JPH01126331A - シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 - Google Patents

シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法

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JPH01126331A
JPH01126331A JP62283728A JP28372887A JPH01126331A JP H01126331 A JPH01126331 A JP H01126331A JP 62283728 A JP62283728 A JP 62283728A JP 28372887 A JP28372887 A JP 28372887A JP H01126331 A JPH01126331 A JP H01126331A
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその
製造法に関する。
(従来の技術〕 ポリイミド樹脂は有機高分子化合物としては最高水準の
耐熱性と低熱膨張率等の特性を有しているがこれらの特
性も無機化合物に比較すれば見劣シするものである。
この表面硬度及び耐摩耗性等を改良するために無機物を
充填する等の手段により無機物に付近ける努力がなされ
る場合がある。しかしこの様な場合無機物とポリイミド
樹脂との界面での破壊が問題となシ必ずしも好ましいも
のではない。
一方無機物の場合シリカ金側にとれば耐熱性は勿論、低
熱膨張率及び高硬度等の実用上好ましい特性を有してい
るが脆く、また加工成形が困件である等の欠点のため、
その用途が制約される。そこで加工成形性を賦与するた
めにけい素の結合手の一部をアルキル基に置き換えた化
合物が各種合成されている。これらは例えばポリジメチ
ルシロキサン等の様にそれなりの成功を収めているが耐
熱性が著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり
硬度が著しく低下する等の欠点を有している。
そこでポリイミドとシリコン化合物を化学的に結合させ
る努力が既に多く報告されている(例えば特開昭57−
143328号公報、特開昭58−7473号公報又は
特開昭58−13631号公報等)。これらはポリイミ
ドの原料であるジアミン成分の一部全ジアミンで両末端
停止したポリジシロキサンで置き換えたものである。
特公昭58−32162号公報では両末端反応性シリコ
ン化合物で停止したポリアミド酸と両末端水酸基を有す
るポリジシロキサンを混合して加熱することによりシロ
キサン基含有架橋ポリイミドが提案されている。
さらにシリカ膜を形成する方法として例えばアルコキシ
シラン又はアセトキシシランの反応性シランを焼成する
方法が提案されている(例えば特公昭52−16488
号公報、特公昭52−20825号公報、特開昭55−
34258号公報、特開昭61−250032号公報、
米国特許4408009号公報)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記の特開昭57−143328号公報、特開昭58−
7473号公報、特開昭58−13631号公報に記載
のものは、ポリジメチルシロキサン等と同様、耐熱性が
著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり、硬度
が著しく低下する等の欠点を依然として有している。
特公昭58−32162号公報に記載のものは、無機化
合物との親和性には優れているが、熱膨脹率の低い材料
は得られない。
また前記アルコキシシラン又はアセトキシシランの反応
性シランを焼成する方法では、この方法で合成された膜
は非常に脆く、またせいぜい数千オングストロームの薄
膜しか得られない。
このように従来の技術にハ種々の問題点があり、無機材
料と有機材料の中間を埋める材料の開発が要望されてい
た。
本発明の目的は、塗布などの皮膜の形成に適切々粘性を
有し、該皮膜の焼成により、耐熱性にすぐれ、硬く、低
熱膨張率の強靭な皮膜で、しかも強力な接着力を有する
皮膜を形成するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体と
その製造法を提供する−ことにある。
〔問題点を解決するための手段] 本発明者等は前記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研
究を行なった結果、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、下記一般式(1)で表わされる構造を主成分とし
、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測定
された対数粘度数が0.05〜5dl/1/であるシリ
