JPH01130164A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPH01130164A JPH01130164A JP28871387A JP28871387A JPH01130164A JP H01130164 A JPH01130164 A JP H01130164A JP 28871387 A JP28871387 A JP 28871387A JP 28871387 A JP28871387 A JP 28871387A JP H01130164 A JPH01130164 A JP H01130164A
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- JP
- Japan
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- layer
- photoreceptor
- alloy
- thermal expansion
- surface protective
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光源として発光ダイオード、液晶。
半導体またはガスレーザを用い、６３０〜８００ｎｍの
長波長光を書込み光とする電子写真方式の複写機あるい
はプリンタに用いられる電子写真用感光体に関する。
長波長光を書込み光とする電子写真方式の複写機あるい
はプリンタに用いられる電子写真用感光体に関する。
（従来の技術〕
電子写真方式の複写機およびプリンタで書込み光として
長波長光を用いる場合の感光体としては、長波長光に対
し優れた感度を有するＳｅ系機能分離型感光体がよく知
られている。この感光体は主として、長波長光領域で優
れたキャリア発生効率を有す電荷発生層、また発生した
キャリアを輸送する電荷輸送層、さらに外部ストレスか
ら電荷発生層を保護する表面保護層とから構成されてい
る。
長波長光を用いる場合の感光体としては、長波長光に対
し優れた感度を有するＳｅ系機能分離型感光体がよく知
られている。この感光体は主として、長波長光領域で優
れたキャリア発生効率を有す電荷発生層、また発生した
キャリアを輸送する電荷輸送層、さらに外部ストレスか
ら電荷発生層を保護する表面保護層とから構成されてい
る。
通常、電荷発生層には３０〜５０重量％のＴｅを含むＴ
ｅ−Ｓｅ合金が、また電荷輸送層には純セレン、・低濃
度のＡ３またはＴｅを含むＳｅ合金、あるいはハロゲン
をドープしたこれらの合金が、そして表面保護層には低
濃度Ａｓ −Ｓｅ合金が用いられている。
ｅ−Ｓｅ合金が、また電荷輸送層には純セレン、・低濃
度のＡ３またはＴｅを含むＳｅ合金、あるいはハロゲン
をドープしたこれらの合金が、そして表面保護層には低
濃度Ａｓ −Ｓｅ合金が用いられている。
（発明が解決しようとする問題点〕
一般に感光体の耐刷性すなわち、寿命は感光体の最表面
層の機械的強度によって決定される。上述の感光体は、
最表面層である表面保護層が低濃度Ａｓ −Ｓｅ合金か
らなるため十分な機械的強度を持っておらず、そのため
耐剛性は十分とはいえない。
層の機械的強度によって決定される。上述の感光体は、
最表面層である表面保護層が低濃度Ａｓ −Ｓｅ合金か
らなるため十分な機械的強度を持っておらず、そのため
耐剛性は十分とはいえない。
そこで耐剛性を向上させるため、表面保護層の＾３濃度
を高くさせたり、例えば特開昭５７−３０８４６号公報
、特開昭５７−７９９４７号公報、特開昭５７−１２８
３４４号公報、特公昭６１−１０９０６５号公報あるい
は特開昭６１−１１７５６２号公報などに記載されてい
るように、無機または有機材料の絶縁層ないし絶縁材料
に導電物質の粉末を分散させた層を用いて表面の機械的
強度を向上させることが試みられる。しかしながらこの
ような表面保護層を用いると、下層の感光層より小さい
熱膨張係数の関係から、高温環境下で亀裂が入るよう・
な耐熱性上の問題がおきる。
を高くさせたり、例えば特開昭５７−３０８４６号公報
、特開昭５７−７９９４７号公報、特開昭５７−１２８
３４４号公報、特公昭６１−１０９０６５号公報あるい
は特開昭６１−１１７５６２号公報などに記載されてい
