JPH01132109A - 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、低磁歪定数、高飽和磁束密度、高透磁率なら
びに高耐食性の特性を有する強磁性薄膜および上記強磁
性薄膜を用いた磁気ヘッドに関し。

特に磁気ディスク装置、ＶＴＲなどに眉いる磁気ヘッド
および磁気ヘッドのコア材料に適した強磁性薄膜に関す
る。

〔従来の技術〕

近年、磁気記録技術の発展は著しく、家庭用ＶＴＲの分
野では従来の装置を大幅に小型・軽量化した８　ｍ　Ｖ
　Ｔ　Ｒが開発され、また磁気ディスクの分野でも従来
の面内磁気記録方式と比較して大幅に記録密度を向上し
うる垂直磁気記録方式の研究が進められている。面内磁
気記録方式においては、記録密度を向上させるために高
保磁力の記録媒体を使用する必要があるが、その記録媒
体の性能を十分に生かすために高飽和磁束密度を有する
磁気ヘッド材料の開発が必要である。また垂直磁気記録
方式においても１例えば垂直磁気記録用単磁極型磁気ヘ
ッドの主磁極は０．２　　μｍ程度と極めて薄いため、
記録・再生の際に磁気的に飽和しやすく、それを避ける
ためには高飽和磁束密度を有する磁気ヘッド材料の開発
が不可欠である。

また磁気ヘッド材料はヘッドの記録再生効率の面から高
透磁率を有することが必要であり、そのためには磁歪定
数が零に近いことが望ましい。このような材料としては
従来、Ｎ　ｉ　−２０ｗ　ｔ％Ｆｅ合金（パーマロイ）
　、Ｆｅ−ＡＱ−８ｉ系合金などが開発されており、ま
た非晶質磁性材料およびＦｓ−６，７ｗｔ％Ｓｉ合金の
磁気ヘッドへの適用も図られている。

一方、磁歪定数が零に近い強磁性材料は上記の他にも存
在し１例えば、アール・エム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ、　Ｂ
ｏｚｏｒｔｈ）による１９５１年発行のフエロマグネテ
イズム（Ｆｅｒｒｏｗ＋ａｇｎｅｔｉｓ＋ｉ）　６６４
〜６７２ページに論じられているとおり、Ｆｅ−０，５
ｗｔ％Ｎｉ付近の組成の合金バルク材においても磁歪零
を実現することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｆｅ合金（パーマロイ）およ
びＦ　ｅ　−Ａ　Ｑ　−Ｓ　ｉ系合金は飽和磁束密度が
８〜１０ｋＧと低い、また、高透磁率を有する非晶質磁
性材料では飽和磁束密度が１３ｋＧ以上になると熱安定
性が極めて悪く、磁気ヘッドの作製が困難であるという
欠点がある。さらに、Ｆｅ−６，７ｗｔ％Ｓｉ合金は飽
和磁束密度が約１８ｋＧと高いが耐食性に問題があり、
Ｒｕなとの添加により耐食性の改善を行うと飽和磁束密
度が１４ｋｇ程度まで低下するという問題があった。