コン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法である
。。
(R’ B−kSi −R3−L −(R2−L )n
−R3−81R’ 3−mo i4H)p(SiOt)
q     ・・・(1)(ここにLは独立に下記の式
(1)、(2)及び(IV)のいずれかの構成単位を表
わし、式(1)、■及び@に於いてR1は4価の炭素環
式芳香族基を表わし、1つのイミドを形成する2つのカ
ルボニル基又は1つのアミド基とカルボキシル基は互に
オルト位に付いており;(■)式に於いてR2は炭素数
2〜12個の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、
炭素数6〜30個の芳香族脂肪族基、炭素数6〜30個
の炭素環式芳香族基、次式(V)で表わされるポリシロ
キサン基、R11R8 R6R6 (ここにR5は独立に−(CHt )s−1−(CF2
)8(夏、−(cHt )8−0イδ′またはイδ′で
あり(ただしSは1〜4の整数を示す。)、R6は独立
に炭素数1〜6のアルキル基、7エ二ル基または炭素数
7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、tは1
≦t≦100の値をとる。) または式 8・    族it*u水軒76す・)で表わされる基
であシ、R3は−(CHv )s−1−< cr+t 
)8−4J、−< cut >、−oイシ′またはイシ
′であり(ただしξとに8は1〜4の整数を表わす。)
、R4け独立に炭素数1〜6のアルキルまた前記対数粘
度数とは次式で表わされる〔ηlnh )である。
(ここにηはウベローデ粘度計を使用し溶媒中、温度3
0±0.01 ’ci濃度0.5f/dlで測定した値
であシ、η0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒
の測定値であり、Cは濃度0.5f/dlである。)〕 ゛前記一般式(1)でR2が 一@f”@k SO=@fO@r <ただしrは0又は
1)でちり、R3が独立に■で表わされる基であること
が好1しく、またに−3、m−3である場合が好ましい
この一般式(I)で表わされる溝造を主成分とし上記対
数粘度数を有するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体
は、下記一般弐〇vで表わされる酸無水物またはそのジ
エステル8モルと、一般式■で表わされる化合物bモル
と、一般式(vllり及び(Vl’l ’)でpわされ
る化合物Cモルと、一般式面で表わされる化合物dモル
とを下記式(1)及び式(至)の範囲の混合比のもとて
70重肴%以上の溶媒の存在下、前記5種の化合物を混
合し、0〜200 ’Cの温度で0.2〜20時間反応
を行なった後、又は前四者(一般式(vD〜(〜’Il
l’)で表わされる化合物を任意の順序で混合し、0〜
200℃の温度で0.2〜10時間反応を行ない、後者
(一般式■で表わされる化合物)を添加した後、酸及び
/又は少量の水を必要により添加し、50〜200 ”
Cで0.2〜30時間反応を行なうことにより製造する
ことができる。
(R’ 8−kSi −R”−L−{R2−L )y、
−R3−8iR’ 8−rn Ok+m )p(Sto
w)q       ・・・(1)NH,−R”−NH
,・・・II NHt −R’ −S i R’ B−kX’ k  
  ・・・ (■)NH?−R’−81R’8−mX’
、、    −・・(■′)SiX”a       
  ・・・(2)0.03≦−≦33    ・・・(
至)(ここにL%R”、R3、R4、k%m%n%p及
びqは上記のものと同じ意味であシ、Xl及びX2は独
立にアルコキシ基、アセトキシ基、ハロゲン又は水酸基
である。〕 一般式(至)で表わされるテトラカルボン酸二無水物及
びそのジエステルとして次の化合物を挙げることができ
る。
ピロメリット酸二無水物、3.3’、 4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物%212’t3.3′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2、3.3’
、 4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、 3
.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2.3.3’、 4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、2゜Z’、3.3’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−スルホンニ無水物、1゜2
.5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2.
