JPH01126241A - カルコゲナイドガラスの製造方法 - Google Patents
カルコゲナイドガラスの製造方法Info
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- JPH01126241A JPH01126241A JP28315387A JP28315387A JPH01126241A JP H01126241 A JPH01126241 A JP H01126241A JP 28315387 A JP28315387 A JP 28315387A JP 28315387 A JP28315387 A JP 28315387A JP H01126241 A JPH01126241 A JP H01126241A
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- crucible
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- chalcogenide glass
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- glass
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- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 abstract 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/80—Non-oxide glasses or glass-type compositions
- C03B2201/86—Chalcogenide glasses, i.e. S, Se or Te glasses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はルツボ使用してカルコゲナイドガラスを製造す
る方法の改良に関する。
る方法の改良に関する。
[従来の技術]
カルコゲナイドガラスを製造するに際しては、通常石英
ガ′ラス製のアンプル内に原料を真空封入して揺動しつ
つ、加熱溶融するのが一般的である。しかし、カルコゲ
ナイドガラ、スが石英ガラスを侵蝕するような組成の場
合には、侵蝕に強いルツボに原料を入れ、ルツボごとア
ンプル内に真空封入して溶融する方法が採用される。と
ころが、ルツボを使用する方法では、原料中にS、Se
、Te等のような蒸気圧が高い成分が含まれていると、
これらの成分が溶融中に気化してルツボの外で凝縮し、
著しい時には溶融物のほぼ1/3が出てしまうため、ル
ツボ内のガラス組成が変動すると言う問題があった。
ガ′ラス製のアンプル内に原料を真空封入して揺動しつ
つ、加熱溶融するのが一般的である。しかし、カルコゲ
ナイドガラ、スが石英ガラスを侵蝕するような組成の場
合には、侵蝕に強いルツボに原料を入れ、ルツボごとア
ンプル内に真空封入して溶融する方法が採用される。と
ころが、ルツボを使用する方法では、原料中にS、Se
、Te等のような蒸気圧が高い成分が含まれていると、
これらの成分が溶融中に気化してルツボの外で凝縮し、
著しい時には溶融物のほぼ1/3が出てしまうため、ル
ツボ内のガラス組成が変動すると言う問題があった。
[発明が解決しようとする問題点]
従って、本発明はルツボにカルコゲナイドガラス原料を
入れ、ルツボごとアンプル内に真空封入して溶融する場
合に於いて、原料に含まれる蒸気圧が比較的高い成分の
気化を抑制し、ルツボ内のガラス組成の変動を防止づる
ことを目的とする。
入れ、ルツボごとアンプル内に真空封入して溶融する場
合に於いて、原料に含まれる蒸気圧が比較的高い成分の
気化を抑制し、ルツボ内のガラス組成の変動を防止づる
ことを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は上記の問題点を解決するために、原料を入れて
アンプル内に真空封入されるルツボの上部に、下向き円
錐状のトラップを設けものであって、こうすることによ
って、ルツボ内の高蒸気圧成分が蒸発しても、その成分
は下向き円錐状のトラップの表面で凝縮して流下し、ル
ツボ内に戻るため、高蒸気圧成分が揮散することに起因
するガラス組成の変動を有効に防止することができる。
アンプル内に真空封入されるルツボの上部に、下向き円
錐状のトラップを設けものであって、こうすることによ
って、ルツボ内の高蒸気圧成分が蒸発しても、その成分
は下向き円錐状のトラップの表面で凝縮して流下し、ル
ツボ内に戻るため、高蒸気圧成分が揮散することに起因
するガラス組成の変動を有効に防止することができる。
この場合、トラップの温度はアンプル壁面より低い温度
に保持される。
に保持される。
1〜ラツプの温度をアンプル壁面の温度より低く保持す
る手段としては、下向き円錐状トラップの内部が大気と
連通ずる構造を採用することができ、外気との対流によ
りトラップの温度をアンプル壁面より低くすることがで
きる。また、下向き円錐状トラップの内部に、必要に応
じて冷却媒体を送入すれば、トラップの冷却が一層効果
的に行えるばかりでなく、トラップの温度を任意に調節
することも可能である。
る手段としては、下向き円錐状トラップの内部が大気と
連通ずる構造を採用することができ、外気との対流によ
りトラップの温度をアンプル壁面より低くすることがで
きる。また、下向き円錐状トラップの内部に、必要に応
じて冷却媒体を送入すれば、トラップの冷却が一層効果
的に行えるばかりでなく、トラップの温度を任意に調節
することも可能である。
さらにまた、本発明の下向き円錐状トラップの外側に鍔
を設け、その鍔をルツボの蓋として機能させれば、ルツ
ボ外へのガラス成分の揮散をより完全に防止することが
できる。
を設け、その鍔をルツボの蓋として機能させれば、ルツ
ボ外へのガラス成分の揮散をより完全に防止することが
できる。
[作 用]
本1発明の方法では、ルツボ上部に設けたトラップが、
ルツボから蒸発するガラス成分を捕捉して凝縮せしめ、
しかもそのトラップは下向き円錐状であるため、凝縮成
分を滞りなくルツボ内に戻すことができる。従って、ル
ツボ内のガラス組成に変動が生ずることがない。
ルツボから蒸発するガラス成分を捕捉して凝縮せしめ、
しかもそのトラップは下向き円錐状であるため、凝縮成
分を滞りなくルツボ内に戻すことができる。従って、ル
ツボ内のガラス組成に変動が生ずることがない。
[実施例]
