JPH01127260U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01127260U JPH01127260U JP2265988U JP2265988U JPH01127260U JP H01127260 U JPH01127260 U JP H01127260U JP 2265988 U JP2265988 U JP 2265988U JP 2265988 U JP2265988 U JP 2265988U JP H01127260 U JPH01127260 U JP H01127260U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer metal
- lower layer
- insulating film
- metal
- mim capacitor
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000016507 interphase Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図〜第７図は、本考案の一実施例によるＭ
ＩＭキヤパシターの形成順序を示したＭＩＭキヤ
パシターの断面図である。 １はＧａＡｓ基板、４はＭＩＭ下層メタル、２
はＭＩＭ下層メタル４と同一厚みの絶縁膜である
。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
ＩＭキヤパシターの形成順序を示したＭＩＭキヤ
パシターの断面図である。 １はＧａＡｓ基板、４はＭＩＭ下層メタル、２
はＭＩＭ下層メタル４と同一厚みの絶縁膜である
。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を
示す。
補正 昭６３．６．２３
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第８頁第１２行に「断面図である。」と
あるのを「断面図、第８図〜第１５図は、従来の
ＭＩＭキヤパシターの形成順序を示したＭＩＭキ
ヤパシターの断面図である。」と訂正する。 補正 昭６３．７．１２ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
あるのを「断面図、第８図〜第１５図は、従来の
ＭＩＭキヤパシターの形成順序を示したＭＩＭキ
ヤパシターの断面図である。」と訂正する。 補正 昭６３．７．１２ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
【実用新案登録請求の範囲】
下層メタル、層間絶縁膜および上層メタルから
なるＭＩＭキヤパシターにおいて、ＧａＡｓ基板
上に下層メタルと同一膜厚となる絶縁膜を形成し
、該絶縁膜の所定位置に下層メタル配置用開口部
を設け、ここに下層メタルを形成しこの下層メタ
ルの上に下層メタルと上層メタルの面積よりも大
きくなるように層間絶縁膜を形成し、その上に、
上層メタルを形成する事によつて、下層メタル・
層間絶縁膜及び上層メタルに段差を生じない事を
特徴としたＭＩＭキヤパシター。
なるＭＩＭキヤパシターにおいて、ＧａＡｓ基板
上に下層メタルと同一膜厚となる絶縁膜を形成し
、該絶縁膜の所定位置に下層メタル配置用開口部
を設け、ここに下層メタルを形成しこの下層メタ
ルの上に下層メタルと上層メタルの面積よりも大
きくなるように層間絶縁膜を形成し、その上に、
上層メタルを形成する事によつて、下層メタル・
層間絶縁膜及び上層メタルに段差を生じない事を
特徴としたＭＩＭキヤパシター。
Claims (1)
- 下層メタル、相間絶縁膜および上層メタルから
なるＭＩＭキヤパシターにおいて、ＧａＡｓ基板
上に下層メタルと同一膜厚となる絶縁膜を形成し
、該絶縁膜の所定位置に下層メタル配置用開口部
を設け、ここに下層メタルを形成しこの下層メタ
ルの上に下層メタルと上層メタルの面積よりも大
きくなるように相関絶縁膜を形成し、その上に、
上層メタルを形成する事によつて、下層メタル・
相間絶縁膜及び上層メタルに段差を生じない事を
特徴したＭＩＭキヤパシター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265988U JPH01127260U (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2265988U JPH01127260U (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127260U true JPH01127260U (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=31240970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265988U Pending JPH01127260U (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01127260U (ja) |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP2265988U patent/JPH01127260U/ja active Pending