3,6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物及び
それらとアルコールとのジエステル等。
また一般式(11Dで表わされるジアミンの具体例とし
ては次の化合物を挙げることができる。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4゜4′−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4′−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン
、4.4’−シ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニ
レンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン
、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4′−ジア
ミノベンゾフェノン、4.4’−ジアミノジフェニル−
2,2’−7’ロバ/、1.5−ジアミノナフタレン、
1.8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、トリ
メチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、4.4−ジメチルへブタメチレンジア
ミン、2.11−ドデカンジアミン等の脂肪族ジアミン
、ビス(p−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,
4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼ
ン等シリコン系ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキ
サン等の脂環式ジアミン、0−キシリレンジアミン、m
−キシリレンジアミン等のアミノアルキル置換芳香族化
合物、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナ
ミン類。また式(′V)で表わされる基の両末端にアミ
ノ基の付いたジアミノポリシロキサンとして次の化合物
を挙げることができる。
CH3CHs CH3CH3 CHs    CHa CIs    CHs CtH5C2Hう 次に一般式(匍及びGl’)で表わされるアミノシリコ
ン化合物としては次の化合物を挙げることができる。
NH2−(CHt)s−8i(OCHs)s、NHt−
(CH2)s−8I(OC2Hs)s、NHz−(CH
t)s−8t(CHs)(OCHs)7、NHt−(C
H2)s−8t(CHsXOCtHs)t 、NHt−
(CHt)s−8t(CtHsXOCsHy)t、NH
2−(CH2)4−8t(OCHs)いNHt−(CH
z)<−8t(OCtHs)いNHt−(CHt)4−
8i(CHnXOCtHs)t −NHt−Q−sl<
ocHs)s 、 NHt+5i(OCtHs)a 。
NHt+81(CHsXOCHs)z、NHt−o−8
i (CHs )(OCtHs )t、NH,<ン(C
Ht)Si(QC)(s)s、NHt pン(C市)s
si(OCtHi)s、NH,<シ5t(CT(s)*
(OCzHs)、NHt−Q−st<cHs)s  等
また一般式■で表わされるシリコン化合物としては次の
化合物を挙げることができる。
5t(OCHs)いS i (OCtHs )い5t(
OCsHy)4、s i (OC4H@ )いS i 
(OCaBs )いS i (OCOCRll)4.5
t(OCRs)t(OCtHi)t、5t(OCsHs
)t(OH)t、SiCム 等。
本発明方法において上記の原料化合物を溶媒中で反応さ
せるための好ましい溶媒(以下反応溶媒と言うことがあ
る)としてN−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサ
メチルホスホンアミド、メチルホルムアミド、N−アセ
チル−2−ピロリドン、トルエン、キシレン、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル等の1禮又は2種以上を使用でき、また上記
溶媒を30重量体以上含有する他の溶媒との混合溶媒と
しても用いることができる。
次に反応方法について説明する。
式(ロ)で示されるテトラカルボン酸二無水物またはそ
のジエステル8モル、式■で示されるジアミン5モル、
式(Vl!I)及びα′)で示されるアミンシリコン化
