JPH0432209A - 磁性膜 - Google Patents
磁性膜Info
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- JPH0432209A JPH0432209A JP13870590A JP13870590A JPH0432209A JP H0432209 A JPH0432209 A JP H0432209A JP 13870590 A JP13870590 A JP 13870590A JP 13870590 A JP13870590 A JP 13870590A JP H0432209 A JPH0432209 A JP H0432209A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magnetic film
- film
- rare earth
- magneto
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/133—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing rare earth metals
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁性膜に関し、詳しくは、光磁気記録媒体とし
て特に有用であり、更には、レーザー光でなく磁気ヘッ
ドを用いた記録・再生を行なう磁気記録媒体や、その他
、書換え可能なホログラフィ−用メモリ媒体としても適
用可能な磁性膜に関する。
て特に有用であり、更には、レーザー光でなく磁気ヘッ
ドを用いた記録・再生を行なう磁気記録媒体や、その他
、書換え可能なホログラフィ−用メモリ媒体としても適
用可能な磁性膜に関する。
（従来の技術〕
磁性膜（磁性体薄膜）を適当な基板（非磁性支持体）上
に形成したものは記録媒体（磁気記録媒体、光磁気記録
媒体）として広く利用されている。殊に、光磁気記録方
式に採用されている記録媒体（光磁気記録媒体）には、
記録感度が高いこと、磁気光学効果が大きいこと、大面
積のものが均質かつ安価に製作できること、安定性にす
ぐれたていること、等が要求される。これに加えて、磁
気光学効果の大きさを磁化の向きと光の進行方向とが平
行なとき最も大きくなり、また、面に垂直な磁化をもつ
という条件は垂直磁気記録の要件を満しているため高密
度記録にも適する。従って、記録媒体にあっては面に垂
直な磁化をもつ材料が選択されねばならない。
に形成したものは記録媒体（磁気記録媒体、光磁気記録
媒体）として広く利用されている。殊に、光磁気記録方
式に採用されている記録媒体（光磁気記録媒体）には、
記録感度が高いこと、磁気光学効果が大きいこと、大面
積のものが均質かつ安価に製作できること、安定性にす
ぐれたていること、等が要求される。これに加えて、磁
気光学効果の大きさを磁化の向きと光の進行方向とが平
行なとき最も大きくなり、また、面に垂直な磁化をもつ
という条件は垂直磁気記録の要件を満しているため高密
度記録にも適する。従って、記録媒体にあっては面に垂
直な磁化をもつ材料が選択されねばならない。
こうした要請から、光磁気記録媒体に有用な磁性膜材料
としては多くが提案されているが、その代表例として、
ＧｄＣｏ、 ＣｄＦｅ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙＦｅな
どアモルファス状の希土類元素・遷移金属合金が知られ
ている。だが、このアモルファス状希土類元素・遷移金
属合金（以降「ａ−希・遷合金」と略記することがある
）からなる磁性膜は希土類元素、遷移金属ともに酸化し
やすいため、経時とともに性能劣化が進行するといった
傾向がある。従って、ａ−希・遷合金膜が用いられる場
合には、その酸化防止として、この膜をパッシベーショ
ン膜で被覆する必要がある。また、ａ−希・遷合金膜は
安定性に欠け、５００℃くらいの高温で結晶化し、特性
が劣化する傾向がある。
としては多くが提案されているが、その代表例として、
ＧｄＣｏ、 ＣｄＦｅ、 ＴｂＦｅ、 ＴｂＤｙＦｅな
どアモルファス状の希土類元素・遷移金属合金が知られ
ている。だが、このアモルファス状希土類元素・遷移金
属合金（以降「ａ−希・遷合金」と略記することがある
）からなる磁性膜は希土類元素、遷移金属ともに酸化し
やすいため、経時とともに性能劣化が進行するといった
傾向がある。従って、ａ−希・遷合金膜が用いられる場
