JPH01128476A - 積層型光起電力装置 - Google Patents
積層型光起電力装置Info
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- JPH01128476A JPH01128476A JP62286202A JP28620287A JPH01128476A JP H01128476 A JPH01128476 A JP H01128476A JP 62286202 A JP62286202 A JP 62286202A JP 28620287 A JP28620287 A JP 28620287A JP H01128476 A JPH01128476 A JP H01128476A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、太陽電池や光センナ等に利用される積層型光
起電力装置に関する。
起電力装置に関する。
（ロ）従来の技術
発電に寄与する光活性層が主として単結晶シリコンや多
結晶シリコンの結晶シリコン（以下Ｃ−８ｉという）か
らなる結晶系光起電力素子と、上記光活性層が主として
アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉという）のアモル
ファス系光起電力素子とを積層した積層型光起電力装置
は、例えば特開昭５９−１７５１７０号公報に示されて
いる。
結晶シリコンの結晶シリコン（以下Ｃ−８ｉという）か
らなる結晶系光起電力素子と、上記光活性層が主として
アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉという）のアモル
ファス系光起電力素子とを積層した積層型光起電力装置
は、例えば特開昭５９−１７５１７０号公報に示されて
いる。
斯る光起電力装置は上述の２つの異なった光起電力素子
を電気的且つ光学的に直列に接続し、短波長光を光学的
バンドギャップの広いアモルファス系で、また長波長光
を光学的バンドギャップの狭い結晶系で吸収することで
、全体として高い光電変換効率を得んとしたものである
。この場合、アモルファス系の素子で発生する光電流と
結晶系の素子で発生する光電流とが等しくする必要があ
るが、実際は、入射光の変化や材料の膜質等により等し
くすることは国電で、結果的に変換効率が低くなるとい
う問題点を有している。これに対し、アモルファス系光
起電力素子と、結晶系光起電力素子とを絶縁体を挾んで
積層し、光学的には直列に接続され、電気的には分離さ
れた４端子構造を用いることが考えられる。
を電気的且つ光学的に直列に接続し、短波長光を光学的
バンドギャップの広いアモルファス系で、また長波長光
を光学的バンドギャップの狭い結晶系で吸収することで
、全体として高い光電変換効率を得んとしたものである
。この場合、アモルファス系の素子で発生する光電流と
結晶系の素子で発生する光電流とが等しくする必要があ
るが、実際は、入射光の変化や材料の膜質等により等し
くすることは国電で、結果的に変換効率が低くなるとい
う問題点を有している。これに対し、アモルファス系光
起電力素子と、結晶系光起電力素子とを絶縁体を挾んで
積層し、光学的には直列に接続され、電気的には分離さ
れた４端子構造を用いることが考えられる。
従来、この絶縁体としては５４５Ｎ４や５ｊ０２が検討
されてきたが、これらの材料の屈折率は、２．８以下と
ａ−８ｉ＋ｃ−８ｉの屈折率（五１〜６．７）に比べ、
大幅に小さく、その結果、ｃ−３ｉで吸収すべき長波長
光が、ａ−！９ｉと絶縁体との界面で反射されて、ｃ−
３ｉに到達する割合が小さくなって、出力特性が低くな
るという新たな問題点が発生する。
されてきたが、これらの材料の屈折率は、２．８以下と
ａ−８ｉ＋ｃ−８ｉの屈折率（五１〜６．７）に比べ、
大幅に小さく、その結果、ｃ−３ｉで吸収すべき長波長
光が、ａ−！９ｉと絶縁体との界面で反射されて、ｃ−
３ｉに到達する割合が小さくなって、出力特性が低くな