合物Cモル及び弐〇で示されるシリコン化合物dモルと
を反応溶媒中で反応させる。
この場合式(2)、(t’l、(■)及び(■′)の化
合物で反応を行なうことにより、反応性基であるX1金
その末端に有するポリアミック酸(又はポリイミド)が
得られる。これら4種の原料の添加IA序は如何なる順
序でも良いが式■と弐〇ltlの化合物の反応を行なっ
た後代〇111)及び(■′)の化合物を添加した方が
よシ高分子量のポリマーが得られる。反応は0〜200
℃の温度で0.2〜20時間行なうことができる。反応
温度が高いほどポリマー中のイミド基の比率がアミド酸
のそれに比して大になシ、またXlの一部も加水分解し
、シロキサン縮合によりより高分子量化する場合もちる
。あるいは少量の無水酢酸及び又はピリジン、インキノ
リン、イミダゾール類等の三級アコ二/を添加する等の
公知の方法で生成したポリアミド酸のアミド基の一部又
は全部を常温前後の温度でイミド基に変換することがで
きる。この第一段階の反応に於いてもし支障がなければ
予め式■の化合物を添加しておいてもよい。
この反応混合物に弐〇で示されるシリコン化合物dモル
を添加した後、酸−及び/又は少量の水を必要により添
加し、50〜200℃で0.2〜30時間反応を行なう
。この際添加する鍼酸幹抄令≠午会饗及び水はシロキサ
ン縮合反応を促進するための公知の手段である。
前記酸としては、鉱酸、有機酸、酸性イオン交換樹脂及
び担体に無機酸を担持させた固体酸性物質を例示するこ
とができる。
前記鉱酸としては塩酸、硫酸及び硝酸が好ましい。前記
有機酸としてはギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、
クエン酸、マロン酸、サリチル酸、クロル酢酸、フルオ
ロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等を
用いることができる。前記酸性イオン交換樹脂としては
、スルホン酸系の強酸性カチオン交換樹脂及び超強酸性
カチオン樹脂で、例えば商品名ダイヤイオン−8KIB
−H,ダイヤイオン−PK−228−H,アンバーライ
ト−IR−120B。
アンバーライト−118、アンバーライト−112、ア
ンバーライト−122、アンバーライト−124、アン
バーライト−200C%ナフィオン−H等が好ましい。
前記担体に無機酸を担持させた触媒としては、シリカ、
アルミナ−シリカ、ジルコニア及び活性炭に硫酸又はり
ん酸を担持させたもの等が“使用できる。
酸の添加量としては前記表現で1 / 10 (m c
+4d)モル以下が好ましく、またこれ以上存在しても
構わない。添加する水の量は((mc+4d)−(2b
+C)1モル以下でもよいが、これ以上存在した方が反
応速度は早くなる。
式■は式(至)で示される酸無水物と式(2)並びに式
(VIID及びω′)で示されるアミン類とでイミドを
形成する場合のほぼ等量!関係を表わしておシ、また式
■はその下限未満ではポリイミドに近付き、上限を超え
る場合はシリコン化合物に近付き本発明の化合物の特徴
が軽減される。
反応溶媒はこれと添加した原料との合計量基準で70重
量体以上使用するのがよい。これ以下では反応途中で液
がゲル化し、流動性を失なう場合があシ好ましくない。
このようにして対数粘度数が0.05〜5dllyの適
度の分子量の本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前
駆体(以下前駆体と略することもある。)を得ることが
できる。上記対数粘度数が0.05未溝の場合塗膜性が
不十分であり5を超えるものは合成することが困難であ
った。
本発明方法により得られるシリコン含有可溶性ポリイミ
ド前駆体は基本的な構造は式(1)で表唆 るいは−8t−OHが存在する。そのため本発明の前駆
体を焼成することによりシロキサン縮合反応を進行させ
、分子間架橋により硬化、不溶化する。このようにして
本発明のBq R6俤杢冨から固体構造体を得ることが
できる。
式(1)に於けるplqについてq/pが大になるにつ
れて得られた構造体はイミドの特性を弱めシリコン化合
物の特性を強める。q/p及びmが大になり、かつnが
小になるほど無機物(シリカ)の特性を強める。従って
熱膨張係数の低下及び硬度の上昇が著しくなる。従って
q/pは0.03〜33が好ましい。またR2がJO$
 so、−@r(O−■掃(ただしrは0又は1)のと
き得られた前駆体は特に溶媒に対して溶解性の優れたも
のである。
次に本発明で得られる前駆体の使用方法について説明す
る。本発明によって製造した前駆体は殆んどの場合、フ
ェス等の如く溶媒に溶解した溶液の状態で使用されるか
