JPH01126332A - シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 - Google Patents
シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法Info
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Landscapes
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法
に関する。
に関する。
ポリイミド樹脂は有機高分子化合物としては最高水準の
耐熱性と低熱膨脹率等の特性を有しているがこれらの特
性も無機化合物に比較すれば見劣りするものである。こ
の表面硬度及び耐摩耗性等を改良するため秤無機物を充
填する等の手段により無機物に近付ける努力がなされる
場合がある。しかしこの様な場合無機物とポリイミド樹
脂との界面での破壊が問題となり必ずしも好ましいもの
ではない。
耐熱性と低熱膨脹率等の特性を有しているがこれらの特
性も無機化合物に比較すれば見劣りするものである。こ
の表面硬度及び耐摩耗性等を改良するため秤無機物を充
填する等の手段により無機物に近付ける努力がなされる
場合がある。しかしこの様な場合無機物とポリイミド樹
脂との界面での破壊が問題となり必ずしも好ましいもの
ではない。
一方無機物の場合シリカを例にとれば耐熱性は勿論、低
熱膨脹率及び高硬度等の実用上好ましい特性を有してい
るが脆く、また加工成形が困難である等の欠点のため、
その用途が制約される。加工成形性を賦与するためにけ
い素の結合手の一部をアルキル基に置き換えた化合物が
各種合成されている。こ、れらは例えばポリジメチルシ
ロキサン等の様にそれなりの成功を収めているが耐熱性
が著しく低下したり、熱膨張率が著しく増大したり、硬
度が著しく低下する等の欠点を有している。ポリイミド
とシリコン化合物を化学的に結合させる努力は既に多く
報告されている(例えば特開昭57−143328号公
報、特開昭58−7473号公報又は特開昭58−13
631号公報等)。これらはポリイミドの原料であるジ
アミン成分の一部をジアミンで両末端停止したポリジシ
ロキサンで置き換えたものである。
熱膨脹率及び高硬度等の実用上好ましい特性を有してい
るが脆く、また加工成形が困難である等の欠点のため、
その用途が制約される。加工成形性を賦与するためにけ
い素の結合手の一部をアルキル基に置き換えた化合物が
各種合成されている。こ、れらは例えばポリジメチルシ
ロキサン等の様にそれなりの成功を収めているが耐熱性
が著しく低下したり、熱膨張率が著しく増大したり、硬
度が著しく低下する等の欠点を有している。ポリイミド
とシリコン化合物を化学的に結合させる努力は既に多く
報告されている(例えば特開昭57−143328号公
報、特開昭58−7473号公報又は特開昭58−13
631号公報等)。これらはポリイミドの原料であるジ
アミン成分の一部をジアミンで両末端停止したポリジシ
ロキサンで置き換えたものである。
特公昭5B−32162号公報では両末端反応性シリコ
ン化合物で停止したポリアミド酸と両末端水酸基を有す
るポリジシロキサンを混合して加熱することによりシロ
キサン基含有架拾ポリイミドが提案されている。さらに
シリカ膜を形成する方法として例えばアルコキシシラン
又はアセトキシシランの反応性シランを焼成する方法が
提案されている(例えば特公昭52−16488号公報
、特公昭52−20825号公報、特開昭55−342
58号公報、特開昭61−250032号公報、米国特
許4,408゜009号公報)0 〔発明が解決しようとする問題点〕 前記の特開昭57−143328号公報、特開昭58−
7473号公報、特開昭58−13631号公報に記載
のものは、ポリジメチルシロキサン等と同様、耐熱性が
著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり、硬度
が著しく低下する等の欠点を依然として有している。
ン化合物で停止したポリアミド酸と両末端水酸基を有す
るポリジシロキサンを混合して加熱することによりシロ
キサン基含有架拾ポリイミドが提案されている。さらに
シリカ膜を形成する方法として例えばアルコキシシラン
又はアセトキシシランの反応性シランを焼成する方法が
提案されている(例えば特公昭52−16488号公報
、特公昭52−20825号公報、特開昭55−342
58号公報、特開昭61−250032号公報、米国特
許4,408゜009号公報)0 〔発明が解決しようとする問題点〕 前記の特開昭57−143328号公報、特開昭58−
7473号公報、特開昭58−13631号公報に記載
のものは、ポリジメチルシロキサン等と同様、耐熱性が
著しく低下したり、熱膨脹率が著しく増大したり、硬度
が著しく低下する等の欠点を依然として有している。
特公昭58−32162号公報に記載のものは、無機化
合物との親和性には優れているが、熱膨脹率の低い材料
は得られない。
合物との親和性には優れているが、熱膨脹率の低い材料
は得られない。
また前記アルコキシシラン又はアセトキシシい数千オン
グストロームの薄膜しか得られない。
グストロームの薄膜しか得られない。
このように従来の技術には種々の問題点があり、無機材
料と有機材料の中間を埋める材料の開発が要望されてい
た。
料と有機材料の中間を埋める材料の開発が要望されてい
た。
本発明の目的は、塗布などの皮膜の形成に適切な粘性を
有し、該皮膜の焼成により、耐熱性にすぐれ、硬く、低
熱膨張率の強靭な皮膜で、しかも強力な接着力を有する
皮膜を形成するシリコン含有ポリイミド硬化物及びその
製造方法を提供することにある。
有し、該皮膜の焼成により、耐熱性にすぐれ、硬く、低
熱膨張率の強靭な皮膜で、しかも強力な接着力を有する
皮膜を形成するシリコン含有ポリイミド硬化物及びその
製造方法を提供することにある。
本発明者等は上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研
死を行なった結果本発明に到達した。
死を行なった結果本発明に到達した。
すなわち、本発明は下記一般式(1)で表わされる構造
を主成分とするシリコン含有ポリイミド硬化物及びその
製造方法である。
を主成分とするシリコン含有ポリイミド硬化物及びその
製造方法である。
[R;−ksl−R”−L十R2−L+nR”−9iR
;、%1.’l、(8i0z〕、。
;、%1.’l、(8i0z〕、。
・・・・・・(1)
〔ここにLは下記の式(1)で表わされR1は4価の炭
素環式芳香族基を表わし、1つのイミドを形成する2つ
のカルボニル基は互にオルト位に付いており、(り弐に
於いてR2は炭素数2〜12個の脂肪族基、炭素数4〜
30個の脂環式基、炭素数6〜30個の芳香脂肪族基、
炭素数6〜30個の炭素環式芳香族基、次式(1)で表
わされるポリシロキサン基、 (ココK R’ ハ独立K (CHz )−1(CH
z)f3Cys−(CH! )、9−0べ”’J *
タけ−f5 −cあり(ただしSは1〜4の整数を示す
。)、R6は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数7〜12個のプルキル置換フェニル基
を表わし、lはl≦l≦100の値をとる。) または式 で表わされる基であり、R3は−(CH2)s−1であ
り(ただしここに8は1〜4の整数を表わす。)、R4
は独立に炭素数l〜6のアルキル基、フェニル基または
炭素数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、
kは0≦に≦3であり、mはO≦m≦3であり、k+m
≧1であり1nは1以上の整数であり、V及びWは正の
整数である。〕 前記硬化物は、下記一般式(IT)で表わされ、溶媒中
30±0.01℃で濃度0.5 f/lllで測定され
た対数粘度数が0.05〜5dl/fであるシ1」コン
含有可溶性ポリイミド前駆体を主成分として含有する溶
液を50〜5oo℃で加熱することにより溶媒を蒸発さ
せると共に、該前駆体を架橋硬化させることにより製造
することができる。
素環式芳香族基を表わし、1つのイミドを形成する2つ
のカルボニル基は互にオルト位に付いており、(り弐に
於いてR2は炭素数2〜12個の脂肪族基、炭素数4〜
30個の脂環式基、炭素数6〜30個の芳香脂肪族基、
炭素数6〜30個の炭素環式芳香族基、次式(1)で表
