JPH01130320A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPH01130320A JPH01130320A JP62290172A JP29017287A JPH01130320A JP H01130320 A JPH01130320 A JP H01130320A JP 62290172 A JP62290172 A JP 62290172A JP 29017287 A JP29017287 A JP 29017287A JP H01130320 A JPH01130320 A JP H01130320A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、記録媒体面に対して垂直方向での残留磁化を
利用して信号の記録・再生を行う、いわゆる垂直磁気記
録方式において使用される垂直磁気記録媒体に関するも
のであり、特にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体に代わる
新規な垂直磁気記録媒体に関するものである。
利用して信号の記録・再生を行う、いわゆる垂直磁気記
録方式において使用される垂直磁気記録媒体に関するも
のであり、特にＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体に代わる
新規な垂直磁気記録媒体に関するものである。
本発明は、垂直磁化膜をＣｏ−０Ｎ系材料により構成す
ることにより、垂直磁気異方性、保磁力等の磁気特性に
優れるとともに機械的特性、潤滑性等の実用特性にも優
れた垂直磁気記録媒体を実現しようとするものである。
ることにより、垂直磁気異方性、保磁力等の磁気特性に
優れるとともに機械的特性、潤滑性等の実用特性にも優
れた垂直磁気記録媒体を実現しようとするものである。
従来、例えばコンピュータの記憶媒体やオーディオテー
プレコーダ、ビデオテープレコーダ等の記録媒体として
使用される磁気記録媒体に対して記録再生を行うには、
基体上に被着形成される磁性層を基体面と平行な方向に
磁化（面内方向磁化）し、その面内方向での残留磁化に
より記録再生を行うのが一般的であ葛。
プレコーダ、ビデオテープレコーダ等の記録媒体として
使用される磁気記録媒体に対して記録再生を行うには、
基体上に被着形成される磁性層を基体面と平行な方向に
磁化（面内方向磁化）し、その面内方向での残留磁化に
より記録再生を行うのが一般的であ葛。
ところが、この面内方向磁化による記録の場合、記録信
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の減磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有する。
号が短波長になるにつれ、すなわち記録密度が高まるに
つれ、媒体内の減磁界が増して残留磁束密度が減衰し、
再生出力が減少するという欠点を有する。
そこでさらに従来、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の
磁化により記録再生を行う垂直磁気記録方式が提案され
ており、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波
長になるにしたがい減磁界が小さくなり、特に高密度記
録において上述した面内方向磁化による記録よりも有利
であることから、盛んに研究が進められている。
磁化により記録再生を行う垂直磁気記録方式が提案され
ており、この垂直磁気記録方式によれば記録波長が短波
長になるにしたがい減磁界が小さくなり、特に高密度記
録において上述した面内方向磁化による記録よりも有利
であることから、盛んに研究が進められている。
ところで、この種の記録方式に用いられる垂直磁気記録
媒体としては、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系合金材料
等により垂直磁化膜を記録層として形成したものが主に
研究されている。これは、このＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜
が垂直磁気異方性や保磁力等の磁気特性の点で非常に優
れたものであるためである。
媒体としては、非磁性支持体上にＣｏ−Ｃｒ系合金材料
等により垂直磁化膜を記録層として形成したものが主に
研究されている。これは、このＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜
が垂直磁気異方性や保磁力等の磁気特性の点で非常に優
れたものであるためである。
しかしながら、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜は膜が硬く内部
応力が非常に大きい等、機械的特性に問題点が多く、実
用化に至っていない。
応力が非常に大きい等、機械的特性に問題点が多く、実
用化に至っていない。
このように、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜は磁気特性には優
