JPH01126331A - シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 - Google Patents
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法Info
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Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその
製造法に関する。
製造法に関する。
(従来の技術〕
ポリイミド樹脂は有機高分子化合物としては最高水準の
耐熱性と低熱膨張率等の特性を有しているがこれらの特
性も無機化合物に比較すれば見劣シするものである。
耐熱性と低熱膨張率等の特性を有しているがこれらの特
性も無機化合物に比較すれば見劣シするものである。
この表面硬度及び耐摩耗性等を改良するために無機物を
充填する等の手段により無機物に付近ける努力がなされ
る場合がある。しかしこの様な場合無機物とポリイミド
樹脂との界面での破壊が問題となシ必ずしも好ましいも
のではない。
充填する等の手段により無機物に付近ける努力がなされ
る場合がある。しかしこの様な場合無機物とポリイミド
樹脂との界面での破壊が問題となシ必ずしも好ましいも
のではない。
一方無機物の場合シリカ金側にとれば耐熱性は勿論、低
熱膨張率及び高硬度等の実用上好ましい特性を有してい
るが脆く、また加工成形が困件である等の欠点のため、
その用途が制約される。そこで加工成形性を賦与するた
めにけい素の結合手の一部をアルキル基に置き換えた化
合物が各種合成されている。これらは例えばポリジメチ
ルシロキサン等の様にそれなりの成功を収めているが耐
熱性が著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり
硬度が著しく低下する等の欠点を有している。
熱膨張率及び高硬度等の実用上好ましい特性を有してい
るが脆く、また加工成形が困件である等の欠点のため、
その用途が制約される。そこで加工成形性を賦与するた
めにけい素の結合手の一部をアルキル基に置き換えた化
合物が各種合成されている。これらは例えばポリジメチ
ルシロキサン等の様にそれなりの成功を収めているが耐
熱性が著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり
硬度が著しく低下する等の欠点を有している。
そこでポリイミドとシリコン化合物を化学的に結合させ
る努力が既に多く報告されている(例えば特開昭57−
143328号公報、特開昭58−7473号公報又は
特開昭58−13631号公報等)。これらはポリイミ
ドの原料であるジアミン成分の一部全ジアミンで両末端
停止したポリジシロキサンで置き換えたものである。
る努力が既に多く報告されている(例えば特開昭57−
143328号公報、特開昭58−7473号公報又は
特開昭58−13631号公報等)。これらはポリイミ
ドの原料であるジアミン成分の一部全ジアミンで両末端
停止したポリジシロキサンで置き換えたものである。
特公昭58−32162号公報では両末端反応性シリコ
ン化合物で停止したポリアミド酸と両末端水酸基を有す
るポリジシロキサンを混合して加熱することによりシロ
キサン基含有架橋ポリイミドが提案されている。
ン化合物で停止したポリアミド酸と両末端水酸基を有す
るポリジシロキサンを混合して加熱することによりシロ
キサン基含有架橋ポリイミドが提案されている。
さらにシリカ膜を形成する方法として例えばアルコキシ
シラン又はアセトキシシランの反応性シランを焼成する
方法が提案されている(例えば特公昭52−16488
号公報、特公昭52−20825号公報、特開昭55−
34258号公報、特開昭61−250032号公報、
米国特許4408009号公報)。
シラン又はアセトキシシランの反応性シランを焼成する
方法が提案されている(例えば特公昭52−16488
号公報、特公昭52−20825号公報、特開昭55−
34258号公報、特開昭61−250032号公報、
米国特許4408009号公報)。
前記の特開昭57−143328号公報、特開昭58−
7473号公報、特開昭58−13631号公報に記載
のものは、ポリジメチルシロキサン等と同様、耐熱性が
著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり、硬度
が著しく低下する等の欠点を依然として有している。
7473号公報、特開昭58−13631号公報に記載
のものは、ポリジメチルシロキサン等と同様、耐熱性が
著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり、硬度
が著しく低下する等の欠点を依然として有している。
特公昭58−32162号公報に記載のものは、無機化
合物との親和性には優れているが、熱膨脹率の低い材料
は得られない。
合物との親和性には優れているが、熱膨脹率の低い材料
は得られない。
また前記アルコキシシラン又はアセトキシシランの反応
性シランを焼成する方法では、この方法で合成された膜
は非常に脆く、またせいぜい数千オングストロームの薄
膜しか得られない。
性シランを焼成する方法では、この方法で合成された膜
は非常に脆く、またせいぜい数千オングストロームの薄
膜しか得られない。
このように従来の技術にハ種々の問題点があり、無機材
料と有機材料の中間を埋める材料の開発が要望されてい
た。
料と有機材料の中間を埋める材料の開発が要望されてい
た。
本発明の目的は、塗布などの皮膜の形成に適切々粘性を
有し、該皮膜の焼成により、耐熱性にすぐれ、硬く、低
熱膨張率の強靭な皮膜で、しかも強力な接着力を有する
皮膜を形成するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体と
その製造法を提供する−ことにある。
有し、該皮膜の焼成により、耐熱性にすぐれ、硬く、低
熱膨張率の強靭な皮膜で、しかも強力な接着力を有する
皮膜を形成するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体と
その製造法を提供する−ことにある。
〔問題点を解決するための手段]
本発明者等は前記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研
究を行なった結果、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、下記一般式(1)で表わされる構造を主成分とし
、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測定
された対数粘度数が0.05〜5dl/1/であるシリ
コン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法である
。。
究を行なった結果、本発明に到達した。すなわち、本発
明は、下記一般式(1)で表わされる構造を主成分とし
、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測定
された対数粘度数が0.05〜5dl/1/であるシリ
コン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法である
。。
(R’ B−kSi −R3−L −(R2−L )n
−R3−81R’ 3−mo i4H)p(SiOt)
q ・・・(1)(ここにLは独立に下記の式
(1)、(2)及び(IV)のいずれかの構成単位を表
わし、式(1)、■及び@に於いてR1は4価の炭素環
式芳香族基を表わし、1つのイミドを形成する2つのカ
ルボニル基又は1つのアミド基とカルボキシル基は互に
オルト位に付いており;(■)式に於いてR2は炭素数
2〜12個の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、
炭素数6〜30個の芳香族脂肪族基、炭素数6〜30個
の炭素環式芳香族基、次式(V)で表わされるポリシロ
キサン基、R11R8 R6R6 (ここにR5は独立に−(CHt )s−1−(CF2
)8(夏、−(cHt )8−0イδ′またはイδ′で
あり(ただしSは1〜4の整数を示す。)、R6は独立
に炭素数1〜6のアルキル基、7エ二ル基または炭素数