ら、本発明方法で得られる溶液を濃縮または溶媒で稀釈
して使用するのが良い。溶媒としては反応溶媒と同じも
のを使用することができる。本発明で得られた前駆体の
溶媒から成形品を形成させる方法としては公知のどの様
な方法で行ってもよく、例えばガラス板、銅板、アルミ
ニウム板などに前駆体溶液を流した後、加熱することに
より溶媒を除去すると共に、シロキサン結合による架橋
が進行し硬くて強靭な皮膜が形成される。積層された複
合材料を形成させるためにはこの様な操作を逐次性なう
ことにより可能であるが、ワニスを接着剤として複数の
異質素材間に塗シ焼成するととKよシ積層された複合材
料を得ることができる。フィラーあるいはガラス繊維等
にワニスを含浸させ焼成硬化させることにより強化皮膜
を用いた積層材料を形成せしめることもまた可能である
。焼成条件は使用する溶媒、塗膜の厚さ等により異なる
が、50〜500 ”C1好ましくは200〜400℃
、0.5〜2時間位で十分である。
本発明の前駆体から得られた硬化物は耐熱性、機械的特
性、電気的特性及び接着性に優れているためガラス、セ
ラミック、シリコンウェハー及び各種金属酸化物等の各
種コーティング剤、液晶配向膜、接着剤あるいはガラス
繊維等の無機繊維に含浸させた後、焼成するととKより
得られる構造体等の用途が考えられる。
〔実施例、比較例及び使用試験〕
以下、実施例、比較例及び使用試験によって本発明を更
に具体的に説明するが本発明はこの実施例によって限定
されるものでないことは勿論である。
実施例1 かくはん装置、滴下漏斗、温度計、コンデンサーおよび
窒素置換装置を付した11のフラスコ内を窒素ガスによ
り置換した後、脱水精製した500fのエチルカルピト
ール及び2.529(0,0101モル)の3.3′−
ジアミノジフェニルスルホン(以下rDDSJと略記す
る。)を投入しかくはん下均−溶液にした。この溶液f
、30〜35℃に保ちつつ6.541 (0,0203
モル)ノ3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物(以下「BTDAJと略記する。、
)全添加し5時間反応を行なった後4.3:M(0,0
203モル)のアミノフェニルトリメトキシシラン(以
下rAPMsJと略記する。)(メタ体/パラ体−46
154)を添加し150 ’Cに昇温し3時間反応を行
なった。
その後42.28IC0,203モル)のテトラエトキ
シシラン、5fの酢酸及び35fの水を添加し60℃で
18時間反応を行なった。この時点で溶液中からは未反
応のテトラエトキシシランは検出されなくなった。得ら
れた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体は赤
褐色透明液であり、その対数粘度数はo、1stt7y
であシ、赤外線吸収スペクトルを第1図に示した。
これによると前記前駆体はイミド基を多量に含み、アミ
ック酸は殆ど含んでいなかった。
実施例2 実施例1と同様の装置及び方法で、26.31g(0,
0608モル)のビス(4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン(以下rBAPsJと略記する。)
を500gのエチ・シカルビトール中に投入した後、2
2.39f(0,0695モル)のBTDAを添加し3
0℃で6時間、さらに8.349(0,0157モル)
のAPMS(メタ体/パラ体虐46154 )を添加し
2時間反応を行なった。その後36.20f(0,17
4モル)のテトラエトキシシラン、6.51の酢酸及び
6fの水を添加し60℃で200時間反応行なった。こ
の時点で未反応のテトラエトキシシランは検出されなく
なった。
得られた本発明のシリコン含有可溶性ボ、リイミド前駆
体の対数粘度数は0.32dl/Iであり、赤外線吸収
スペクトルによるとこの前駆体は多量のアミック酸°を
含みイミド基を殆ど含んでいなかった。
実施例3 実施例1と同様の装置及び方法で、25oyのN−メチ
ル−2−ピロリドン及び2509の2−メトキシエタノ
ールの混合溶媒中に31.74F(0,143モル)の
3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下「APs
−EJと略記する。)10.91f(0,0717−+
=ル)のテ)ラメトキシシラン及び14.35g(0,
0716モル)の4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下「DDE」と略記する。)を投入し溶解させ均
一溶液を調4した。この溶液を25℃に保ちつつ31.
