板、４
はエミツタ電極、５はベース電極、６はモリブデ
ン板、７はシリコンチツプ、８はベースアルミニ
ウムワイヤ、９はエミツタアルミニウムワイヤ、
２０はＲ（アール）部、３０ははリブ。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 金属ベース板上に絶縁層または絶縁基板を設
    け、その上に電極板、半導体チツプを順次ハンダ
    付けしこれをケースに収容してシリコーンゲル及
    び樹脂を用いて樹脂封止を行う半導体装置におい
    て、 上記ケースの４隅内面の中間高さ位置にその表
    面から突出して設けたリブからなる、上記シリコ
    ーンゲルのはい上がり防止部を設けたことを特徴
    とする半導体装置。 ２ 上記ケースの４隅にアール部を設けてなるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
    体装置。
JP60245113A 1985-10-31 1985-10-31 半導体装置 Granted JPS62104145A (ja)

Priority Applications (1)

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JP60245113A JPS62104145A (ja) 1985-10-31 1985-10-31 半導体装置

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JP60245113A JPS62104145A (ja) 1985-10-31 1985-10-31 半導体装置

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JPS62104145A JPS62104145A (ja) 1987-05-14
JPH0418468B2 true JPH0418468B2 (ja) 1992-03-27

Family

ID=17128814

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JPS62104145A (ja) 1987-05-14

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