7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、tは1
≦t≦100の値をとる。) または式 8・ 族it*u水軒76す・)で表わされる基
であシ、R3は−(CHv )s−1−< cr+t
)8−4J、−< cut >、−oイシ′またはイシ
′であり(ただしξとに8は1〜4の整数を表わす。)
、R4け独立に炭素数1〜6のアルキルまた前記対数粘
度数とは次式で表わされる〔ηlnh )である。
−R3−81R’ 3−mo i4H)p(SiOt)
q ・・・(1)(ここにLは独立に下記の式
(1)、(2)及び(IV)のいずれかの構成単位を表
わし、式(1)、■及び@に於いてR1は4価の炭素環
式芳香族基を表わし、1つのイミドを形成する2つのカ
ルボニル基又は1つのアミド基とカルボキシル基は互に
オルト位に付いており;(■)式に於いてR2は炭素数
2〜12個の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、
炭素数6〜30個の芳香族脂肪族基、炭素数6〜30個
の炭素環式芳香族基、次式(V)で表わされるポリシロ
キサン基、R11R8 R6R6 (ここにR5は独立に−(CHt )s−1−(CF2
)8(夏、−(cHt )8−0イδ′またはイδ′で
あり(ただしSは1〜4の整数を示す。)、R6は独立
に炭素数1〜6のアルキル基、7エ二ル基または炭素数
7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、tは1
≦t≦100の値をとる。) または式 8・ 族it*u水軒76す・)で表わされる基
であシ、R3は−(CHv )s−1−< cr+t
)8−4J、−< cut >、−oイシ′またはイシ
′であり(ただしξとに8は1〜4の整数を表わす。)
、R4け独立に炭素数1〜6のアルキルまた前記対数粘
度数とは次式で表わされる〔ηlnh )である。
(ここにηはウベローデ粘度計を使用し溶媒中、温度3
0±0.01 ’ci濃度0.5f/dlで測定した値
であシ、η0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒
の測定値であり、Cは濃度0.5f/dlである。)〕 ゛前記一般式(1)でR2が 一@f”@k SO=@fO@r <ただしrは0又は
1)でちり、R3が独立に■で表わされる基であること
が好1しく、またに−3、m−3である場合が好ましい
。
0±0.01 ’ci濃度0.5f/dlで測定した値
であシ、η0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒
の測定値であり、Cは濃度0.5f/dlである。)〕 ゛前記一般式(1)でR2が 一@f”@k SO=@fO@r <ただしrは0又は
1)でちり、R3が独立に■で表わされる基であること
が好1しく、またに−3、m−3である場合が好ましい
。
この一般式(I)で表わされる溝造を主成分とし上記対
数粘度数を有するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体
は、下記一般弐〇vで表わされる酸無水物またはそのジ
エステル8モルと、一般式■で表わされる化合物bモル
と、一般式(vllり及び(Vl’l ’)でpわされ
る化合物Cモルと、一般式面で表わされる化合物dモル
とを下記式(1)及び式(至)の範囲の混合比のもとて
70重肴%以上の溶媒の存在下、前記5種の化合物を混
合し、0〜200 ’Cの温度で0.2〜20時間反応
を行なった後、又は前四者(一般式(vD〜(〜’Il
l’)で表わされる化合物を任意の順序で混合し、0〜
200℃の温度で0.2〜10時間反応を行ない、後者
(一般式■で表わされる化合物)を添加した後、酸及び
/又は少量の水を必要により添加し、50〜200 ”
Cで0.2〜30時間反応を行なうことにより製造する
ことができる。
数粘度数を有するシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体
は、下記一般弐〇vで表わされる酸無水物またはそのジ
エステル8モルと、一般式■で表わされる化合物bモル
と、一般式(vllり及び(Vl’l ’)でpわされ
る化合物Cモルと、一般式面で表わされる化合物dモル
とを下記式(1)及び式(至)の範囲の混合比のもとて
70重肴%以上の溶媒の存在下、前記5種の化合物を混
合し、0〜200 ’Cの温度で0.2〜20時間反応
を行なった後、又は前四者(一般式(vD〜(〜’Il
l’)で表わされる化合物を任意の順序で混合し、0〜
200℃の温度で0.2〜10時間反応を行ない、後者
(一般式■で表わされる化合物)を添加した後、酸及び
/又は少量の水を必要により添加し、50〜200 ”
Cで0.2〜30時間反応を行なうことにより製造する
ことができる。
(R’ 8−kSi −R”−L−{R2−L )y、
−R3−8iR’ 8−rn Ok+m )p(Sto
w)q ・・・(1)NH,−R”−NH
,・・・II NHt −R’ −S i R’ B−kX’ k
・・・ (■)NH?−R’−81R’8−mX’
、、 −・・(■′)SiX”a
・・・(2)0.03≦−≦33 ・・・(
至)(ここにL%R”、R3、R4、k%m%n%p及
びqは上記のものと同じ意味であシ、Xl及びX2は独
立にアルコキシ基、アセトキシ基、ハロゲン又は水酸基
である。〕 一般式(至)で表わされるテトラカルボン酸二無水物及
びそのジエステルとして次の化合物を挙げることができ
る。
−R3−8iR’ 8−rn Ok+m )p(Sto
w)q ・・・(1)NH,−R”−NH
,・・・II NHt −R’ −S i R’ B−kX’ k
・・・ (■)NH?−R’−81R’8−mX’
、、 −・・(■′)SiX”a
・・・(2)0.03≦−≦33 ・・・(
至)(ここにL%R”、R3、R4、k%m%n%p及
びqは上記のものと同じ意味であシ、Xl及びX2は独
立にアルコキシ基、アセトキシ基、ハロゲン又は水酸基
である。〕 一般式(至)で表わされるテトラカルボン酸二無水物及
びそのジエステルとして次の化合物を挙げることができ
る。
ピロメリット酸二無水物、3.3’、 4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物%212’t3.3′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2、3.3’
、 4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、 3
.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2.3.3’、 4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、2゜Z’、3.3’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−スルホンニ無水物、1゜2
.5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2.
3,6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物及び
それらとアルコールとのジエステル等。
ェニルテトラカルボン酸二無水物%212’t3.3′
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2、3.3’
、 4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、 3
.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、2.3.3’、 4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、2゜Z’、3.3’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス(3,4
−ジカルボキシフェニル)−スルホンニ無水物、1゜2
.5.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2.