一方、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金は前記アール・エム。

ボゾルスによる文献に論じられているようにバルク材に
おいて磁歪定数が測定されている。しかし、磁気ヘッド
作製の面からはバルク材よりも薄膜であることが好まし
い。

また、磁気ヘッド材料は磁気テープ、磁気ディスクなど
の記録媒体との摺動摩耗が少ないことが要求される。

本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、低
磁歪定数、高飽和磁束密度、高透磁率ならびに高耐食性
を有する強磁性薄膜および上記強磁性薄膜を用いた高密
度磁気記録用の磁気ヘッドを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、蒸着法、スパッタリング法などの薄膜形
成技術によって作製したＦｅ−Ｎｉ系合金薄膜について
鋭意研究を重ねた結果、高飽和密度を有するＮｉ濃度が
１０ｗｔ％以下の組成範囲において、その磁歪定数の組
成依存性が従来技術であるＦｅ−Ｎｉ系合金バルク材の
磁歪定数の組成依存性と大きく異なることを見い出した
。すなわち、Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄膜を蒸着法、スパッタ
リング法などの薄膜形成技術によって作製するとＮｉ濃
度が１０ｗｔ％以下の組成範囲において、低磁歪定数を
示す組成はバルク材と異なり、磁歪定数λＳの絶対値１
λｓ１を２Ｘ１０−Ｂ以下にするためには、Ｆｅおよび
微量な不可避の不純物からなるベースに対してＮｉ組成
を、重量％で０．５〜２．６％にすることが必要であり
、さらに１λ、＋をｌＸｌ０””以下にするためにはＮ
ｉ組成を１重量％で１．１〜２．１　％にする必要があ
ることを知見し本発明を完成するに至った。

また本発明のＦ　ｓ　−０、５〜２　、６　ｗ　ｔ％Ｎ
ｉ合金薄膜に、Ｂ、Ｃ，Ｈの群より選ばれる少なくとも
１種の元素を０．１〜５ｗｔ％添加することにより軟磁
気特性を向上させることができる。またＡ　Ｑ　ｇ　Ｓ
　ｉｇ　Ｐ　＠　Ｇ　ａ　＠　Ｇ　ｅ　ｖ　Ａ　ｓ　ｔ
　Ｉ　ｎ　？　Ｓ　ｎ　＋Ｓｂ、　　Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｏ
、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ。

Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ。

Ａｇの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜
３　ｗ　ｔ％添加することにより耐食性を向上させるこ
とができる。

またＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの群から選ば
れる少なくとも１種の元素を２ｗｔ％以下添加すること
により、磁気特性をほとんど劣化させずに耐摩耗性を向
上させることができる。しかし、上記Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ
、Ｏｓ、Ｉ　ｒ、Ｐｔの群より選ばれる元素を２ｗｔ％
より多く添加すると保磁力の増加が著しくなるため、上
記元素の添加は２ｗｔ％以下が好ましい。

さらに本発明のＦｅ−Ｎｉ系合金薄膜を、他の組成の磁
性薄膜あるいは非磁性薄膜を介して１層以上の積層構造
とすることによって、さらに高い透磁率を有する積層型
の強磁性薄膜とすることができる。

また上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気回路に用いるこ
とにより記録・再生特性の優れた磁気ヘッドを得ること
ができる。

〔作用〕

上述したように、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金薄膜を蒸着法
、スパッタリング法などの薄膜形成技術によって作製す
ると、低磁歪定数を示す組成はバルク材と異なり１合金
組成を重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６　％、残部Ｆｅ
および不純物とすることにより磁歪定数の絶対値１λｓ
１を２Ｘ１０−６以下とすることができ、また上記組成
の合金薄膜は２０ｋＧ以上の飽和磁束密度を有する。さ
らに合金組成を重量％で、Ｎｉが１．１〜２．１％、残
部Ｆ’　ｅおよび不純物とすることにより１λｓ１を１
×１０−６以下とすることができる。さらに上記Ｆｅ−
Ｎｉ系合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎの群より選ばれる少なくと
も１種の元素を０．１　〜５ｗｔ％添加することにより
軟磁気特性を向上させることができる。またＡｌ，Ｓｉ
、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ。

Ｉ　ｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｇｏ、Ｍｎ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗｓ　Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ　ｒ。

Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ、Ａｇの群より選ばれる少なくとも１種
の元素を０．１〜３　　ｗｔ％添加することにより耐食
性を向上させることができる。さらに上記Ｆｅ−Ｎｉ系
合金薄膜にＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ。

Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの群より選ばれる少なくとも１種の元
素を２ｗｔ％以下添加することにより耐摩耗性を向上さ
せることができる。またさらに本発明のＦｅ−Ｎｉ系合
金薄膜を積層構造とすることにより高透磁率の特性が得
られる。また上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの磁気回路に
用いることにより記録・再生特性の優れた磁気ヘッドを
得ることができる。

なお、本発明の強磁性薄膜に微量な不可避の不純物が含
有していても、上述の作用が減じない。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照しながらさ
らに具体的に説明する。