合には、その酸化防止として、この膜をパッシベーショ
ン膜で被覆する必要がある。また、ａ−希・遷合金膜は
安定性に欠け、５００℃くらいの高温で結晶化し、特性
が劣化する傾向がある。
本発明の第一の目的は、上記のような不都合な現象をも
たらさず殊に光磁気記録媒体に有用な磁性膜を提供する
ものである０本発明の第二の目的は、膜構造を制御する
ことによって光磁気記録媒体としての特性が更に向上で
き、また、容易には熱分解が起らない磁性膜を提供する
ものである。
たらさず殊に光磁気記録媒体に有用な磁性膜を提供する
ものである０本発明の第二の目的は、膜構造を制御する
ことによって光磁気記録媒体としての特性が更に向上で
き、また、容易には熱分解が起らない磁性膜を提供する
ものである。
本発明の第三の目的は、特にファラデー効果による再生
効率が高められる磁性膜を提供するものである。
効率が高められる磁性膜を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の磁性膜は、希土類元素・遷移金属合金とこれら
希土類元素及び／又は遷移金属の酸化物とを主成分とし
、柱状構造を呈し、かつ、垂直磁気異方性を有すること
を特徴としている。
希土類元素及び／又は遷移金属の酸化物とを主成分とし
、柱状構造を呈し、かつ、垂直磁気異方性を有すること
を特徴としている。
本発明の磁性膜をよく判りやすくいえば、希土類元素・
遷移金属合金を微粒子状にしてアモルファス状酸化物中
に含有せしめレーザー光の透過率を向上させ、かつ、磁
気光学効果を得ようとするものである。
遷移金属合金を微粒子状にしてアモルファス状酸化物中
に含有せしめレーザー光の透過率を向上させ、かつ、磁
気光学効果を得ようとするものである。
これを従来の磁性膜との比較においてより詳細に説明す
ると、従来の光磁気記録媒体のための磁性膜は磁気光学
効果のうちカー効果によったものがほとんどであり、カ
ー効果は磁性材料の種類によって定まったものである。
ると、従来の光磁気記録媒体のための磁性膜は磁気光学
効果のうちカー効果によったものがほとんどであり、カ
ー効果は磁性材料の種類によって定まったものである。
これに対し、本発明の磁性膜は磁気光学効果のうちファ
ラデー効果によったものである。なお、ファラデー効果
は磁性膜の膜厚を厚くすればファラデー回転角（θＦ）
が大きくなり、Ｓ／Ｎ比も大きくなる。
ラデー効果によったものである。なお、ファラデー効果
は磁性膜の膜厚を厚くすればファラデー回転角（θＦ）
が大きくなり、Ｓ／Ｎ比も大きくなる。
従って、本発明に係る磁性膜は、一部従来の同様な磁性
材料を用いているにしても、その構造は、希土類元素・
遷移金属合金をアモルファス状酸化物中に微粒子状（２
０〜５００人）にして含有せしめ柱状状構造体にして、
レーザー光の透過率を向上させ、かつ、より良好な磁気
光学効果（ファラデー効果）を得るようにしている。
材料を用いているにしても、その構造は、希土類元素・
遷移金属合金をアモルファス状酸化物中に微粒子状（２
０〜５００人）にして含有せしめ柱状状構造体にして、
レーザー光の透過率を向上させ、かつ、より良好な磁気
光学効果（ファラデー効果）を得るようにしている。
本発明の磁性膜は、既述のとおり、■垂直磁化膜であり
、かつ■柱状構造を呈しているが、これは、柱状構造が
採用されていることでより垂直磁気異方性に寄与してい
るともいえる。先に触れたように、ａ−希・遷合金薄膜
は良好な垂直磁化膜を形成するものであるが、これに希
土類元素・遷移金属合金の粒状物が含有されて柱状構造
として製膜されていると一層その傾向が強まる。
、かつ■柱状構造を呈しているが、これは、柱状構造が
採用されていることでより垂直磁気異方性に寄与してい
るともいえる。先に触れたように、ａ−希・遷合金薄膜
は良好な垂直磁化膜を形成するものであるが、これに希
土類元素・遷移金属合金の粒状物が含有されて柱状構造
として製膜されていると一層その傾向が強まる。
本発明においては、柱状構造を呈した磁性膜を垂直磁気
異方性をさらに高めるため１強磁性金属の窒化物である
ε相ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）［但し旧まＦｅ、 Ｃ。
異方性をさらに高めるため１強磁性金属の窒化物である
ε相ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）［但し旧まＦｅ、 Ｃ。
又はＮｉである］をＣ軸配向せしめて膜中に存在せしめ