るという新たな問題点が発生する。
（ハ）発明が解決しようとした問題点
本発明は上述の如くアモルファス系光起電力素子と結晶
系光起電力素子を絶縁体を挾んで積層すると、アモルフ
ァス系光起電力素子と絶縁体との界面において後段の結
晶系光起電力素子で吸収すべき長波長光が反射されて出
力特性が低下する点を解決しようとしたものである。
系光起電力素子を絶縁体を挾んで積層すると、アモルフ
ァス系光起電力素子と絶縁体との界面において後段の結
晶系光起電力素子で吸収すべき長波長光が反射されて出
力特性が低下する点を解決しようとしたものである。
に）問題点を解決するだめの手段
本発明光起電力装置は上記問題点を解決すべく、アモル
ファス系光起電力素子と結晶系光起電力素子との間に配
置される絶縁体を、炭素、窒素の元素の内少なくとも一
方の元素と、酸素とを含んだアモルファスシリコンアロ
イで構成することを％徴とした。
ファス系光起電力素子と結晶系光起電力素子との間に配
置される絶縁体を、炭素、窒素の元素の内少なくとも一
方の元素と、酸素とを含んだアモルファスシリコンアロ
イで構成することを％徴とした。
（ホ）作 用
上述の如く絶縁体を、炭素、窒素の元素の内少なくとも
一方の元素と、酸素とを含んだアモルファスシリコンア
ロイで構成することによって、波長的７００ ｎｍ〜１
ｌ１００ｎの長波長光に対する屈折率が約３．４〜３．
６とａ−８ｉ及びｃ−８：の屈折率に近づきアモルファ
ス系光起電力素子と当該絶縁体との界面における上記長
波長光に対する反射が減少する。
一方の元素と、酸素とを含んだアモルファスシリコンア
ロイで構成することによって、波長的７００ ｎｍ〜１
ｌ１００ｎの長波長光に対する屈折率が約３．４〜３．
６とａ−８ｉ及びｃ−８：の屈折率に近づきアモルファ
ス系光起電力素子と当該絶縁体との界面における上記長
波長光に対する反射が減少する。
（へ）実施例
第１図は本発明積層型光起電力装置の基本構造を示す模
式的断面図である。光入射が為される受光面側から見て
、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）上に、５ｎ
０２、ＩＴＯ等の透光性４成酸化物（ＴＣＯ）からなる
受光面電極（２）、ｐ型のアモルファスシリコンカーバ
イ）”（ａ−ｓｉｃ）層１３）、主として可視光領域の
短波長光を吸収し光キャリアを発生する発電に寄与する
光活性層としてのｉ型（真性）ａ−８ｉ層（４）、ｎ型
微結晶シリコン（μｃ−８ｉ）層（５）及び銀、アルミ
ニウム等の金属からなるくし型の第１透過電極（６）を
この順序で配置したアモルファス系光起電力素子（ＳＣ
１）が設けられている。斯るアモルファス系光起電力素
子（ＳＣ１）自体は周知である。次に本発明の構成的％
酸点である炭素０、窒素Ｎの元素の内少なくとも一方の
元素と、酸素０とを含んだａ−８ｉアロイからなる膜厚
０．５μｍ〜１μｍ程度の絶縁体）７）が形成される。
式的断面図である。光入射が為される受光面側から見て
、ガラス等の透光性且つ絶縁性の基板（１）上に、５ｎ
０２、ＩＴＯ等の透光性４成酸化物（ＴＣＯ）からなる
受光面電極（２）、ｐ型のアモルファスシリコンカーバ
イ）”（ａ−ｓｉｃ）層１３）、主として可視光領域の
短波長光を吸収し光キャリアを発生する発電に寄与する
光活性層としてのｉ型（真性）ａ−８ｉ層（４）、ｎ型
微結晶シリコン（μｃ−８ｉ）層（５）及び銀、アルミ
ニウム等の金属からなるくし型の第１透過電極（６）を
この順序で配置したアモルファス系光起電力素子（ＳＣ
１）が設けられている。斯るアモルファス系光起電力素
子（ＳＣ１）自体は周知である。次に本発明の構成的％
酸点である炭素０、窒素Ｎの元素の内少なくとも一方の
元素と、酸素０とを含んだａ−８ｉアロイからなる膜厚
０．５μｍ〜１μｍ程度の絶縁体）７）が形成される。
代表的な製法はａ−８ｉと同じプラズマＣＶＤ法であり
、原料ガスとしてＳｉＨ４、ＣＨ４、ＮＨ５，０２、Ｈ
２等が用いられ。
、原料ガスとしてＳｉＨ４、ＣＨ４、ＮＨ５，０２、Ｈ
