JPH01132151A - 集積回路を相互接続するためのモジユ−ル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、集積回路の相互接続及び実装に係り、特に、
多数の集積回路ダイを希望の方法でコンパクトに相互接
続すると共にこれらを温度制御された状態に維持するた
めのモジュールに係る。

本発明は、更に、プリント回路板、ソケット又は他のコ
ネクタへの接続するように用いることのできる上記ダイ
を含むモジュールを提供する。

従来の技術 デジタルコンピュータ内の一般的に「チップ」と称され
る集積回路ダイの相互接続及び実装は。

それにより形成される装置のコスト及び性能に対して非
常に厳密である。製造技術の改良に伴い、集積回路は、
単位面積当たりにより多数の部品と相互接続部とを有す
ることができるようになったため、このような回路の相
互接続及び冷却が益々困難になってきている。更に１個
々のトランジスタ及び他の集積回路部品のサイズが非常
に小さくなったことにより各チップの動作速度を高くす
ることができるが、このような部品を含むコンピュータ
の全動作速度を益々遅延させる大きな原因は、個々の集
積回路間での信号の伝搬に本来台まれる遅延である。従
って、チップ間の伝搬遅延を最小にするため、今日のデ
ジタルコンピュータの設計者は、システム全体を構成す
る集積回路をできるだけ接近して配置しようとしている
。不運にも、集積回路の間隔が益々接近するにつれて、
回路の相互接続及び冷却が甚だ大きな問題となる。

デジタルコンピュータの集積回路のグループを相互接続
及び実装するために、多数の色々な解決策が提案されて
利用されてきている。例えば。

この技術に関する概説が、１９８３年、７月の５ｃｉｅ
ｎｔｉｆｉｃ　Ａｍｅｒｉｃａｎの第８６頁ないし９６
頁に掲載されたＡ、　Ｊ、プロジェット（Ｂｌｏｄｇｅ
ｔｔ）二世氏著の「マイクロエレクトロニック・パッケ
ージング（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｐａｃｋ
ａｇｉｎｇ）Ｊと題する文献に述べられている。

数ある技術のなかで、前記プロジェット氏は。

ＩＢＭ社がその３０８１シリーズのシステムに用いてい
る熱伝導モジュールについて述べている。

このモジュールでは、集積回路は、セラミック基体に、
表面を下に向けてボンディングされており、このセラミ
ック基体上には、導電性材料のパターンが形成されてい
る。このセラミック基体は、セラミック材料の多数の個
々の層をサンドイッチしたものを含んでおり、その各層
は、パターン形成された電気導体の層を支持している。

電気導体の種々の層は、介在するセラミックによって互
いに分離されている。セラミック材料を通じて形成され
た経路は、１つの層上の導電性材料の所望の部分を他の
層の導電性材料の所望の部分に相互接続するために使用
される。基体の底部層は、プリント回路板又は他のコネ
クタの対応する開口に嵌合するピンに結合される。熱は
、集積回路から、主としてバネ仕掛けの金属ピストンに
よって消散される。このピストンの１つは、各回路の露
出した後面を支持する。次いで、ピストンは、ピストン
組立体に取付けられたプレート内のチャンネルを通じて
循環する水によって冷却される。

メインフレームコンピュータ内の集積回路の相互接続及
び冷却について述べている別の論文として、１９８３年
５月刊行、に町里μづ慝畦顧誌の第２１９頁ないし２２
５頁に掲載されたＥ、　Ａ。

ウィルスン（ｌｌｉｌｓｏｎ）氏の「近代的なメインフ
レームの冷却−一液体による解決策（Ｃｏｏｌｉｎｇ　
ＭｏｄｅｒｎＭａｉｎｆｒａｍｅ　−Ａ　Ｌｉｑｕｉｄ
　Ａｐｐｒｏａｃｈ）Ｊがある。この論文では、メイン
フレームコンピュータのパッケージを冷却するための別
の水冷システムについて述べている。

