JPH01134966A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH01134966A JPH01134966A JP62291970A JP29197087A JPH01134966A JP H01134966 A JPH01134966 A JP H01134966A JP 62291970 A JP62291970 A JP 62291970A JP 29197087 A JP29197087 A JP 29197087A JP H01134966 A JPH01134966 A JP H01134966A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- solid
- blue
- layer
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/182—Colour image sensors
- H10F39/1825—Multicolour image sensors having stacked structure, e.g. NPN, NPNPN or multiple quantum well [MQW] structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置に関し、特にカラーフィルタを有
することなく色信号を検出することのできる固体撮像装
置に関する。
することなく色信号を検出することのできる固体撮像装
置に関する。
（従来技術）
従来、ＭＯＳ型固体撮像装置及び電荷蓄積型固体撮像装
置（以下、ＣＣＤ型固体撮像装置という）が知られてい
る。何れの装置も、マ） ＩＪソックス状配列された複
数個の半導体光電変換素子の上面に赤（Ｒ）、青（Ｂ）
、緑（Ｇ）のモザイク状色フィルタを積層し、これらの
フィルタを通過してきた光を半導体光電変換素子で受光
することにより各色信号を検出するようになっている。
置（以下、ＣＣＤ型固体撮像装置という）が知られてい
る。何れの装置も、マ） ＩＪソックス状配列された複
数個の半導体光電変換素子の上面に赤（Ｒ）、青（Ｂ）
、緑（Ｇ）のモザイク状色フィルタを積層し、これらの
フィルタを通過してきた光を半導体光電変換素子で受光
することにより各色信号を検出するようになっている。
上記の色フィルタは第６図に示すようなベイヤ配列やイ
ンクライン配列等を有する極めて微細（光電変換素子に
対応する大きさ）なフィルタ群より成る。即ち、ＭＯＳ
型面体撮像装置は第７図に示すように、半導体基板のｐ
ウェル層（Ｐ−ｗｅｌｌ）１内にｎ゛不純物層２を形成
し、半導体基板の上面に積層された色フィルタ３を介し
て入射する光をｐｎ接合による光電変換効果で信号電荷
に変換し、上記ｎ゛不純物層２に隣接して形成されたＭ
Ｏ８型スイッチング素子４を介して信号線５に読出すよ
うになっている。一方、ＣＣＤ型固体撮像装置は、第８
図に示すように、半導体基板のｐウェル層１内にｎ゛不
純物層２を形成し、半導体基板の上面に積層された色フ
ィルタ３を介して入射する光をｐｎ接合による光電変換
効果で信号電荷に変換する。この信号電荷は隣接して形
成された電荷転送路６に転送され、該電荷転送路６の上
面に形成された転送電極７に印加される転送駆動信号に
同期して外部へ出力される。
ンクライン配列等を有する極めて微細（光電変換素子に
対応する大きさ）なフィルタ群より成る。即ち、ＭＯＳ
型面体撮像装置は第７図に示すように、半導体基板のｐ
ウェル層（Ｐ−ｗｅｌｌ）１内にｎ゛不純物層２を形成
し、半導体基板の上面に積層された色フィルタ３を介し
て入射する光をｐｎ接合による光電変換効果で信号電荷
に変換し、上記ｎ゛不純物層２に隣接して形成されたＭ
Ｏ８型スイッチング素子４を介して信号線５に読出すよ
うになっている。一方、ＣＣＤ型固体撮像装置は、第８
図に示すように、半導体基板のｐウェル層１内にｎ゛不
純物層２を形成し、半導体基板の上面に積層された色フ
ィルタ３を介して入射する光をｐｎ接合による光電変換
効果で信号電荷に変換する。この信号電荷は隣接して形
成された電荷転送路６に転送され、該電荷転送路６の上
面に形成された転送電極７に印加される転送駆動信号に
同期して外部へ出力される。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような固体撮像装置にあっては、色
フィルタが有機物質で形成され時間の経過とともに退色
する問題があり、又、色フィルタを設けること自体が光
の利用効率を低下させる欠点を潜在的に有している。例