わされるポリシロキサン基、 (ココK R’ ハ独立K (CHz )−1(CH
z)f3Cys−(CH! )、9−0べ”’J *
タけ−f5 −cあり(ただしSは1〜4の整数を示す
。)、R6は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニ
ル基または炭素数7〜12個のプルキル置換フェニル基
を表わし、lはl≦l≦100の値をとる。) または式 で表わされる基であり、R3は−(CH2)s−1であ
り(ただしここに8は1〜4の整数を表わす。)、R4
は独立に炭素数l〜6のアルキル基、フェニル基または
炭素数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表わし、
kは0≦に≦3であり、mはO≦m≦3であり、k+m
≧1であり1nは1以上の整数であり、V及びWは正の
整数である。〕 前記硬化物は、下記一般式(IT)で表わされ、溶媒中
30±0.01℃で濃度0.5 f/lllで測定され
た対数粘度数が0.05〜5dl/fであるシ1」コン
含有可溶性ポリイミド前駆体を主成分として含有する溶
液を50〜5oo℃で加熱することにより溶媒を蒸発さ
せると共に、該前駆体を架橋硬化させることにより製造
することができる。
(R’ 5i−R”−tr+R”シ+nR*−5IRH
,oΔ、Cs1oz〕。
,oΔ、Cs1oz〕。
3−に2
・・・・・・(W)
〔ここにL′は独立に下記の式(V)、(Vl)及び(
ロ)のいずれかの構成単位を表わし、(v)、(■)及
び(ロ)式におけるR1並びにR2、R3、R4、k、
m及びnは前記の本のと同じ意味を表わり、s p及び
qは正の整数である。また前記対数粘度数とは次式で表
わされる〔η1!Lh〕である。
ロ)のいずれかの構成単位を表わし、(v)、(■)及
び(ロ)式におけるR1並びにR2、R3、R4、k、
m及びnは前記の本のと同じ意味を表わり、s p及び
qは正の整数である。また前記対数粘度数とは次式で表
わされる〔η1!Lh〕である。
Inη/η。
ηinh: c
(ここでηはウベローデ粘度計を使用し、溶媒中、温度
30 ±0.0 ’1℃、濃度0,5 t7ai テi
ll定した値であり、刀。は同粘度計を使用し、同温度
における同溶媒の測定値であり、Cは濃度0.5 t/
dlである。)〕 本発明のシリコン含有ポリイミド硬化物は、一般式(I
)で表わされる構造を主成分として有する硬化物である
が、この硬化物は、一般式@)で表わされ、溶媒中の対
数粘度数が0.05〜5at7tであるシリコン含有可
溶性ポリイミド前駆体を主成分とする溶液を、50〜5
00℃に加熱することにより溶媒を蒸発させると共に1
該前駆体を架橋硬化させて得るものであるが、この前駆
体は代表例としてテトラカルボ/酸二無水物またはその
ジエステルとジアミンとアミンシリコン化合物とシリコ
ン化合物とを反応溶媒中で反応させて得ることが好適で
ある。
30 ±0.0 ’1℃、濃度0,5 t7ai テi
ll定した値であり、刀。は同粘度計を使用し、同温度
における同溶媒の測定値であり、Cは濃度0.5 t/
dlである。)〕 本発明のシリコン含有ポリイミド硬化物は、一般式(I
)で表わされる構造を主成分として有する硬化物である
が、この硬化物は、一般式@)で表わされ、溶媒中の対
数粘度数が0.05〜5at7tであるシリコン含有可
溶性ポリイミド前駆体を主成分とする溶液を、50〜5
00℃に加熱することにより溶媒を蒸発させると共に1
該前駆体を架橋硬化させて得るものであるが、この前駆
体は代表例としてテトラカルボ/酸二無水物またはその
ジエステルとジアミンとアミンシリコン化合物とシリコ
ン化合物とを反応溶媒中で反応させて得ることが好適で
ある。
このテトラカルボン酸二無水物またはそのジエステルと
しては、次の化合物を例示することができる。
しては、次の化合物を例示することができる。
ピロメリット醒二無水物、3.3’ 、4.4’−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2.2’ 、3.3
’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3゜3
1 、41−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3
.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ/酸二
無水物、2,3.3’、4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、2.2’、3.3’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)−スルホンニ無水物、1,2,5
.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物及びそれ
らとアルコールとのジエステル等。
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2.2’ 、3.3
’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3゜3
1 、41−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3
.3’、4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ/酸二
無水物、2,3.3’、4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、2.2’、3.3’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)−エーテルニ無水物、ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)−スルホンニ無水物、1,2,5
.6−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物、2,3,
6.7−ナフタリンテトラカルボン酸二無水物及びそれ
らとアルコールとのジエステル等。
また前記ジアミンの具体例としては次の化合物を挙げる
ことができる。
ことができる。
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′−ジ
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン
、4.4’−ジ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニ
レンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン
、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4’−ジア
ミノベンゾフエノン、4.4’−ジアミノジフェニル−
2゜2′−プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、1
゜8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、トリメ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、4,4−ジメチルへブタメチレンジアミ
ン、2.11−ドデカンジアミン等の脂肪族ジアミン、
ビス(p−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,4
−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン
等シリコン系ジアミン、1.4−ジアミノシクロヘキサ
ン等の脂環式ジアミン、0−キシリレンジアミン、m−
キシリレンジアミン等のアミノアルキル置換芳香族化合
物、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナミ
ン類。また式(璽)で表わされる基の両末端にアミノ基
の付いたジアミノポリシロキサンとして次の化合物を挙
げることができる。
アミノジフェニルメタン、4.4’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド
、4.4’−ジアミノジフェニルチオエーテル、4.4
’−ジ(メタ−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン
、4.4’−ジ(ハラ−アミノフェノキシ)ジフェニル
スルホン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニ
レンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、ベンジジン
、2.2’−ジアミノベンゾフェノン、4.4’−ジア
ミノベンゾフエノン、4.4’−ジアミノジフェニル−
2゜2′−プロパン、1,5−ジアミノナフタレン、1
゜8−ジアミノナフタレン等の芳香族ジアミン、トリメ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、4,4−ジメチルへブタメチレンジアミ
ン、2.11−ドデカンジアミン等の脂肪族ジアミン、
ビス(p−アミノフェノキシ)ジメチルシラン、1,4
−ビス(3−アミノプロピルジメチルシリル)ベンゼン
等シリコン系ジアミン、1.4−ジアミノシクロヘキサ
ン等の脂環式ジアミン、0−キシリレンジアミン、m−
キシリレンジアミン等のアミノアルキル置換芳香族化合
物、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等のグアナミ
ン類。また式(璽)で表わされる基の両末端にアミノ基
の付いたジアミノポリシロキサンとして次の化合物を挙
げることができる。
次に前記アミンシリコン化合物としては次の化合物を挙
げることができる。
げることができる。
NHz−(CHs)s−8i(OCH3)s 、NH
z−(CH2)s 5i(OCzHs)s、NHz−(
CHs )s 5i(CHs )(OCHs )z
、NHx (CI(*)*−81(CH3)(OCtH
s )z 、NHz (CHz)s−8i(CzHs
)(On−C3Hy )z 、NHz (CH2)4
5i(OCHs)i 、NHz (CHt)4−si
(OCtHs)s 。
z−(CH2)s 5i(OCzHs)s、NHz−(
CHs )s 5i(CHs )(OCHs )z
、NHx (CI(*)*−81(CH3)(OCtH
s )z 、NHz (CHz)s−8i(CzHs
)(On−C3Hy )z 、NHz (CH2)4
5i(OCHs)i 、NHz (CHt)4−si
(OCtHs)s 。
NHz (CH(CH2)4−8i(CHs)(OC
zHs)2+S i (OCHs )s 、NHz+
81 (OC!Hs )s、 NH’、<Σ5i(CHx)(OCHs)z、NHz〈
y81(CHsXOCtHs)z 。
zHs)2+S i (OCHs )s 、NHz+
81 (OC!Hs )s、 NH’、<Σ5i(CHx)(OCHs)z、NHz〈
y81(CHsXOCtHs)z 。
NHz+(CHz )Si (OCHs )s、NHz
+(CHz)ssi(OCzHs)sNHzuSLCC
Hs h(OCzHs )NHz+81(CHs)s等 また前記シリコン化合物としては次の化合物を挙げるこ
とができる。
+(CHz)ssi(OCzHs)sNHzuSLCC
Hs h(OCzHs )NHz+81(CHs)s等 また前記シリコン化合物としては次の化合物を挙げるこ
とができる。
5i(OCHs)a、5i(OC2)Is)4.5i(
OCsHt)4 .5L(OC4H*)a 、Si(
OCsHlg)4.5i(OCOCHs)4%5i(O
CHsh(OCzHsh 、81(01:5Hs)雪
(OH)z 、5iCj4 等。
OCsHt)4 .5L(OC4H*)a 、Si(
OCsHlg)4.5i(OCOCHs)4%5i(O
CHsh(OCzHsh 、81(01:5Hs)雪
(OH)z 、5iCj4 等。
本発明方法の原料であるシリコン含有ポリイミド前駆体
を製造するにあたっては上記の原料化合物を溶媒中で反
応させるが、このときの好ましい反応溶媒として、N−
メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素
、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホン
アミド、メチルホルムアミド、N−アセチル−2−ピロ
リドン、トルエン、キシレン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコール七ツメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の
1種又は2種以上を使用でき、また上記溶媒を30重量
%以上含有する他の溶媒との混合溶媒としても用いるこ
とができる。
を製造するにあたっては上記の原料化合物を溶媒中で反
応させるが、このときの好ましい反応溶媒として、N−
メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素
、ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホン
アミド、メチルホルムアミド、N−アセチル−2−ピロ
リドン、トルエン、キシレン、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテ
ル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレ
ングリコール七ツメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の
1種又は2種以上を使用でき、また上記溶媒を30重量
%以上含有する他の溶媒との混合溶媒としても用いるこ
とができる。
次に反応方法について説明する。
前記テトラカルボン酸二無水物またはそのジエステル8
モル、前記シフ4フ5 ミノシリコン化合物Cモル及び前記シリコン化合物dモ
ルを反応溶媒中で反応させる。
モル、前記シフ4フ5 ミノシリコン化合物Cモル及び前記シリコン化合物dモ
ルを反応溶媒中で反応させる。
これらの混合比は下記式(口)及び(唖が成立する範囲
がよい。
がよい。
0、03≦d/a≦3 3 −・・・−(E[)こ
の場合前玉者(テトラカルボン酸二無水物等、ジアミン
及びアミンシリコン化合物)の化合物で反応を行なうこ
とにより反応性アミノシリコン化合物をその末端に有す
るポリアミック酸、アミック酸及びイミドを含有するポ
リマーもしくはオリゴマー又はポリイミドが得られる。
の場合前玉者(テトラカルボン酸二無水物等、ジアミン
及びアミンシリコン化合物)の化合物で反応を行なうこ
とにより反応性アミノシリコン化合物をその末端に有す
るポリアミック酸、アミック酸及びイミドを含有するポ
リマーもしくはオリゴマー又はポリイミドが得られる。
この3種の原料の添加順序は如何なる順序でも良いが前
二者の反応を行なった後アミンシリコン化合物を添加し
た方がより高分子量のポリマーが得られる。反応は0〜
200℃の温度で0.2〜20時間行なうことができる
。反応温度が高いほどポリマー中のイミド基の比率がア
ミド酸のそれに比して大になり、またアミンシリコン化
合物の末端反応性基の一部も加水分解し、シロキサ/縮
合によりより高分子量化する場合もある。あるいは少量
の無水酢酸及び又はピリジン、イソキノリン、イミダゾ
ール類等の三級アミンを添加する等の公知の方法で,生
成したポリアミド酸のアミド基の一部又は全部を常温前
後の温度でイミド基に変換することができる(この第一
段階の反応に於いてもし支障がなければ予め前記シリコ
ン化合物を添加しておいても良い。)。
二者の反応を行なった後アミンシリコン化合物を添加し
た方がより高分子量のポリマーが得られる。反応は0〜
200℃の温度で0.2〜20時間行なうことができる
。反応温度が高いほどポリマー中のイミド基の比率がア
ミド酸のそれに比して大になり、またアミンシリコン化
合物の末端反応性基の一部も加水分解し、シロキサ/縮
合によりより高分子量化する場合もある。あるいは少量
の無水酢酸及び又はピリジン、イソキノリン、イミダゾ
ール類等の三級アミンを添加する等の公知の方法で,生
成したポリアミド酸のアミド基の一部又は全部を常温前
後の温度でイミド基に変換することができる(この第一
段階の反応に於いてもし支障がなければ予め前記シリコ
ン化合物を添加しておいても良い。)。
この反応混合物にシリコン化合物dモルを、添加した後
、必要により酸及び/又は少量の水を添加し、50〜2