〔実施例１〕 Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系強磁性薄膜の作製には高周波スパッ
タリング装置を用い、所定の合金組成の薄膜を得るため
に、１５０ｎｏφ×３１１のＦｅ円板に５ｍ＋Ｘ５＋ｍ
Ｘ１＋＋ｎ’のＮｉペレットを貼りつけたターゲットを
用いた。なお、スパッタリングは以下の条件で行った。

高周波電力密度・・・・・・２　、８　ｗ　／　ｒｘｌ
アルゴン圧力・・・・・・５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ基
　　板　　温　　度・・・・・・３００℃電極間距離・
・・・・・４５ｎｎ 基板として、磁歪定数の測定用にコーニング社製ホトセ
ラム基板を用い、それ以外の磁気特性および耐食性の測
定用にはコーニング社製７０５９ガラス基板を用いた。

また膜厚は１，５μｒｎ一定とした。

上記条件により作製したＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ二元前合金薄
膜の磁歪定数λＳの組成依存性を測定したところ、第２
図における実線２１のごとくなった。また同図にはアー
ル・エム・ボゾルス（Ｒ，Ｍ。

Ｂｏｚｏｒｔｈ）によるＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金バルク
材のλ８の測定結果も実線２２で示しである。すなわち
同図に示すごとく、Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ二元前合金のＮｉ
ａ度が１０ｗｔ％以下の組成範囲において、本発明の薄
膜と従来例のバルク材とではそのλ８に大きな差異があ
り、薄膜において磁歪定数λＳの絶対値１λｓ１を２　
Ｘ　１０６以下にするためにはＮｉ組成を０．５〜２．
６　ｗ　ｔ％とすることが必要であり、さらに１λｓ１
をｌＸｌ０−６以下にするためにはＮｉ組成を１．１〜
２．１ｖｔ％とすることが必要である６本発明のＦｅ−
０，５〜２．６ｗｔ％Ｎｉ合金の磁気特性を第１表に示
す。

第１表 第１表に示すごと＜、Ｆｅ−Ｎｉ二元系合金薄膜はＮｉ
が０．５〜２　、６　ｗ　ｔ％の組成範囲において２０
ｋＧ以上の飽和磁束密度を有する。また本実施例におい
て最も磁気特性に優れた合成組成は、Ｆｅ−１，６ｗｔ
％Ｎｉであり、その磁気特性値は磁歪定数λｓ＝０．飽
和磁束密度Ｂｓ＝２０．９ｋＧ、保磁力Ｈｃ　＝　２　
、１　０　ｅ　、測定周波数５ＭＨｚでの初期透磁率μ
１＝７００であった。

一方、耐食性を調査するために、上記Ｆｅ−１，６ｗｔ
％Ｎｉ合金の飽和磁化Ｍｏを測定し。

その後、膜表面に０．５　　％Ｎ　ａ　ＣＱ水溶液を噴
霧し、室温で２４時間放置した後の飽和磁化Ｍ１を測定
した。腐食率は、腐食率（％）＝（Ｍｏ−Ｍｌ）Ｘ１０
０／ＭＯで定義した。またこの際、比較のために従来よ
り磁気ヘッドへの適用が図られているＦｅ−６，７ｗｔ
％Ｓｉ合金薄膜（Ｂｓ＝１８ｋＧ）にも上記同様の耐食
性試験を行った。

この耐食性試験の結果を第２表に示す。

第　　２　　表 第２表に示すごとく、Ｆｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ合金の耐
食性は優れており、腐食率は０％であった。またＦｅ−
１，６ｗｔ％Ｎｉ合金は塩水噴霧を行って３週間後にお
いても全く腐食せず、耐食性は非常に優れていることが
確認された。

〔実施例２〕 軟磁気特性に対するＢ、Ｃ，Ｎの添加の効果を調べるた
め、実施例１と同様のスパッタリング条件でＦ　ｅ　−
Ｎ　ｉ　−ｘ　（ｘ　＝　Ｂ　、　Ｃ、Ｎ　）系合金薄
膜を作製した。組成はＮｉが１．６　　ｗｔ％、添加元
素であるＢ、ＣあるいはＮが０〜５ｗｔ％、残部をＦｅ
とした。第１図にＢ、ＣあるいはＮの添加量と５ＭＨｚ
での比透磁率との関係を示す。