発明が解決しようとする問題点 然し乍ら、多数の集積回路を相互接続及び実装する公知
の解決策は、多数の欠点がある。その第１は、集積回路
と熱交換媒体との間の熱伝達が不充分であるため及び基
体上の電気接続部のピッチを所望通りには小さくはでき
ないために、集積回路が所望の密度で実装できないこと
である。例えば、上記の３０８１シリーズのモジュール
では、バネ仕掛けのピストンと集積回路の後面との間の
熱結合が不充分である。この不充分な接触により、チッ
プからピストンには所望の通りの多くの熱を伝達できな
い、第２に、セラミック基体に形成される導電パターン
がスクリーン印刷の厚いフィルムラインで構成されるた
めに、このラインの密度が非常に低いものとなる。高密
度ラインの要求を満たすためには、セラミック／相互接
続部の更に別の層を用いねばならず、これにより、モジ
ュールのコストとそれを製造する際の困難さが増大する
。

問題点を解決するための手段 本発明は、好ましい実施例では、信号伝搬遅延を最小に
するために所望数の集憚回路を非常にコンパクトなやり
方で相互接続するモジュールを提供すると同時に、回路
の動作中に発生する熱を効果的に消散させる手段を提供
する。このモジュールは、熱伝導性の基体、典型的には
、実装すべき集積回路とはゾ同じ程度の厚みの銅又は銅
合金のプレートを含んでいる。この基体の上面には、非
常に薄い電気絶縁材料の層が付着され１次いで電気的な
相互接続部が付着される。好ましい実施例においては、
電気的な相互接続部が写真平版技術によって形成される
０次いで、必要に応じて多数の絶縁材料の層と電気的な
相互接続部が順次に形成され、これらの種々の層の間の
接続を行なうために経路が形成される。これらの多数の
層は、所望の相互接続をもたらす上に、それら自体を通
じて効率的な熱伝導を行ない得るに充分なほど薄いもの
である。写真平版技術によって厳密な裕度が得られるこ
とにより、非常に多数のダイに対して少数の相互接続層
を用いるだけで済む。

この場合も、典型的には、電気的相互接続層の上面に、
その下の層の所望の領域に至る導電性信号路を形成する
ような経路をメツキすることにより、１つ以上の電源及
びグランドプレーンが形　　　□成される。集積回路は
、次いで、最も上の電源部又はグランドプレーンに取付
けられてその表面が該プレーンと並置するようにされ、
ワイアボンディング又はテープ自動ボンディングを用い
て集積回路とその周囲の接続部との間に電気的な接続が
与えられる。

モジュール組立体は、このモジュール組立体をソケット
、プリント回路板又は他のコネクタに接続するためのピ
ンを受は入れる開口部を基体の周囲に設けることによっ
て完成される。集積回路を取付ける基体面とは反対の面
にヒートシンクを取付けることができる。又、必要があ
れば、回路を囲うためにリッドを設けてもよい。

電気的な相互接続部がダイの下及びダイの間の絶縁材料
に埋め込まれているため、信号経路は短く、伝搬遅延は
最小となる。モジュールを金属基体から分離する厚さ数
ミクロンの絶縁材料により、電気的な分離を犠牲にする
ことなしに高い熱伝導性がもたらされる。比較的薄く然
も熱伝導性が高い基体により、回路と反対の基体面に取
付けられている冷却装置と集積回路との間に良好な熱結
合が確保される。集積回路の不活性の面が基体に取付け
られているために、ワイアボンディング又はテープの自
動ボンディングを用いて、これらの集積回路を電気接続
部の最上層に相互接続することができる。

実施例 以下、添付図面を参照し、本発明の実施例を詳細に説明
する。

添付図面は、本発明の好ましい実施例による多チツプ相
互接続システムを製造する１つの方法を説明するための
ものである。第１図は１本発明に用いるのに適した基体
１０の断面図である。好ましい実施例においては、基体
１０は、高い熱伝導性を有する比較的薄いプレートによ
って構成されており、このプレートは多数の集積回路を
支持する適当なサイズにされている０本発明の１つの実
施例においては、プレート１０は、銅合金Ｃ１４７００
等の熱伝導性の高い加工自在な銅合金で構成される。こ
のプレート１０は、厚さが４０ミルで、長方形で、辺が
数インチで、アマックス・コーポレーション中インク（
Ａｍａｘ　ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎＩｎｃ、）製のもの
である。殆どの実施例においては。

