JPS62133772A - 半導体カラ−センサ - Google Patents
半導体カラ−センサInfo
- Publication number
- JPS62133772A JPS62133772A JP60273208A JP27320885A JPS62133772A JP S62133772 A JPS62133772 A JP S62133772A JP 60273208 A JP60273208 A JP 60273208A JP 27320885 A JP27320885 A JP 27320885A JP S62133772 A JPS62133772 A JP S62133772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- blue
- red
- light
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はフォトダイオードに係り特に色の検出に好適な
フォ1−ダイオードを用いたカラーセンサに関する。
フォ1−ダイオードを用いたカラーセンサに関する。
色温度を測定する目的などで、入射光の青と赤成分を測
る場合従来の装置ではフォトダイオードの前に、赤と青
の2枚の色フィルターを置いて光の青成分(短波長)と
赤成分(長波長)を検出していた。
る場合従来の装置ではフォトダイオードの前に、赤と青
の2枚の色フィルターを置いて光の青成分(短波長)と
赤成分(長波長)を検出していた。
また色フィルタを用いずに赤と青の成分をそれぞれ検出
する方法として縦方向のPNP構造で、赤と青の光の深
さ方向による感度差を利用して青赤それぞれの成分を検
出するフカ1〜ダイオードが市販されている。この構造
を第2図に示す。最初のP層5とN層6で第1−のフォ
1−ダイオードを形成し、このダイオードでは主に青の
光を感知する。そしてN層Gと第2の2層9で形成する
第2のフォトダイオードで赤の光を感知する。
する方法として縦方向のPNP構造で、赤と青の光の深
さ方向による感度差を利用して青赤それぞれの成分を検
出するフカ1〜ダイオードが市販されている。この構造
を第2図に示す。最初のP層5とN層6で第1−のフォ
1−ダイオードを形成し、このダイオードでは主に青の
光を感知する。そしてN層Gと第2の2層9で形成する
第2のフォトダイオードで赤の光を感知する。
しかしこのフォトダイオードの特性は、第3図のようで
あり、第1のフォトダイオードの分光感度11と第2の
フカ1〜ダイオードの分光感度に重なり部分が多く赤と
青の分離が不充分であるという欠点があった。
あり、第1のフォトダイオードの分光感度11と第2の
フカ1〜ダイオードの分光感度に重なり部分が多く赤と
青の分離が不充分であるという欠点があった。
なお、関連する技術としては「シャープ半導体データブ
ック(光半導体編、1984年9月、第1版第1刷発行
)第133〜第137頁」に記載がある。
ック(光半導体編、1984年9月、第1版第1刷発行
)第133〜第137頁」に記載がある。
本発明の目的は、色分離フィルタを用いずに、重なり部
分の少ない分光特性を持つ青及び赤の色を分離可能なカ
ラーセンサを提供することににある。
分の少ない分光特性を持つ青及び赤の色を分離可能なカ
ラーセンサを提供することににある。
従来のフォトダイオードは第2図に示すように第1のフ
ォ1〜ダイオードと第2のフォ1−ダイオードから成り
フォトダイオードの表面からの深さで青及び赤に感度を
持たせていた。本発明ではこの2つのダイオード間に第
3のフォトダイオードを形成し第1と第2のフォトダイ
オードによる色分離能力を向」ニさせたものである。
ォ1〜ダイオードと第2のフォ1−ダイオードから成り
フォトダイオードの表面からの深さで青及び赤に感度を
持たせていた。本発明ではこの2つのダイオード間に第
3のフォトダイオードを形成し第1と第2のフォトダイ
オードによる色分離能力を向」ニさせたものである。
以下本発明の実施例を第1図〜第6図で説明する。
第1図は半導体カラーセンサの概略構造を示す。受光窓
のレンズ1を通った光は赤外光をカッ1〜するフィルタ
ー2を通りフォトダイオード3に入射する。
のレンズ1を通った光は赤外光をカッ1〜するフィルタ
ー2を通りフォトダイオード3に入射する。
第2図は従来のフォ1−ダイオードの構造を示す。絶縁
膜4、P層5及び9、N層8、電極6゜7.1−07!