同図の比透磁率のＢ′ａ度依存性（曲線１１）。

Ｃｅ度依存性（曲線１２）、Ｎ濃度依存性（曲線１３）
に示すように、Ｂ、Ｃ，Ｎを０．１　　ｗｔ％以上添加
すると比透磁率が向上する。ＴＥＭによる膜の断面観察
の結果、Ｆｅ−Ｎｉ系合金にＢ。

Ｃ，Ｎを添加すると結晶粒径が小さくなることがわかっ
た。この結晶粒の微細化のため、比透磁率が向上してい
ると考えられる。またＢおよびＣを５ｗｔ％より多く添
加すると、膜の内部応力が大きくなり、膜が基板よりは
がれる。またＮを５ｗｔ％より多く添加するとＦｅ４Ｎ
　ができ、飽和磁束密度が減少するという問題がある。

従ってＢ。

Ｃ，Ｎを添加は０．１〜５　　ｗｔ％の範囲とすること
が好ましい。

〔実施例３〕 耐食性に対するＡｌ，Ｓｉ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ。

Ａｓ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｇｏ。

Ｍｎ、Ｃｒ’、Ｍｏ、Ｗｔ　Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ　。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ａｕ、Ａｇの添加の効果を調べた。耐
食性の評価はアノード分極曲線の測定によって行った。

緩衝液はホウ酸緩衝液に０．０１＋ｍｏｌ／ＱのＮａＣ
Ｑを添加した緩衝液を用いた。Ｎｉが１．６　　ｗｔ％
、上記添加元素が３　ｗ　ｔ％、残部Ｆｅからなる組成
の合金薄膜の孔食を起こす電位をアノード分極曲線から
求めた。孔食電位は高い方が耐食性が優れていると考え
ることができる。

第３表に添加元素と孔食電位との関係を示す。

第３表 第３表に示すごとく、Ｆｅ−Ｎｉ系合金に上記元素を添
加すると孔食電位が上昇し、耐食性が高まる。またこの
耐食性に対する効果は、添加元素の濃度が０．１　　ｗ
ｔ％以上で生じる。また上記元素をａｗｔ％以上添加す
ると、ｃｏ以外の元素では飽和磁束密度を大きく低下さ
せる。またＧｏの場合、保磁力を増大させてしまう、従
って上記元素の添加は０．１〜３ｗｔ％が好ましい、ま
たさらに上記合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎｔｔｏ、１〜５ｗｔ
％添加すると軟磁気特性を向上させることができる。

〔実施例４〕 耐摩耗性に対するＲｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ。

Ｉｒ、Ｐｔなどの添加の効果を調べるためダミーヘッド
を作製し、耐摩耗性試験を行った。第３図（ａ）に示す
様な半径２０ｍの曲面３１および１５閣の厚さを有する
フェライト基板３２を用意し、曲面３１に第３図（ｂ）
に示す様に厚さ１０μｍのスパッタ膜３３を形成するこ
とにより耐摩耗性測定用ダミーヘッド３５を得た。この
際のスパッタリングには実施例１と同様のターゲットに
添加元素であるｍ　Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ。

ｐｔのペレット（５■×５■Ｘ１ｍｔ）を１回のスパッ
タリングにつき１種ずつ貼り付けたターゲットを用い、
スパッタ膜３３の組成は実施例１で最も磁気特性の優れ
ていたＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉの合金組成に上記添加元
素を２ｗｔ％添加した組成とした。

耐摩耗性試験は第３図（ｂ）に示すスパッタ膜の曲面３
４にメタルテープを３０ｍ／ｓの速度で２００時間摺動
させ、摩耗量を測定することによった。この耐摩耗性試
験の結果を第４表に示す。

第４表 第４表に示すごとく、いずれかの１種の元素の添加によ
って、添加元素なしの場合よりも耐摩耗性が向上してい
る。

また上記合金薄膜にＢ、Ｃ，Ｎを０．１〜５ｗｔ％添加
すると軟磁気特性を向上させることができる。

〔実施例５〕 実施例２と同様のターゲットを用いてスパッタリングを
行い、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ　ｒ。