プレート１０は、電力信号、グランド信号又は他の信号
を搬送することのできる導電性のものでもある。プレー
ト１ｏの表面１２は、以下に述べる理由により、できる
だけ平らに製造される。

所望数の開口１４及び１５がプレート１０を貫通するよ
うに形成され、導電性のピンをプレート１０の上面１２
とその下面１３との間に通してモジュールを回路板、ソ
ケット又は他のコネクタに結合できるようにされる。こ
れらの開口は、次いで、適当な材料、例えばエポキシ又
は液体ポリイミド（デュポン（ＤｕＦｏｎｔ）社製）を
用いて、上面１２及び下面１３と同じ高さになるように
詰め込まれる。ポリイミドが使用される場合は、銅とポ
リイミドとの間に接着層を用いてもよい。

第１Ａ図は、プレート１０の一部分の拡大図である。第
１図に関連して述べた段階に続いて、ポリイミド又は他
の適当な電気絶縁材料の薄い層１６が、通常の半導体製
造技術を用いて、プレートの上面に付着される。好まし
い実施例において、層１６は、厚さおよそ３ないし２５
ミクロンのポリイミドであり、その後その上に形成され
る導電層の所望の部分をプレート１０から電気的に分離
するものである６プレート１０が電気信号を搬送するか
電力を供給するか又はグランディングの役目を果たす場
合は１層１６を貫通する開口を写真平版技術で形成する
ことができ、形成した領域内のポリイミドは、公知の半
導体製造技術を用いて除去される。このような開口部が
設けられている場合には、ポリイミド１６の上面に付着
された導電層がこれらの開口部を通じてプレート１０に
電気的に接続される。この接続により、供給する電力信
号又はグランド信号を、層１６の上に形成された導体に
結合することができる。

層１６の上面には、厚さ数百オングストローム台のチタ
ニウムの非常に薄い層１７が、例えば、スパッタリング
その他の公知の技術によって付着される。チタニウム層
１８の上面には、厚さ３ないし４ミクロンの銅層１８が
スパッタリングされる。チタニウムにより、銅層１８が
ポリイミド１６に適当に接着される。当然、他の公知の
材料を用いることもできるが、銅は、その優れた導電性
により、層１８として好ましいものである。

通常の写真平版技術を用いて、チタニウム層１７と銅層
１８とによるサンドイツチ体が、第１Ｂ図に示すように
、導電材料の所望の領域に形成される。このような公知
の写真平版プロセスの１つは、層１８の上面にわたって
ホトレジストをスピンさせ、マスクを通じてホトレジス
トを露光し。

それを現像することである。銅−チタニウムのサンドイ
ッチ層の上記のように露光された部分は、次いで、ＣＦ
４等の活性ガス中でのプラズマエツチングによるか或い
は標準的な化学手段かのいずれかによってエツチングさ
れる。

次に、第１Ｂ図に示すように、絶縁材料の追加層１９が
、層１７と層１８の残りの部分上に付着される。好まし
い実施例においては、厚さ１０ミクロンのポリイミド（
下にあるポリイミド１６から測定して）が、構造体の表
面に広がるようにされる。この場合も、公知の半導体製
造技術を用いて、ポリイミド層１９がマスクされ、その
下にある導電領域１７及び１８への経路が所望されると
ころでは除去される。このような経路２０の１つが第１
Ｃ図の中央に示されており、ここでは。

ポリイミド１９が除去されている。

又、第１Ｃ図に示されているように、チタニウム２１と
銅２２の更に別の層が、ポリイミド層１９が除去された
部分の上に付着され、ポリイミド層１９が除去されたと
ころでは、チタニウム層２１と銅層２２とがその下にあ
る導電領域と接触し、これによって経路を形成する。チ
タニウム層は、厚さ２００オングストロ一ム台であり、
銅層は厚さおよそ５ミクロンである。