3,6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物及び
それらとアルコールとのジエステル等。
また一般式(11Dで表わされるジアミンの具体例とし
ては次の化合物を挙げることができる。
ては次の化合物を挙げることができる。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4゜4′−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4′−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン
、4.4’−シ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニ
レンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン
、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4′−ジア
ミノベンゾフェノン、4.4’−ジアミノジフェニル−
2,2’−7’ロバ/、1.5−ジアミノナフタレン、
1.8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、トリ
メチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、4.4−ジメチルへブタメチレンジア
ミン、2.11−ドデカンジアミン等の脂肪族ジアミン
、ビス(p−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,
4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼ
ン等シリコン系ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキ
サン等の脂環式ジアミン、0−キシリレンジアミン、m
−キシリレンジアミン等のアミノアルキル置換芳香族化
合物、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナ
ミン類。また式(′V)で表わされる基の両末端にアミ
ノ基の付いたジアミノポリシロキサンとして次の化合物
を挙げることができる。
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4.4’−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4′−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン
、4.4’−シ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニ
レンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン
、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4′−ジア
ミノベンゾフェノン、4.4’−ジアミノジフェニル−
2,2’−7’ロバ/、1.5−ジアミノナフタレン、
1.8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、トリ
メチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメ
チレンジアミン、4.4−ジメチルへブタメチレンジア
ミン、2.11−ドデカンジアミン等の脂肪族ジアミン
、ビス(p−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,
4−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼ
ン等シリコン系ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキ
サン等の脂環式ジアミン、0−キシリレンジアミン、m
−キシリレンジアミン等のアミノアルキル置換芳香族化
合物、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナ
ミン類。また式(′V)で表わされる基の両末端にアミ
ノ基の付いたジアミノポリシロキサンとして次の化合物
を挙げることができる。
CH3CHs
CH3CH3
CHs CHa
CIs CHs
CtH5C2Hう
次に一般式(匍及びGl’)で表わされるアミノシリコ
ン化合物としては次の化合物を挙げることができる。
ン化合物としては次の化合物を挙げることができる。
NH2−(CHt)s−8i(OCHs)s、NHt−
(CH2)s−8I(OC2Hs)s、NHz−(CH
t)s−8t(CHs)(OCHs)7、NHt−(C
H2)s−8t(CHsXOCtHs)t 、NHt−
(CHt)s−8t(CtHsXOCsHy)t、NH
2−(CH2)4−8t(OCHs)いNHt−(CH
z)<−8t(OCtHs)いNHt−(CHt)4−
8i(CHnXOCtHs)t −NHt−Q−sl<
ocHs)s 、 NHt+5i(OCtHs)a 。
(CH2)s−8I(OC2Hs)s、NHz−(CH
t)s−8t(CHs)(OCHs)7、NHt−(C
H2)s−8t(CHsXOCtHs)t 、NHt−
(CHt)s−8t(CtHsXOCsHy)t、NH
2−(CH2)4−8t(OCHs)いNHt−(CH
z)<−8t(OCtHs)いNHt−(CHt)4−
8i(CHnXOCtHs)t −NHt−Q−sl<
ocHs)s 、 NHt+5i(OCtHs)a 。
NHt+81(CHsXOCHs)z、NHt−o−8
i (CHs )(OCtHs )t、NH,<ン(C
Ht)Si(QC)(s)s、NHt pン(C市)s
si(OCtHi)s、NH,<シ5t(CT(s)*
(OCzHs)、NHt−Q−st<cHs)s 等
。
i (CHs )(OCtHs )t、NH,<ン(C
Ht)Si(QC)(s)s、NHt pン(C市)s
si(OCtHi)s、NH,<シ5t(CT(s)*
(OCzHs)、NHt−Q−st<cHs)s 等
。
また一般式■で表わされるシリコン化合物としては次の
化合物を挙げることができる。
化合物を挙げることができる。
5t(OCHs)いS i (OCtHs )い5t(
OCsHy)4、s i (OC4H@ )いS i
(OCaBs )いS i (OCOCRll)4.5
t(OCRs)t(OCtHi)t、5t(OCsHs
)t(OH)t、SiCム 等。
OCsHy)4、s i (OC4H@ )いS i
(OCaBs )いS i (OCOCRll)4.5
t(OCRs)t(OCtHi)t、5t(OCsHs
)t(OH)t、SiCム 等。
本発明方法において上記の原料化合物を溶媒中で反応さ
せるための好ましい溶媒(以下反応溶媒と言うことがあ
る)としてN−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサ
メチルホスホンアミド、メチルホルムアミド、N−アセ
チル−2−ピロリドン、トルエン、キシレン、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル等の1禮又は2種以上を使用でき、また上記
溶媒を30重量体以上含有する他の溶媒との混合溶媒と
しても用いることができる。
せるための好ましい溶媒(以下反応溶媒と言うことがあ
る)としてN−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テ
トラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサ
メチルホスホンアミド、メチルホルムアミド、N−アセ
チル−2−ピロリドン、トルエン、キシレン、エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコール七ツメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチ
ルエーテル等の1禮又は2種以上を使用でき、また上記
溶媒を30重量体以上含有する他の溶媒との混合溶媒と
しても用いることができる。
次に反応方法について説明する。