れる反面、磁気記録媒体とするための実用特性に劣り、
したがってＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜に代わる新たな垂直
磁化膜の実現が待たれるところである。
れる反面、磁気記録媒体とするための実用特性に劣り、
したがってＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜に代わる新たな垂直
磁化膜の実現が待たれるところである。
そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであり、垂直磁気異方性等の磁気特性は勿論のこと
、機械的特性や潤滑性等の実用特性にも優れた垂直磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
ものであり、垂直磁気異方性等の磁気特性は勿論のこと
、機械的特性や潤滑性等の実用特性にも優れた垂直磁気
記録媒体を提供することを目的とする。
上述のＣｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜が硬い原因の一つとして
Ｃｒが多量に含まれていることが挙げられる。
Ｃｒが多量に含まれていることが挙げられる。
そこで本発明者は、Ｃｒを用いずに良好な垂直磁気異方
性を示す垂直磁化膜を開発せんものと鋭意研究を重ね、
ＧｏとＢＮ（窒化ボロン）を含むＣｏ−ＢＮ系材料が所
定の組成範囲で垂直磁化膜として機能することを見出し
た。
性を示す垂直磁化膜を開発せんものと鋭意研究を重ね、
ＧｏとＢＮ（窒化ボロン）を含むＣｏ−ＢＮ系材料が所
定の組成範囲で垂直磁化膜として機能することを見出し
た。
本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものであっ
て、基体上にＣＯ＋−ｘ（Ｂ Ｎ）ｘ （但しＸは重量
比を表し、０．０８≦ｘ≦０．７４である。）なる組成
を有する垂直磁化膜（以下、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜と
称する。）が形成されたことを特徴とするものである。
て、基体上にＣＯ＋−ｘ（Ｂ Ｎ）ｘ （但しＸは重量
比を表し、０．０８≦ｘ≦０．７４である。）なる組成
を有する垂直磁化膜（以下、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜と
称する。）が形成されたことを特徴とするものである。
本発明の垂直磁気記録媒体において、上記Ｇ。
−ＢＮ系垂直磁化膜中にＢＮの占める割合Ｘは、０．０
８≦ｘ≦０．７４の範囲内であることが必要で、この範
囲を外れると垂直磁気異方性を示さず、特にＸの値が０
．７５を越えると非磁性となる。
８≦ｘ≦０．７４の範囲内であることが必要で、この範
囲を外れると垂直磁気異方性を示さず、特にＸの値が０
．７５を越えると非磁性となる。
上述のＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜の成膜方法としては、Ｃ
ｏターゲット及びＢＮターゲットを用いたスパッタリン
グ法が採用される。ここで、ＢＮターゲットの面積を増
減することにより得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜の組
成Ｘを制御することができ、目的に応じて磁気特性等を
コントロールすることができる。この場合、垂直磁化膜
として機能させるためには、垂直異方性磁場Ｈｋが２０
０ （Ｏｅ）以上となるように制御することが好ましい
。
ｏターゲット及びＢＮターゲットを用いたスパッタリン
グ法が採用される。ここで、ＢＮターゲットの面積を増
減することにより得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜の組
成Ｘを制御することができ、目的に応じて磁気特性等を
コントロールすることができる。この場合、垂直磁化膜
として機能させるためには、垂直異方性磁場Ｈｋが２０
０ （Ｏｅ）以上となるように制御することが好ましい
。
なお、成膜方法としては、この他に窒素雰囲気中での反
応スパッタも考えられるが、この場合には所定のｍｉ特
性等を確保することが難しく、好ましい方法とは言えな
い。
応スパッタも考えられるが、この場合には所定のｍｉ特
性等を確保することが難しく、好ましい方法とは言えな
い。
このような手法で形成されるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜は
、Ｘ線回折を行った際にピークが見られないこと、結晶
化温度を有すること等から、非晶質膜であると考えられ
る。
、Ｘ線回折を行った際にピークが見られないこと、結晶
化温度を有すること等から、非晶質膜であると考えられ
る。
一方、基体の材質としては何ら制約されるものではなく
、従来この種の媒体の基体材料として用いられているも
のがいずれも使用でき、例示するならばポリエステル頻
、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂
、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等に
代表されるような高分子材料により形成される高分子支
持体や、アルミニウム合金、チタン合金等からなる金属
基板、アルミナガラス等からなるセラミクス基板、ガラ
ス基板等である。
、従来この種の媒体の基体材料として用いられているも
のがいずれも使用でき、例示するならばポリエステル頻
、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂
、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等に
代表されるような高分子材料により形成される高分子支
持体や、アルミニウム合金、チタン合金等からなる金属
基板、アルミナガラス等からなるセラミクス基板、ガラ
ス基板等である。
本発明の垂直磁気記録媒体において、記録層となるＣｏ
−ＢＮ系垂直磁化膜は、組成によって良好な垂直磁気異
方性を示すとともに、Ｃ「を含有しないことから膜が比
較的軟らかく内部応力も小さい。
−ＢＮ系垂直磁化膜は、組成によって良好な垂直磁気異
方性を示すとともに、Ｃ「を含有しないことから膜が比
較的軟らかく内部応力も小さい。
また、垂直磁化膜の構成要素として′潤滑性を有するＢ
Ｎが含まれることから、重要な実用特性の一つである走
行性が確保される。
Ｎが含まれることから、重要な実用特性の一つである走
行性が確保される。
以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明する。
以下に示す成膜条件を基本条件として種々の実験を行っ
た。
た。
底皿条註
成膜方法 ｊ Ｒ−Ｆマグネトロンスパッタ法ターゲ
ット ：Ｃｏ（直径３インチ）＋ＢＮペレット（５■角
） スパッタガス＝Ａｒ スパッタ圧カニ １．５ Ｘ １０−”〜３ Ｘ １０
−’ＴｏｒｒＲＦ出力 １５０Ｗ（一部５５Ｗ〜２７
０Ｗ）基板冷却 ：水冷（一部加熱 ２４〜３００℃
）ターゲット基板間距ｉｌｌ：約５．７ ｃｍ到達圧力
： ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下基板 ニ
ガラス 膜厚 ：１０００〜２０００人 先ず、ＢＮ組成及びスパッタ圧力を変えてＣ。
ット ：Ｃｏ（直径３インチ）＋ＢＮペレット（５■角
） スパッタガス＝Ａｒ スパッタ圧カニ １．５ Ｘ １０−”〜３ Ｘ １０
−’ＴｏｒｒＲＦ出力 １５０Ｗ（一部５５Ｗ〜２７
０Ｗ）基板冷却 ：水冷（一部加熱 ２４〜３００℃
）ターゲット基板間距ｉｌｌ：約５．７ ｃｍ到達圧力
： ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以下基板 ニ
ガラス 膜厚 ：１０００〜２０００人 先ず、ＢＮ組成及びスパッタ圧力を変えてＣ。
−ＢＮ系垂直磁化膜を作製した。第１図は、ＢＮ組成及
びスパッタ圧力をそれぞれ縦軸、横軸にとり、そのとき
に得られた膜の磁気特性を示すものである０図中、Ｏ印
が各測定点で、Ｆは強磁性を示すもの、Ｎは非磁性であ
るものをそれぞれ表す。
びスパッタ圧力をそれぞれ縦軸、横軸にとり、そのとき
に得られた膜の磁気特性を示すものである０図中、Ｏ印
が各測定点で、Ｆは強磁性を示すもの、Ｎは非磁性であ
るものをそれぞれ表す。
また、図中斜線領域が垂直異方性を示す領域である。
この第１図より、Ｇｏ−ＢＮ系垂直磁化膜中のＢＮの占
める割合Ｘが０．０８≦ｘ≦０．７４の範囲内である場
合で特に低スパツタ圧力側で、強磁性で且つ垂直磁気異
方性を示すことが理解できる。
める割合Ｘが０．０８≦ｘ≦０．７４の範囲内である場
合で特に低スパツタ圧力側で、強磁性で且つ垂直磁気異
方性を示すことが理解できる。
次に、垂直磁気異方性を示す膜の代表的なヒステリシス
ループを第２図に示す、この膜の組成はＣＯｔｓ、 １
ｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、 ｓ４ｓ （但し数値４；！組成ヲ
１量比で表す、以下同じ、）であり、成膜時のスパッタ
圧力は１．５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
ループを第２図に示す、この膜の組成はＣＯｔｓ、 １
ｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、 ｓ４ｓ （但し数値４；！組成ヲ
１量比で表す、以下同じ、）であり、成膜時のスパッタ
圧力は１．５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
第２図中、／／は面内方向でのヒステリシスループ（面
内ヒステリシスループ）を表し、土は垂直方向でのヒス
テリシスループを表す。
内ヒステリシスループ）を表し、土は垂直方向でのヒス
テリシスループを表す。
これらヒステリシスループより求めた飽和磁化Ｍｓは４
７０ ｅｍｕ／ｃｃ、面内方向の保磁力Ｈｃは５０ （
Ｏｅ）、垂直方向の保磁力Ｈｃは３５０ （Ｏｅ）であ
