JPH01133045A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH01133045A JPH01133045A JP62291350A JP29135087A JPH01133045A JP H01133045 A JPH01133045 A JP H01133045A JP 62291350 A JP62291350 A JP 62291350A JP 29135087 A JP29135087 A JP 29135087A JP H01133045 A JPH01133045 A JP H01133045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- forming method
- pattern forming
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、基板上にポジ型レジスト材料を塗布し、マ
スクを介して露光後、現像によって所定のレジストパタ
ーンを得るレジストパターン形成方法に関するものであ
り、特に、高精度なレジストパターンを得ることのでき
る、レジストパターン形成方法に関するものである。
スクを介して露光後、現像によって所定のレジストパタ
ーンを得るレジストパターン形成方法に関するものであ
り、特に、高精度なレジストパターンを得ることのでき
る、レジストパターン形成方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体デバイス等の製造工程では、基板上にフォ
トレジストを塗布した後、適当な露光用光源を用いて所
定のパターンを転写する。その後、現像により所定のレ
ジストパターンを得る。そして、このレジストパターン
をマスクとして、基板のエツチングが行なわれる。とこ
ろで、通常ポジ型フォトレジストとしては、ナフトキノ
ンジアジドを感光基として有するものが広く使われてい
る。
トレジストを塗布した後、適当な露光用光源を用いて所
定のパターンを転写する。その後、現像により所定のレ
ジストパターンを得る。そして、このレジストパターン
をマスクとして、基板のエツチングが行なわれる。とこ
ろで、通常ポジ型フォトレジストとしては、ナフトキノ
ンジアジドを感光基として有するものが広く使われてい
る。
たとえば、感光剤として２，３．４トリヒドロキシベン
ゾフエノンの１．２−ナフトキノンジアジドスルフォン
酸エステルをクレゾールノボラックレジンに添加したフ
ォトレジストでは、露光により、ナフトキノンジアジド
が光反応により、インデンカルボン酸に変化する。そし
−で、露光部分がアルカリ現像液に可溶となる。これに
より、現像時に選択的に露光部を除去し、所定のパター
ンを得ることができる。
ゾフエノンの１．２−ナフトキノンジアジドスルフォン
酸エステルをクレゾールノボラックレジンに添加したフ
ォトレジストでは、露光により、ナフトキノンジアジド
が光反応により、インデンカルボン酸に変化する。そし
−で、露光部分がアルカリ現像液に可溶となる。これに
より、現像時に選択的に露光部を除去し、所定のパター
ンを得ることができる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、従来のポジ型フォトレジストでは、短波
長紫外線や、Ｘ線、電子ビーム等の露光では、レジスト
中の樹脂や感光剤が副反応を起こし、架橋を起こす。
長紫外線や、Ｘ線、電子ビーム等の露光では、レジスト
中の樹脂や感光剤が副反応を起こし、架橋を起こす。
第２図は、従来法により２５Ｏｎｍ付近の紫外光で露光
されたレジストの、現像液に対する溶解速度を露光エネ
ルギに対してプロットしたものである。図から明らかな
ように、露光量が成る値に達するまでは、溶解速度は増
加するが、露光量がそれ以上になると逆に溶解速度は減
少する。上述のとおり、レジスト中の樹脂や感光剤が副
反応を起こし、架橋を起こすからである。このため、現
像時に露光部のレジストが溶けきれず、残渣として残る
という問題点があった。露光部のレジストが残渣として
残ると、高精度なレジストパターンを得ることができな
い。
されたレジストの、現像液に対する溶解速度を露光エネ
ルギに対してプロットしたものである。図から明らかな
ように、露光量が成る値に達するまでは、溶解速度は増
加するが、露光量がそれ以上になると逆に溶解速度は減
少する。上述のとおり、レジスト中の樹脂や感光剤が副
反応を起こし、架橋を起こすからである。このため、現
像時に露光部のレジストが溶けきれず、残渣として残る
という問題点があった。露光部のレジストが残渣として
残ると、高精度なレジストパターンを得ることができな
い。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、露光部のレジストを完全に溶解し、残渣と
して残さないで、高精度なレジストパターンを得ること
のできるレジストパターン形成方法を提供することを目
的とする。
れたもので、露光部のレジストを完全に溶解し、残渣と
して残さないで、高精度なレジストパターンを得ること
のできるレジストパターン形成方法を提供することを目
的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明は、基板上にポジ型レジスト材料を塗布し、マ
スクを介して露光後、現像によって所定のレジストパタ
ーンを得るレジストパターン形成方法に係るものである
。そして、前記問題点を解決するために、上記ポジ型レ
ジスト材料に、ラジカル反応禁止剤を添加して行なうこ
とを特徴とする。
スクを介して露光後、現像によって所定のレジストパタ
ーンを得るレジストパターン形成方法に係るものである
。そして、前記問題点を解決するために、上記ポジ型レ
ジスト材料に、ラジカル反応禁止剤を添加して行なうこ
とを特徴とする。
〔作用コ
この発明によるレジストパターン形成方法では、ラジカ
ル反応禁止剤を含宵したレジスト材料を用いるので、露
光時の副反応である架橋反応が発生しなくなる。
ル反応禁止剤を含宵したレジスト材料を用いるので、露
光時の副反応である架橋反応が発生しなくなる。