式(ロ)で示されるテトラカルボン酸二無水物またはそ
のジエステル8モル、式■で示されるジアミン5モル、
式(Vl!I)及びα′)で示されるアミンシリコン化
合物Cモル及び弐〇で示されるシリコン化合物dモルと
を反応溶媒中で反応させる。
のジエステル8モル、式■で示されるジアミン5モル、
式(Vl!I)及びα′)で示されるアミンシリコン化
合物Cモル及び弐〇で示されるシリコン化合物dモルと
を反応溶媒中で反応させる。
この場合式(2)、(t’l、(■)及び(■′)の化
合物で反応を行なうことにより、反応性基であるX1金
その末端に有するポリアミック酸(又はポリイミド)が
得られる。これら4種の原料の添加IA序は如何なる順
序でも良いが式■と弐〇ltlの化合物の反応を行なっ
た後代〇111)及び(■′)の化合物を添加した方が
よシ高分子量のポリマーが得られる。反応は0〜200
℃の温度で0.2〜20時間行なうことができる。反応
温度が高いほどポリマー中のイミド基の比率がアミド酸
のそれに比して大になシ、またXlの一部も加水分解し
、シロキサン縮合によりより高分子量化する場合もちる
。あるいは少量の無水酢酸及び又はピリジン、インキノ
リン、イミダゾール類等の三級アコ二/を添加する等の
公知の方法で生成したポリアミド酸のアミド基の一部又
は全部を常温前後の温度でイミド基に変換することがで
きる。この第一段階の反応に於いてもし支障がなければ
予め式■の化合物を添加しておいてもよい。
合物で反応を行なうことにより、反応性基であるX1金
その末端に有するポリアミック酸(又はポリイミド)が
得られる。これら4種の原料の添加IA序は如何なる順
序でも良いが式■と弐〇ltlの化合物の反応を行なっ
た後代〇111)及び(■′)の化合物を添加した方が
よシ高分子量のポリマーが得られる。反応は0〜200
℃の温度で0.2〜20時間行なうことができる。反応
温度が高いほどポリマー中のイミド基の比率がアミド酸
のそれに比して大になシ、またXlの一部も加水分解し
、シロキサン縮合によりより高分子量化する場合もちる
。あるいは少量の無水酢酸及び又はピリジン、インキノ
リン、イミダゾール類等の三級アコ二/を添加する等の
公知の方法で生成したポリアミド酸のアミド基の一部又
は全部を常温前後の温度でイミド基に変換することがで
きる。この第一段階の反応に於いてもし支障がなければ
予め式■の化合物を添加しておいてもよい。
この反応混合物に弐〇で示されるシリコン化合物dモル
を添加した後、酸−及び/又は少量の水を必要により添
加し、50〜200℃で0.2〜30時間反応を行なう
。この際添加する鍼酸幹抄令≠午会饗及び水はシロキサ
ン縮合反応を促進するための公知の手段である。
を添加した後、酸−及び/又は少量の水を必要により添
加し、50〜200℃で0.2〜30時間反応を行なう
。この際添加する鍼酸幹抄令≠午会饗及び水はシロキサ
ン縮合反応を促進するための公知の手段である。
前記酸としては、鉱酸、有機酸、酸性イオン交換樹脂及
び担体に無機酸を担持させた固体酸性物質を例示するこ
とができる。
び担体に無機酸を担持させた固体酸性物質を例示するこ
とができる。
前記鉱酸としては塩酸、硫酸及び硝酸が好ましい。前記
有機酸としてはギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、
クエン酸、マロン酸、サリチル酸、クロル酢酸、フルオ
ロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等を
用いることができる。前記酸性イオン交換樹脂としては
、スルホン酸系の強酸性カチオン交換樹脂及び超強酸性
カチオン樹脂で、例えば商品名ダイヤイオン−8KIB
−H,ダイヤイオン−PK−228−H,アンバーライ
ト−IR−120B。
有機酸としてはギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、
クエン酸、マロン酸、サリチル酸、クロル酢酸、フルオ
ロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等を
用いることができる。前記酸性イオン交換樹脂としては
、スルホン酸系の強酸性カチオン交換樹脂及び超強酸性
カチオン樹脂で、例えば商品名ダイヤイオン−8KIB
−H,ダイヤイオン−PK−228−H,アンバーライ
ト−IR−120B。
アンバーライト−118、アンバーライト−112、ア
ンバーライト−122、アンバーライト−124、アン
バーライト−200C%ナフィオン−H等が好ましい。
ンバーライト−122、アンバーライト−124、アン
バーライト−200C%ナフィオン−H等が好ましい。
前記担体に無機酸を担持させた触媒としては、シリカ、
アルミナ−シリカ、ジルコニア及び活性炭に硫酸又はり
ん酸を担持させたもの等が“使用できる。
アルミナ−シリカ、ジルコニア及び活性炭に硫酸又はり
ん酸を担持させたもの等が“使用できる。
酸の添加量としては前記表現で1 / 10 (m c
+4d)モル以下が好ましく、またこれ以上存在しても
構わない。添加する水の量は((mc+4d)−(2b
+C)1モル以下でもよいが、これ以上存在した方が反
応速度は早くなる。
+4d)モル以下が好ましく、またこれ以上存在しても
構わない。添加する水の量は((mc+4d)−(2b
+C)1モル以下でもよいが、これ以上存在した方が反
応速度は早くなる。
式■は式(至)で示される酸無水物と式(2)並びに式
(VIID及びω′)で示されるアミン類とでイミドを
形成する場合のほぼ等量!関係を表わしておシ、また式
■はその下限未満ではポリイミドに近付き、上限を超え
る場合はシリコン化合物に近付き本発明の化合物の特徴
が軽減される。
(VIID及びω′)で示されるアミン類とでイミドを
形成する場合のほぼ等量!関係を表わしておシ、また式
■はその下限未満ではポリイミドに近付き、上限を超え
る場合はシリコン化合物に近付き本発明の化合物の特徴
が軽減される。
反応溶媒はこれと添加した原料との合計量基準で70重
量体以上使用するのがよい。これ以下では反応途中で液
がゲル化し、流動性を失なう場合があシ好ましくない。
量体以上使用するのがよい。これ以下では反応途中で液
がゲル化し、流動性を失なう場合があシ好ましくない。
このようにして対数粘度数が0.05〜5dllyの適
度の分子量の本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前
駆体(以下前駆体と略することもある。)を得ることが
できる。上記対数粘度数が0.05未溝の場合塗膜性が
不十分であり5を超えるものは合成することが困難であ
った。
度の分子量の本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前
駆体(以下前駆体と略することもある。)を得ることが
できる。上記対数粘度数が0.05未溝の場合塗膜性が
不十分であり5を超えるものは合成することが困難であ
った。
本発明方法により得られるシリコン含有可溶性ポリイミ
ド前駆体は基本的な構造は式(1)で表唆 るいは−8t−OHが存在する。そのため本発明の前駆
体を焼成することによりシロキサン縮合反応を進行させ
、分子間架橋により硬化、不溶化する。このようにして
本発明のBq R6俤杢冨から固体構造体を得ることが
できる。
ド前駆体は基本的な構造は式(1)で表唆 るいは−8t−OHが存在する。そのため本発明の前駆
体を焼成することによりシロキサン縮合反応を進行させ
、分子間架橋により硬化、不溶化する。このようにして
本発明のBq R6俤杢冨から固体構造体を得ることが
できる。
式(1)に於けるplqについてq/pが大になるにつ
れて得られた構造体はイミドの特性を弱めシリコン化合
物の特性を強める。q/p及びmが大になり、かつnが
小になるほど無機物(シリカ)の特性を強める。従って
熱膨張係数の低下及び硬度の上昇が著しくなる。従って
q/pは0.03〜33が好ましい。またR2がJO$
so、−@r(O−■掃(ただしrは0又は1)のと
き得られた前駆体は特に溶媒に対して溶解性の優れたも
のである。
れて得られた構造体はイミドの特性を弱めシリコン化合
物の特性を強める。q/p及びmが大になり、かつnが
小になるほど無機物(シリカ)の特性を強める。従って
熱膨張係数の低下及び硬度の上昇が著しくなる。従って
q/pは0.03〜33が好ましい。またR2がJO$