えば、従来の原色の色フィルタでは光の利用効率が約１
／３、補色の色フィルタでは２／３程度であった。更に
、画素数を増加するに従って上記光電変換素子と微細な
色フィルタとの整合をとることが極めて困難となり、高
画素・高解像度の固体撮像装置の実現に問題を有してい
た。
フィルタが有機物質で形成され時間の経過とともに退色
する問題があり、又、色フィルタを設けること自体が光
の利用効率を低下させる欠点を潜在的に有している。例
えば、従来の原色の色フィルタでは光の利用効率が約１
／３、補色の色フィルタでは２／３程度であった。更に
、画素数を増加するに従って上記光電変換素子と微細な
色フィルタとの整合をとることが極めて困難となり、高
画素・高解像度の固体撮像装置の実現に問題を有してい
た。
（問題点を解決するための手段）
本発明はこのような問題点に鑑みて成されたものであり
、色フィルタを設けることなく色信号を検出することの
できる固体撮像措置を提供することを目的とする。
、色フィルタを設けることなく色信号を検出することの
できる固体撮像措置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため本発明は、半導体基板内に該半
導体基板とは逆の不純物層を形成し、該不純物層と該半
導体基板との接合間の光電効果により発生する信号電荷
を検出する構造の固体撮像装置において、上記半導体基
板内に於ける光の入射距離と光の波長毎の光の吸収率と
の関係が色相に応じて異なるという原理を利用して、該
半導体基板内の所定の深さに前記不純物層を形成するこ
とにより、それぞれの不純物層で直接に色信号を検出し
て、従来の色フィルターを不要とした事を技術的要点と
する。これにより、光の利用効率を飛躍的に向上させる
ことができると共に、高画素・高解像度の固体撮像装置
の実現を可能とする。
導体基板とは逆の不純物層を形成し、該不純物層と該半
導体基板との接合間の光電効果により発生する信号電荷
を検出する構造の固体撮像装置において、上記半導体基
板内に於ける光の入射距離と光の波長毎の光の吸収率と
の関係が色相に応じて異なるという原理を利用して、該
半導体基板内の所定の深さに前記不純物層を形成するこ
とにより、それぞれの不純物層で直接に色信号を検出し
て、従来の色フィルターを不要とした事を技術的要点と
する。これにより、光の利用効率を飛躍的に向上させる
ことができると共に、高画素・高解像度の固体撮像装置
の実現を可能とする。
（実施例）
以下、本発明による固体撮像装置の一実施例を図面と共
に説明する。
に説明する。
第１図はこの実施例における各画素の構造を第７図又は
第８図に対応して示した縦断面図であり、まず同図にお
いて構造を述べれば、これはＭＯＳデバイス製造プロセ
スを用いて形成したものであり、同図（ａ）は青色の色
信号を検出する画素、同図（ｂ）は緑色の色信号を検出
するための画素、同図（Ｃ）は赤色の色信号を検出する
ための画素を示す。
第８図に対応して示した縦断面図であり、まず同図にお
いて構造を述べれば、これはＭＯＳデバイス製造プロセ
スを用いて形成したものであり、同図（ａ）は青色の色
信号を検出する画素、同図（ｂ）は緑色の色信号を検出
するための画素、同図（Ｃ）は赤色の色信号を検出する
ための画素を示す。
青色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層１
０の最も表面部分にｎ゛不純物層１１が形成され、更に
ＭＯＳ形スイッチッング素子１２のドレインとなるｎ＋
不純物層１３が隣接して形成され、該ドレイン１３に信
号読出線１４が接続している。即ち、ｎ゛不純物層１１
の上面より入射する光りの内、青色の周波数成分がこの
ｎ゛不純物層１１で光電変換され、残りの周波数成分は
半導体基板内まで進入する。これにより生じた青色に関
する信号電荷はＭＯＳ形スイッチッング素子１２を“Ｏ
Ｎ”にすることにより信号続出線１４に転送され、青色
信号となって外部へ出力される。
０の最も表面部分にｎ゛不純物層１１が形成され、更に
ＭＯＳ形スイッチッング素子１２のドレインとなるｎ＋
不純物層１３が隣接して形成され、該ドレイン１３に信
号読出線１４が接続している。即ち、ｎ゛不純物層１１
の上面より入射する光りの内、青色の周波数成分がこの
ｎ゛不純物層１１で光電変換され、残りの周波数成分は
半導体基板内まで進入する。これにより生じた青色に関
する信号電荷はＭＯＳ形スイッチッング素子１２を“Ｏ
Ｎ”にすることにより信号続出線１４に転送され、青色
信号となって外部へ出力される。
緑色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層１
