JPH0217021B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0217021B2 JPH0217021B2 JP15119183A JP15119183A JPH0217021B2 JP H0217021 B2 JPH0217021 B2 JP H0217021B2 JP 15119183 A JP15119183 A JP 15119183A JP 15119183 A JP15119183 A JP 15119183A JP H0217021 B2 JPH0217021 B2 JP H0217021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- tellurium
- less
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
〔発明の属する技術分野〕
本発明はLEDあるいはHe−Neレーザまたは半
導体レーザなどを光源とする光プリンタのように
長波長光の光源に対して使用される電子写真用セ
レン感光体に関する。 〔従来技術とその問題点〕 長波長の光に対するセレン系の感光体として
は、導電性基体側から、純セレン系材料からなる
キヤリア輸送層（CTL）、テルル35重量％以上の
高濃度Te／Se材料からなるキヤリア発生層
（CGL）および純セレン系材料からなる電荷保持
に役立つ表面層（OCL）を順次積層した３層構
造の感光体が知られている。しかしながら、例え
ば近年特に光プリンタの主流をなす半導体レーザ
プリンタ用に波長約800μｍの近赤外光に対して
感度を持たせるべく、高濃度Te／Se層のTe濃度
を増大させた場合、電荷保持性を良好に保つこと
は上記の３層構造では困難であり、暗減衰の大き
い感光体になつてしまう。 〔発明の目的〕 本発明はこれに対し、半導体レーザ波長領域に
おいても充分な感度を有する高濃度Te／Se層を
CGLとして有しながら、その電荷保持能力が一
般のPPC複写機用セレン感光体と同等である電
子写真用セレン感光体を提供することを目的とす
る。 〔発明の要点〕 本発明による電子写真用感光体は、導電性基体
上に純セレンあるいは低濃度セレン合金よりなる
CTL、高濃なテルル・セレン合金よりなるCGL、
厚さ20Å以上のテルル酸化層と純セレンあるいは
セレン合金よりなるOCLが順次積層されてなる
ことにより上記の目的を達成する。 CTLとしては、膜厚30〜100μｍで純セレンも
しくは７重量％以下のTe、７原子％以下のひ素
（As）あるいは10000ppm以下のハロゲン元素
（Ｉ，Cl）を含むセレン合金からなる層が用いら
れる。 CGLとしては、膜厚0.3〜2μｍでCTL側界面で
25重量％以下、OCL側界面で35重量％以上のTe
を含み、その中に７原子％以下のAsを含んでも
よい高濃度Se／Te合金からなる層が用いられる。 テルル酸化層としては、CGLとOCLの間に存
在するTeの内、少なくともその50％が酸化して
いる層が有効である。 OCLは単層でも多層でもよく、純Seもしくは
13.5％以下の濃度のTe／Se合金よりなり、ある
いはGe，Sb，As，Zn，Sn等を７原子％以下を
含んでもよく、厚さは0.5〜5μｍが有効である。 〔発明の実施例〕 本発明 １： 長さ340mm、直径120mmのアルミニウム素管上に
純セレンを60μｍの厚さに真空蒸着した。この時
の素管温度を65℃に保つた。第１図に示すように
CTL２が形成された素管１を一旦真空ブレーク
して炉内から取り出した。次にこのドラム上にま
ず40重量％の高濃度Te／Se層３を0.6μｍの厚さ
にフラツシユ蒸着した。所要時間は約10分、素管
温度40℃、蒸発源ボート温度450℃である。この
ようにしてCTLおよびCGLが形成されたドラム
を真空蒸着槽より取り出し、45℃の恒温器の中に
200時間放置した。これによりテルル酸化層４が
形成された。つづいて恒温器より取り出したドラ
ムにOCL５として純セレンを2μｍの厚さにフラ
ツシユ蒸着した。この時のボート温度は420℃、
素管温度は40℃、所要時間は約15分であつた。 実施例 ２： 実施例１における恒温器中での放置の代りに
1kWの紫外線灯下で約１時間紫外線照射を行つ
て第１図のテルル酸化層４を形成後、OCL５を
被着した。 比較例 １ 実施例１、２における恒温器放置、紫外線照射
を除いたもので、その他は同じ工程でアルミニウ
ム素管上にCTL，CGLを積層ののち引きつづき
OCLを形成した。 比較例 ２ 比較例１と同様に恒温器放置、紫外線照射は行
わないが、CTL，CGL積層後一旦真空ブレーク
したのち約１時間を経て再び真空引きを行い、５
×10-5Torrにした後2μｍの厚さに純セレンをフ
ラツシユ蒸着してOCLを形成した。 このようにして得た４種類の感光体試料につい
て次のような試験を行つた。 (1) ゼログラフイ特性試験 試料ドラムを16rpmの回転速度で回転しながら
コロナ帯電を行い、帯電後1/4回転した点で回転
を止め、その点における表面電位の１秒間の暗減
衰特性を測定し、電荷保持率を計算した。この後
再び試料ドラムの回転を行い、ドラムを止めて今
度は800nmの波長の単色光を照射しながら電位の
放電特性を測定し、感光体の感度に関連する半減
衰露光量を得た。得られた結果を第１表に示す。
導体レーザなどを光源とする光プリンタのように