２等が用いられ。
成膜すべき膜組成に応じて斯る原料ガスの組合せ及び流
量が選択され、ａ−８ｉ：Ｃ：０：Ｈ，ａ−３ｉ ：Ｎ
：０：Ｈ及びａ−８ｉ ： Ｃ：Ｎ：０二Ｈで表わされ
るａ−８ｉアａイが得られる。これらａ−８ｉアロイは
膜組成比にもよるがａ−８ｉ？ｃ−３ｉの屈折率（５１
〜３．７）とほぼ等しい６゜４〜３．６の屈折率を備え
る。
量が選択され、ａ−８ｉ：Ｃ：０：Ｈ，ａ−３ｉ ：Ｎ
：０：Ｈ及びａ−８ｉ ： Ｃ：Ｎ：０二Ｈで表わされ
るａ−８ｉアａイが得られる。これらａ−８ｉアロイは
膜組成比にもよるがａ−８ｉ？ｃ−３ｉの屈折率（５１
〜３．７）とほぼ等しい６゜４〜３．６の屈折率を備え
る。
斯る絶縁体（７）の−例としてＳｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈ＝７０
：１０：２：１８のａ−８ｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈは原料ガスと
してＳ ｉＨ４（５ＳＣＣＭ）、ＣＨ４（２ＳＣＣＭ）
、０２ （０，Ｉ Ｓ ＣＣＭ ）、Ｈ２（１００ＳＣ
ＣＭ）を用い、基板温度２５０°Ｃ％ＲＦパワー４０Ｗ
１反応圧力０．３Ｔｏｒｒの反応条件により得られる。
：１０：２：１８のａ−８ｉ：Ｃ：Ｏ：Ｈは原料ガスと
してＳ ｉＨ４（５ＳＣＣＭ）、ＣＨ４（２ＳＣＣＭ）
、０２ （０，Ｉ Ｓ ＣＣＭ ）、Ｈ２（１００ＳＣ
ＣＭ）を用い、基板温度２５０°Ｃ％ＲＦパワー４０Ｗ
１反応圧力０．３Ｔｏｒｒの反応条件により得られる。
このようにして得られたａ−８ｉアロイは、光学的バン
ドギャップが概ね２．４ ｅ Ｖ以上であるものの直接
光照射を受けると光導電効果により抵抗値の減少を招り
、シかし、光入射側に配置されたアモルファス系光起電
力素子（ＳＣｆ）が当該アロイの吸収波長域を含む可視
光波長を吸収し光電変換動作することから、到達するの
は吸収動作するに至らない長波長光であり、従って斯る
長波長光の照射を受けても光導電効果を生じることがな
く、良好な長波長光に対して秀光性絶縁体となる。
ドギャップが概ね２．４ ｅ Ｖ以上であるものの直接
光照射を受けると光導電効果により抵抗値の減少を招り
、シかし、光入射側に配置されたアモルファス系光起電
力素子（ＳＣｆ）が当該アロイの吸収波長域を含む可視
光波長を吸収し光電変換動作することから、到達するの
は吸収動作するに至らない長波長光であり、従って斯る
長波長光の照射を受けても光導電効果を生じることがな
く、良好な長波長光に対して秀光性絶縁体となる。
斯る絶縁体（７）の後段に、前段のアモルファス系光起
電力素子Ｃ３Ｃ１）で吸収されることなく、しかもアモ
ルファス系光起′シカ素子（ＳＣ１）と絶縁体（７）と
の界面で反射することなく到達した波長的７００ ｎｍ
へ１ｌ１００ｎの長波長光を吸収し光電変換動作する結
晶系光起電力素子（ＳＣ２）が光学的に積層される。当
該光起電力素子（ＳＣ２）は先ず第１透光電ｆｆｉ＋６
）と対向して同一形状の第２透光工極（８）が設けられ
、次いでｐ型多結晶シリコンＮ（９）が例えばＳ ｉ
Ｈａ ＋ Ｂ ２ Ｈ４＋ Ｈ２を原料ガスとした水銀
増感光ＣＶＤ法により形成され、そして同じ＜５ｉＨａ
＋ＰＨｓ＋Ｈｚによりｎ型多結晶シリコン層住ωが積層
される０代表的な元ＣＶＤ法による成膜条件は、光源と
して成膜面における光エネルギ強度が約５０ｍＷ７−と
なる紫外光を輻射する低圧水銀灯を用い、基板温度２５
０°Ｃ１反応圧力Ｑ、３Ｔｏｒｒ、原料ガスの流量比と
膜厚ば、ｐ型多結晶シリコン層１９）が８ ｉＨ４（５
ＳＣＣＭ）、Ｂ２１−）ｂ （０，０５ＳＣＣＭ）、Ｂ
２（１００８０ＣＭ）で０．５ｐｍ、ｎ型多結晶シリコ
ン層［１が８ ｉＨ４（５ＳＣＣＭ）、ＰＨ５（０゜０
３ＳＣＣＭ）、Ｂ２（１００８ＣＣＭ）で２０μｍであ
る。最後にｎ型多結晶シリコン層ａαの背る背面電極ｔ
ｉｎが周知の真空蒸着法、スパッタ法或いは印刷法によ
り形成される。
電力素子Ｃ３Ｃ１）で吸収されることなく、しかもアモ