るように、無機または有機材料の絶縁層ないし絶縁材料
に導電物質の粉末を分散させた層を用いて表面の機械的
強度を向上させることが試みられる。しかしながらこの
ような表面保護層を用いると、下層の感光層より小さい
熱膨張係数の関係から、高温環境下で亀裂が入るよう・
な耐熱性上の問題がおきる。
本発明の目的は、上述の問題を解決して長波長光用のＳ
ｓ系機能分離型感光体での電気特性を悪化させることな
く、耐刷性および耐熱性を向上させた長寿命の電子写真
用感光体を提供することにある。
ｓ系機能分離型感光体での電気特性を悪化させることな
く、耐刷性および耐熱性を向上させた長寿命の電子写真
用感光体を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明は、それぞれセレ
ンを主成分とする電荷輸送層とその上の電荷発生層を備
え、表面が電荷発生層より小さい熱膨張係数を有する保
護層により覆われる電子写真用感光体において、Ａｓ
−Ｓｅ合金からなる中間層が電荷発生層と表面保護層と
の間に介在し、中間層のＡｓ１１度が電荷発生層より表
面保護層に向かい次第に高められたものとする。
ンを主成分とする電荷輸送層とその上の電荷発生層を備
え、表面が電荷発生層より小さい熱膨張係数を有する保
護層により覆われる電子写真用感光体において、Ａｓ
−Ｓｅ合金からなる中間層が電荷発生層と表面保護層と
の間に介在し、中間層のＡｓ１１度が電荷発生層より表
面保護層に向かい次第に高められたものとする。
Ａｓ−Ｓｅ合金の熱膨張係数は、Ａｓ濃度を高めるにつ
れて次第に低くなる。従ってＡｓ濃度が次第に高くなる
中間層が相対的に熱膨張係数の高い電荷発生層と熱膨張
係数の低い表面保護層の間に介在することにより、高温
環境下で眉間の熱膨張の急激な変化がなく、熱応力によ
る亀裂の発生の問題が解消する。
れて次第に低くなる。従ってＡｓ濃度が次第に高くなる
中間層が相対的に熱膨張係数の高い電荷発生層と熱膨張
係数の低い表面保護層の間に介在することにより、高温
環境下で眉間の熱膨張の急激な変化がなく、熱応力によ
る亀裂の発生の問題が解消する。
第１図（ａｌは本発明の実施例の電子写真用感光体の代
表的断面構成を示す、導電性基体ｌとしては、通常ｋｌ
、Ｎ％のような金属材料からなる管が用いられ、その上
に純Ｓｅ、低濃度のＡｓまたはＴｅを含むＳｅ合金、あ
るいはハロゲンをドープしたこれらの合金からなる電荷
輸送層２が存在する。電荷輸送Ｎ２の上の電荷発生層３
はＴｅ −Ｓｅ合金からなり、画像露光に用いられる光
の波長によってＴｅ濃度および膜厚が決められるが、一
般にはＴｅＮａ度が３０〜５０重量％、膜厚が０．１〜
１μの範囲モ用いられる０本発明による中間層４はＡｓ
−Ｓｅ合金からなり、第１図（１））のように熱膨張係
数に傾きを持たせるため、Ａ ｓ ｆｌＪ度を１．５〜
３８．７重量％まで次第に変化させる。
表的断面構成を示す、導電性基体ｌとしては、通常ｋｌ
、Ｎ％のような金属材料からなる管が用いられ、その上
に純Ｓｅ、低濃度のＡｓまたはＴｅを含むＳｅ合金、あ
るいはハロゲンをドープしたこれらの合金からなる電荷
輸送層２が存在する。電荷輸送Ｎ２の上の電荷発生層３
はＴｅ −Ｓｅ合金からなり、画像露光に用いられる光
の波長によってＴｅ濃度および膜厚が決められるが、一
般にはＴｅＮａ度が３０〜５０重量％、膜厚が０．１〜
１μの範囲モ用いられる０本発明による中間層４はＡｓ
−Ｓｅ合金からなり、第１図（１））のように熱膨張係
数に傾きを持たせるため、Ａ ｓ ｆｌＪ度を１．５〜
３８．７重量％まで次第に変化させる。
膜厚は１〜５Ｉ！ｍが好適である。電荷発生層に近接す
る部分の中間層４のＡｓ濃度を１．５重量％と定めであ
るのは、熱膨張係数を電荷発生層に合わせるためと同時
に、暗減衰や帯電低下の原因となる電荷発生層から表面
保護層への電子の注入を抑えるためである。また表面保
護層に近接する部分の中間層４のＡ ｓ ｔＲ度を３８
．７重量％と定めであるのは、この濃度でＡｓ−５’ｅ
合金は最も安定な化合物Ａｓ、Ｓｅ。
る部分の中間層４のＡｓ濃度を１．５重量％と定めであ
るのは、熱膨張係数を電荷発生層に合わせるためと同時
に、暗減衰や帯電低下の原因となる電荷発生層から表面
保護層への電子の注入を抑えるためである。また表面保