ｐｔの添加が保磁力に与える影響について調べた。

スパッタリング条件、基板、膜厚なとは実施例１同様と
した。また合金薄膜の組成はＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉに
上記添加元素を２ｗｔ％ないし２．５ｗｔ％含有させた
ものとした。これらの試料の保磁力の測定結果を第５表
に示す。

第５表 第５表に示すごとく、上記添加元素を２　ｗ　ｔ％添加
した時は、添加元素なしの場合の保磁力２．１０ｓと比
較して保磁力の増加はあまりないが、２．５　　ｗｔ％
添加する保磁力が大幅に増加する。

従って上記添加元素の添加は２ｗｔ％以下が好ましい。

〔実施例６〕 第４図に示すごとく、主磁性体膜としてＦｅ−１，６ｗ
ｔ％Ｎｉ−２ｗｔ％Ｃ合金薄膜（膜厚０．１μｍ）４１
を５ｉｎｓまたはパーマロイ（Ｎ　ｉ　−１９ｗ　ｔ％
Ｆｅ）からなる中間層（膜厚３０人）４２を介して１５
層積層（総膜厚１．５μｍ）した。Ｆｅ−Ｎ１−Ｃ系合
金薄膜４１は上述の実施例１と同じ条件で巣バッタリン
グを行い、中間層４２の形成は以下に示すスパッタリン
グ条件で行った。

高周波電力密度・・・・・・０　、５　ｗ　／　ａｌア
ルゴン圧力・・・・・・５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ基　
　板　　温　　度・・・・・・３００℃電極間距離・・
・・・・４５Ｗｎ 上記条件で作製した積層型の磁性薄膜の磁気特性を測定
した。その結果を第６表に示す。

第６表 第５表に示すごとく、本発明の強磁性薄膜を積層構造の
磁性薄膜とすることにより、保磁力Ｈａならびに初期透
磁率μｉが飛躍的に改善される。

〔実施例７〕 本発明のＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎ　ｉ　〜２　ｗ　ｔ％Ｃ
合金薄膜ないし従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎｉ
−１９ｗｔ％）合金薄膜を用いて第５図に示す構造の垂
直磁気記録用単磁極型磁気ヘッド７１を作製した。この
磁気ヘッド７１の隠製工程を以下に述べる。

第５図（ａ）に示すＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト６１お
よび高融点ガラス６２からなる基板６３を用い、その表
面に第５図（ｂ）に示すように膜厚０．２μｍの上記合
金強磁性薄膜６４を高周波スパッタリング法で作製した
。さらに、この上に接着用ｐｂ系ガラス膜を高周波スパ
ッタリングにより形成し、第５図（ａ）に示す基板６３
を重ね合わせて４５０Ｃで３０分間加熱し、上記ｐｂ系
ガラス膜を溶融固着させ、第５図（Ｑ）に示す主磁極ブ
ロック６５を作製した。そして、第５図（ｄ）に示すＭ
　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト６６および高融点ガラス６７
からなる補助コアブロック６８を用意し。

接合面７０に上記と同様の接着用ｐｂ系ガラス膜を形成
した後、主磁極ブロック６５を補助コアブロック６８の
接合面７０によって挟み、４５０℃で３０分間加熱する
ことバより、上記ｐｂ系ガラス膜を溶融固着させて接合
ブロック６９を作製した１次に、第５図（ｄ）に示す２
点鎖線部を切断し、第５図（ｅ）に示す垂直磁気記録用
単磁極型磁気ヘッド７１を得た。

上述の工程によって作製したＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ〜
２ｗｔ％Ｃ合金薄膜を用いたヘッドおよびパーマロイ薄
膜を用いたヘッドの記録、特性をＧ　ｏ　−Ｃｒ垂直磁
気記録媒体を用いて測定した。

再生ヘッドにはパーマロイ薄膜を有するヘッドを用いた
。その結果、本発明のＦｅ−１，６ｗｔ％Ｎｉ〜２ｗｔ
％Ｃ合金薄膜を用いたヘッドは従来の実用材料であるパ
ーマロイ合金薄膜を用いたヘッドと比較して約４ｄＢ高
い出力を示した。このように本発明の強磁性薄膜を用い
た磁気ヘッドは優れた記録特性を有することが明らかと
なった。