so、−@r(O−■掃(ただしrは0又は1)のと
き得られた前駆体は特に溶媒に対して溶解性の優れたも
のである。
次に本発明で得られる前駆体の使用方法について説明す
る。本発明によって製造した前駆体は殆んどの場合、フ
ェス等の如く溶媒に溶解した溶液の状態で使用されるか
ら、本発明方法で得られる溶液を濃縮または溶媒で稀釈
して使用するのが良い。溶媒としては反応溶媒と同じも
のを使用することができる。本発明で得られた前駆体の
溶媒から成形品を形成させる方法としては公知のどの様
な方法で行ってもよく、例えばガラス板、銅板、アルミ
ニウム板などに前駆体溶液を流した後、加熱することに
より溶媒を除去すると共に、シロキサン結合による架橋
が進行し硬くて強靭な皮膜が形成される。積層された複
合材料を形成させるためにはこの様な操作を逐次性なう
ことにより可能であるが、ワニスを接着剤として複数の
異質素材間に塗シ焼成するととKよシ積層された複合材
料を得ることができる。フィラーあるいはガラス繊維等
にワニスを含浸させ焼成硬化させることにより強化皮膜
を用いた積層材料を形成せしめることもまた可能である
。焼成条件は使用する溶媒、塗膜の厚さ等により異なる
が、50〜500 ”C1好ましくは200〜400℃
、0.5〜2時間位で十分である。
る。本発明によって製造した前駆体は殆んどの場合、フ
ェス等の如く溶媒に溶解した溶液の状態で使用されるか
ら、本発明方法で得られる溶液を濃縮または溶媒で稀釈
して使用するのが良い。溶媒としては反応溶媒と同じも
のを使用することができる。本発明で得られた前駆体の
溶媒から成形品を形成させる方法としては公知のどの様
な方法で行ってもよく、例えばガラス板、銅板、アルミ
ニウム板などに前駆体溶液を流した後、加熱することに
より溶媒を除去すると共に、シロキサン結合による架橋
が進行し硬くて強靭な皮膜が形成される。積層された複
合材料を形成させるためにはこの様な操作を逐次性なう
ことにより可能であるが、ワニスを接着剤として複数の
異質素材間に塗シ焼成するととKよシ積層された複合材
料を得ることができる。フィラーあるいはガラス繊維等
にワニスを含浸させ焼成硬化させることにより強化皮膜
を用いた積層材料を形成せしめることもまた可能である
。焼成条件は使用する溶媒、塗膜の厚さ等により異なる
が、50〜500 ”C1好ましくは200〜400℃
、0.5〜2時間位で十分である。
本発明の前駆体から得られた硬化物は耐熱性、機械的特
性、電気的特性及び接着性に優れているためガラス、セ
ラミック、シリコンウェハー及び各種金属酸化物等の各
種コーティング剤、液晶配向膜、接着剤あるいはガラス
繊維等の無機繊維に含浸させた後、焼成するととKより
得られる構造体等の用途が考えられる。
性、電気的特性及び接着性に優れているためガラス、セ
ラミック、シリコンウェハー及び各種金属酸化物等の各
種コーティング剤、液晶配向膜、接着剤あるいはガラス
繊維等の無機繊維に含浸させた後、焼成するととKより
得られる構造体等の用途が考えられる。
以下、実施例、比較例及び使用試験によって本発明を更
に具体的に説明するが本発明はこの実施例によって限定
されるものでないことは勿論である。
に具体的に説明するが本発明はこの実施例によって限定
されるものでないことは勿論である。
実施例1
かくはん装置、滴下漏斗、温度計、コンデンサーおよび
窒素置換装置を付した11のフラスコ内を窒素ガスによ
り置換した後、脱水精製した500fのエチルカルピト
ール及び2.529(0,0101モル)の3.3′−
ジアミノジフェニルスルホン(以下rDDSJと略記す
る。)を投入しかくはん下均−溶液にした。この溶液f
、30〜35℃に保ちつつ6.541 (0,0203
モル)ノ3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物(以下「BTDAJと略記する。、
)全添加し5時間反応を行なった後4.3:M(0,0
203モル)のアミノフェニルトリメトキシシラン(以
下rAPMsJと略記する。)(メタ体/パラ体−46
154)を添加し150 ’Cに昇温し3時間反応を行
なった。
窒素置換装置を付した11のフラスコ内を窒素ガスによ
り置換した後、脱水精製した500fのエチルカルピト
ール及び2.529(0,0101モル)の3.3′−
ジアミノジフェニルスルホン(以下rDDSJと略記す
る。)を投入しかくはん下均−溶液にした。この溶液f
、30〜35℃に保ちつつ6.541 (0,0203
モル)ノ3.3’、 4.4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物(以下「BTDAJと略記する。、
)全添加し5時間反応を行なった後4.3:M(0,0
203モル)のアミノフェニルトリメトキシシラン(以
下rAPMsJと略記する。)(メタ体/パラ体−46
154)を添加し150 ’Cに昇温し3時間反応を行
なった。
その後42.28IC0,203モル)のテトラエトキ
シシラン、5fの酢酸及び35fの水を添加し60℃で
18時間反応を行なった。この時点で溶液中からは未反
応のテトラエトキシシランは検出されなくなった。得ら
れた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体は赤
褐色透明液であり、その対数粘度数はo、1stt7y
であシ、赤外線吸収スペクトルを第1図に示した。
シシラン、5fの酢酸及び35fの水を添加し60℃で
18時間反応を行なった。この時点で溶液中からは未反
応のテトラエトキシシランは検出されなくなった。得ら
れた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体は赤
褐色透明液であり、その対数粘度数はo、1stt7y
であシ、赤外線吸収スペクトルを第1図に示した。
これによると前記前駆体はイミド基を多量に含み、アミ
ック酸は殆ど含んでいなかった。
ック酸は殆ど含んでいなかった。
実施例2
実施例1と同様の装置及び方法で、26.31g(0,
0608モル)のビス(4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン(以下rBAPsJと略記する。)
を500gのエチ・シカルビトール中に投入した後、2
2.39f(0,0695モル)のBTDAを添加し3
0℃で6時間、さらに8.349(0,0157モル)
のAPMS(メタ体/パラ体虐46154 )を添加し
2時間反応を行なった。その後36.20f(0,17
4モル)のテトラエトキシシラン、6.51の酢酸及び
6fの水を添加し60℃で200時間反応行なった。こ
の時点で未反応のテトラエトキシシランは検出されなく
なった。
0608モル)のビス(4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン(以下rBAPsJと略記する。)
を500gのエチ・シカルビトール中に投入した後、2
2.39f(0,0695モル)のBTDAを添加し3
0℃で6時間、さらに8.349(0,0157モル)
のAPMS(メタ体/パラ体虐46154 )を添加し
2時間反応を行なった。その後36.20f(0,17
4モル)のテトラエトキシシラン、6.51の酢酸及び
6fの水を添加し60℃で200時間反応行なった。こ
の時点で未反応のテトラエトキシシランは検出されなく
なった。
得られた本発明のシリコン含有可溶性ボ、リイミド前駆
体の対数粘度数は0.32dl/Iであり、赤外線吸収
スペクトルによるとこの前駆体は多量のアミック酸°を
含みイミド基を殆ど含んでいなかった。
体の対数粘度数は0.32dl/Iであり、赤外線吸収
スペクトルによるとこの前駆体は多量のアミック酸°を
含みイミド基を殆ど含んでいなかった。
実施例3
実施例1と同様の装置及び方法で、25oyのN−メチ
ル−2−ピロリドン及び2509の2−メトキシエタノ
ールの混合溶媒中に31.74F(0,143モル)の
3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下「APs
−EJと略記する。)10.91f(0,0717−+
=ル)のテ)ラメトキシシラン及び14.35g(0,
0716モル)の4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下「DDE」と略記する。)を投入し溶解させ均
一溶液を調4した。この溶液を25℃に保ちつつ31.