護層に近接する部分の中間層４のＡ ｓ ｔＲ度を３８
．７重量％と定めであるのは、この濃度でＡｓ−５’ｅ
合金は最も安定な化合物Ａｓ、Ｓｅ。
となり、熱膨張係数が最も低くなるからである。
膜厚として１〜５−が好適なのは、薄すぎると下地の熱
膨張を抑える能力が低下し中間層としての役目を果たさ
なくなること、逆に厚すぎると光を多く吸収するため、
電荷発生層３への入射光量を少なくし、感度を低下させ
てしまうことによる。
膨張を抑える能力が低下し中間層としての役目を果たさ
なくなること、逆に厚すぎると光を多く吸収するため、
電荷発生層３への入射光量を少なくし、感度を低下させ
てしまうことによる。
表面保護層としてはＡｓ、Ｓｅ１等のＳｅ合金や他の透
明絶縁材料、例えばＡ７’ｚＯａ＋ ＺｎＯ，ＳｔＯｇ
等の金属酸化物、ナイロン、ウレタン、フェノール、ア
クリル。
明絶縁材料、例えばＡ７’ｚＯａ＋ ＺｎＯ，ＳｔＯｇ
等の金属酸化物、ナイロン、ウレタン、フェノール、ア
クリル。
ポリカーボネート等の合成樹脂等が用いられる。
膜厚は感度の低下や露光電位の上昇等から考え、Ａｓ！
５１３．では５μ、金属酸化物では２μ、合成樹脂では
３ｎ以下が望ましい。
５１３．では５μ、金属酸化物では２μ、合成樹脂では
３ｎ以下が望ましい。
以下、実施例の感光体と比較例の感光体の特性評価につ
いて述べる。
いて述べる。
実施例感光体１：
この感光体は、中間層として１．５重量％Ａｓ −Ｓｅ
合金および１．５重量％から３８．７重量％まで組成の
変化するＡｓ −Ｓｅ合金をそれぞれ約１＃１１．計２
μ真空蒸着したものであり、表面保護層５はイオンブレ
ーティング法により、Ｕ 、Ｏ３を約０．５ ｎ成膜し
たものであることを特徴としている。製造工程としては
、加工および洗浄したり素管 （直径８０鶴）を蒸着槽
の支持軸に取り付け、槽内を１×１Ｏ−ＳＴｏｒｒ以下
の真空度まで排気した後、基体であるＭ素管の温度を６
５℃に保たせた状態で純Ｓｅが入った蒸発源を３００℃
に加熱し、約６０１！ｍの膜厚を有す電荷輸送層２を蒸
着した０次に、電荷発生層３および中間層４をフラッシ
ュ蒸着法により蒸着した。
合金および１．５重量％から３８．７重量％まで組成の
変化するＡｓ −Ｓｅ合金をそれぞれ約１＃１１．計２
μ真空蒸着したものであり、表面保護層５はイオンブレ
ーティング法により、Ｕ 、Ｏ３を約０．５ ｎ成膜し
たものであることを特徴としている。製造工程としては
、加工および洗浄したり素管 （直径８０鶴）を蒸着槽
の支持軸に取り付け、槽内を１×１Ｏ−ＳＴｏｒｒ以下
の真空度まで排気した後、基体であるＭ素管の温度を６
５℃に保たせた状態で純Ｓｅが入った蒸発源を３００℃
に加熱し、約６０１！ｍの膜厚を有す電荷輸送層２を蒸
着した０次に、電荷発生層３および中間層４をフラッシ
ュ蒸着法により蒸着した。
電荷発生層３としては、４４重量％Ｔｅ−５ｅ合金を約
０、５ ｍの厚さに、中間層４としては１．５重量％＾
５−３ｅ合金および１．５〜３８．７重量％Ａｓ −Ｓ
ｅ合金をそれぞれ約１μずつ合わせて約２１！ｍ蒸着し
た。フラッシュ蒸着は支持軸温度６０℃、真空度１×１
Ｏ−ＳＴｏｒｒ以下、蒸発源温度３５０℃の条件の下で
行った。
０、５ ｍの厚さに、中間層４としては１．５重量％＾
５−３ｅ合金および１．５〜３８．７重量％Ａｓ −Ｓ
ｅ合金をそれぞれ約１μずつ合わせて約２１！ｍ蒸着し
た。フラッシュ蒸着は支持軸温度６０℃、真空度１×１
Ｏ−ＳＴｏｒｒ以下、蒸発源温度３５０℃の条件の下で
行った。
さらに中間層の上に表面保護層としてＭ 、０３を約０
．５ｎイオンブレーテイングした。
．５ｎイオンブレーテイングした。
実施例感光体２：
この感光体は、中間層４が１．５重量％Ａｓ −Ｓｅ合
金、 １．５〜３８．７重量％Ａｓ −Ｓｅ合金およ
び３８．７重量％Ａｓ −５ｅ（Ａｓ□５ｅｓ）合金を
それぞれ約１ｐずつ計約３μフラッシュ蒸着したもので
あり、表面保護層がナイロンおよびウレタンの混合樹脂
を約１μ塗布したものであることを特徴とする。その他
の製造工程は感光体１の場合と同様である。
金、 １．５〜３８．７重量％Ａｓ −Ｓｅ合金およ
び３８．７重量％Ａｓ −５ｅ（Ａｓ□５ｅｓ）合金を
それぞれ約１ｐずつ計約３μフラッシュ蒸着したもので
あり、表面保護層がナイロンおよびウレタンの混合樹脂