った、また、面内ヒステリシスループより求めた垂直異
方性磁場Ｈｋ ＝ １８８０ （Ｏｅ）であり、垂直磁
化膜として良好な値を示すことが確認された。
７０ ｅｍｕ／ｃｃ、面内方向の保磁力Ｈｃは５０ （
Ｏｅ）、垂直方向の保磁力Ｈｃは３５０ （Ｏｅ）であ
った、また、面内ヒステリシスループより求めた垂直異
方性磁場Ｈｋ ＝ １８８０ （Ｏｅ）であり、垂直磁
化膜として良好な値を示すことが確認された。
先のヒステリシスループにおいて、特に面内ヒステリシ
スループより、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜には、垂直異方
性を持つ部分と垂直異方性を持たない部分があることが
示唆された。すなわち、第３図に模式的に示すヒステリ
シスループにおいて、磁化が飽和する前の傾斜箇所は垂
直異方性を持つ部分由来し、保磁力付近の磁化ジャンプ
箇所は垂直異方性を持たない部分に由来するものと考え
られる。
スループより、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜には、垂直異方
性を持つ部分と垂直異方性を持たない部分があることが
示唆された。すなわち、第３図に模式的に示すヒステリ
シスループにおいて、磁化が飽和する前の傾斜箇所は垂
直異方性を持つ部分由来し、保磁力付近の磁化ジャンプ
箇所は垂直異方性を持たない部分に由来するものと考え
られる。
そこで、第５図中０印で示す飽和磁気モーメントとΔ印
で示す面内磁気モーメントの膜厚依存性を調べた。なお
、膜組成はＣＯｏ、 ａｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、 ｓａｓで
あり、成膜時のスパッタ圧力は３ Ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒである。
で示す面内磁気モーメントの膜厚依存性を調べた。なお
、膜組成はＣＯｏ、 ａｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、 ｓａｓで
あり、成膜時のスパッタ圧力は３ Ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒである。
その結果、第４図に示すように、膜厚が増えても面内磁
気モーメントが増加しないのに対して、膜厚の増加とと
もに飽和磁気モーメントが次第に大きくなることが明ら
かとなった。
気モーメントが増加しないのに対して、膜厚の増加とと
もに飽和磁気モーメントが次第に大きくなることが明ら
かとなった。
さらに、面内方向での保磁力Ｈｃと垂直異方性磁場Ｈｋ
に関しても膜厚依存性を調べた。第５図中０印でプロッ
トした曲線が保磁力Ｈｃの膜厚依存性を示し、Δ印でプ
ロットした曲線が垂直異方性磁場Ｈｋの膜厚依存性を示
す、この第５図によれば、保磁力には膜厚依存性はほと
んど見られず、垂直異方性磁場のみが膜厚の増加ととも
に上昇している。
に関しても膜厚依存性を調べた。第５図中０印でプロッ
トした曲線が保磁力Ｈｃの膜厚依存性を示し、Δ印でプ
ロットした曲線が垂直異方性磁場Ｈｋの膜厚依存性を示
す、この第５図によれば、保磁力には膜厚依存性はほと
んど見られず、垂直異方性磁場のみが膜厚の増加ととも
に上昇している。
したがって、これら第４図及び第５図より、垂直異方性
を持たない部分の磁気モーメント及び保磁力には膜厚依
存性がないことになり、このことからスパッタ初期層（
約３００人）は垂直異方性を持たないとの結論を得た。
を持たない部分の磁気モーメント及び保磁力には膜厚依
存性がないことになり、このことからスパッタ初期層（
約３００人）は垂直異方性を持たないとの結論を得た。
次に、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜を成膜する際のスパッタ
圧力が得られる膜の磁気特性に及ぼす影響を調べた。な
お、この実験においても膜組成はＣ００１ｉｓ（ＢＮ）
。、、４Ｓとした。
圧力が得られる膜の磁気特性に及ぼす影響を調べた。な
お、この実験においても膜組成はＣ００１ｉｓ（ＢＮ）
。、、４Ｓとした。
第６図は飽和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのスパ
ッタ圧力依存性を示すもので、第７図は垂直異方性磁場
Ｈｋ及び保磁力Ｈｃのスパッタ圧力依存性を示すもので
ある。
ッタ圧力依存性を示すもので、第７図は垂直異方性磁場
Ｈｋ及び保磁力Ｈｃのスパッタ圧力依存性を示すもので
ある。
これら第６図及び第７図より、スパッタ圧力が低いほど
磁気特性、特に垂直異方性磁場Ｈｋが向上し、また垂直
異方性を持たない初期層の厚さも薄くなることがわかる
。
磁気特性、特に垂直異方性磁場Ｈｋが向上し、また垂直
異方性を持たない初期層の厚さも薄くなることがわかる
。
さらに、ＢＮ組成による磁気特性の相違を調べた。スパ
ッタ圧力は３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒである。 、第