ルファス系光起′シカ素子（ＳＣ１）と絶縁体（７）と
の界面で反射することなく到達した波長的７００ ｎｍ
へ１ｌ１００ｎの長波長光を吸収し光電変換動作する結
晶系光起電力素子（ＳＣ２）が光学的に積層される。当
該光起電力素子（ＳＣ２）は先ず第１透光電ｆｆｉ＋６
）と対向して同一形状の第２透光工極（８）が設けられ
、次いでｐ型多結晶シリコンＮ（９）が例えばＳ ｉ
Ｈａ ＋ Ｂ ２ Ｈ４＋ Ｈ２を原料ガスとした水銀
増感光ＣＶＤ法により形成され、そして同じ＜５ｉＨａ
＋ＰＨｓ＋Ｈｚによりｎ型多結晶シリコン層住ωが積層
される０代表的な元ＣＶＤ法による成膜条件は、光源と
して成膜面における光エネルギ強度が約５０ｍＷ７−と
なる紫外光を輻射する低圧水銀灯を用い、基板温度２５
０°Ｃ１反応圧力Ｑ、３Ｔｏｒｒ、原料ガスの流量比と
膜厚ば、ｐ型多結晶シリコン層１９）が８ ｉＨ４（５
ＳＣＣＭ）、Ｂ２１−）ｂ （０，０５ＳＣＣＭ）、Ｂ
２（１００８０ＣＭ）で０．５ｐｍ、ｎ型多結晶シリコ
ン層［１が８ ｉＨ４（５ＳＣＣＭ）、ＰＨ５（０゜０
３ＳＣＣＭ）、Ｂ２（１００８ＣＣＭ）で２０μｍであ
る。最後にｎ型多結晶シリコン層ａαの背る背面電極ｔ
ｉｎが周知の真空蒸着法、スパッタ法或いは印刷法によ
り形成される。
このようにして、共通の基板（１）上の光入射方向前段
に可射光を吸収して光電変換動作するアモルファス系光
起電力素子Ｃ３Ｃ１）を配置し、次いで当該光起１を力
素子（ＳＣ１）と屈折率がほぼ等しいａ−８ｉアロイの
絶縁体（７）を設け、そして前段のアそルファス系光起
電力素子（ＳＣ１）及び絶縁体（７）で吸収することな
く到達した長波長光を吸収して光電変換動作する結晶系
光起電力素子（ＳＣ２）が積層されて、光学的には直列
に接続され、電気的には分離されて各素子（ＳＣ１）（
ＳＣ２）毎に７を極ｔ２Ｈ６）、（８１１１１３に連な
った出力端子（’ＩＪ１）（Ｔ＋２）、（Ｔ２１）（Ｔ
２２）から個別の光電変換出力が導出される。斯る本発
明実施例の光起電力装置について、太陽光下（ＡＭ−ｔ
５．１００ ｍＷ／ａＪ ）の出力特性が第２図におい
て実線で示されている。この実施例装置において使用さ
れた絶縁体（７）は、波長的７００ ｎｍへ１ｌ１００
ｎに対し屈折率が約五４〜３．６のａ−ｉ９ ；ｏｌｏ
：Ｃｏ、１ａ：００３口２ ：Ｈｏ、１８で膜厚約１μ
ｍであった。一方、比較のために、上記実施例装置のａ
−Ｓｉ Ｑ、７Ｑ ：Ｃ０，ＩＱ：００．０２：Ｈｏ
、１８ の絶縁体（７）に代えて１９ｉ５Ｎ４の絶縁体
を備え、それ以外は同一構成とした比較例装置を作成し
、同じ（ＡＭ−ｔ５．１００ｍＷ／、４の太陽光の下で
出力特性を測定した。その出力特性が第２図において破
線で示されている。第２図の実線（ａ）と破線＜ａｆは
それぞれ、実施例装置および比較例装置におけるアモル
ファス系光起電力素子（ＳＣ１）の出力特性を示し、実
線（ｂ）と破線間は、それぞれ、実施例装置および比較
例装置における結晶系光起電力素子（ＳＣ２）の出力特
性を示し−ている。アモルファス系光起電力素子（ＳＣ
１）については、比較例装置の方が、わずかに電流が大
きいが、結晶系光起電力素子（ＳＣ２）については、実
施例装置の方が大幅に電流が大きくなっている。これは
、比較例装置の場合、実施例装置と比べて、アモルファ
ス系光起電力素子（ＳＣ１）と絶縁体の界面における長
波長光の反対が大きいため、アモルファス系光起電力素
子（ＳＣ１）側で吸収される光の総量が増えるが、ａ−
３ｉの長波長光に対する吸収係数が小さいために、その
増加分はわずかであり、発生電流の増加分も少ない。
に可射光を吸収して光電変換動作するアモルファス系光
起電力素子Ｃ３Ｃ１）を配置し、次いで当該光起１を力
素子（ＳＣ１）と屈折率がほぼ等しいａ−８ｉアロイの
絶縁体（７）を設け、そして前段のアそルファス系光起
電力素子（ＳＣ１）及び絶縁体（７）で吸収することな
く到達した長波長光を吸収して光電変換動作する結晶系
光起電力素子（ＳＣ２）が積層されて、光学的には直列