［実施例コ
以下、この発明の一実施例を説明する。
感光剤として２，３．４−トリヒドロキシベンゾフェノ
ンのナフトキノンジアジド硫酸エステルを用い、樹脂と
してｍ−クレゾール／ｐ−クレゾールのノボラックレジ
ンからなるポジ型フォトレジストを用い、その中に２．
６−ｔ−ブチルクレゾールを添加する。その添加量は数
％〜１０％が好ましい。このレジストを、所定のマスク
を介して、２５Ｏｎｍ付近の紫外光を用いて露光する。
ンのナフトキノンジアジド硫酸エステルを用い、樹脂と
してｍ−クレゾール／ｐ−クレゾールのノボラックレジ
ンからなるポジ型フォトレジストを用い、その中に２．
６−ｔ−ブチルクレゾールを添加する。その添加量は数
％〜１０％が好ましい。このレジストを、所定のマスク
を介して、２５Ｏｎｍ付近の紫外光を用いて露光する。
その後、現像により所定のレジストパターンを得る。以
上の方法によりレジストパターンを形成すると、紫外光
露光時に発生する、感光剤または樹脂のラジカルは２．
６−ｔ−ブチルクレゾールに捕捉される。その結果、感
光剤または樹脂は安定化され、架橋反応が起こらない。
上の方法によりレジストパターンを形成すると、紫外光
露光時に発生する、感光剤または樹脂のラジカルは２．
６−ｔ−ブチルクレゾールに捕捉される。その結果、感
光剤または樹脂は安定化され、架橋反応が起こらない。
第１図は、本発明における、露光後のレジストの現像液
に対する溶解速度を露光エネルギに対してプロットした
ものである。
に対する溶解速度を露光エネルギに対してプロットした
ものである。
図より明らかなように、露光量が増すに従って、溶解速
度は単調に増加する。したがって、現像の際、露光部の
レジストが残渣として残るということはない。これによ
り、高精度なレジストパターンを得ることができる。
度は単調に増加する。したがって、現像の際、露光部の
レジストが残渣として残るということはない。これによ
り、高精度なレジストパターンを得ることができる。
なお、上記実施例では、レジスト感光基として、２、
３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン
ジアジド硫酸エステルを例示したが、他のキノンジアジ
ド系感光剤等でもよい。
３．４−トリヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン
ジアジド硫酸エステルを例示したが、他のキノンジアジ
ド系感光剤等でもよい。
また、上記実施例ではレジスト樹脂として、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾールのノボラック樹脂を例示したが、
他のフェノール系樹脂等のアルカリ可溶な樹脂であって
もよい。
ール、ｐ−クレゾールのノボラック樹脂を例示したが、
他のフェノール系樹脂等のアルカリ可溶な樹脂であって
もよい。
さらに、感光剤が樹脂中に直接に結合されているものを
使用しても、実施例と同様の効果を実現する。
使用しても、実施例と同様の効果を実現する。
また、上記実施例ではラジカル反応禁旧剤として、２．
６−ｔ−ブチルクレゾールを例示したが、この発明はこ
れに限られるものでなく、ベンゾフェノン系、フェノー
ル系、アリルアミン系等のポリマー安定剤であっても実
施例と同様の効果を実現する。
６−ｔ−ブチルクレゾールを例示したが、この発明はこ
れに限られるものでなく、ベンゾフェノン系、フェノー
ル系、アリルアミン系等のポリマー安定剤であっても実
施例と同様の効果を実現する。
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明に係るレジストパターン
形成方法によれば、ポジ型レジスト材料に、ラジカル反
応禁止剤を添加して行なうようにしたので、露光時の副
反応である架橋反応が発生するのを防ぐことができる。
形成方法によれば、ポジ型レジスト材料に、ラジカル反
応禁止剤を添加して行なうようにしたので、露光時の副
反応である架橋反応が発生するのを防ぐことができる。
結果として、露光部のレジストは完全に溶解し去り、残
渣として残らなくなり、高精度のレジストパターンを与
える。
渣として残らなくなり、高精度のレジストパターンを与
える。
第１図は本発明を使用した場合の、露光エネルギと感光
後のレジストの溶解速度との関係図、第２図は従来の方
法を採用した場合の、露光エネルギと感光後のレジスト
の溶解速度との関係図である。
後のレジストの溶解速度との関係図、第２図は従来の方
法を採用した場合の、露光エネルギと感光後のレジスト
の溶解速度との関係図である。
Claims (1)
- 基板上にポジ型レジスト材料を塗布し、マスクを介し
て露光後、現像によって所定のレジストパターンを得る
レジストパターン形成方法において、前記ポジ型レジス
ト材料に、ラジカル反応禁止剤を添加して行なうことを
特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291350A JPH01133045A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291350A JPH01133045A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133045A true JPH01133045A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17767788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291350A Pending JPH01133045A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133045A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031904A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-03-28 | ||