再び、公知のマスク及びエツチング技術を用いて１層２
１及び層２２が、所望の形状にパターン化される。これ
は、第１Ｄ図に示されている。

第１Ａ図ないし第１Ｄ図について述べたプロセスは、絶
縁材料及び導電材料の追加層と、更に別の経路とを形成
するために、必要な回数だけ繰り返される。第１Ｅ図は
、ポリイミドの第３の層２４が付着されると共に導電性
チタニウム２５と銅２６とによる第３のサンドイッチ層
が付着され形成された構造体を示すものでる。所望数の
絶縁材料及び導電材料の層が形成されると、第２図ない
し第８図に関連して述べたプロセスが用いられる。好ま
しい実施例においては、４つの金属層（電源、グランド
、Ｘ及びＹ）と５つのポリイミド層が使用される。この
金属層は、典型的に厚さ５ミクロンであり、ポリイミド
層は厚さ３ないし１０ミクロンである。

第２図は、プレート１０と、絶縁層及び導電層３０のサ
ンドイツチ体との断面図であり、第１Ａ図ないし第１Ｅ
図のプロセスが完了した時の状態を示すものである。第
２図以降の図の縦方向のスケールは、非常に誇張されて
いる。

構造体の上面には、第３図に示すように、導電Ｍ３２が
形成される。好ましい実施例においては、この層３２は
、厚さ３ないし５ミクロンにスパッタリングされた銅よ
り成り、これは、厚さ数百オングストロームのニッケル
等のバリア金属と厚さ０．６ミクロンの金とによってメ
ツキされる。

銅は高い導電性と熱伝導性を有しており、ニッケルは、
銅層と金層との間に充分な接着性を確保して鋼と金との
相互拡散を減少させる。金の層により、以下に述べるよ
うに集積回路の半田付けができる。導電層３２は、本発
明のいくつかの実施例において、グランド信号又は電力
信号を供給する。

所望ならば、例えば多数の基準電圧源が必要なシステム
においては、追加絶縁材料をサンドイッチ層３２の上面
に付着してその上に追加の導電層を形成し、パッケージ
のための追加電源及び／又はグランディング配線を行な
うことができる。そのようにしたときには、上部導電面
のみが金−ニッケルメッキを含む。

第４図に示すように、必要があれば、通常のマスキング
及びエツチング技術を用いて、面３２の一部分をその下
にある材料３ｏの表面から除去することもできる。好ま
しい実施例においては、これらの領域は、写真平版技術
によって形成され、その一部分が化学的に除去される。

例えば、プロセスのこの段階では、ポンディングパッド
が面３２内に形成され、ワイアボンディング、テープの
自動ボンディング又は他の公知の技術により集積回路か
らの導電リード線を取付けることができる。

第４図では、ポンディングパッド３４が断面図で示され
ている。一般的には、ポンディングパッド３４は、その
下面が、第１Ａ図ないし第１Ｅ図に示すように付着した
導電材料の最上層２６と接触する。これにより、集積回
路からの信号が第１Ａ図ないし第１Ｅ図について述べた
層を通じて１つの回路から他の回路へ移動することがで
きる。

前述の開口１４及び１５が１次いで、例えばそれらを再
ドリルすることによって再び開けられる。好ましい実施
例においては、絶縁材エポキシの環状領域が各開口の周
囲に残るようにされ、絶縁層となる。この絶縁層により
、開口に挿入されるピンが基体１０と短絡しないことに
なる。

第５図に示すように、開口３５及び３６は、公知の技術
を用いて、その内面を導電性にすると共にそれらを導電
面３２（１つ又は複数）に接続するために、導電材料３
８例えば銅によってメツキされる。各開口のメツキされ
た内面は、面３２が開口３５及び３６の縁に延びること
が許容されるところでこの面３２に接続される。例えば
、面３２の一部分が開口３５を取り囲むことが許容され
る。このようにして、メツキ部３８は、プレート３２の
一部分に電気的に接続される。このようにして、開口３
５及び３６に挿入され取付けられたピンは、組立体内の
所望の回路部分に電気的に接続される。