を約１μ塗布したものであることを特徴とする。その他
の製造工程は感光体１の場合と同様である。
比較例の感光体の断面構成は第２図のとうりで、中間Ｎ
４がなく電荷輸送層２．電荷発生層３および表面保護層
５とから構成されている。それぞれの層は比較例感光体
１は実施例感光体１と、比較例感光体２は実施例感光体
２と同じである。比較例の感光体３は表面保護層５が上
記の二つの感光体と異なり、４重量％＾５−Ｓｅ合金を
約３μの厚さにフラッシュ蒸着したもので、従来の長波
長光用Ｓｅ系機能分離感光体感光体と同様の感光体であ
る。
４がなく電荷輸送層２．電荷発生層３および表面保護層
５とから構成されている。それぞれの層は比較例感光体
１は実施例感光体１と、比較例感光体２は実施例感光体
２と同じである。比較例の感光体３は表面保護層５が上
記の二つの感光体と異なり、４重量％＾５−Ｓｅ合金を
約３μの厚さにフラッシュ蒸着したもので、従来の長波
長光用Ｓｅ系機能分離感光体感光体と同様の感光体であ
る。
フラッシュ蒸着の条件は、実施例感光体１について述べ
た条件と同一である。
た条件と同一である。
このようにして得られた五つの感光体について、電気特
性、耐摩耗性および耐熱性を調べた結果を第１表に示す
。
性、耐摩耗性および耐熱性を調べた結果を第１表に示す
。
第１表
電気特性は、感度、保持率、残留電位等のゼログラフイ
ンク特性のほか、帯電低下、残電上昇等の疲労特性を含
めたものである。中間層４の有無によらず、ｋｌよ０．
やナイロン、ウレタンの混合樹脂よりなる機械的強度に
優れた表面保護層を設けたいずれの実施例の感光体も、
電気特性については比較例感光体３の従来品と大差な（
、良好な結果が得られた。耐摩耗性は、耐剛性の目安と
して調べたもので、１万枚のランニングによる感光体表
面、すなわち表面保護層５の削れ量により判断した。中
間Ｊｉ４の有無によらず、ＵＪｘの表面保護層５を設け
た感光体（実施例、比較例それぞれの感光体１）は従来
品の３０倍、ナイロン、ウレタンの表面保護層５を設け
た感光体（実施例、比較例それぞれの感光体２）は、従
来品の１０倍というように、機械的強度に優れた表面保
ｆｆ１層５を設けることで、著しく耐剛性が向上すると
いう結果を得た。耐熱性は、４０℃の高温環境放置試験
により調べた。中間層４を設けなかった比較例の感光体
１．２は５０時間の放置で亀裂が発生したのに対し、中
間層４を設けた実施例の感光体は、いずれも従来品と同
様に１０００時間でも亀裂が発生しなかった。
ンク特性のほか、帯電低下、残電上昇等の疲労特性を含
めたものである。中間層４の有無によらず、ｋｌよ０．
やナイロン、ウレタンの混合樹脂よりなる機械的強度に
優れた表面保護層を設けたいずれの実施例の感光体も、
電気特性については比較例感光体３の従来品と大差な（
、良好な結果が得られた。耐摩耗性は、耐剛性の目安と
して調べたもので、１万枚のランニングによる感光体表
面、すなわち表面保護層５の削れ量により判断した。中
間Ｊｉ４の有無によらず、ＵＪｘの表面保護層５を設け
た感光体（実施例、比較例それぞれの感光体１）は従来
品の３０倍、ナイロン、ウレタンの表面保護層５を設け
た感光体（実施例、比較例それぞれの感光体２）は、従
来品の１０倍というように、機械的強度に優れた表面保
ｆｆ１層５を設けることで、著しく耐剛性が向上すると
いう結果を得た。耐熱性は、４０℃の高温環境放置試験
により調べた。中間層４を設けなかった比較例の感光体
１．２は５０時間の放置で亀裂が発生したのに対し、中
間層４を設けた実施例の感光体は、いずれも従来品と同
様に１０００時間でも亀裂が発生しなかった。
実施例の感光体は比較例の感光体にくらべ優れた耐剛性
とともに良好な耐熱性を有することを確認した。
とともに良好な耐熱性を有することを確認した。
本発明によれば、長波長光を書込み光とする電子写真装
置に用いられるＳｅ系機能分離感光体感光体の耐刷性を
向上させ・るための表面保護層の熱膨張係数がＳｅ合金
の熱膨張係数より低いことによる高温環境下での亀裂発
生を、電荷発生層側から表面保ＷＬＮ側にかけて次第に
Ａｓ９１度が高くなり・膨張係数が低くなる中間層を介
在させることにより熱応力を緩和させて防止し、電気的
特性を変化させないで、非常にすぐれた耐刷性とともに