27F(0,143モル)のピロメリット酸二無水物を
投入し2時間反応を行なった後、60℃で6時間反応を
行なった。その後5.5fの酢酸及び4fの水を添加し
80℃で4時間反応を行なった。この時点で未反応のテ
トラメトキシシランは溶液中からはもはや検出されなか
った。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の対数粘度数は0.082dl/11であり、赤
外線吸収スペクトルによるとこの前駆体はアミック酸を
多量に含み、イミド基を殆ど含んでいなかった。
実施例4 実施例1と同様の装置及び方法で、300fのN−メチ
ル−2−ピロリドン及び200fの2−メトキシメタノ
ールの混合溶媒中に16.28F(0,0813モル)
のDDEt−溶解させ、これに38.811(0,10
8モル)のビス(3゜4−ジカルボキシフェニル)−ス
ルホンニ無水物(以下rDsDAJと略記する。)f:
添加し20℃で5時間反応を行なった後11.411(
0,0596モル)の3−アミノプロピルメチルジェト
キシシランを添加し90℃で2時間反応を行なった。コ
ノ溶液に1.65F(0,0108そル)のテトラメト
キシシラン、2.59の濃塩酸及び3yの水を添加し、
50″Cで10時間反応を行なった。この時点でテトラ
メトキシシランは検出されなくなった。得られた本発明
のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は
0.20dt/gであシ、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
実施例5 実施例1と同様の装置及び方法で、5ooyのメチルカ
ルピトール中に2.579 (0,0104%ル)OD
DS及び5.2 s f (o、o 238モル)のA
PS−Eを添加し、これに7.699(0,0239モ
ル)OBTDAt添加し、160℃で12時間反応を行
なった。さらに72.65F(0,477モル)のテト
ラメトキシシラン、12Fの酢酸及び25 fの水を添
加し、75℃で12時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本
発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度
数は0.27dt/gであり、赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体は多量のイミド基を含み、アミック酸
を殆ど含んでいなかった。
実施例6 実施例1と同様の装置及び方法で、500fの2−エト
キシエタノール中に17.989(0,0502モル)
のDSDAを添加し135℃で5時間還流させ酸無水物
のエステル化を行なった。この溶液に10.8610.
0251モル)のBAPS及び7.659 (0,04
27モル)の3−アミノプロピルトリメトキシシランを
添加し135℃で6時間還流させた。この溶液を冷却し
、70℃に保ったまま38.22N(0,251モル)
のテトラメトキシシラン、15fの酢酸及び409の水
を添加し、70℃で12時間反応を行なった。この時点
で未反応のトリメトキシシランは検出されなくなった。
得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体
の対数粘度数は0.77dl/gであり、赤外線吸収ス
ペクトルによると前記前駆体は多量のイミド基を含みア
ミック酸を殆ど含んでいなかった。
実施例7 実施例1と同様の装置及び方法で500fのエチルカル
ピトール中に14.41 f (0,0490モル)の
3.3’、 4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物及び15.78N(0,0490モル)のBTD
A?添加し、150℃で3時間反応を行ない酸無水物の
エステル化を行なった。
これに14.599のDDS及び21.699(0,0
980モル)のAPS−Eを添加し、150℃で5時間
反応を行なった。この溶液を60℃に冷却し14.91
f(0,0980モル)のテトラメトキシシラン、4g
の酢酸及び3fの水を添加し21時間反応を行った。こ
の時点で未反応のテトラメトキシシランが検出されなく
なった。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミ
ド前駆体の対数粘度数は1.30d//gであシ、°赤
外線吸収スペクトルによると前記前駆体は多量のイミド
基を含み、アミック酸を殆ど含んでいなかった。
実施例8 実施例4に於いて濃塩酸を添加しないで二段目の反応を
22時間行なった。この時点で反応液から未反応のテト
ラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本発
明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数
は0.023ttt7yであり、赤外線吸収スペクトル
によると前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存
していた。
実施例9 実施例4に於いて水を添加しないで二段目の反応を16
時間行なった。この時点で反応液から未反応のテトラメ
トキシシランは検出されなくなった。得られた本発明の
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は0
.021d//yであり、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
実施例10 実施例4に於いて濃塩酸及び水を添加しないで二段目の
反応を28時間行なった。この時点で反応液から未反応
のテトラメトキシシランは検出されなくなった。得られ
た本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数
粘度数は0.024dl/gでS1シ、赤外線吸収スペ
クトルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基と
が共存していた。
比較例1 実施例1と同様の装置及び方法で55.56F(0,2
67モル)のテトラエトキシシラン、ωfの水及び5.