００表面部分から所定の深さの内部にｎ゛不純物層１５
が形成され、更にＭＯＳ形スイッチッング素子１６のド
レインとなるｎ＋不純物層１７が隣接して形成され、該
ドレイン１７に信号読出線１８が接続している。即ち、
ｎ＋不純物層１５の上面より入射する光りの内、緑色の
周波数成分がこのｎ゛不純物層１１で光電変換され、青
色の周波数成分は到達することができず、また残りの周
波数成分は更に半導体基板内まで進入する。これにより
生じた緑色に関する信号電荷はＭＯＳ形スイッチッング
素子１６を“ＯＮ”にすることにより信号続出線１８に
転送され、緑色信号となって外部へ出力される。
００表面部分から所定の深さの内部にｎ゛不純物層１５
が形成され、更にＭＯＳ形スイッチッング素子１６のド
レインとなるｎ＋不純物層１７が隣接して形成され、該
ドレイン１７に信号読出線１８が接続している。即ち、
ｎ＋不純物層１５の上面より入射する光りの内、緑色の
周波数成分がこのｎ゛不純物層１１で光電変換され、青
色の周波数成分は到達することができず、また残りの周
波数成分は更に半導体基板内まで進入する。これにより
生じた緑色に関する信号電荷はＭＯＳ形スイッチッング
素子１６を“ＯＮ”にすることにより信号続出線１８に
転送され、緑色信号となって外部へ出力される。
赤色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層１
９の表面部分から所定の深さの内部にｎ゛不純物層１５
が形成され且つ緑色信号検出用のｎ゛不純物層１１より
更に深部に形成されている。ＭＯ８形スイッチッング素
子２０のドレインとなるｎ“不純物層２１が隣接して形
成され、該ドレイン２１に信号読出線２２が接続してい
る。即ち、ｎ゛不純物層１９の上面より入射する光りの
内、青及び緑色の周波数成分は到達することができず、
赤色の周波数成分がこのｎ゛不純物層１９で光電変換さ
れる。
９の表面部分から所定の深さの内部にｎ゛不純物層１５
が形成され且つ緑色信号検出用のｎ゛不純物層１１より
更に深部に形成されている。ＭＯ８形スイッチッング素
子２０のドレインとなるｎ“不純物層２１が隣接して形
成され、該ドレイン２１に信号読出線２２が接続してい
る。即ち、ｎ゛不純物層１９の上面より入射する光りの
内、青及び緑色の周波数成分は到達することができず、
赤色の周波数成分がこのｎ゛不純物層１９で光電変換さ
れる。
これにより生じた赤色に関する信号電荷はＭＯＳ形スイ
ッチッング素子２０を“ＯＮ”にすることにより信号続
出線２２に転送され、赤色信号となって外部へ出力され
る。
ッチッング素子２０を“ＯＮ”にすることにより信号続
出線２２に転送され、赤色信号となって外部へ出力され
る。
第２図はこの構造の画素の色分解特性の一例を示し、横
軸が波長、縦軸は各色相の最大感度を１として正規化し
たときの感度を示す。尚、各ｎ゛不純物層１１．１５．
１９を、半導体基板の表面から各層の下にできる空乏層
１１ａ、 １５ａ、 １９ａまでの深さについてそれぞ
れ、１．５ μｍ、４．５μｍ１１２μｍとしたときの
色分解特性を示す。
軸が波長、縦軸は各色相の最大感度を１として正規化し
たときの感度を示す。尚、各ｎ゛不純物層１１．１５．
１９を、半導体基板の表面から各層の下にできる空乏層
１１ａ、 １５ａ、 １９ａまでの深さについてそれぞ
れ、１．５ μｍ、４．５μｍ１１２μｍとしたときの
色分解特性を示す。
そしてこれらの構造の画素を第６図に示すベイヤ配列等
と同様の配列で形成することにより、従来よりも簡素な
構造にして高密度・高解像度の撮像装置を実現すること
ができる。
と同様の配列で形成することにより、従来よりも簡素な
構造にして高密度・高解像度の撮像装置を実現すること
ができる。
第３図は、第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）に示す各
色毎の不純物層を深さ方向に積層したものであり、この
構造にすれば、上記実施例の色分解特性を得ることがで
きると共に、３倍の密度の集積化を図ることができる。
色毎の不純物層を深さ方向に積層したものであり、この
構造にすれば、上記実施例の色分解特性を得ることがで
きると共に、３倍の密度の集積化を図ることができる。
第４図は不純物層を２層だけにして、上部の不純物層で
青色の色信号を、深部の不純物層で緑と赤の色信号を検
出し、緑と赤の色信号の分離は周知の色分離回路等で行
うようにしたものである。
青色の色信号を、深部の不純物層で緑と赤の色信号を検
出し、緑と赤の色信号の分離は周知の色分離回路等で行
うようにしたものである。