集積回路ダイ４０は、次いで、最上層３２の上面に、第
６図に示すように取付けられる。好ましい実施例におい
て、ダイ基体が電気的にバイアスされる場合には、集積
回路４０の後部と導電面との間に絶縁物が配置されない
。この実施例では、ダイ４０は、取付けるべき各ダイの
下に半田プリフォームを配置した後に組立体全体を加熱
して半田を溶かしダイを面３２に接着することによって
導電面に半田付けされる。集積回路４０の基体を面３２
から電気的に分離することが必要な場合は、エポキシ等
の絶縁材料を用いてダイの後部を面３２に取付けること
もできる。

これも第６図に示すように、集積回路ダイ４０内の各回
路は、公知のワイアボンディング４２を用いてポンディ
ングパッド３４に電気的に接続することができる。ワイ
アボンディング４２は、集積回路４０を、層３０に配置
された相互接続部に導電性ポンディングパッド３４を通
じて電気的に接続すると共に、開口３５及び３６のどち
らか希望する方のメツキ３８にも電気的に接続する。

第６図の左側に示す本発明の別の実施例においては、集
積回路ダイ４１は、テープによる自動ボンディングを用
いて面３２内の領域４３に電気的に接続されて示されて
いる。このような実施例においては、公知のバンプ４５
は、面３２とダイ４１のポンディングパッドとにメツキ
付けされ、鋼溶又は他の公知の材料で電気的な相互接続
を行なえるようにする。リード、ｍ４６のようなテープ
の自動ボンディングにより、ダイ４１とその周囲のポン
ディングパッドとの間の全ての電気的接続を一度に行う
ことができる。これは、ワイアを一度に１つづつ接続す
るワイアボンディングとは対照的である。

第６図に示すテープの自動ボンディング部４６は、説明
のために設けられているに過ぎない。

テープ自動ボンディング部及びワイアボンディング部は
同一のモジュールに製造することができるが、典型的に
は、１つのモジュールに１つの形式のボンディングのみ
が使用される。

ダイ４０及び４１と面３２との間に電気的接続部４２及
び／又は４６を形成した後、パッケージ組立体は第７図
に示すように完成される。

リッド５２は、スペーサ５０を用いて信号面３２の上面
に取付けることができる。１つの実施例では、リッド５
２とスペーサ５０はセラミック製であり、既知のガラス
フリットシールによって互いに予め固定される。リッド
組立体は、次いで、エポキシボンディング又は半田付は
等の低温処理によって基体に取付けられる。又、好まし
い実施例では、冷却チャンバ５４がプレート１０の下面
に取付けられる。冷却チャンバ５４は、プレート１０の
反対面に取付けられる多数の集積回路の動作によって発
生する熱を消散させるためのヒートシンクを構成する。

冷却は、低電力の分野１例えば、ＣＭＯＳダイ４０を用
いた分野で、放射又は強制空気冷却のみを用いて行なう
ことができる。

高電力の分野では、例えば集積回路がバイポーラ装置で
ある時に、水冷方式が用いられる。このような場合には
、冷却チャンバ５４は、プレート１０から熱を消散させ
るための水を圧送するチャンバで構成される。このよう
な冷却チャンバの１つの実施例が、１９８４年３月１９
日出願の「半導体チップのモジュール構造（Ｍｏｄｕｌ
ｅ　Ｃｏｎ５ｔｒｕｃｔｉｏｎｆｏｒ　Ｓｅｍ１ｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ　Ｃｈｉｐ）Ｊと題する米国特許出願筒５
９０，６５１号に示されている。この特許出願は、現在
では、１９８６年７月２９日付けで米国特許節４，６０
３，３４５号となっている。

面３２にマウントされた集積回路を外部装置に電気的に
接続できるようにするために、ピン６０が半田付は又は
他の方法で開口３５及び３６内に取付けられる。このよ
うにして、第７図及び第８図に示すモジュール組立体全
体を、ソケット、プリント回路板或いは他の接続装置に
挿入することができる。本発明の１つの実施例において
は、２１個の集積回路が８６０本のピンを通じてそのよ
うな装置に接続される。