27F(0,143モル)のピロメリット酸二無水物を
投入し2時間反応を行なった後、60℃で6時間反応を
行なった。その後5.5fの酢酸及び4fの水を添加し
80℃で4時間反応を行なった。この時点で未反応のテ
トラメトキシシランは溶液中からはもはや検出されなか
った。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の対数粘度数は0.082dl/11であり、赤
外線吸収スペクトルによるとこの前駆体はアミック酸を
多量に含み、イミド基を殆ど含んでいなかった。
ル−2−ピロリドン及び2509の2−メトキシエタノ
ールの混合溶媒中に31.74F(0,143モル)の
3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下「APs
−EJと略記する。)10.91f(0,0717−+
=ル)のテ)ラメトキシシラン及び14.35g(0,
0716モル)の4.4′−ジアミノジフェニルエーテ
ル(以下「DDE」と略記する。)を投入し溶解させ均
一溶液を調4した。この溶液を25℃に保ちつつ31.
27F(0,143モル)のピロメリット酸二無水物を
投入し2時間反応を行なった後、60℃で6時間反応を
行なった。その後5.5fの酢酸及び4fの水を添加し
80℃で4時間反応を行なった。この時点で未反応のテ
トラメトキシシランは溶液中からはもはや検出されなか
った。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の対数粘度数は0.082dl/11であり、赤
外線吸収スペクトルによるとこの前駆体はアミック酸を
多量に含み、イミド基を殆ど含んでいなかった。
実施例4
実施例1と同様の装置及び方法で、300fのN−メチ
ル−2−ピロリドン及び200fの2−メトキシメタノ
ールの混合溶媒中に16.28F(0,0813モル)
のDDEt−溶解させ、これに38.811(0,10
8モル)のビス(3゜4−ジカルボキシフェニル)−ス
ルホンニ無水物(以下rDsDAJと略記する。)f:
添加し20℃で5時間反応を行なった後11.411(
0,0596モル)の3−アミノプロピルメチルジェト
キシシランを添加し90℃で2時間反応を行なった。コ
ノ溶液に1.65F(0,0108そル)のテトラメト
キシシラン、2.59の濃塩酸及び3yの水を添加し、
50″Cで10時間反応を行なった。この時点でテトラ
メトキシシランは検出されなくなった。得られた本発明
のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は
0.20dt/gであシ、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
ル−2−ピロリドン及び200fの2−メトキシメタノ
ールの混合溶媒中に16.28F(0,0813モル)
のDDEt−溶解させ、これに38.811(0,10
8モル)のビス(3゜4−ジカルボキシフェニル)−ス
ルホンニ無水物(以下rDsDAJと略記する。)f:
添加し20℃で5時間反応を行なった後11.411(
0,0596モル)の3−アミノプロピルメチルジェト
キシシランを添加し90℃で2時間反応を行なった。コ
ノ溶液に1.65F(0,0108そル)のテトラメト
キシシラン、2.59の濃塩酸及び3yの水を添加し、
50″Cで10時間反応を行なった。この時点でテトラ
メトキシシランは検出されなくなった。得られた本発明
のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は
0.20dt/gであシ、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
実施例5
実施例1と同様の装置及び方法で、5ooyのメチルカ
ルピトール中に2.579 (0,0104%ル)OD
DS及び5.2 s f (o、o 238モル)のA
PS−Eを添加し、これに7.699(0,0239モ
ル)OBTDAt添加し、160℃で12時間反応を行
なった。さらに72.65F(0,477モル)のテト
ラメトキシシラン、12Fの酢酸及び25 fの水を添
加し、75℃で12時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本
発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度
数は0.27dt/gであり、赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体は多量のイミド基を含み、アミック酸
を殆ど含んでいなかった。
ルピトール中に2.579 (0,0104%ル)OD
DS及び5.2 s f (o、o 238モル)のA
PS−Eを添加し、これに7.699(0,0239モ
ル)OBTDAt添加し、160℃で12時間反応を行
なった。さらに72.65F(0,477モル)のテト
ラメトキシシラン、12Fの酢酸及び25 fの水を添
加し、75℃で12時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本
発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度
数は0.27dt/gであり、赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体は多量のイミド基を含み、アミック酸
を殆ど含んでいなかった。
実施例6
実施例1と同様の装置及び方法で、500fの2−エト
キシエタノール中に17.989(0,0502モル)
のDSDAを添加し135℃で5時間還流させ酸無水物
のエステル化を行なった。この溶液に10.8610.
0251モル)のBAPS及び7.659 (0,04
27モル)の3−アミノプロピルトリメトキシシランを
添加し135℃で6時間還流させた。この溶液を冷却し
、70℃に保ったまま38.22N(0,251モル)
のテトラメトキシシラン、15fの酢酸及び409の水
を添加し、70℃で12時間反応を行なった。この時点
で未反応のトリメトキシシランは検出されなくなった。
キシエタノール中に17.989(0,0502モル)
のDSDAを添加し135℃で5時間還流させ酸無水物
のエステル化を行なった。この溶液に10.8610.