51の酢酸’1500fのメチルカルピトール中に添加
し、80℃で18時間反応を行なった。この時点で反応
液から未反応のテトラエトキシシランは検出されず、無
色透明のテトラエトキシシランオリゴマーが得うれた。
比較例2 実施例1と同様の装置及び方法で500fのエチルカル
ピトール中に44.61N(0,103モル)のBAP
S’に添加し溶解させた。この溶液を25℃に保ちつツ
37.98 ’! (0,118%ル)のBTDAを添
加し5時間反応を行なった後、5.569 (0,02
65モル)ノAPMS’&添加しさらに2時間反応を行
なうことによりポリアミック酸の溶液を得た。
なお参考のため実施例1〜1o及び比較例1〜2で使用
した原料のita% b、c、aモル並a      
      B た。
使用試験l 実施例1〜10及び比較例1〜2で合成した各ワニスを
ガラス板上に塗布し、電気炉中で300℃,1時間焼成
することによりガラス板上に膜厚1.5μの皮膜を形成
せしめた。それらの塗膜性、表面硬度及び耐熱性として
高温に熱したときの重量減を測定した結果を第2表に示
した。
尚、第2表において、表面硬度とはJIS K5400
で測定した鉛筆硬度を表わす。塗膜性は上記焼成によシ
形成した皮膜を見視により判断し、(1)該皮膜がガラ
ス板全面にほぼ均一の厚みで形成されていること、(2
)膜表面が滑らかであること、及び(3)クラックの発
生がないこと、をもって「良好」とした。重量減は、真
空理工■裂熱天秤TGD5000t−使用して常温より
10℃/分の昇温速度で700℃まで昇温したときの重
量減を「減量(へ)」として表わした。
第2表 (発明の効果〕 本発明の前駆体は適度な対数粘度数を有しているのでそ
の溶液の粘性は適度であって塗布は良好に行なうことが
できる。また塗布膜々どの焼成によりシロキサン縮合反
応が進行し、分子間結合によシ硬くて強靭な皮膜が形成
されるとともにガラス、セラミック、シリコンウェハー
及び各種金属酸化物等に対して強力な接着作用を示す。
しかも熱膨張係数を無機化合物の近く゛まで低下させる
ことが可能なため無機化合物との積層材料として好まし
い。さらに無機化合物の欠点である脆さを改善している
ため表面コーティング剤としてより厚膜の形成が可能で
あると同時にポリイミド等の有機膜に比較して高硬度で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1で得、られた本発明のシリコン含有可
溶性ポリイミド前駆体の赤外線吸収スペクトルである。 以上 リ     Q     ○     ○     o
     Oす0     0)      to  
    −5cJ手続補正書  桑 昭和63年11月10日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式( I )で表わされる構造を主成分と
    し、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測
    定された対数粘度数が0.05〜5dl/gであるシリ
    コン含有可溶性ポリイミド前駆体。 〔R^4_3_−_kSi−R^3−L−{R^2−L
    }_n−R^3−SiR^4_3_−_mO_(_k_
    +_m_)_/_2〕_p〔SiO_2〕_q・・・・
    ・( I ) (ここにLは独立に下記の式(II)、(III)及び(IV
    )▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(IV) のいずれかの構成単位を表わし、(II)、(III)及び
    (IV)式に於いてR^1は4価の炭素環式芳香族基を表
    わし、1つのイミドを形成する2つのカルボニル基又は
    1つのアミド基と1つのカルボキシル基は互にオルト位
    に付いており;( I )式に於いてR^2は炭素数2〜
    12個の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、炭素
    数6〜30個の芳香脂肪族基、炭素数6〜30個の炭素
    環式芳香族基、次式(V)で表わされるポリシロキサン
    基、▲数式、化学式、表等があります▼・・・(V) (ここにR^5は独立に−(CH_2)_s−、▲数式
    、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
    あります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼であり(ただしsは
    1〜4の整数を示す。)、R^6は独立に炭素数1〜6
    のアルキル基、フェニル基または炭素数7〜12個のア
    ルキル置換フエニル基を表わし、lは1≦l≦100の
    値をとる。) または式 ▲数式、化学式、表等があります▼(ただし、ここにR
    ^7は炭素 数8以下の脂肪族基、芳香脂 肪族基または水素を表わす。) で表わされる基であり、R^3は−(CH_2)_s−
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼であり(ただしここ
    にsは1〜4の整数を表わす。)、R^4は独立に炭素
    数1〜6のアルキル基、フエニル基または炭素数7〜1
    2個のアルキル置換フエニル基を表わし、kは0≦k≦
    3の整数であり、mは0≦m≦3の整数であり、k+m
    ≧1であり、nは1以上の整数であり、p及びqは正の
    整数である。 また前記対数粘度数とは次式で表わされる 〔ηinh〕である。 ηinh=(lnη/η_0)/C (ここにηはウベローデ粘度計を使用し溶媒中、温度3
    0±0.01℃;濃度0.5g/dlで測定した値であ
    り、η_0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒の
    測定値であり、Cは濃度0.5g/dlである。)〕 (2)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼ (ただしrは0又は1)であり、R^3は独立に▲数式
    、化学式、表等があります▼で表わされる基であること
    を特徴とする第(1)項記載のシリコン含有可溶性ポリ
    イミド前駆体。 (3)前記kがk=3であり、mがm=3であることを
    特徴とする第(1)項又は第(2)項記載のシリコン含
    有可溶性ポリイミド前駆体。 (4)下記一般式(VI)で表わされる酸無水物またはそ
    のジエステルaモル、一般式(VII)で表わされる化合
    物bモル、一般式(VIII)及び(VIII′)で表わされる
    化合物cモル及び一般式(IX)で表わされる化合物dモ
    ルを下記式(X)及び式(X I )の範囲の混合比のも
    とで70重量%以上の溶媒の存在下、前記5種の化合物
    を混合し、0〜200℃の温度で0.2〜20時間反応
    を行なつた後、又は前四者(一般式(VI)〜(VIII′)
    で表わされる化合物)を任意の順序で混合し、0〜20
    0℃の温度で0.2〜10時間反応を行ない、後者(一
    般式(IX)で表わされる化合物)を添加した後、酸及び
    /又は少量の水を必要により添加し、50〜200℃で
    0.2〜30時間反応を行なうことを特徴とする対数粘
    度数が0.05〜5dl/gで一般式( I )で表わさ
    れる構造を主成分とするシリコン含有可溶性ポリイミド
    前駆体の製造法。 (R^4_3_−_kSi−R^3−L−{R^2−L
    }_n−R^3−SiR^4_3_−_mO_(_k_
    +_m_)_/_2〕_p〔SiO_2〕_q・・・(
    I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(VI) NH_2−R^2−NH_2・・・(VII) NH_2−R^3−SiR^4_3_−_kX^1_k
    ・・・(VIII)NH_2−R^3−SiR^4_3_−
    _mX^1_m・・・(VIII′)SiX^2_4・・・
    (IX) 1.8≦(2b+c)/a≦2.2・・・(X)0.0
    3≦d/a≦33・・・(X I ) (ここにL、R^2、R^3、R^4、k、m、n、p
    及びqは第(1)項記載のものと同じ意味であり、前記
    対数粘度数は第(1)項で定義したものであり、X^1
    及びX^2は独立にアルコキシ基、アセトキシ基、ハロ
    ゲン又は水酸基である。) (5)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼ (ただしrは0又は1)であり、R^3は独立に▲数式
    、化学式、表等があります▼で表わされる基であること
    を特徴とする第(4)項記載のシリコン含有可溶性ポリ
    イミド前駆体の製造法。 (6)前記mがm=3であることを特徴とする第(4)
    項若しくは第(5)項記載のシリコン含有可溶性ポリイ
    ミド前駆体の製造法。
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US5272222A (en) * 1991-05-29 1993-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Curable resin compositions and electronic part protective coatings
CN110372895A (zh) * 2019-06-20 2019-10-25 重庆文理学院 一种低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法

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CN110372895A (zh) * 2019-06-20 2019-10-25 重庆文理学院 一种低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法

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