長波長光の光源に対して使用される電子写真用セ
レン感光体に関する。 〔従来技術とその問題点〕 長波長の光に対するセレン系の感光体として
は、導電性基体側から、純セレン系材料からなる
キヤリア輸送層（CTL）、テルル35重量％以上の
高濃度Te／Se材料からなるキヤリア発生層
（CGL）および純セレン系材料からなる電荷保持
に役立つ表面層（OCL）を順次積層した３層構
造の感光体が知られている。しかしながら、例え
ば近年特に光プリンタの主流をなす半導体レーザ
プリンタ用に波長約800μｍの近赤外光に対して
感度を持たせるべく、高濃度Te／Se層のTe濃度
を増大させた場合、電荷保持性を良好に保つこと
は上記の３層構造では困難であり、暗減衰の大き
い感光体になつてしまう。 〔発明の目的〕 本発明はこれに対し、半導体レーザ波長領域に
おいても充分な感度を有する高濃度Te／Se層を
CGLとして有しながら、その電荷保持能力が一
般のPPC複写機用セレン感光体と同等である電
子写真用セレン感光体を提供することを目的とす
る。 〔発明の要点〕 本発明による電子写真用感光体は、導電性基体
上に純セレンあるいは低濃度セレン合金よりなる
CTL、高濃なテルル・セレン合金よりなるCGL、
厚さ20Å以上のテルル酸化層と純セレンあるいは
セレン合金よりなるOCLが順次積層されてなる
ことにより上記の目的を達成する。 CTLとしては、膜厚30〜100μｍで純セレンも
しくは７重量％以下のTe、７原子％以下のひ素
（As）あるいは10000ppm以下のハロゲン元素
（Ｉ，Cl）を含むセレン合金からなる層が用いら
れる。 CGLとしては、膜厚0.3〜2μｍでCTL側界面で
25重量％以下、OCL側界面で35重量％以上のTe
を含み、その中に７原子％以下のAsを含んでも
よい高濃度Se／Te合金からなる層が用いられる。 テルル酸化層としては、CGLとOCLの間に存
在するTeの内、少なくともその50％が酸化して
いる層が有効である。 OCLは単層でも多層でもよく、純Seもしくは
13.5％以下の濃度のTe／Se合金よりなり、ある
いはGe，Sb，As，Zn，Sn等を７原子％以下を
含んでもよく、厚さは0.5〜5μｍが有効である。 〔発明の実施例〕 本発明 １： 長さ340mm、直径120mmのアルミニウム素管上に
純セレンを60μｍの厚さに真空蒸着した。この時
の素管温度を65℃に保つた。第１図に示すように
CTL２が形成された素管１を一旦真空ブレーク
して炉内から取り出した。次にこのドラム上にま
ず40重量％の高濃度Te／Se層３を0.6μｍの厚さ
にフラツシユ蒸着した。所要時間は約10分、素管
温度40℃、蒸発源ボート温度450℃である。この
ようにしてCTLおよびCGLが形成されたドラム
を真空蒸着槽より取り出し、45℃の恒温器の中に
200時間放置した。これによりテルル酸化層４が
形成された。つづいて恒温器より取り出したドラ
ムにOCL５として純セレンを2μｍの厚さにフラ
ツシユ蒸着した。この時のボート温度は420℃、
素管温度は40℃、所要時間は約15分であつた。 実施例 ２： 実施例１における恒温器中での放置の代りに
1kWの紫外線灯下で約１時間紫外線照射を行つ
て第１図のテルル酸化層４を形成後、OCL５を
被着した。 比較例 １ 実施例１、２における恒温器放置、紫外線照射
を除いたもので、その他は同じ工程でアルミニウ
ム素管上にCTL，CGLを積層ののち引きつづき
OCLを形成した。 比較例 ２ 比較例１と同様に恒温器放置、紫外線照射は行
わないが、CTL，CGL積層後一旦真空ブレーク
したのち約１時間を経て再び真空引きを行い、５
×10-5Torrにした後2μｍの厚さに純セレンをフ
ラツシユ蒸着してOCLを形成した。 このようにして得た４種類の感光体試料につい
て次のような試験を行つた。 (1) ゼログラフイ特性試験 試料ドラムを16rpmの回転速度で回転しながら
コロナ帯電を行い、帯電後1/4回転した点で回転
を止め、その点における表面電位の１秒間の暗減
衰特性を測定し、電荷保持率を計算した。この後
再び試料ドラムの回転を行い、ドラムを止めて今
度は800nmの波長の単色光を照射しながら電位の
放電特性を測定し、感光体の感度に関連する半減
衰露光量を得た。得られた結果を第１表に示す。
【表】
レーザ光に対する感度は半減衰露光量が2μJ／
cm2以下であればよいから、酸化層の形成は感度が
実用上支障ない範囲で電荷保持率を向上させるこ
とが第１表から分かる。しかし真空ブレークのみ
（比較例２）ではほとんど効果がない。 (2) 分析試験 実施例１、２、比較例１、２の試料ドラム作成
の際、予め表面にAl蒸着したシリコン板につい
て同時にCTL，CGL形成ならびに酸化処理を行
い、OCLのみを形成しないで分析試料として、
VG社製ESCALAB5による電子分光法による高
濃度Te／Se層の分析ならびにオージエ電子分光
法による表面近傍分析を行つた。得られた結果を
第２表に示す。
cm2以下であればよいから、酸化層の形成は感度が
実用上支障ない範囲で電荷保持率を向上させるこ
とが第１表から分かる。しかし真空ブレークのみ
（比較例２）ではほとんど効果がない。 (2) 分析試験 実施例１、２、比較例１、２の試料ドラム作成
の際、予め表面にAl蒸着したシリコン板につい
て同時にCTL，CGL形成ならびに酸化処理を行
い、OCLのみを形成しないで分析試料として、