尚、第３図と第４図には発生した信号電荷の続出用回路
を示さないが、第１図と同様に各不純物層の一端にＭＯ
ＳＯ３イスイツチング素子成し、信号続出線を介して外
部へ出力する。
を示さないが、第１図と同様に各不純物層の一端にＭＯ
ＳＯ３イスイツチング素子成し、信号続出線を介して外
部へ出力する。
上記の３実施例はＭＯＳデバイス製造プロセスを用いて
形成したものであるが、他の実施例としてＣＣＤデバイ
ス製造プロセスを用いた場合を第５図に基ブいて説明す
る。
形成したものであるが、他の実施例としてＣＣＤデバイ
ス製造プロセスを用いた場合を第５図に基ブいて説明す
る。
同図（ａ）は青色の色信号を検出する画素、同図（ｂ）
は緑色の色信号を検出するための画素、同図（Ｃ）は赤
色の色信号を検出するための画素を示す。
は緑色の色信号を検出するための画素、同図（Ｃ）は赤
色の色信号を検出するための画素を示す。
青色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層２
３の最も表面部分にｎ゛不純物層２４が形成され、更に
電荷転送路となるｎ゛不純物層２５が隣接して形成され
、ｎ゛不純物層２５を電荷転送路として機能させる為の
所謂転送駆動信号が印加される転送電極層２６が積層さ
れている。即ち、ｎ゛不純物層２４の上面より入射する
光りの内、青色の周波数成分がこのｎ゛不純物層２４で
光電変換され、残りの周波数成分は半導体基板内まで進
入する。
３の最も表面部分にｎ゛不純物層２４が形成され、更に
電荷転送路となるｎ゛不純物層２５が隣接して形成され
、ｎ゛不純物層２５を電荷転送路として機能させる為の
所謂転送駆動信号が印加される転送電極層２６が積層さ
れている。即ち、ｎ゛不純物層２４の上面より入射する
光りの内、青色の周波数成分がこのｎ゛不純物層２４で
光電変換され、残りの周波数成分は半導体基板内まで進
入する。
これにより生じた青色に関する信号電荷はトランスファ
・ゲート２７を“ＯＮ”″にすることにより電荷転送路
２５に転送され、所謂電荷転送により外部へ出力される
。
・ゲート２７を“ＯＮ”″にすることにより電荷転送路
２５に転送され、所謂電荷転送により外部へ出力される
。
緑色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層２
３の最も表面部分から所定の深さの内部にｎ＋不純物層
２８が形成され、他の部分−は第５図（ａ）と同様の構
造となっている。
３の最も表面部分から所定の深さの内部にｎ＋不純物層
２８が形成され、他の部分−は第５図（ａ）と同様の構
造となっている。
赤色用の画素は、半導体基板に設けられたｐウェル層２
３の表面部分から所定の深さの内部にｎ＋不純物層２９
が形成され且つ、緑色信号検出用のｎ゛不純物層２８よ
り更に深部に形成され、他の部分は第５図（ａ） と同
様の構造となっている。
３の表面部分から所定の深さの内部にｎ＋不純物層２９
が形成され且つ、緑色信号検出用のｎ゛不純物層２８よ
り更に深部に形成され、他の部分は第５図（ａ） と同
様の構造となっている。
このようにＣＣＤデバイスについても本発明を適用する
こができ、色フィルタを設ける必要がないので従来より
も簡素な構造にして高密度・高解像度の撮像装置を実現
することができる。
こができ、色フィルタを設ける必要がないので従来より
も簡素な構造にして高密度・高解像度の撮像装置を実現
することができる。
更に、上記第３図又は第４図のような積層構造にするこ
とも可能であり、この場合は、各色相の信号電荷を電荷
転送路へ移すためにトランスファ・ゲート２７をＯＮに
する為のゲート電圧レベルを各信号電荷毎に変化させる
ことによって、転送時の混色を防止する。
とも可能であり、この場合は、各色相の信号電荷を電荷
転送路へ移すためにトランスファ・ゲート２７をＯＮに
する為のゲート電圧レベルを各信号電荷毎に変化させる
ことによって、転送時の混色を防止する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、半導体基板内に
おける波長（周波数）毎の光の吸収率の相違に応じて光
電変換の為の不純物層の形成深さを設定し、従来の色フ
ィルタを設けなくともこの不純物層によって直接に色信
号を検出するようにしたので、構造が簡素となり、高密
度・高解像度の固体撮像装置を提供することが可能とな
る。
おける波長（周波数）毎の光の吸収率の相違に応じて光
電変換の為の不純物層の形成深さを設定し、従来の色フ
ィルタを設けなくともこの不純物層によって直接に色信
号を検出するようにしたので、構造が簡素となり、高密
度・高解像度の固体撮像装置を提供することが可能とな