８図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び初期層厚のＢＮ組成依存
性を示すもので、第９図は飽和磁化Ｍｓ及び面内方向の
保磁力ＨｃのＢＮ組成依存性を示すものである。
ッタ圧力は３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒである。 、第
８図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び初期層厚のＢＮ組成依存
性を示すもので、第９図は飽和磁化Ｍｓ及び面内方向の
保磁力ＨｃのＢＮ組成依存性を示すものである。
その結果、先ず第８図より、ＢＮ組成が５１重量％のと
きに垂直異方性磁場Ｈｋが極大値（１９００（Ｏｅ）
）となり、同時に初期層厚が極小となることが判明した
。一方、第９図からは、ＢＮ！成が７５重量％を越える
と磁性が消失し、非磁性膜となることがわかった。
きに垂直異方性磁場Ｈｋが極大値（１９００（Ｏｅ）
）となり、同時に初期層厚が極小となることが判明した
。一方、第９図からは、ＢＮ！成が７５重量％を越える
と磁性が消失し、非磁性膜となることがわかった。
次にスパッタ条件の最適値を決定するべく、スパッタの
際のＲＦ比出力基板バイアス電圧、基板温度等による磁
気特性の変化を調べた。なお、これら実験における膜組
成はＣＯｏ、４ｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、ｓ４ｓ、成膜時のス
パッタ圧力は３ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
際のＲＦ比出力基板バイアス電圧、基板温度等による磁
気特性の変化を調べた。なお、これら実験における膜組
成はＣＯｏ、４ｓｓ（Ｂ Ｎ）ｏ、ｓ４ｓ、成膜時のス
パッタ圧力は３ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒである。
先ず、ＲＦ比出力ついて言えば、第１０図及び第１１図
から明らかなように、ＲＦ比出力小さいほど垂直異方性
磁場Ｈｋが大きくなり、同時に初期層磁気モーメント（
すなわち初期層厚）が小さくなる。したがって、ＲＦ比
出力できるだけ小さい方が有利である。
から明らかなように、ＲＦ比出力小さいほど垂直異方性
磁場Ｈｋが大きくなり、同時に初期層磁気モーメント（
すなわち初期層厚）が小さくなる。したがって、ＲＦ比
出力できるだけ小さい方が有利である。
基板バイアス電圧Ｖ、は、第１２図に示す如く飽和磁化
Ｍｓや保磁力Ｈａにはほとんど影響を与えないが、第１
３図に示すように垂直異方性磁場Ｈｋには大きな影響を
与える。すなわち、基板バイアス電圧■８を約１００Ｖ
としたときに垂直異方性磁場Ｈｋは極大値２９００ （
Ｏｅ）となる、同時に第１３図に示すように、初期層磁
気モーメントは、基板バイアス電圧Ｖ、を５０Ｖ以上と
したときに消失する。
Ｍｓや保磁力Ｈａにはほとんど影響を与えないが、第１
３図に示すように垂直異方性磁場Ｈｋには大きな影響を
与える。すなわち、基板バイアス電圧■８を約１００Ｖ
としたときに垂直異方性磁場Ｈｋは極大値２９００ （
Ｏｅ）となる、同時に第１３図に示すように、初期層磁
気モーメントは、基板バイアス電圧Ｖ、を５０Ｖ以上と
したときに消失する。
第１４図は基板バイアス電圧Ｖ、を約１００ｖとしたと
きに得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシスル
ープである０図中、実線が面、内ヒステリシスループ、
破線が垂直方向でのヒステリシスループであり、飽和磁
化Ｍｓは４００ ｅｌ＋ｕ／ｃｃ、垂直方向の保磁力は
２５０ （Ｏｅ）、垂直異方性磁場Ｈｋは２９００（Ｏ
ｅ）である。
きに得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシスル
ープである０図中、実線が面、内ヒステリシスループ、
破線が垂直方向でのヒステリシスループであり、飽和磁
化Ｍｓは４００ ｅｌ＋ｕ／ｃｃ、垂直方向の保磁力は
２５０ （Ｏｅ）、垂直異方性磁場Ｈｋは２９００（Ｏ
ｅ）である。
得られる膜の保磁力Ｈｃは２５０ （Ｏｅ）と小さいが
、垂直方向での残留磁化Ｍ 、 １と面内方向での残留
磁化Ｍ、の比（Ｍ、Ｉ／Ｍ、りは１．６であり、垂直磁
化膜であることが確認された。
、垂直方向での残留磁化Ｍ 、 １と面内方向での残留
磁化Ｍ、の比（Ｍ、Ｉ／Ｍ、りは１．６であり、垂直磁
化膜であることが確認された。
基板温度については、第１５図及び第１６図に示す測定
結果より、飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃに関してはさほ
ど影響を及ぼさないことがわかるが、垂直異方性磁場Ｔ
（ｋに関しては基板温度が高いほど大きくなり、基板温
度２００℃でほぼ飽和する。一方、初期層磁気モーメン
トは、基板温度１００°Ｃまでは大きくなり、さらに高
温になるにつれ小さくなる。
結果より、飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃに関してはさほ