第８図は、第７図の断面図に示された全モジュール組立
体の上面図であり、どのようにして所望数の集積回路ダ
イを相互接続するかを示すものである。導電性基体１０
は、第８図に方形プレートとして示されている。然し乍
ら、他の希望の形状とすることもできる。第８図に示す
構造体は、面３２に取付けるべき２１個の別々の集積回
路用の位置を含んでいる。面３２の周辺には、５列のピ
ン６０が配置されており、これらのピン６０は、集積回
路のアレイの周りに延びている。

第９図は、第８図の左上部の拡大図であり、ポンディン
グパッド３４を拡大したものである。

環状領域７０は、個々の集積回路ダイか取付けられた面
３２の部分７１を、ポンディングパッド３４から分離す
る。タブ７２は、所望のポンディングパッド３４をその
周りの面３２に接続し、そのパッド３４にボンディング
された全てのリード線を外面に電気的に接続して、希望
の電源電圧又は基準電圧を、タブ７２を通じてパッド３
４に接続できるようにする。

各図面に示されているパッケージは、従来のパッケージ
及び相互接続構成と比較して多数の独自の特徴を備えて
いる。特に、このパッケージは、信号伝搬遅延を最小に
するために、非常に多数の集積回路を非常にコンパクト
に相互接続する。同時に、このパッケージは、各集積回
路ダイ４０の後面が熱伝導性のプレート１０に良好に熱
結合されているために、回路の動作中に発生した熱を高
い効率で消散させる。介在材料３０は、熱の消散に対す
る抵抗を最小にするに充分なほど薄いものである。又、
このパッケージにより、相互接続層３０内で所望数の相
互接続が可能になる一方、ダイを取付ける位置の真下に
相互接続部を形成することができる。更に、このパッケ
ージにより、所望数の電圧及び信号面をダイの下に形成
して電力信号とグランド信号を供給できる一方、このパ
ッケージは、システム全体を再設計することなく種々の
種類のヒートシンクに適合できるものである。

上記の好ましい実施例の説明は、本発明を例示するため
のものに過ぎず、このため、多くの実施例について説明
してきた。又、この説明は、本発明の範囲を限定するも
のではない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に用いるのに適した導電性基体の断面
図、 第１Ａ図ないし第１Ｅ図は、基体上に相互接続材料と絶
縁材料の一連の導電層を形成するための１つのプロセス
を示す図で、特に。 第１Ａ図は、絶縁材料の層と第１の導電層を形成した後
の基体の断面図、 第１Ｂ図は、相互接続層をパターン化し絶縁材料の追加
層を形成した後の基体の断面図、第１Ｃ図は、第２導電
層を付着した後の基体の断面図、 第１Ｄ図は、第２導電層をパターン化した後の基体の断
面図。 第、ＩＥ図は、更に別の絶縁層と導電材料層を付着した
後の基体の断面図。 第２図は、第１Ａ図ないし第１Ｅ図について述べたプロ
セスの完了後の基体の状態を示す断面図、 第３図は、第２図の構造体上に第１導電面を形成した後
の基体の断面図、 第４図は、導電面の不所望の部分を除去し基体を貫通す
る開口を形成した後の基体の断面図、第５図は、開口の
内面にメツキを施してそれらの面を基体の所望の部分に
電気的に接続した後の基体の断面図、 第６図は、集積回路をその下の構造体に取付けて電気的
に接続した後の基体の断面図、第７図は、基体の開口に
ピンを取付け、基体の下面にヒートシンクを設け、集積
回路をカバーするリッドを設けた後の基体の断面図、第
８図は、第７図に示す構造体を含むモジュール全体の、
カバーを取外した上面図、そして第９図は、第８図の一
部拡大図である。 １０、、、基体　　　　１２．、、上面１３、、、下面 １４．１５，３５．３６．、、開口部 １６、、、層 １７．２１．２５．、、チタニウム層 １８．２２．２６．、、銅層 １９．２４．、、ポリイミド層 ２０、、、経路 ３０、、、サンドイッチ層 ３２、、、導電層 ３４、、、ポンディングパッド ３８、、、導電材料 ４０．４１．、、集積回路ダイ ４２、、、ワイアボンディング ４３、、、領域　　　　４５．、、バンプ４６、、、リ
ード線　　５０．、、スペーサ５２、、、リッド　　　
５４．、、冷却チャンバ６０、、、ピン　　　　７０．
、、環状領域７２、、、タブ ＋−ノ ：

