JPH01134911A - 縦形気相成長装置 - Google Patents

縦形気相成長装置

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JPH01134911A
JPH01134911A JP62291923A JP29192387A JPH01134911A JP H01134911 A JPH01134911 A JP H01134911A JP 62291923 A JP62291923 A JP 62291923A JP 29192387 A JP29192387 A JP 29192387A JP H01134911 A JPH01134911 A JP H01134911A
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gas
gas introduction
phase growth
tube
introduction pipe
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Mitsuaki Komino
光明 小美野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハの表面に気相成長層を形成する
縦形気相成長装置に係り、特に石英チューブ内に原料ガ
スを導入するガス導入管の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来、縦形気相成長装置により半導体ウェハの表面に気
相成長層を形成する場合は、第４図および第５図に示す
ように気相成長装置のベース１上に鉛直に設置された石
英チューブ（ベルジャ）２内に原料ガスをガス導入管３
により石英チューブ２の下方から導入し、このガス導入
管３の相方向に沿って一定間隔で設けられた複数のガス
噴出孔４より原料ガスを石英ボート５に一定間隔で上下
方向に保持された多数の半導体ウェハ６に向けて噴出す
るとともに、上記ウェハ６を石英チューブ２の周囲に配
設されたヒータコイル７で加熱して気相成長層を形成し
ている。なお、図中８は反応済みのガスを排出するガス
排出管、９は半導体ウェハ６を一定速度で回転させるモ
ータである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のガス導入管３には、同じ孔径のガス噴出孔４がガ
ス導入管３の軸方向に沿って一定間隔で形成されており
、このようなガス導入管を用いて成膜させると、ガス導
入管３内に第５図に示すような圧力勾配が生じる。この
ため、原料ガスの噴出量がガス導入管の先端に行くほど
少なくなり、半導体ウェハの表面に形成される成膜の厚
さにばらつきが生じる欠点があった。
本発明はこのような欠点を解決するためになされたもの
で、その目的は、上方および下方に設けられる半導体ウ
ェハの成膜の厚さむらを均一化ならしめた縦形気相成長
装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために本発明は、原料ガス噴出孔
の開口面積をガス導入管のガス流入側から先端に行くほ
ど大きくしたことを特徴とするものである。
〔作　用〕
本発明では、ガス噴出孔の開口面積をガス導入管のガス
流入側から先端に行くほど大きくすることにより、上方
と下方に設けられる半導体ウェハの成膜の厚さむらを均
一化ならしめた縦形気相成長装置を得るものである。
〔実　施　例〕
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。な
お、第４図および第５図と同一部分には同一符号を付し
、その詳細な説明は省略する。
第１図は本発明によるガス導入管を示す断面図で、この
石英製のガス導入管３には複数のガス噴出孔４ａ、４ｂ
、４ｃ、４ｄ、４ｅがガス導入管３の軸方向に沿って一
定間隔で形成されている。
上記ガス噴出孔４ａはガス導入管３の最も先端側に形成
されており、以下ガス噴出孔４ｂ、４ｃ。
４ｄ、４ｅの順で形成されている。また、各ガス噴出孔
４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ（Ｄ孔径ｄｉ。
ｄ２　、ｄ３　、ｄ、、ｄｓは、ｄｌ　＞ｄ２　＞ｄ３
　＞ｄ４＞ｄ５（例えば先端側から１．６　ｍ、　１．
４　Ｂ。
１．２　ｍ、　１．０　ｍ）となっており、ガス導入管
３の先端に行くほど孔径が大きくなっている。
このようにガス導入管３の軸方向に沿って一定間隔で形
成されたガス噴出孔４ａ、４ｂ、４ｃ。
４ｄ、４ｅの孔径ｄ１　、　ｄ２　、　ｄ３　、　ｄ４
　、　ｄ５をガス導入管３の先端に行くほど大きくする
ことにより、第１図に示すようにガス導入管３内の圧力
Ｐがガス導入管３の軸方向にほぼ一定となるので、各ガ
ス噴出孔４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅより噴出される
原料ガスの噴出量を一定にすることができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。
たとえば、上記第１実施例ではガス噴出孔の孔径をガス
導入管の先端に行くほど大ぎくしたが、第２図に示すよ
うに各ガス噴出孔４ａ。
４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅの孔径を一定トシ、カス導入管
３の先端側に設けられたガス噴出孔（例えばガス噴出孔
４ａ）の孔数を第３図に示すように同一平面において増
加させてもよい、また、上記実施例ではガス噴出孔を一
定間隔で配置した例について説明したが、排気孔を下方
に設けているので、上方の間隔を密にし、下方の間隔を
粗にしても上方と下方のウェハへ供給される原料ガスを
平均化すればよく、要は総合した開口面積で均一化すれ
ばよい。さらに上記実施例では、原料ガスを下方から供
給し、下方から排気する装置について説明したが、原料
ガスの流入は上方からでも、排気も下方からでも本質的
に均一性が得られればよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、各ガス噴出孔より
噴出される原料ガスの噴出量を均一にすることができる
ので、半導体ウェハの表面に一定厚さの気相成長層を形
成することができ、歩溜りの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例を示すガス導入管の断面図
、第２図は本発明の第２実施例を示すガス導入管の断面
図、第３図は第２図の■−■矢視断面図、第４図は従来
の縦形気相成長装置を示す概略縦断面図、第５図は従来
のガス導入管を示す断面図である。 １・・・ベース、２・・・石英チューブ、３・・・ガス
導入管、４ａ〜４ｅ・・・ガス噴出孔、５・・・石英ボ
ート、６・・・半導体ウェハ。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　石英チューブ内に所定間隔で設けられた複数の半導体
    ウェハにガス導入管の管軸方向に設けた複数個のガス噴
    出孔から原料ガスを供給して気相成長する縦形気相成長
    装置において、上記ガス噴出孔の開口面積を上記ガス導
    入管のガス流入側から先端に行くほど大きくしたことを
    特徴とする縦形気相成長装置。
JP62291923A 1987-11-20 1987-11-20 縦形気相成長装置 Expired - Lifetime JP2781814B2 (ja)

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