その他、Ｆｅ−１，６ｗｔ％−２ｗｔ％Ｂ。

Ｆｅ−１，６ｗｔ％−２ｗｔ％Ｎ合金薄膜を用いて上記
と同様の磁気ヘッドを作製したところ、パーマロイ合金
薄膜を用いたヘッドと比較して、それぞれ約３ｄＢ、約
４ｄＢ高い出方を示した。

〔発明の効果〕

以上詳細な説明したごとく、本発明の強磁性薄膜は低磁
歪組成で高い飽和磁束密度を有し、また優れた耐食性、
耐摩耗性、低保磁力および高透磁率の特性を有する。ま
た、上記強磁性薄膜を磁気ヘッドの主磁極に適用すると
優れた記録特性を有する磁気ヘッドを得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例２におけるＦ　ｅ　−Ｎ　ｉ−
（Ｂ、Ｃ，Ｎ）合金薄膜の比透磁率の組成依存性を示す
グラフ、第２図は本発明の実施例１にお−けるＦ　ａ　
−Ｎ　ｉ系合金薄膜および従来のＦｅ−Ｎｉ系合金バル
ク材の磁歪定数の組成依存性を示すグラフ、第３図は本
発明の実施例４における耐摩耗性測定用ダミーヘッドの
作製工程を示す斜視図、第４図は本発明の実施例６にお
ける積層構造の強磁性薄膜の構造を示す断面図、第５図
は本発明の実施例７における垂直磁気記録用単磁極型磁
気ヘッドの作製工程を示す斜視図である。 １１・・・比透磁率のＢ濃度依存性、１２・・・比透磁
率のＣ濃度依存性、１３・・・比透磁率のＢ濃度依存性
、２１・・・Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金薄膜の磁歪定数の
組成依存性、２２・・・Ｆｅ−Ｎｉ系合金バルク材の磁
歪定数の組成依存性、３１・・・曲面、３２・・・フェ
ライト基板、３３・・・スパッタ膜、３４・・・スパッ
タ膜の曲面、３５・・・ダミーヘッド、４１・・・Ｆ　
ｅ−ＰＮ　ｉ　−Ｃ系合金薄膜、４２・・・中間層、４
３・・・基板、６１゜６６・・・Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェ
ライト、６２．６７・・・高融点ガラス、６３・・・基
板、６４・・・強磁性薄膜、６５・・・主磁極ブロック
、６８・・・補助コアブロック、６９・・・接合ブロッ
ク、７０・・・接合面、７１・・・垂直１＼ 第　Ｉ　口 俸加厄＃Ｊｌ　（ｗｔ％つ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. １．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＢ，Ｃ
   ，Ｎの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜
   ５％含有し、残部がＦｅからなる強磁性薄膜。
2. ２．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＡｌ，
   Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｚｎ
   ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
   ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ａｕ，Ａｇの群より選ばれる
   少なくとも１種の元素を０．１〜３％含有し、残部がＦ
   ｅからなる強磁性薄膜。
3. ３．重量％で、Ｎｉが０．５〜２．６％、およびＡｌ，
   Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｚｎ
   ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
   ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ａｕ，Ａｇの群より選ばれる
   少なくとも１種の元素を０．１〜３％、およびＢ，Ｃ，
   Ｎの群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜５
   ％含有し、残部がＦｅからなる強磁性薄膜。
4. ４．重量％でＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの群
   より選ばれる少なくとも１種の元素を２％以下含有する
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項記
   載の強磁性薄膜。
5. ５．強磁性薄膜を磁気回路の少なくとも一部に用いる磁
   気ヘッドにおいて、上記強磁性薄膜は、重量％でＮｉが
   ０．５〜２．６％、およびＢ，Ｃ，Ｎの群より選ばれる
   少なくとも１種の元素を０．１〜５％含有し、残部がＦ
   ｅからなることを特徴とする強磁性薄膜を用いた磁気ヘ
   ッド。