00℃で0.2〜30時間反応を行なう。この際添加す
る酸及び水はシロキサン縮合反応を促進するための公知
の手段である。
、必要により酸及び/又は少量の水を添加し、50〜2
00℃で0.2〜30時間反応を行なう。この際添加す
る酸及び水はシロキサン縮合反応を促進するための公知
の手段である。
酸としては、鉱酸、有機酸、酸性イオン交換樹脂及び担
体に無機酸を担持させた固体酸性物質を例示することが
できる。鉱酸としては塩酸、硫酸及び硝酸が好ましい。
体に無機酸を担持させた固体酸性物質を例示することが
できる。鉱酸としては塩酸、硫酸及び硝酸が好ましい。
有機酸としてはギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、
クエン酸、マロン酸、サリチル酸、クロル酢酸、フルオ
ロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等が
用いられる。酸性陽イオン交換樹脂としては、スルホン
酸系の強酸性カチオン交換樹脂及び超強酸性カチオン樹
脂で、例えば商品名ダイヤイオン−8KIB−H1ダイ
ヤイオン−PK−228−H,アンバーライト−IR−
120B。
クエン酸、マロン酸、サリチル酸、クロル酢酸、フルオ
ロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸等が
用いられる。酸性陽イオン交換樹脂としては、スルホン
酸系の強酸性カチオン交換樹脂及び超強酸性カチオン樹
脂で、例えば商品名ダイヤイオン−8KIB−H1ダイ
ヤイオン−PK−228−H,アンバーライト−IR−
120B。
アンバーライト−118、アンバーライト−112、ア
ンバーライト−122、アンバーライト−124、アン
バーライト−200C’,ナフィオン−H等が好ましい
。前記担体に無機酸を担持させた触媒としては、シリカ
、アルミナ−シリカ、ジルコニア及び活性炭等に硫酸又
はりん酸を担持させたもの等が使用できる。
ンバーライト−122、アンバーライト−124、アン
バーライト−200C’,ナフィオン−H等が好ましい
。前記担体に無機酸を担持させた触媒としては、シリカ
、アルミナ−シリカ、ジルコニア及び活性炭等に硫酸又
はりん酸を担持させたもの等が使用できる。
酸の添加量としては前記表現でT−i5(mC+4d)
そル以下が好ましく、またこれ以上存在してもよい。添
加する水の量は((mC+4d )−(2b+c ))
モル以下でもよいが、これ以上存在した方が反応速度は
早くなる。
そル以下が好ましく、またこれ以上存在してもよい。添
加する水の量は((mC+4d )−(2b+c ))
モル以下でもよいが、これ以上存在した方が反応速度は
早くなる。
式(ロ)は酸無水物またはそのジエステルとアミン類と
でイミドを形成する場合のほぼ等量関係を表わしており
、また式(W)はその下限未満ではポリイミドに近付き
、上限を超える場合はシリコン化合物に近付き本発明の
化合物の特徴が軽減される。
でイミドを形成する場合のほぼ等量関係を表わしており
、また式(W)はその下限未満ではポリイミドに近付き
、上限を超える場合はシリコン化合物に近付き本発明の
化合物の特徴が軽減される。
反応溶媒はこれと添加した原料との合計量基準で70重
is以上使用するのがよい。これ以下では反応途中で液
がゲル化し、流動性を失なう場合があり好ましくない。
is以上使用するのがよい。これ以下では反応途中で液
がゲル化し、流動性を失なう場合があり好ましくない。
このようにして対数粘度数が0.05〜5dJ/fの適
度の分子量のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体を得
ることができる。上記対数粘度数が0.05未満の場合
塗膜性が不十分であり5を超えるものは合成することが
困難であった。この様にして得られた式(IV)で示さ
れる前駆体を50〜500℃で加熱することにより式(
1)で表わされる本発明のシリコン含有ポリイミド硬化
物が得られる。
度の分子量のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体を得
ることができる。上記対数粘度数が0.05未満の場合
塗膜性が不十分であり5を超えるものは合成することが
困難であった。この様にして得られた式(IV)で示さ
れる前駆体を50〜500℃で加熱することにより式(
1)で表わされる本発明のシリコン含有ポリイミド硬化
物が得られる。
本発明の硬化物の原料であるシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体は基本的な構造は式(IV)でx2はアルコ
キシ基、アセトキシ基又はハロゲンである。)。そのた
めこの前駆体を焼成するとシロキサン縮合反応が進行し
、分子間架橋により硬化、不溶化する。このようにして
本発明の硬化物を得ることができる。
ミド前駆体は基本的な構造は式(IV)でx2はアルコ
キシ基、アセトキシ基又はハロゲンである。)。そのた
めこの前駆体を焼成するとシロキサン縮合反応が進行し
、分子間架橋により硬化、不溶化する。このようにして
本発明の硬化物を得ることができる。
式(IV)に於けるT)1qについて% q/p が
大になるにつれて得られた構造体はイミドの特性を弱め
シリコン化合物の特性を強める。q/p 及びのが大
になり、かつnが小になるほど無機物(シリカ)の特性
を強める。従って熱膨張係数の低下及び硬度の上昇が著
しくなると共に脆くなる。このためq/p従ってvr
/ vは0.03〜33が好ましい。またR2が (ただしrは0又は1)のとき得られた前駆体は特に溶
媒に対して溶解性の優れたものである。
大になるにつれて得られた構造体はイミドの特性を弱め
シリコン化合物の特性を強める。q/p 及びのが大
になり、かつnが小になるほど無機物(シリカ)の特性
を強める。従って熱膨張係数の低下及び硬度の上昇が著
しくなると共に脆くなる。このためq/p従ってvr
/ vは0.03〜33が好ましい。またR2が (ただしrは0又は1)のとき得られた前駆体は特に溶
媒に対して溶解性の優れたものである。
次に本発明シリコン含有ポリイミド硬化物の製造方法に
ついて説明する。前記方法によって製造したシリコン含
有可溶性ポリイミド前駆体は殆どの場合、ワニス等の如
く溶媒に溶解し九溶液の状態で使用されるから、前述し
た方法で得られる溶液を濃縮または溶媒で稀釈して使用
するのが良い。溶媒としては反応溶媒と同じものを使用
することができる。前記シリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の溶液から成形品を形成させる方法としては既に
公知のどの様な方法で行ってもよく、例えばガラス板、
銅板、アルミニウム板などに前記前駆体溶液を流した後
、加熱することにより溶媒を除去すると共に、シロキサ
ン結合による架橋を進行させ硬くて強靭な皮膜を形成さ
せる。積層された複合材料を形成させるためにはこの様
な操作を逐次室なうことにより可能であるが、ワニスを
接着剤として複数の異質素材間に塗り焼成することによ
り積層された複合材料を得ることができる。フィラーあ
るいはガラス繊維等にワニスを含浸させ焼成硬化させる
ことにより強化皮膜を用いた積層材料を形成せしめるこ
ともまた可能である。
ついて説明する。前記方法によって製造したシリコン含
有可溶性ポリイミド前駆体は殆どの場合、ワニス等の如
く溶媒に溶解し九溶液の状態で使用されるから、前述し
た方法で得られる溶液を濃縮または溶媒で稀釈して使用
するのが良い。溶媒としては反応溶媒と同じものを使用
することができる。前記シリコン含有可溶性ポリイミド
前駆体の溶液から成形品を形成させる方法としては既に
公知のどの様な方法で行ってもよく、例えばガラス板、
銅板、アルミニウム板などに前記前駆体溶液を流した後
、加熱することにより溶媒を除去すると共に、シロキサ
ン結合による架橋を進行させ硬くて強靭な皮膜を形成さ
せる。積層された複合材料を形成させるためにはこの様
な操作を逐次室なうことにより可能であるが、ワニスを
接着剤として複数の異質素材間に塗り焼成することによ
り積層された複合材料を得ることができる。フィラーあ
るいはガラス繊維等にワニスを含浸させ焼成硬化させる
ことにより強化皮膜を用いた積層材料を形成せしめるこ
ともまた可能である。
焼成条件は使用する溶媒、塗膜の厚さ等により異なるが
、50〜500℃、好ましくは200〜400℃ 0.