図面に示すようなカルコゲナイドガラス製造用アンプル
を使用して、カルコゲナイドガラスを製造した。
を使用して、カルコゲナイドガラスを製造した。
すなわち、Ge27Se18Te55からなルカラス組
成の原料3を収めたルツボ2を、アンプル1内に石英ウ
ール6を介して設置する。次にrIg5を設けた下向き
円錐状のトラップを、鍔5がルツボ2の蓋になるような
状態で、ルツボ2の上部に挿入した後、図示の通りアン
プル1と7fJmした。その後アンプル1の肩部から内
部の空気を排除して室温で3 x +o”7Torrに
真空11着した。
成の原料3を収めたルツボ2を、アンプル1内に石英ウ
ール6を介して設置する。次にrIg5を設けた下向き
円錐状のトラップを、鍔5がルツボ2の蓋になるような
状態で、ルツボ2の上部に挿入した後、図示の通りアン
プル1と7fJmした。その後アンプル1の肩部から内
部の空気を排除して室温で3 x +o”7Torrに
真空11着した。
こうして作成された溶融用アンプルを炉内に入れ、45
0℃で3時間、550℃で3時間、700℃で40時間
溶融した。溶融の間、下向き円錐状トラップ4の内部は
大気と連通されている関係で、適当な対流が起 4゜こ
り、円錐状トラップの先端はアンプルの壁面より低温に
保たれた。石英ウール6はルツボ2の熱膨脹で、アンプ
ル1が破壊されるのを防止している。
0℃で3時間、550℃で3時間、700℃で40時間
溶融した。溶融の間、下向き円錐状トラップ4の内部は
大気と連通されている関係で、適当な対流が起 4゜こ
り、円錐状トラップの先端はアンプルの壁面より低温に
保たれた。石英ウール6はルツボ2の熱膨脹で、アンプ
ル1が破壊されるのを防止している。
上記のようにして原料を溶融すると、ガラス成分が揮散
してもトラップで凝集し、トラップの表面上を流下して
ルツボ2内に戻るため、ルツボ内のガラス組成にはほと
/υど変動が見られなかった。
してもトラップで凝集し、トラップの表面上を流下して
ルツボ2内に戻るため、ルツボ内のガラス組成にはほと
/υど変動が見られなかった。
これに対し、比較のため下向き円錐状トラップなしで、
上記と同様な溶融を行ったところ、約1/3のカルコゲ
ナイドガラスがアンプルの壁面に凝縮付着しているのが
認められた。
上記と同様な溶融を行ったところ、約1/3のカルコゲ
ナイドガラスがアンプルの壁面に凝縮付着しているのが
認められた。
〔効 果J
本発明の方法によれば、ルツボ上部に設けた下向き円錐
状トラップによって、ルツボがら蒸発するガラス成分が
捕捉凝縮せしめられ、トラップの表面を流下しでルツボ
に戻されるため、ルツボ外に揮散することがなく、従っ
て、溶融に際してカルコゲナイドガラスの組成変動を有
効に防止することができる。
状トラップによって、ルツボがら蒸発するガラス成分が
捕捉凝縮せしめられ、トラップの表面を流下しでルツボ
に戻されるため、ルツボ外に揮散することがなく、従っ
て、溶融に際してカルコゲナイドガラスの組成変動を有
効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明方法を実施するに際しC使用されたカルコ
ゲナイドガラス製造用アンプルの断面図である。 1・・・石英アンプル 2・・・ルツボ3・・・カ
ルコゲナイドガラス原料 4・・・円錐状トラップ 5・・・鍔6・・・石英ウ
ール 非酸化物ガラス研究開発株式会社 朝 倉 正 幸
ゲナイドガラス製造用アンプルの断面図である。 1・・・石英アンプル 2・・・ルツボ3・・・カ
ルコゲナイドガラス原料 4・・・円錐状トラップ 5・・・鍔6・・・石英ウ
ール 非酸化物ガラス研究開発株式会社 朝 倉 正 幸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ルツボに原料を入れてルツボごとアンプル内に真空
封入し、原料を溶融することによつてカルコゲナイドガ
ラスを製造する方法に於いて、当該ルツボ上部に下向き
円錐状のトラップを設けたことを特徴とするカルコゲナ
イドガラスの製造方法。 2 下向き円錐状トラップの内部が大気と連通している
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 原料の溶融時、下向き円錐状トラップをアンプル壁
面より低い温度に保持することを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の方法。 4 下向き円錐状トラップの内部に冷却媒体を送ること
を特徴とする特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 下向き円錐状トラップの外側に鍔を設け、その鍔を
ルツボの蓋として機能させることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28315387A JPH01126241A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28315387A JPH01126241A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126241A true JPH01126241A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH0445463B2 JPH0445463B2 (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=17661891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28315387A Granted JPH01126241A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | カルコゲナイドガラスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126241A (ja) |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28315387A patent/JPH01126241A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445463B2 (ja) | 1992-07-24 |
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