ど影響を及ぼさないことがわかるが、垂直異方性磁場Ｔ
（ｋに関しては基板温度が高いほど大きくなり、基板温
度２００℃でほぼ飽和する。一方、初期層磁気モーメン
トは、基板温度１００°Ｃまでは大きくなり、さらに高
温になるにつれ小さくなる。
最後に、Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜を形成する際の下地膜
の影響について調べた。
の影響について調べた。
本実験例では下地膜材料としてＴｉを選び、このＴＩ下
地膜上に膜組成Ｃ００１ｓｓ（ＢＮ）。、、４３、成膜
時のスパッタ圧力３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒなる条件で
Ｇｏ−ＢＮ系垂直磁化膜を成膜し、Ｔｉ下地膜の膜厚に
よる磁気特性の変化を調べた。
地膜上に膜組成Ｃ００１ｓｓ（ＢＮ）。、、４３、成膜
時のスパッタ圧力３ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒなる条件で
Ｇｏ−ＢＮ系垂直磁化膜を成膜し、Ｔｉ下地膜の膜厚に
よる磁気特性の変化を調べた。
第１７図は飽和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのＴ
ｆ下地Ｗｌ！膜厚依存性を示す特性図であり、第１８図
は垂直異方性磁場Ｈｋ及び保磁力ＨｃのＴｉ下地膜膜厚
依存性を示す特性図である。
ｆ下地Ｗｌ！膜厚依存性を示す特性図であり、第１８図
は垂直異方性磁場Ｈｋ及び保磁力ＨｃのＴｉ下地膜膜厚
依存性を示す特性図である。
これら第１７図及び第１８図より明らかなように、飽和
磁化Ｍｓ、初期層磁気モーメント、保磁力Ｈｃに関して
はＴ？下地膜の膜厚による影響はほとんど見られず、Ｔ
ｉ下地膜の膜厚が７０００Å以上の場合に垂直異方性磁
場Ｈｋの若干の上昇が見られる。
磁化Ｍｓ、初期層磁気モーメント、保磁力Ｈｃに関して
はＴ？下地膜の膜厚による影響はほとんど見られず、Ｔ
ｉ下地膜の膜厚が７０００Å以上の場合に垂直異方性磁
場Ｈｋの若干の上昇が見られる。
以上、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明したが
、本発明がこれに限定されるものでないことは言うまで
もない。
、本発明がこれに限定されるものでないことは言うまで
もない。
以上の説明からも明らかなように、本発明においてはＣ
「を含まないＣｏ−ＢＮ系材料よりなる垂直磁化膜を記
録層としているので、垂直磁気異方性等の磁気特性に優
れるとともに、機械的特性に優れた垂直磁気記録媒体を
提供することが可能である。
「を含まないＣｏ−ＢＮ系材料よりなる垂直磁化膜を記
録層としているので、垂直磁気異方性等の磁気特性に優
れるとともに、機械的特性に優れた垂直磁気記録媒体を
提供することが可能である。
また、本発明においては、垂直磁化膜中に潤滑剤として
使用されるＢＮが含まれてセリ、摩擦係数が低減され走
行性、耐久性に優れた垂直磁気記録媒体の提供が可能で
ある。
使用されるＢＮが含まれてセリ、摩擦係数が低減され走
行性、耐久性に優れた垂直磁気記録媒体の提供が可能で
ある。
第１図はＢＮ組成及びスパッタ圧力による膜特性の分布
を示す特性図であり、第２図は垂直磁気異方性を有する
Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシスループの一例を
示す特性図、第３図はＣ０−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステ
リシスループの模式図、第４図はＣｏ−ＢＮ系垂直磁化
膜における飽和磁気モーメントと面内磁気モーメントの
膜厚依存性を示す特性図、第５図は保磁力Ｈｃ及び垂直
異方性磁場Ｈｋの膜厚依存性を示す特性図、第６図は飽
和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのスパッタ圧力依
存性を示す特性図、第７図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び保
磁力Ｈｅのスパッタ圧力依存性を示す特性図、第８図は
垂直異方性磁場Ｈｋ及び初期層厚のＢＮｆ［成依存性を
示す特性図、第９図は飽和磁化Ｍｓ及び面内方向での保
磁力ＨｃのＢＮ組成依存性を示す特性図、第１０図は飽
和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのＲＦ出力依存性
を示す特性図、第１１図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内
方向での保磁力ＨｃのＲＦ出力依存性を示す特性図、第
１２図は飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃの基板バイアス電
圧依存性を示す特性図、第１３図は垂直異方性磁場Ｈｋ
及び初期層磁気モーメントの基板バイアス電圧依存性を
示す特性図、第１４図は基板バイアス電圧１００Ｖとし
たときに得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシ
スループを示す特性図、第１５図は飽和磁化Ｍｓ及び初
期層磁気モーメントの基板温度依存性を示す特性図、第
１６図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内方向での保磁力Ｈ
ｃの基板温度依存性を示す特性図、第１７図は飽和磁化
Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのＴｉ下地膜膜厚依存性
を示す特性図、第１８図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内
方向での保磁力ＨｃのＴｉ下地膜膜厚依存性を示す特性
図である。
を示す特性図であり、第２図は垂直磁気異方性を有する
Ｃｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシスループの一例を
示す特性図、第３図はＣ０−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステ
リシスループの模式図、第４図はＣｏ−ＢＮ系垂直磁化
膜における飽和磁気モーメントと面内磁気モーメントの
膜厚依存性を示す特性図、第５図は保磁力Ｈｃ及び垂直
異方性磁場Ｈｋの膜厚依存性を示す特性図、第６図は飽
和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのスパッタ圧力依
存性を示す特性図、第７図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び保
磁力Ｈｅのスパッタ圧力依存性を示す特性図、第８図は
垂直異方性磁場Ｈｋ及び初期層厚のＢＮｆ［成依存性を
示す特性図、第９図は飽和磁化Ｍｓ及び面内方向での保
磁力ＨｃのＢＮ組成依存性を示す特性図、第１０図は飽
和磁化Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのＲＦ出力依存性
を示す特性図、第１１図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内
方向での保磁力ＨｃのＲＦ出力依存性を示す特性図、第
１２図は飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃの基板バイアス電
圧依存性を示す特性図、第１３図は垂直異方性磁場Ｈｋ
及び初期層磁気モーメントの基板バイアス電圧依存性を
示す特性図、第１４図は基板バイアス電圧１００Ｖとし
たときに得られるＣｏ−ＢＮ系垂直磁化膜のヒステリシ
スループを示す特性図、第１５図は飽和磁化Ｍｓ及び初
期層磁気モーメントの基板温度依存性を示す特性図、第
１６図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内方向での保磁力Ｈ
ｃの基板温度依存性を示す特性図、第１７図は飽和磁化
Ｍｓ及び初期層磁気モーメントのＴｉ下地膜膜厚依存性
を示す特性図、第１８図は垂直異方性磁場Ｈｋ及び面内
方向での保磁力ＨｃのＴｉ下地膜膜厚依存性を示す特性
図である。
Claims (1)
- 基体上にＣｏ＿１＿−＿ｘ（ＢＮ）＿ｘ（但しｘは重量
比を表し、０．０８≦ｘ≦０．７４である。）なる組成
を有する垂直磁化膜が形成されたことを特徴とする垂直
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290172A JPH01130320A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290172A JPH01130320A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130320A true JPH01130320A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17752681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290172A Pending JPH01130320A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01130320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071040A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造装置 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290172A patent/JPH01130320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071040A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造装置 |
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