に接続され、電気的には分離されて各素子（ＳＣ１）（
ＳＣ２）毎に７を極ｔ２Ｈ６）、（８１１１１３に連な
った出力端子（’ＩＪ１）（Ｔ＋２）、（Ｔ２１）（Ｔ
２２）から個別の光電変換出力が導出される。斯る本発
明実施例の光起電力装置について、太陽光下（ＡＭ−ｔ
５．１００ ｍＷ／ａＪ ）の出力特性が第２図におい
て実線で示されている。この実施例装置において使用さ
れた絶縁体（７）は、波長的７００ ｎｍへ１ｌ１００
ｎに対し屈折率が約五４〜３．６のａ−ｉ９ ；ｏｌｏ
：Ｃｏ、１ａ：００３口２ ：Ｈｏ、１８で膜厚約１μ
ｍであった。一方、比較のために、上記実施例装置のａ
−Ｓｉ Ｑ、７Ｑ ：Ｃ０，ＩＱ：００．０２：Ｈｏ
、１８ の絶縁体（７）に代えて１９ｉ５Ｎ４の絶縁体
を備え、それ以外は同一構成とした比較例装置を作成し
、同じ（ＡＭ−ｔ５．１００ｍＷ／、４の太陽光の下で
出力特性を測定した。その出力特性が第２図において破
線で示されている。第２図の実線（ａ）と破線＜ａｆは
それぞれ、実施例装置および比較例装置におけるアモル
ファス系光起電力素子（ＳＣ１）の出力特性を示し、実
線（ｂ）と破線間は、それぞれ、実施例装置および比較
例装置における結晶系光起電力素子（ＳＣ２）の出力特
性を示し−ている。アモルファス系光起電力素子（ＳＣ
１）については、比較例装置の方が、わずかに電流が大
きいが、結晶系光起電力素子（ＳＣ２）については、実
施例装置の方が大幅に電流が大きくなっている。これは
、比較例装置の場合、実施例装置と比べて、アモルファ
ス系光起電力素子（ＳＣ１）と絶縁体の界面における長
波長光の反対が大きいため、アモルファス系光起電力素
子（ＳＣ１）側で吸収される光の総量が増えるが、ａ−
３ｉの長波長光に対する吸収係数が小さいために、その
増加分はわずかであり、発生電流の増加分も少ない。
それに対し、実施例装置の場合は、逆に結晶系光起電力
素子（ＳＣ２）側で吸収される光が大幅に増えることか
ら発生電流が大幅に増加する。従って、光起電力装置全
体の出力特性は各光起電力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）が
個別の出力端子（ＴＮ）（ＴＩ２）、（Ｔ２１ ） （
Ｔ２２ ）を備えることから、各光起電力素子（ＳＣ１
）（ＳＣ２）の総和となる。その結果各党起電力素子（
ＳＣ１）（ＳＣ２）の構成は同じであっても、本発明の
実施例装置における変換効率は約１８．０％となるのに
対し、比較例装置のそれは約１５．２％に止まる。即ち
、本発明実施例装置にあっては比較例装置と同じ光起電
力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）を用いたにも拘らず、その
両者の間に存在する絶縁体（７）の最適化を施すことに
より高い変換効率が得られる。
素子（ＳＣ２）側で吸収される光が大幅に増えることか
ら発生電流が大幅に増加する。従って、光起電力装置全
体の出力特性は各光起電力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）が
個別の出力端子（ＴＮ）（ＴＩ２）、（Ｔ２１ ） （
Ｔ２２ ）を備えることから、各光起電力素子（ＳＣ１
）（ＳＣ２）の総和となる。その結果各党起電力素子（
ＳＣ１）（ＳＣ２）の構成は同じであっても、本発明の
実施例装置における変換効率は約１８．０％となるのに
対し、比較例装置のそれは約１５．２％に止まる。即ち
、本発明実施例装置にあっては比較例装置と同じ光起電
力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）を用いたにも拘らず、その
両者の間に存在する絶縁体（７）の最適化を施すことに
より高い変換効率が得られる。
尚本発明にあっては第１・第２透過電極（６Ｈ８１を構
成するくし形電極が低抵抗であることが望ましいため、
その材料として高温超電導体の採用も考えられる。また