0251モル)のBAPS及び7.659 (0,04
27モル)の3−アミノプロピルトリメトキシシランを
添加し135℃で6時間還流させた。この溶液を冷却し
、70℃に保ったまま38.22N(0,251モル)
のテトラメトキシシラン、15fの酢酸及び409の水
を添加し、70℃で12時間反応を行なった。この時点
で未反応のトリメトキシシランは検出されなくなった。
得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体
の対数粘度数は0.77dl/gであり、赤外線吸収ス
ペクトルによると前記前駆体は多量のイミド基を含みア
ミック酸を殆ど含んでいなかった。
の対数粘度数は0.77dl/gであり、赤外線吸収ス
ペクトルによると前記前駆体は多量のイミド基を含みア
ミック酸を殆ど含んでいなかった。
実施例7
実施例1と同様の装置及び方法で500fのエチルカル
ピトール中に14.41 f (0,0490モル)の
3.3’、 4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物及び15.78N(0,0490モル)のBTD
A?添加し、150℃で3時間反応を行ない酸無水物の
エステル化を行なった。
ピトール中に14.41 f (0,0490モル)の
3.3’、 4.4’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物及び15.78N(0,0490モル)のBTD
A?添加し、150℃で3時間反応を行ない酸無水物の
エステル化を行なった。
これに14.599のDDS及び21.699(0,0
980モル)のAPS−Eを添加し、150℃で5時間
反応を行なった。この溶液を60℃に冷却し14.91
f(0,0980モル)のテトラメトキシシラン、4g
の酢酸及び3fの水を添加し21時間反応を行った。こ
の時点で未反応のテトラメトキシシランが検出されなく
なった。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミ
ド前駆体の対数粘度数は1.30d//gであシ、°赤
外線吸収スペクトルによると前記前駆体は多量のイミド
基を含み、アミック酸を殆ど含んでいなかった。
980モル)のAPS−Eを添加し、150℃で5時間
反応を行なった。この溶液を60℃に冷却し14.91
f(0,0980モル)のテトラメトキシシラン、4g
の酢酸及び3fの水を添加し21時間反応を行った。こ
の時点で未反応のテトラメトキシシランが検出されなく
なった。得られた本発明のシリコン含有可溶性ポリイミ
ド前駆体の対数粘度数は1.30d//gであシ、°赤
外線吸収スペクトルによると前記前駆体は多量のイミド
基を含み、アミック酸を殆ど含んでいなかった。
実施例8
実施例4に於いて濃塩酸を添加しないで二段目の反応を
22時間行なった。この時点で反応液から未反応のテト
ラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本発
明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数
は0.023ttt7yであり、赤外線吸収スペクトル
によると前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存
していた。
22時間行なった。この時点で反応液から未反応のテト
ラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本発
明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数
は0.023ttt7yであり、赤外線吸収スペクトル
によると前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存
していた。
実施例9
実施例4に於いて水を添加しないで二段目の反応を16
時間行なった。この時点で反応液から未反応のテトラメ
トキシシランは検出されなくなった。得られた本発明の
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は0
.021d//yであり、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
時間行なった。この時点で反応液から未反応のテトラメ
トキシシランは検出されなくなった。得られた本発明の
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は0
.021d//yであり、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存してい
た。
実施例10
実施例4に於いて濃塩酸及び水を添加しないで二段目の
反応を28時間行なった。この時点で反応液から未反応
のテトラメトキシシランは検出されなくなった。得られ
た本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数
粘度数は0.024dl/gでS1シ、赤外線吸収スペ
クトルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基と
が共存していた。
反応を28時間行なった。この時点で反応液から未反応
のテトラメトキシシランは検出されなくなった。得られ
た本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数
粘度数は0.024dl/gでS1シ、赤外線吸収スペ
クトルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基と
が共存していた。
比較例1
実施例1と同様の装置及び方法で55.56F(0,2
67モル)のテトラエトキシシラン、ωfの水及び5.
51の酢酸’1500fのメチルカルピトール中に添加
し、80℃で18時間反応を行なった。この時点で反応
液から未反応のテトラエトキシシランは検出されず、無
色透明のテトラエトキシシランオリゴマーが得うれた。
67モル)のテトラエトキシシラン、ωfの水及び5.
51の酢酸’1500fのメチルカルピトール中に添加
し、80℃で18時間反応を行なった。この時点で反応
液から未反応のテトラエトキシシランは検出されず、無
色透明のテトラエトキシシランオリゴマーが得うれた。
比較例2
実施例1と同様の装置及び方法で500fのエチルカル
ピトール中に44.61N(0,103モル)のBAP
S’に添加し溶解させた。この溶液を25℃に保ちつツ
37.98 ’! (0,118%ル)のBTDAを添
加し5時間反応を行なった後、5.569 (0,02
65モル)ノAPMS’&添加しさらに2時間反応を行
なうことによりポリアミック酸の溶液を得た。
ピトール中に44.61N(0,103モル)のBAP
S’に添加し溶解させた。この溶液を25℃に保ちつツ
37.98 ’! (0,118%ル)のBTDAを添
加し5時間反応を行なった後、5.569 (0,02
65モル)ノAPMS’&添加しさらに2時間反応を行
なうことによりポリアミック酸の溶液を得た。
なお参考のため実施例1〜1o及び比較例1〜2で使用
した原料のita% b、c、aモル並a
B た。
した原料のita% b、c、aモル並a
B た。
使用試験l
実施例1〜10及び比較例1〜2で合成した各ワニスを
ガラス板上に塗布し、電気炉中で300℃,1時間焼成
することによりガラス板上に膜厚1.5μの皮膜を形成
せしめた。それらの塗膜性、表面硬度及び耐熱性として
高温に熱したときの重量減を測定した結果を第2表に示
した。
ガラス板上に塗布し、電気炉中で300℃,1時間焼成
することによりガラス板上に膜厚1.5μの皮膜を形成
せしめた。それらの塗膜性、表面硬度及び耐熱性として
高温に熱したときの重量減を測定した結果を第2表に示
した。
尚、第2表において、表面硬度とはJIS K5400
で測定した鉛筆硬度を表わす。塗膜性は上記焼成によシ
形成した皮膜を見視により判断し、(1)該皮膜がガラ
ス板全面にほぼ均一の厚みで形成されていること、(2
)膜表面が滑らかであること、及び(3)クラックの発
生がないこと、をもって「良好」とした。重量減は、真
空理工■裂熱天秤TGD5000t−使用して常温より
10℃/分の昇温速度で700℃まで昇温したときの重
量減を「減量(へ)」として表わした。
で測定した鉛筆硬度を表わす。塗膜性は上記焼成によシ
形成した皮膜を見視により判断し、(1)該皮膜がガラ
ス板全面にほぼ均一の厚みで形成されていること、(2
)膜表面が滑らかであること、及び(3)クラックの発
生がないこと、をもって「良好」とした。重量減は、真
空理工■裂熱天秤TGD5000t−使用して常温より
10℃/分の昇温速度で700℃まで昇温したときの重
量減を「減量(へ)」として表わした。
第2表
(発明の効果〕
本発明の前駆体は適度な対数粘度数を有しているのでそ
の溶液の粘性は適度であって塗布は良好に行なうことが
できる。また塗布膜々どの焼成によりシロキサン縮合反
応が進行し、分子間結合によシ硬くて強靭な皮膜が形成
されるとともにガラス、セラミック、シリコンウェハー
及び各種金属酸化物等に対して強力な接着作用を示す。
の溶液の粘性は適度であって塗布は良好に行なうことが
できる。また塗布膜々どの焼成によりシロキサン縮合反
応が進行し、分子間結合によシ硬くて強靭な皮膜が形成
されるとともにガラス、セラミック、シリコンウェハー
及び各種金属酸化物等に対して強力な接着作用を示す。
しかも熱膨張係数を無機化合物の近く゛まで低下させる
ことが可能なため無機化合物との積層材料として好まし
い。さらに無機化合物の欠点である脆さを改善している
ため表面コーティング剤としてより厚膜の形成が可能で
あると同時にポリイミド等の有機膜に比較して高硬度で
ある。
ことが可能なため無機化合物との積層材料として好まし
い。さらに無機化合物の欠点である脆さを改善している
ため表面コーティング剤としてより厚膜の形成が可能で
あると同時にポリイミド等の有機膜に比較して高硬度で
ある。
第1図は実施例1で得、られた本発明のシリコン含有可
溶性ポリイミド前駆体の赤外線吸収スペクトルである。 以上 リ Q ○ ○ o
Oす0 0) to
−5cJ手続補正書 桑 昭和63年11月10日
溶性ポリイミド前駆体の赤外線吸収スペクトルである。 以上 リ Q ○ ○ o
Oす0 0) to
−5cJ手続補正書 桑 昭和63年11月10日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)下記一般式( I )で表わされる構造を主成分と
し、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測