5〜2時間位で十分である。
、50〜500℃、好ましくは200〜400℃ 0.
5〜2時間位で十分である。
本発明の硬化物は耐熱性、機械的特性、電気的特性、及
び接着性に優れているためガラス、セラミック、シリコ
ンウェハー及び各種金属酸化物等の各種コーティング剤
、液晶配向膜、接着剤あるいは原料のシリコン含有可溶
性ポリイミド前駆体溶液をガラス繊維等の無機繊維に含
浸させた後、焼成することにより複合構造体とする等の
用途が考えられる。
び接着性に優れているためガラス、セラミック、シリコ
ンウェハー及び各種金属酸化物等の各種コーティング剤
、液晶配向膜、接着剤あるいは原料のシリコン含有可溶
性ポリイミド前駆体溶液をガラス繊維等の無機繊維に含
浸させた後、焼成することにより複合構造体とする等の
用途が考えられる。
以下に実施例によって本発明を更に具体的に説明するが
、本発明はこの実施例によってなんら限定される本ので
はない。
、本発明はこの実施例によってなんら限定される本ので
はない。
最初に各実施例において使用するシリコン含有可溶性ポ
リイミド前駆体の製造例を参考例として述べる。
リイミド前駆体の製造例を参考例として述べる。
参考例1
かくはん装置、滴下ロート、温度計、コンデンサーおよ
び窒素置換装置を付した11のフラスコ内を窒素ガスに
より置換した後、脱水精製した500fのエチルカルピ
トール及び2.52t (0,0101モル)の3,3
I−ジアミノジフェニルスルホン(以下DDSと略記す
る。)を投入しかくはん下均−溶液にした。この溶液を
30〜35℃に保ちつつ6.54 F (0,0203
モル)の3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物(以下「BTDA」と略記す
る。〕を添加し5時間反応を行なった後、4.33 f
(0,0203モル)のアミノフェニルトリメトキシシ
ラン(以下1’−APMSJと略記する。)(メタ体/
パラ体=46754 )を添加し150℃に昇温し3時
間反応を行なった。その後42.28 F (0,20
3モル)のテトラエトキシシラン、5fの酢酸及び35
Fの水を添加し60℃で18時間反応を行なった。この
時点で溶液中からは未反応のテトラエトキシシランは検
出されなくなった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体は赤褐色透明であり、その対数粘度数は0.
15 at/lであった。その赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体はイミド基を多量に含み、アミック酸
は殆ど含んでいなかった。
び窒素置換装置を付した11のフラスコ内を窒素ガスに
より置換した後、脱水精製した500fのエチルカルピ
トール及び2.52t (0,0101モル)の3,3
I−ジアミノジフェニルスルホン(以下DDSと略記す
る。)を投入しかくはん下均−溶液にした。この溶液を
30〜35℃に保ちつつ6.54 F (0,0203
モル)の3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物(以下「BTDA」と略記す
る。〕を添加し5時間反応を行なった後、4.33 f
(0,0203モル)のアミノフェニルトリメトキシシ
ラン(以下1’−APMSJと略記する。)(メタ体/
パラ体=46754 )を添加し150℃に昇温し3時
間反応を行なった。その後42.28 F (0,20
3モル)のテトラエトキシシラン、5fの酢酸及び35
Fの水を添加し60℃で18時間反応を行なった。この
時点で溶液中からは未反応のテトラエトキシシランは検
出されなくなった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体は赤褐色透明であり、その対数粘度数は0.