| JPS57155534A (en) * | 1981-02-20 | 1982-09-25 | Polychrome Corp | Positively working radiation sensitive composition containing no silver |
| JPS602945A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光重合性組成物 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62291350A patent/JPH01133045A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5031904A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-03-28 | ||
| JPS57155534A (en) * | 1981-02-20 | 1982-09-25 | Polychrome Corp | Positively working radiation sensitive composition containing no silver |
| JPS602945A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光重合性組成物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4104070A (en) | Method of making a negative photoresist image | |
| US4719167A (en) | Positive photoresist composition with 1,2 naphthoquinone diazide and novolak resin condensed from mixture of m-cresol, p-cresol, and 2,5-xylenol with formaldehyde | |
| JP3184530B2 (ja) | 金属イオンレベルが低いフォトレジスト | |
| US4610953A (en) | Aqueous developer solution for positive type photoresists with tetramethyl ammonium hydroxide and trimethyl hydroxyethyl ammonium hydroxide | |
| US5656413A (en) | Low metal ion containing 4,4'-[1-[4-[1-(4-Hydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenyl]ethylidene]bisphe nol and photoresist compositions therefrom | |
| US4847178A (en) | Positive photosensitive o-quinone diazide composition with benzotriazole carboxylic acid or alkyl ester | |
| US4885232A (en) | High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions | |
| JPS60176034A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3924317B2 (ja) | 陰イオン交換樹脂を使用する、ノボラック樹脂溶液中の金属イオン低減 | |
| US4997748A (en) | Developer solution for positive-working resist composition | |
| WO2000028383A1 (en) | Radiation-sensitive resin composition | |
| CN1094208C (zh) | 光敏正作用光敏组合物及其生产方法 | |
| EP0211350A2 (en) | Photoresist composition and method of applying same | |
| JPH01133045A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR910007227B1 (ko) | 포지티브-워킹 레지스트조성물용 현상액 | |
| WO1998006008A1 (en) | Positive photoresist composition containing a 2,4-dinitro-1-naphthol | |
| KR960001894A (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물 | |
| US20010026903A1 (en) | Composition for lithographic anti-reflection coating, and resist laminate using the same | |
| JP3722538B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JPH0194342A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0250164A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR0124949B1 (ko) | 감방사선성 수지 조성물 | |
| JP2746491B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0220868A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JPH02287545A (ja) | ポジ型感光性組成物 |