VG社製ESCALAB5による電子分光法による高
濃度Te／Se層の分析ならびにオージエ電子分光
法による表面近傍分析を行つた。得られた結果を
第２表に示す。
本発明は純セレン系のCTL、高濃度Te／Seの
CGLならびに表面保護OCLからなるレーザ光の
ような長波長領域の光のための３層構造感光体に
おいて、CGLとOCLの界面に積極的酸化による
テルル酸化層を介在させることにより、長波長領
域光に対する充分な感度を有しながら極めて良好
な表面保持能力を備えさせるものである。 このテルル酸化層は、暗中でコロナ放電により
感光体表面を正に帯電した後にCGL内で発生す
るキヤリアのうちの電子が表面層へ注入するのを
阻止する働きをするものと推定され、その結果と
して電荷保持能力が向上する。
CGLならびに表面保護OCLからなるレーザ光の
ような長波長領域の光のための３層構造感光体に
おいて、CGLとOCLの界面に積極的酸化による
テルル酸化層を介在させることにより、長波長領
域光に対する充分な感度を有しながら極めて良好
な表面保持能力を備えさせるものである。 このテルル酸化層は、暗中でコロナ放電により
感光体表面を正に帯電した後にCGL内で発生す
るキヤリアのうちの電子が表面層へ注入するのを
阻止する働きをするものと推定され、その結果と
して電荷保持能力が向上する。
第１図は本発明による感光体の構成の断面図、
第２図は比較例１の試料のオージエ表面近傍分析
結果を示す組成プロフアイル図、第３図は実施例
２の試料の同様な組成プロフアイル図、第４図は
光干渉試験の概念図、第５図は実施例１の試料で
得られた入射光波長変化の際の反射パターンであ
る。 １……導電性基体、２……CTL、３……CGL、
４……テルル酸化層、５……OCL。
第２図は比較例１の試料のオージエ表面近傍分析
結果を示す組成プロフアイル図、第３図は実施例
２の試料の同様な組成プロフアイル図、第４図は
光干渉試験の概念図、第５図は実施例１の試料で
得られた入射光波長変化の際の反射パターンであ
る。 １……導電性基体、２……CTL、３……CGL、
４……テルル酸化層、５……OCL。
Claims (1)
- １ 導電性基体上に、膜厚が30〜100μｍで純セ
レンもしくは７重量％以下のテルル、７原子％以
下のひ素、あるいは10000ppm以下のハロゲン元
素を含むセレン合金よりなるキヤリア輸送層と、
膜厚0.3〜2μｍで、キヤリヤ輸送層側界面で25重
量％以下、反対側界面で35重量％以上のテルルを
含むテルル・セレン合金よりなるキヤリア発生層
と、厚さ20Å以上であつてキヤリア発生層と表面
層の間に存在するテルルのうち、少なくともその
50％が酸化しているテルル酸化層と、膜厚0.5〜
5μｍで純セレンないし13.5重量％以下のテルルを
含むセレン合金よりなる表面層とが順次積層され
てなることを特徴とする電子写真用セレン感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119183A JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119183A JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043662A JPS6043662A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0217021B2 true JPH0217021B2 (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=15513256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119183A Granted JPS6043662A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043662A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| DE3518999C2 (de) * | 1985-05-25 | 1987-05-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS61278858A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPS6254269A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-09 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH01219753A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-01 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15119183A patent/JPS6043662A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043662A (ja) | 1985-03-08 |
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