、各光起電力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）は凸凹状の断面
形状を有するテクスチュア構造である方が、より高い出
力特性を得られる。
成するくし形電極が低抵抗であることが望ましいため、
その材料として高温超電導体の採用も考えられる。また
、各光起電力素子（ＳＣ１）（ＳＣ２）は凸凹状の断面
形状を有するテクスチュア構造である方が、より高い出
力特性を得られる。
さらに、このテクスチュアの凸凹の平均間隔は、アモル
ファス系光起電力素子（ＳＣ１では可視光に対して光損
失が少なくなるように選び、かつ、結晶系光起電力素子
（ＳＣ２）では近赤外光に対して光損失が少なくなるよ
うに選べば、さらに特性が高くなる。
ファス系光起電力素子（ＳＣ１では可視光に対して光損
失が少なくなるように選び、かつ、結晶系光起電力素子
（ＳＣ２）では近赤外光に対して光損失が少なくなるよ
うに選べば、さらに特性が高くなる。
（ト）発明の効果
本発明光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、ア
モルファス系光起電力素子と絶縁体との界面における長
波長光に対する反射が減少するので、当該長波長光を後
段の結晶系光起電力素子に良好に導くことができ、装置
全体の総合出力特性の改善が図れる。
モルファス系光起電力素子と絶縁体との界面における長
波長光に対する反射が減少するので、当該長波長光を後
段の結晶系光起電力素子に良好に導くことができ、装置
全体の総合出力特性の改善が図れる。
の光照射下の電流・電圧特性を示す出力特性図である。
は】・・・基板、 （７）・・・絶縁体、 （ＳＣＩ）
・・・アモルファス系光起電力素子、 （ＳＣ２）・・
・結晶系光起電力素子。
・・・アモルファス系光起電力素子、 （ＳＣ２）・・
・結晶系光起電力素子。
Claims (3)
- （１）発電に寄与する光活性層が主としてアモルファス
シリコンからなるアモルファス系光起電力素子と、上記
光活性層が主として結晶シリコンからなる結晶系光起電
力素子と、を絶縁体を挾んで積層し、光入射側にアモル
ファス系光起電力素子を配置した積層型光起電力装置に
おいて、上記絶縁体は炭素、窒素の元素の内少なくとも
一方の元素と、酸素とを含んだアモルファスシリコンア
ロイであることを特徴とした積層型光起電力装置。 - （２）上記結晶シリコンは多結晶シリコンであることを
特徴とした特許請求の範囲第１項記載の積層型光起電力
装置。 - （３）上記結晶シリコンは単結晶シリコンであることを
特徴とした特許請求の範囲第１項記載の積層型光起電力
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286202A JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286202A JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128476A true JPH01128476A (ja) | 1989-05-22 |
| JP2669834B2 JP2669834B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17701283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62286202A Expired - Fee Related JP2669834B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 積層型光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669834B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010100947A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 株式会社アルバック | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| JP2012109555A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| WO2012157428A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
| JP2015029129A (ja) * | 2009-12-09 | 2015-02-12 | コミサリア ア レネルジー アトミック エ オ ゼネルジー アルテルナティブＣｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ Ａｌ’Ｅｎｅｒｇｉｅ Ａｔｏｍｉｑｕｅ Ｅｔ Ａｕｘ Ｅｎｅｒｇｉｅｓａｌｔｅｒｎａｔｉｖｅｓ | 太陽電池、太陽電池のアセンブリ及び太陽電池のマトリックス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57153478A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Photoelectric conversion device |
| JPS58191479A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 光電素子及びこれを用いる光検知方法 |
| JPS59125669A (ja) * | 1983-01-07 | 1984-07-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 太陽電池 |
| JPS611062A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-07 | Toshiba Corp | 光起電力装置 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62286202A patent/JP2669834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57153478A (en) * | 1981-03-19 | 1982-09-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Photoelectric conversion device |
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| WO2010100947A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | 株式会社アルバック | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
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| JP2012109555A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US9413289B2 (en) | 2010-10-29 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
| WO2012157428A1 (ja) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669834B2 (ja) | 1997-10-29 |
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|---|---|---|---|
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