JPH01128176U - - Google Patents

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JPH01128176U
JPH01128176U JP2484788U JP2484788U JPH01128176U JP H01128176 U JPH01128176 U JP H01128176U JP 2484788 U JP2484788 U JP 2484788U JP 2484788 U JP2484788 U JP 2484788U JP H01128176 U JPH01128176 U JP H01128176U
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laser light
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  • Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の表面電位分布の検出装置に使
用される検出ヘツドにおける誘電体ミラーの構成
例を示す側面図、第２図は本考案の表面電位分布
の検出装置の応用例の説明に使用される記録媒体
と、前記の記録媒体から情報を読取る際に使用さ
れる検出ヘツドとを説明するための斜視図、第３
図は本考案の表面電位分布の検出装置の応用例と
して示す表示装置の斜視図、第４図及び第５図は
誘電体ミラーの従来構成を示す側面図、第６図及
び第７図は説明用の図表である。 ＤＭＬ……誘電体ミラー、ｎｓ……屈折率がｎ
ｓの基板、Ｅｔｒ……透明電極、ＰＭＬ……光変
調材層部材、ＲＨ……検出ヘツド、ＣＭＬ……記
録媒体、１……レーザ光源、２……偏光子、３…
…ビームエクスパンダ、４……ビームスプリツタ
、５……波長板、６……検光子、７……投影レン
ズ、Ｓ……スクリーン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 透明電極と、印加された電界の強度分布に応じ
    て光の状態を変化させる光学部材と、誘電体ミラ
    ーとの積層構造からなる検出ヘツドを前記した誘
    電体ミラー側が検出の対象にされている表面電位
    分布を有する被検出体に近接している態様で配置
    して、前記した検出ヘツドにおける透明電極側か
    らレーザ光を入射させるようにした表面電位分布
    の検出装置において、入射されるレーザ光の波長
    の１／４の膜厚で屈折率の高い物質層と入射され
    るレーザ光の波長の１／４の膜厚で屈折率の低い
    物質層とを順次交互に積層して構成されている誘
    電体ミラーの最外層上に、入射されるレーザ光の
    波長の１／２の整数倍の膜厚で電気抵抗率が高い
    物質層を設けた構成の誘電体ミラーを備えている
    検出ヘツドを使用してなる表面電位分布の検出装
    置。
JP2484788U 1988-02-26 1988-02-26 Expired - Lifetime JPH0522867Y2 (ja)

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JPH01128176U true JPH01128176U (ja) 1989-09-01
JPH0522867Y2 JPH0522867Y2 (ja) 1993-06-11

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