定された対数粘度数が0.05〜5dl/gであるシリ
コン含有可溶性ポリイミド前駆体。 〔R^4_3_−_kSi−R^3−L−{R^2−L
}_n−R^3−SiR^4_3_−_mO_(_k_
+_m_)_/_2〕_p〔SiO_2〕_q・・・・
・( I ) (ここにLは独立に下記の式(II)、(III)及び(IV
)▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(IV) のいずれかの構成単位を表わし、(II)、(III)及び
(IV)式に於いてR^1は4価の炭素環式芳香族基を表
わし、1つのイミドを形成する2つのカルボニル基又は
1つのアミド基と1つのカルボキシル基は互にオルト位
に付いており;( I )式に於いてR^2は炭素数2〜
12個の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、炭素
数6〜30個の芳香脂肪族基、炭素数6〜30個の炭素
環式芳香族基、次式(V)で表わされるポリシロキサン
基、▲数式、化学式、表等があります▼・・・(V) (ここにR^5は独立に−(CH_2)_s−、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼であり(ただしsは
1〜4の整数を示す。)、R^6は独立に炭素数1〜6
のアルキル基、フェニル基または炭素数7〜12個のア
ルキル置換フエニル基を表わし、lは1≦l≦100の
値をとる。) または式 ▲数式、化学式、表等があります▼(ただし、ここにR
^7は炭素 数8以下の脂肪族基、芳香脂 肪族基または水素を表わす。) で表わされる基であり、R^3は−(CH_2)_s−
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼であり(ただしここ
にsは1〜4の整数を表わす。)、R^4は独立に炭素
数1〜6のアルキル基、フエニル基または炭素数7〜1
2個のアルキル置換フエニル基を表わし、kは0≦k≦
3の整数であり、mは0≦m≦3の整数であり、k+m
≧1であり、nは1以上の整数であり、p及びqは正の
整数である。 また前記対数粘度数とは次式で表わされる 〔ηinh〕である。 ηinh=(lnη/η_0)/C (ここにηはウベローデ粘度計を使用し溶媒中、温度3
0±0.01℃;濃度0.5g/dlで測定した値であ
り、η_0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒の
測定値であり、Cは濃度0.5g/dlである。)〕 (2)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼ (ただしrは0又は1)であり、R^3は独立に▲数式
、化学式、表等があります▼で表わされる基であること
を特徴とする第(1)項記載のシリコン含有可溶性ポリ
イミド前駆体。 (3)前記kがk=3であり、mがm=3であることを
特徴とする第(1)項又は第(2)項記載のシリコン含
有可溶性ポリイミド前駆体。 (4)下記一般式(VI)で表わされる酸無水物またはそ
のジエステルaモル、一般式(VII)で表わされる化合
物bモル、一般式(VIII)及び(VIII′)で表わされる
化合物cモル及び一般式(IX)で表わされる化合物dモ
ルを下記式(X)及び式(X I )の範囲の混合比のも
とで70重量%以上の溶媒の存在下、前記5種の化合物
を混合し、0〜200℃の温度で0.2〜20時間反応
を行なつた後、又は前四者(一般式(VI)〜(VIII′)
で表わされる化合物)を任意の順序で混合し、0〜20
0℃の温度で0.2〜10時間反応を行ない、後者(一
般式(IX)で表わされる化合物)を添加した後、酸及び
/又は少量の水を必要により添加し、50〜200℃で
0.2〜30時間反応を行なうことを特徴とする対数粘
度数が0.05〜5dl/gで一般式( I )で表わさ
れる構造を主成分とするシリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の製造法。 (R^4_3_−_kSi−R^3−L−{R^2−L
}_n−R^3−SiR^4_3_−_mO_(_k_
+_m_)_/_2〕_p〔SiO_2〕_q・・・(
I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(VI) NH_2−R^2−NH_2・・・(VII) NH_2−R^3−SiR^4_3_−_kX^1_k
・・・(VIII)NH_2−R^3−SiR^4_3_−
_mX^1_m・・・(VIII′)SiX^2_4・・・
(IX) 1.8≦(2b+c)/a≦2.2・・・(X)0.0
3≦d/a≦33・・・(X I ) (ここにL、R^2、R^3、R^4、k、m、n、p
及びqは第(1)項記載のものと同じ意味であり、前記
対数粘度数は第(1)項で定義したものであり、X^1
及びX^2は独立にアルコキシ基、アセトキシ基、ハロ
ゲン又は水酸基である。) (5)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼ (ただしrは0又は1)であり、R^3は独立に▲数式
、化学式、表等があります▼で表わされる基であること
を特徴とする第(4)項記載のシリコン含有可溶性ポリ
イミド前駆体の製造法。 (6)前記mがm=3であることを特徴とする第(4)
項若しくは第(5)項記載のシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283728A JP2628322B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 |
| DE3852987T DE3852987T2 (de) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | Silizium enthaltendes Polyimid-Prepolymer, davon abgeleitete ausgehärtete Produkte und Verfahren zu deren Herstellung. |
| KR1019880014686A KR910008341B1 (ko) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | 실리콘-함유 가용성 폴리이미드 전구체, 이의 경화 물질, 및 이의 제조방법 |
| EP88310548A EP0316154B1 (en) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | Silicon-containing polyimide precursor, cured product therefrom, and preparation thereof |
| US07/269,299 US4970283A (en) | 1987-10-11 | 1988-11-10 | Silicon-containing soluble polyimide precursor, its cured material, and method for preparing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283728A JP2628322B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126331A true JPH01126331A (ja) | 1989-05-18 |
| JP2628322B2 JP2628322B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=17669324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283728A Expired - Lifetime JP2628322B2 (ja) | 1987-10-11 | 1987-11-10 | シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628322B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126332A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Chisso Corp | シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 |
| US5272222A (en) * | 1991-05-29 | 1993-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Curable resin compositions and electronic part protective coatings |
| CN110372895A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-10-25 | 重庆文理学院 | 一种低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP62283728A patent/JP2628322B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126332A (ja) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Chisso Corp | シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 |
| US5272222A (en) * | 1991-05-29 | 1993-12-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Curable resin compositions and electronic part protective coatings |
| CN110372895A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-10-25 | 重庆文理学院 | 一种低热膨胀系数二氧化硅/聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628322B2 (ja) | 1997-07-09 |
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