15 at/lであった。その赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体はイミド基を多量に含み、アミック酸
は殆ど含んでいなかった。
参考例2
参考例1と同様の装置及び方法で26.31 ?(0,
0608−T−#)+7)ビス(”4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕スルホン(以下B A P Bと
略記することもある。)を500 fのエチルカルピト
ール中に投入した後、22.39f(0,0695−T
−ル)f7)BT DAを添加L30’Cで6時間、さ
らに3,34 t (0,0157モル)のAPMS
(メタ体/パラ体=46754)を添加し2時間反応を
行なった。その後36.20t (0,174モル)の
テトラエトキシシラン、6.5fの酢酸及び6tの水を
添加し60℃で200時間反応行なった。この時点で未
反応のテトラエトキシシランは検出されなくなった。
0608−T−#)+7)ビス(”4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕スルホン(以下B A P Bと
略記することもある。)を500 fのエチルカルピト
ール中に投入した後、22.39f(0,0695−T
−ル)f7)BT DAを添加L30’Cで6時間、さ
らに3,34 t (0,0157モル)のAPMS
(メタ体/パラ体=46754)を添加し2時間反応を
行なった。その後36.20t (0,174モル)の
テトラエトキシシラン、6.5fの酢酸及び6tの水を
添加し60℃で200時間反応行なった。この時点で未
反応のテトラエトキシシランは検出されなくなった。
得られたシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘
度数は0.32 dllfであり、赤外線吸収スペクト
ルによるとこの前駆体は多量のアミック酸を含みイミド
基を殆ど含んでいなかった。
度数は0.32 dllfであり、赤外線吸収スペクト
ルによるとこの前駆体は多量のアミック酸を含みイミド
基を殆ど含んでいなかった。
参考例3
参考例1と同様の装置及び方法で250fのに一メチル
ー2−ピロリドン及ヒ250 f(D2−メトキシエタ
ノールの混合溶媒中に31.741(0,143そル)
の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下「AP
s−EJと略記する。)10.91 F (0,071
7モル)のテトラメトキシシラン及び14.35 f
(0,0716モル)の4.4′−ジアミノジフェニル
エーテル(以下「DDE」と略記する。)を投入し溶解
させ均一溶液を調製した。この溶液を25℃に保ちつつ
31、z 7 t (0,143モル)のピロメリット
酸二無水物を投入し2時間反応を行なった後、60℃で
6時間反応を行なった。その後5.52の酢酸及び4f
の水を添加し80℃で4時間反応を行なった。この時点
で未反応のテトラメトキシシランは溶液中からはもはや
検出されなかった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体の対数粘度数は0.0 B 2 dllfで
あり、赤外線吸収スペクトルによるとこの前駆体はアミ
ック酸を多量に含み、イミド基を殆ど含んでいなかった
。
ー2−ピロリドン及ヒ250 f(D2−メトキシエタ
ノールの混合溶媒中に31.741(0,143そル)
の3−アミノプロピルトリエトキシシラン(以下「AP
s−EJと略記する。)10.91 F (0,071
7モル)のテトラメトキシシラン及び14.35 f
(0,0716モル)の4.4′−ジアミノジフェニル
エーテル(以下「DDE」と略記する。)を投入し溶解
させ均一溶液を調製した。この溶液を25℃に保ちつつ
31、z 7 t (0,143モル)のピロメリット
酸二無水物を投入し2時間反応を行なった後、60℃で
6時間反応を行なった。その後5.52の酢酸及び4f
の水を添加し80℃で4時間反応を行なった。この時点
で未反応のテトラメトキシシランは溶液中からはもはや
検出されなかった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体の対数粘度数は0.0 B 2 dllfで
あり、赤外線吸収スペクトルによるとこの前駆体はアミ
ック酸を多量に含み、イミド基を殆ど含んでいなかった
。
参考例4
参考例1と同様の装置及び方法で30OfのN−メチル
−2−ピロリドン及び200fの2−メトキシメタノー
ルの混合溶媒中に16.28f (0,0813モル)
のDDEを溶解させ、これに38.81 ? (0,1
08モル)のビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−
スルホンニ無水物(以下(DSDAJと略記する。)を
添加し20℃で5時間反応を行なった後11.41 F
(0,0596モル)の3−アミノプロピルメチルジェ
トキシシランを添加し90℃で2時間反応を行なった。
−2−ピロリドン及び200fの2−メトキシメタノー
ルの混合溶媒中に16.28f (0,0813モル)
のDDEを溶解させ、これに38.81 ? (0,1
08モル)のビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−
スルホンニ無水物(以下(DSDAJと略記する。)を
添加し20℃で5時間反応を行なった後11.41 F
(0,0596モル)の3−アミノプロピルメチルジェ
トキシシランを添加し90℃で2時間反応を行なった。
この溶液に1.65 F (0,0109モル)のテト
ラメトキシシラン、2.5Fの濃塩酸及び3fの水を添
加し、50℃で10時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られたシ
リコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数はo、
2゜dt/fであり、赤外線吸収スペクトルによると前
記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存していた。
ラメトキシシラン、2.5Fの濃塩酸及び3fの水を添
加し、50℃で10時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られたシ
リコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数はo、
2゜dt/fであり、赤外線吸収スペクトルによると前
記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存していた。
参考例5
参考例1と同様の装置及び方法で、50ofのメチルカ
ルピトール中に2.57 F (0,0104%#)O
DDS及び5.28 F (0,0238%ル)のAP
S−Eを添加し、これに7.69 F(o、oz39モ
ル)のBTD人を添加し、16゜℃で12時間反応を行
なった。さらに72.65f (0,477モル)のテ
トラメトキシシラン、12Fの酢酸及び251の水を添
加し、75℃で12時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られたシ
リコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は0.
27 dll/fであり、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体は多量のイミド基を含み、アミック酸を殆
ど含んでいなかった。
ルピトール中に2.57 F (0,0104%#)O
DDS及び5.28 F (0,0238%ル)のAP
S−Eを添加し、これに7.69 F(o、oz39モ
ル)のBTD人を添加し、16゜℃で12時間反応を行
なった。さらに72.65f (0,477モル)のテ
トラメトキシシラン、12Fの酢酸及び251の水を添
加し、75℃で12時間反応を行なった。この時点でテ
トラメトキシシランは検出されなくなった。得られたシ
リコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数は0.
27 dll/fであり、赤外線吸収スペクトルによる
と前記前駆体は多量のイミド基を含み、アミック酸を殆
ど含んでいなかった。
参考例6
参考例1と同様の装置及び方法で50ofの2−エトキ
シエタノール中に17.989(0,0502モル)の
DSDAを添加し135℃で5時間還流させ酸無水物の
エステル化を行なった。この溶液にl OJ 6t (
0,0251モル)のBAPS及び7.65 F (0
,0427モル)の3−アミノプロビルトリメトキシシ
ランヲm加し135℃で6時間還流させた。この溶液を
冷却し70℃に保ったまま38.22 f (0,25
1モル)のテトラメトキシシラン、15fの酢酸及び4
otの水を添加し、70℃で12時間反応を行った。こ
の時点で未反応のトリメトキシシランは検出されなくな
った。得られたシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の
対数粘度数は0.77 dt/fであり、赤外線吸収ス
ペクトルによると前記前駆体は多量のイミド基を含みア
ミック酸を殆ど含んでいなかった。
シエタノール中に17.989(0,0502モル)の
DSDAを添加し135℃で5時間還流させ酸無水物の
エステル化を行なった。この溶液にl OJ 6t (
0,0251モル)のBAPS及び7.65 F (0
,0427モル)の3−アミノプロビルトリメトキシシ
ランヲm加し135℃で6時間還流させた。この溶液を
冷却し70℃に保ったまま38.22 f (0,25
1モル)のテトラメトキシシラン、15fの酢酸及び4
otの水を添加し、70℃で12時間反応を行った。こ
の時点で未反応のトリメトキシシランは検出されなくな
った。得られたシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の
対数粘度数は0.77 dt/fであり、赤外線吸収ス
ペクトルによると前記前駆体は多量のイミド基を含みア
ミック酸を殆ど含んでいなかった。
参考例7
参考例1と同様の装置及び方法で50ofのエチルカル
ピトール中に14.41 t (0,0490モル)
+7) 3 、3’ 、 4 、4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物及び15.78 F (0,04
90モル)のB’I’DAを添加し、150℃で3時間
反応を行ない酸無水物のエステル化を行なった。
ピトール中に14.41 t (0,0490モル)
+7) 3 、3’ 、 4 、4’−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物及び15.78 F (0,04
90モル)のB’I’DAを添加し、150℃で3時間
反応を行ない酸無水物のエステル化を行なった。
これに14.59 fのDDS及び21.69 F(0
,0980モル)のAPS−Eを添加し、150℃で5
時間反応を行なった。この溶液を60℃に冷却し14.