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１の面を有する熱伝導性の基体と、上記第１の
   面にわたって配置された電気絶縁材料の第１の層と、 上記電気絶縁材料の層上に配置された少なくとも１つの
   電気的な相互接続層と、 上記少なくとも１つの電気的な相互接続層にわたって配
   置された電気絶縁材料の第２の層であって、上記少なく
   とも１つの電気的な相互接続層の選択された部分へと貫
   通する開口を含んでいるような第２の層と、 上記第２層の電気絶縁材料上に配置され、上記開口を通
   して延びて上記少なくとも１つの層の選択された部分と
   接触するような上部の電気的な相互接続層と、 上記上部の層に取り付けられた複数の集積回路と、そし
   て 集積回路を上記上部の層に電気的に接続する手段とを具
   備することを特徴とする集積回路を相互接続するモジュ
   ール。
2. （２）上記基体は第２の面を含み、この第２の面にヒー
   トシンクが取り付けられる特許請求の範囲第１項に記載
   のモジュール。
3. （３）上記基体は、上記第１の面が片側で且つ第２の面
   が反対側である所望の厚みのプレートである特許請求の
   範囲第２項に記載のモジュール。
4. （４）上記基体は、モジュールを他の装置に接続するた
   めのピンを挿入する複数の開口を備えている特許請求の
   範囲第３項に記載のモジュール。
5. （５）上記開口は、絶縁材の環状領域によって基体の他
   部分から絶縁される特許請求の範囲第４項に記載のモジ
   ュール。
6. （６）各開口は導電性の材料が被覆された内面を含む特
   許請求の範囲第５項に記載のモジュール。
7. （７）上部の電気的な相互接続層は所望の開口を取り囲
   むようにされ、このような開口の内面の被覆は上部層に
   電気的に接触するように延びる特許請求の範囲第６項に
   記載のモジュール。
8. （８）集積回路を覆うように上部層に取り付けられたリ
   ッドを更に備えている特許請求の範囲第７項に記載のモ
   ジュール。
9. （９）導電性の基体は、銅の合金より成る特許請求の範
   囲第１項に記載のモジュール。
10. （１０）電気絶縁材料の第１の層はポリイミドである特
    許請求の範囲第９項に記載のモジュール。
11. （１１）少なくとも１つの電気的な相互接続層は、チタ
    ニウムの下層と銅の上層のサンドイッチ体より成る特許
    請求の範囲第１０項に記載のモジュール。
12. （１２）電気絶縁材料の第２の層は、ポリイミドである
    特許請求の範囲第１１項に記載のモジュール。
13. （１３）集積回路を上層に電気的に接続する手段は、ワ
    イアボンディングである特許請求の範囲第１項に記載の
    モジュール。
14. （１４）集積回路を上層に電気的に接続する手段は、テ
    ープの自動ボンディングである特許請求の範囲第１項に
    記載のモジュール。
15. （１５）熱伝導性のプレートと、 このプレート上に配置された電気絶縁材料の第１層と、 第１の電気的な接続層と、 この第１の電気的な接続層の選択された部分上に配置さ
    れた絶縁材料の第２層と、 絶縁材料の第２層上に配置されて第１層の選択された部
    分と接触する第２の電気的な接続層と、この第２の電気
    的な接続層の選択された部分上に配置された絶縁材料の
    第３層と、 この絶縁材料の第３層上に配置され、第２の電気的な接
    続層の選択されない部分と接触する導電性材料の層と、 導電性材料の層に取り付けられた複数の集積回路と、 上記第３層上に配置された導電性材料の層に集積回路を
    電気的に接続する手段とを具備したことを特徴とする集
    積回路を相互接続するモジュール。