11ら成る二層構造であり、2つのフォトダイオードよ
り形成される。フォトダイオードに光が入射すると青い
光は主に」二のフォトダイオード(第1)で赤い光は下
のフォトダイオード(第2)で光電変換される。
膜4、P層5及び9、N層8、電極6゜7.1−07!
11ら成る二層構造であり、2つのフォトダイオードよ
り形成される。フォトダイオードに光が入射すると青い
光は主に」二のフォトダイオード(第1)で赤い光は下
のフォトダイオード(第2)で光電変換される。
第3図は従来の半導体カラーセンサの分光感度特性を示
す。第1のフォトダイオードよりの赤色の成分の出力1
1と第2のフォ1〜ダイオードの青色の成分の出力12
が中央部で大きく重なっている。
す。第1のフォトダイオードよりの赤色の成分の出力1
1と第2のフォ1〜ダイオードの青色の成分の出力12
が中央部で大きく重なっている。
第5図は本発明によるフォトダイオードの分光感度特性
を示す。破線部17が新しく追加した第3のフォ1−ダ
イオードの分光特性を示している。
を示す。破線部17が新しく追加した第3のフォ1−ダ
イオードの分光特性を示している。
第7図は第3のフォトダイオードの出力をカットした場
合の分光感度特性を示す。このように赤色の成分11′
と青色の成分12′との重なりは少なくなり従来の半導
体カラーセンサでは不充分であった赤と青の色分離を効
率良く行うことが可能となった。
合の分光感度特性を示す。このように赤色の成分11′
と青色の成分12′との重なりは少なくなり従来の半導
体カラーセンサでは不充分であった赤と青の色分離を効
率良く行うことが可能となった。
、 3 。
本発明によれば入射光の色成分を色フィルタなしで分離
でき、性能面及びコスト面で大きな利点を有する。
でき、性能面及びコスト面で大きな利点を有する。
第1図は本発明の一実施例の半導体カラーセンサの概略
構造図、第2図は従来のフォトダイオードの構造図、第
3図は従来のフォトダイオードの分光感度特性を示す線
図、第4図は本発明のフォトダイオードの構造図、第5
図、第6図は本発明によるフォトダイオードの分光感度
特性を示す線図である。 1・・・受光窓のレンズ、2・・・赤外光カットフィル
ター、3・・・フォ[−ダイオード、4・・・絶縁膜。 、 4 。 第 1 図 第2図 第3図 3久長
構造図、第2図は従来のフォトダイオードの構造図、第
3図は従来のフォトダイオードの分光感度特性を示す線
図、第4図は本発明のフォトダイオードの構造図、第5
図、第6図は本発明によるフォトダイオードの分光感度
特性を示す線図である。 1・・・受光窓のレンズ、2・・・赤外光カットフィル
ター、3・・・フォ[−ダイオード、4・・・絶縁膜。 、 4 。 第 1 図 第2図 第3図 3久長
Claims (1)
- 1、PNP又はNPN3層構造を持つフォトダイオード
に少なくとも1つのP層あるいはN層を付加することよ
りなることを特徴とする半導体カラーセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60273208A JPS62133772A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 半導体カラ−センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60273208A JPS62133772A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 半導体カラ−センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133772A true JPS62133772A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17524601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60273208A Pending JPS62133772A (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 半導体カラ−センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134966A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US7479997B2 (en) | 2002-04-11 | 2009-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus with filter on incident side of image pickup region |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60273208A patent/JPS62133772A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134966A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US7479997B2 (en) | 2002-04-11 | 2009-01-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus with filter on incident side of image pickup region |
| US7528870B2 (en) | 2002-04-11 | 2009-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus with filter on incident side of image pickup region |
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