91 f (0,0980モル)のテトラメトキシシラ
ン、4tの酢酸及び3fの水を添加し21時間反応を行
なった。この時点で未反応のテトラメトキシシランが検
出されなくなった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体の対数粘度数は130 dll?であり、赤
外線吸収スペクトルによると前記前駆体は多量のイミド
基を含み、アミック酸を殆ど含んでいなかった。
,0980モル)のAPS−Eを添加し、150℃で5
時間反応を行なった。この溶液を60℃に冷却し14.
91 f (0,0980モル)のテトラメトキシシラ
ン、4tの酢酸及び3fの水を添加し21時間反応を行
なった。この時点で未反応のテトラメトキシシランが検
出されなくなった。得られたシリコン含有可溶性ポリイ
ミド前駆体の対数粘度数は130 dll?であり、赤
外線吸収スペクトルによると前記前駆体は多量のイミド
基を含み、アミック酸を殆ど含んでいなかった。
参考例8
参考例4に於いて濃塩酸を添加しないで二段目の反応を
22時間行なった。この時点で反応液から未反応のテト
ラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本発
明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数
はo、o 23cll/lであり、赤外線吸収スペクト
ルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基が共存
していた。
22時間行なった。この時点で反応液から未反応のテト
ラメトキシシランは検出されなくなった。得られた本発
明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数
はo、o 23cll/lであり、赤外線吸収スペクト
ルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基が共存
していた。
参考例9
参考例4に於いて水を添加しないで二段目の反応を16
時間行なった。この時点で反応液から未反応のテトラメ
トキシシランは検出されなくなった。得られた本発明の
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数はo
、o 21(11/fであり、赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存し
ていた。
時間行なった。この時点で反応液から未反応のテトラメ
トキシシランは検出されなくなった。得られた本発明の
シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数粘度数はo
、o 21(11/fであり、赤外線吸収スペクトルに
よると前記前駆体にはアミック酸とイミド基とが共存し
ていた。
参考例1o。
参考例4に於いて濃塩酸及び水を添加しないで二段目の
反応を28時間行なった。この時点で反応液から未反応
のテトラメトキシシランは検出されなくなった。得られ
た本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数
粘度数は0.024 dt/lであり、赤外線吸収スペ
クトルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基と
が共存していた。
反応を28時間行なった。この時点で反応液から未反応
のテトラメトキシシランは検出されなくなった。得られ
た本発明のシリコン含有可溶性ポリイミド前駆体の対数
粘度数は0.024 dt/lであり、赤外線吸収スペ
クトルによると前記前駆体にはアミック酸とイミド基と
が共存していた。
比較参考例1
参考例1と同様の装置及び方法で55.56 f(0,
267モル)のテトラエトキシ7ラン、60fの水及び
5.5fの酢酸を500fのメチルカルピトール中に添
加し、80℃で18時間反応を行なった。この時点で反
応液から未反応のテトラエトキシシランは検出されず無
色透明のテトラエトキシシランオリゴマーが得られた。
267モル)のテトラエトキシ7ラン、60fの水及び
5.5fの酢酸を500fのメチルカルピトール中に添
加し、80℃で18時間反応を行なった。この時点で反
応液から未反応のテトラエトキシシランは検出されず無
色透明のテトラエトキシシランオリゴマーが得られた。
比較参考例2
参考例1と同様の装置及び方法で5002のエチルカル
ピトール中K 44.61 F (0,103モル)の
BAP8を添加し溶解させた。この溶液を25℃に保ち
つつ37.98 f (0,118モル)のB’I’D
Aを添加し5時間反応を行なった後、5.56 F (
0,0265モル)のAPMSを添加し、さらに2時間
反応を行なうことによりポリアミック酸の溶液を得た。
ピトール中K 44.61 F (0,103モル)の
BAP8を添加し溶解させた。この溶液を25℃に保ち
つつ37.98 f (0,118モル)のB’I’D
Aを添加し5時間反応を行なった後、5.56 F (
0,0265モル)のAPMSを添加し、さらに2時間
反応を行なうことによりポリアミック酸の溶液を得た。
なお参考のため参考例1〜1o及び比較参考例1〜2で
使用した原料の量a、b、c、dモル並びに!肚!及び
生の値を第1表に示した。
使用した原料の量a、b、c、dモル並びに!肚!及び
生の値を第1表に示した。
a a
実施例1−10、比較例1〜2
参考例1〜10及び比較参考例1〜2で合成した各ワニ
スをガラス板上に塗布し、電気炉中で300℃、1時間
焼成することによりガラス板上に膜厚1.5μの皮膜を
形成せしめた。それらの11!展性、表面硬度及び耐熱
性として高温に熱したときのM量減を測定した結果を第
2表に示し九。
スをガラス板上に塗布し、電気炉中で300℃、1時間
焼成することによりガラス板上に膜厚1.5μの皮膜を
形成せしめた。それらの11!展性、表面硬度及び耐熱
性として高温に熱したときのM量減を測定した結果を第
2表に示し九。
尚、実施例1で得られた本発明の硬化物の赤外線吸収ス
ペクトルを第1図に示した。
ペクトルを第1図に示した。
尚、第2表において、表面硬度とはJIS K5400
で測定した鉛筆硬度を表わす。塗膜性は上記焼成により
形成した皮膜を巨視により判断し、(1)該皮膜がガラ
ス板全面にほぼ均一の厚みで形成されていること%(2
)719表面が滑らかであること、及び(3)クラック
の発生がないこと、をもって「良好」とした。重量減は
、真空理工■製熱天秤TGD 5000を使用して常温
より10℃/分の昇温速度で700℃まで昇温したとき
の重量減を「減t(7)」として表わした。
で測定した鉛筆硬度を表わす。塗膜性は上記焼成により
形成した皮膜を巨視により判断し、(1)該皮膜がガラ
ス板全面にほぼ均一の厚みで形成されていること%(2
)719表面が滑らかであること、及び(3)クラック
の発生がないこと、をもって「良好」とした。重量減は
、真空理工■製熱天秤TGD 5000を使用して常温
より10℃/分の昇温速度で700℃まで昇温したとき
の重量減を「減t(7)」として表わした。
第 2 表
〔発明の効果〕
本発明のシリコン含有ポリイミド硬化物は、シロキサン
縮合反応による強固な分子結合により形成されるので、
高硬度であり、しかも強靭な硬化物であり、耐熱性が高
く、無機化合物に近い低い熱膨脹係数を有している。ガ
ラス、セラミックス、シリコンウェハー及び各洩金属酸
化物等に対して強力な接着作用を示す。
縮合反応による強固な分子結合により形成されるので、
高硬度であり、しかも強靭な硬化物であり、耐熱性が高
く、無機化合物に近い低い熱膨脹係数を有している。ガ
ラス、セラミックス、シリコンウェハー及び各洩金属酸
化物等に対して強力な接着作用を示す。
高い耐熱性と無機化合物に近い低い熱膨脹係数を有する
ので無機化合物との積層材料として好ましい材料である
。
ので無機化合物との積層材料として好ましい材料である
。
また無機化合物の欠点である脆さを改善しているので、
表面コーティング剤として、より厚膜の形成が可能であ
ると同時に、ポリイミド等の有機膜に比較して高硬度で
あるという、有機材料と無機材料の中間を埋める材料と
して、その実用価値が大きい。
表面コーティング剤として、より厚膜の形成が可能であ
ると同時に、ポリイミド等の有機膜に比較して高硬度で
あるという、有機材料と無機材料の中間を埋める材料と
して、その実用価値が大きい。
また本発明の硬化物は、入手容易な原料から、温和な条
件で合成可能なシリコン含有可溶性ボリイよド前駆体か
ら流し成形、又は塗布などの成形後加熱するという容易
な方法で製造し得るし、又ガラス繊維等の無機繊維に含
浸させた後、焼成することにより、優れた構造体を得る
ことができる。硬化物の優れた耐熱性、機械的性質、電
気的特性及び接着力によって、各種コーティング剤、接
着剤としても極めて優れた性能を示す0
件で合成可能なシリコン含有可溶性ボリイよド前駆体か
ら流し成形、又は塗布などの成形後加熱するという容易
な方法で製造し得るし、又ガラス繊維等の無機繊維に含
浸させた後、焼成することにより、優れた構造体を得る
ことができる。硬化物の優れた耐熱性、機械的性質、電
気的特性及び接着力によって、各種コーティング剤、接
着剤としても極めて優れた性能を示す0
第1図は実施例1で得られた本発明の硬化物の赤外線吸
収スペクトルである。 以上 特許出願人 チ ッ ソ 株 式 会 社代理人 弁
理士 佐々井 彌太部 同 上 野中克彦 昭和63年11月10日
収スペクトルである。 以上 特許出願人 チ ッ ソ 株 式 会 社代理人 弁