良好な耐熱性を有する長波長光用の電子写真用感光体が
得られた。
置に用いられるＳｅ系機能分離感光体感光体の耐刷性を
向上させ・るための表面保護層の熱膨張係数がＳｅ合金
の熱膨張係数より低いことによる高温環境下での亀裂発
生を、電荷発生層側から表面保ＷＬＮ側にかけて次第に
Ａｓ９１度が高くなり・膨張係数が低くなる中間層を介
在させることにより熱応力を緩和させて防止し、電気的
特性を変化させないで、非常にすぐれた耐刷性とともに
良好な耐熱性を有する長波長光用の電子写真用感光体が
得られた。
第１図＋ａ）、 （ｂ）は本発明の実施例の感光体を示
し、（ａｌは概念的断面図、伽）は中間層のＡｓ９９４
度および熱膨張係数分布図、第２図は比較例の感光体の
断面図である。 １：基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４二中間
層、５：表面保護層。 第１図 第２図
し、（ａｌは概念的断面図、伽）は中間層のＡｓ９９４
度および熱膨張係数分布図、第２図は比較例の感光体の
断面図である。 １：基体、２：電荷輸送層、３：電荷発生層、４二中間
層、５：表面保護層。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）それぞれセレンを主成分とする電荷輸送層とその上
の電荷発生層を備え、表面が電荷発生層より小さい熱膨
張係数を有する保護層により覆われるものにおいて、砒
素・セレン合金からなる中間層が前記電荷発生層と表面
保護層との間に介在し、中間層の砒素濃度が電荷発生層
より表面保護層に向かい次第に高められたことを特徴と
する電子写真用感光体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28871387A JPH01130164A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 電子写真用感光体 |
| DE19883836357 DE3836357A1 (de) | 1987-11-16 | 1988-10-25 | Lichtempfindlicher koerper fuer elektrofotografische anwendungen |
| US07/271,004 US4880717A (en) | 1987-06-06 | 1988-11-14 | Photosensitive body for electrophotography with protective and intermediate layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28871387A JPH01130164A (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130164A true JPH01130164A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17733725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28871387A Pending JPH01130164A (ja) | 1987-06-06 | 1987-11-16 | 電子写真用感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130164A (ja) |
| DE (1) | DE3836357A1 (ja) |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP28871387A patent/JPH01130164A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-25 DE DE19883836357 patent/DE3836357A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3836357A1 (de) | 1989-06-01 |
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