る。
第１図は本発明の第１の実施例の構造を説明する要部縦
断面図、第２図は第１の実施例の色分解特性を示す特性
曲線図、第３図は第２の実施例の構造を説明する要部縦
断面図、第４図は第３の実施例を説明する要部縦断面図
、第５図は第４の実施例を説明する要部縦断面図、第６
図は従来のベイタ配列よりなる色フィルタの構造を説明
する為の説明図、第７図は従来のＭＯＳ型固体撮像装置
の構造を示す要部縦断面図、第８図は従来のＣＣＤ型固
体撮像装置の構造を示す要部縦断面図である。 １０．２３：ｐウェル層 １１．１５，１９，２４，２８．２９ ： ｎ”不純
物層１２．１６．２０： ＭＯＳ型スイッチング素子１
４、１８．２２：信号読出線 ２５：電荷転送路 ２７：トランスファ・ゲート 第 １ 図 ｑ・蟹 第３図 ｖ Ｌ＋ ｈν ２１５５図 第６図 第７図 第８図 ｖ
断面図、第２図は第１の実施例の色分解特性を示す特性
曲線図、第３図は第２の実施例の構造を説明する要部縦
断面図、第４図は第３の実施例を説明する要部縦断面図
、第５図は第４の実施例を説明する要部縦断面図、第６
図は従来のベイタ配列よりなる色フィルタの構造を説明
する為の説明図、第７図は従来のＭＯＳ型固体撮像装置
の構造を示す要部縦断面図、第８図は従来のＣＣＤ型固
体撮像装置の構造を示す要部縦断面図である。 １０．２３：ｐウェル層 １１．１５，１９，２４，２８．２９ ： ｎ”不純
物層１２．１６．２０： ＭＯＳ型スイッチング素子１
４、１８．２２：信号読出線 ２５：電荷転送路 ２７：トランスファ・ゲート 第 １ 図 ｑ・蟹 第３図 ｖ Ｌ＋ ｈν ２１５５図 第６図 第７図 第８図 ｖ
Claims (7)
- （１）半導体基板内に該半導体基板とは逆の不純物層を
形成し、該不純物層と該半導体基板との接合間の光電効
果により発生する信号電荷を検出する構造の固体撮像装
置において、 前記半導体基板内に於ける光の入射距離と光の波長毎の
光の吸収率に応じて、該半導体基板内の所定の深さに前
記不純物層を形成することにより所定の色信号を検出す
る構成を成すことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記不純物層を複数個相互に接触することなく深
さ方向に積層し、各不純物層と半導体基板との接合間の
光電効果により発生する信号電荷を検出する構造とする
ことを特徴とする固体撮像装置。 - （３）前記不純物層は３層構造から成り、光の入射側か
ら第１の不純物層が青色、第２の不純物層が緑色、第３
の不純物層が赤色を検出することを特徴とする特許請求
の範囲第２項記載の固体撮像装置。 - （４）前記不純物層は２層構造から成り、光の入射側か
ら第１の不純物層が青色、第２の不純物層が緑及び赤色
を検出することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の固体撮像装置。 - （５）前記半導体基板及び不純物層はＭＯＳデバイス製
造プロセス又はＣＣＤデバイス製造プロセスで形成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮
像装置。 - （６）前記の信号電荷はＭＯＳデバイス製造プロセスに
より形成されるＭＯＳ型スイッチング素子を介して検出
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体
撮像装置。 - （７）前記の信号電荷はＣＣＤデバイス製造プロセスに
より形成される電荷転送路を介して検出することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291970A JPH01134966A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291970A JPH01134966A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134966A true JPH01134966A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17775824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291970A Pending JPH01134966A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 固体撮像装置 |
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