理士 佐々井 彌太部 同 上 野中克彦 昭和63年11月10日
Claims (6)
- (1)下記一般式( I )からなる構造を主成分とする
シリコン含有ポリイミド硬化物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・( I ) 〔ここにLは下記の式(II)で表わされ ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(II) R^1は4価の炭素環式芳香族基を表わし、1つのイミ
ドを形成する2つのカルボニル基は互にオルト位に付い
ており、( I )式に於いてR^2は炭素数2〜12個
の脂肪族基、炭素数4〜30個の脂環式基、炭素数6〜
30個の芳香脂肪族基、炭素数6〜30個の炭素環式芳
香族基、次式(III)で表わされるポリシロキサン基、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(III
) (ここにR^5は独立に−(CH_2)_s−、▲数式
、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等が
あります▼または▲数式、化学式、表等があります▼で
あり(ただし sは1〜4の整数を示す。)、R^6は独立に炭素数1
〜6のアルキル基、フェニル基または炭素数7〜12個
のアルキル置換フェニル基を表わし、lは1≦l≦10
0の値をとる。) または式 ▲数式、化学式、表等があります▼(ただし、ここにR
^7は炭素数 8以下の脂肪族基、芳香脂肪族 基または水素を表わす。) で表わされる基であり、R^3は−(CH_2)_s−
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼または▲数式、化学式、表等があり
ます▼ であり(ただしここにsは1〜4の整数を表わす。)、
R^4は独立に炭素数1〜6のアルキル基、フェニル基
または炭素数7〜12個のアルキル置換フェニル基を表
わし、kは0≦k≦3であり、mは0≦m≦3であり、
k+m≧1であり、nは1以上の整数であり、v及びw
は正の整数である。〕 - (2)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼
(ただ しrは0又は1)であり、R^3は独立に▲数式、化学
式、表等があります▼で表わされる基であることを特徴
とする第(1)項記載のシリコン含有ポリイミド硬化物
。 - (3)前記k、mがk=m=3であることを特徴とする
第(1)項又は第(2)項記載のシリコン含有ポリイミ
ド硬化物。 - (4)下記一般式(IV)で表わされる構造を主成分とし
、溶媒中30±0.01℃で濃度0.5g/dlで測定
された対数粘度数が0.05〜5dl/gであるシリコ
ン含有可溶性ポリイミド前駆体を主成分として含有する
溶液を50〜500℃で加熱することにより溶媒を蒸発
させるとともに該前駆体を架橋硬化させることを特徴と
するシリコン含有ポリイミド硬化物の製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・・・・(IV) 〔ここにL′は独立に下記の式(V)、(VI)及び(V
II)▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(
V) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(VII
) のいずれかの構成単位を表わし、R^1、R^2、R^
3、R^4、k、m及びnは第(1)項で述べたものと
同一の意味を表わし、p及びqは正の整数である。 また前記対数粘度数とは次式で表わされる 〔ηinh〕である。 ηinh=(lnη/η_0)/C (ここにηはウベローデ粘度計を使用し溶媒中、温度3
0±0.01℃、濃度0.5g/dlで測定した値であ
り、η_0は同粘度計を使用し同温度における同溶媒の
測定値であり、Cは濃度0.5g/dlである。)〕 - (5)前記R^2が▲数式、化学式、表等があります▼
(ただ しrは0又は1である。)であり、R^3は独立に▲数
式、化学式、表等があります▼で表わされる基であるこ
とを特徴とする第(4)項記載の硬化物の製造法。 - (6)前記k及びmがk=m=3であることを特徴とす
る第(4)項又は第(5)項記載の硬化物の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285050A JP2607104B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 |
| KR1019880014686A KR910008341B1 (ko) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | 실리콘-함유 가용성 폴리이미드 전구체, 이의 경화 물질, 및 이의 제조방법 |
| DE3852987T DE3852987T2 (de) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | Silizium enthaltendes Polyimid-Prepolymer, davon abgeleitete ausgehärtete Produkte und Verfahren zu deren Herstellung. |
| EP88310548A EP0316154B1 (en) | 1987-11-10 | 1988-11-09 | Silicon-containing polyimide precursor, cured product therefrom, and preparation thereof |
| US07/269,299 US4970283A (en) | 1987-10-11 | 1988-11-10 | Silicon-containing soluble polyimide precursor, its cured material, and method for preparing them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285050A JP2607104B2 (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126332A true JPH01126332A (ja) | 1989-05-18 |
| JP2607104B2 JP2607104B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=17686517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285050A Expired - Lifetime JP2607104B2 (ja) | 1987-10-11 | 1987-11-11 | シリコン含有ポリイミド硬化物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607104B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03275722A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂及びその製造方法 |
| JPH04351666A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
| JPH04351667A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
| JPWO2021193530A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126331A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Chisso Corp | シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62285050A patent/JP2607104B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126331A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Chisso Corp | シリコン含有可溶性ポリイミド前駆体及びその製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03275722A (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂及びその製造方法 |
| JPH04351666A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
| JPH04351667A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 |
| JPWO2021193530A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2607104B2 (ja) | 1997-05-07 |
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