ることが望ましい。これは窒化物粒子が柱状構造内部で
磁気的に密につながっているため、垂直磁気異方性を一
層強めるものと思われる。
ることが望ましい。これは窒化物粒子が柱状構造内部で
磁気的に密につながっているため、垂直磁気異方性を一
層強めるものと思われる。
既述のとおり、本発明の磁性膜には希土類元素及び／又
は遷移金属の酸化物が当初から存在せしめられているた
め、更に希土類元素、遷移金属の酸化（錆の生成）の進
行が抑えられ化学的に安定である。また、希土類元素・
遷移金属合金酸化物のの存在により膜は硬く傷はつきに
くい。
は遷移金属の酸化物が当初から存在せしめられているた
め、更に希土類元素、遷移金属の酸化（錆の生成）の進
行が抑えられ化学的に安定である。また、希土類元素・
遷移金属合金酸化物のの存在により膜は硬く傷はつきに
くい。
実際、本発明の磁性膜をＸ線回折法で調べても回折ピー
クは観察されないか又は観察できても微少な酸化物のピ
ークが見られる程度である。特に、ε相ＭｘＮの配向面
の回折ピークが観察できる膜は垂直磁気異方性が極めて
良好である。但し、この理由はいまだ明らかにされてい
ない。
クは観察されないか又は観察できても微少な酸化物のピ
ークが見られる程度である。特に、ε相ＭｘＮの配向面
の回折ピークが観察できる膜は垂直磁気異方性が極めて
良好である。但し、この理由はいまだ明らかにされてい
ない。
本発明の磁性膜中には、希土類元素や遷移金属及びその
合金のがＸ線回折法では観察できない位の小さい微粒子
（５０人程度と考えられる）で含有され、また、希土類
元素や遷移金属及びその合金の酸化物又は窒化物がやは
りＸ線回折法では観察されないくらいアモルファス的に
結合して含有されている（例えばＦｅ−０，Ｃｏ−０、
Ｆｅ−Ｎ、 Ｃｏ−Ｎ等であり、これらが結晶ならば回
折ピークが出る）、但し。
合金のがＸ線回折法では観察できない位の小さい微粒子
（５０人程度と考えられる）で含有され、また、希土類
元素や遷移金属及びその合金の酸化物又は窒化物がやは
りＸ線回折法では観察されないくらいアモルファス的に
結合して含有されている（例えばＦｅ−０，Ｃｏ−０、
Ｆｅ−Ｎ、 Ｃｏ−Ｎ等であり、これらが結晶ならば回
折ピークが出る）、但し。
ε相ＭｘＮのＣ軸配向粒子は明瞭に結晶化して含有され
ていると０面の強い回折ピークが観察され、このピーク
のロッキングカーブの半値巾が小さくなる程、即ち結晶
配向性が良くなる程垂直異方性磁界が大きくなるという
傾向がある。
ていると０面の強い回折ピークが観察され、このピーク
のロッキングカーブの半値巾が小さくなる程、即ち結晶
配向性が良くなる程垂直異方性磁界が大きくなるという
傾向がある。
本発明においては、柱状構造をもった磁性膜がより製膜
しやすくするため、予め下地層を基板（支持体）上に設
けておいてもよい。また必要に応じて、磁性層上に保護
層１反射層、潤滑層、誘電体層などが設けられてもよい
。
しやすくするため、予め下地層を基板（支持体）上に設
けておいてもよい。また必要に応じて、磁性層上に保護
層１反射層、潤滑層、誘電体層などが設けられてもよい
。
支持体としてはプラスチックフィルム、セラミック、金
属、ガラスなど適宜の非磁性材料を用いられる。ここで
の支持体用プラスチックスとしては、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリエーテルサルホン等の耐熱性プラスチック
は勿論のこと、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレートのごときプラスチックも使用できる
。
属、ガラスなど適宜の非磁性材料を用いられる。ここで
の支持体用プラスチックスとしては、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリエーテルサルホン等の耐熱性プラスチック
は勿論のこと、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化
ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリメ
チルメタクリレートのごときプラスチックも使用できる
。
また、支持体の形状としては、シート状、カード状、デ
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状等の任意の形状をと
ることができる。
ィスク状、ドラム状、長尺テープ状等の任意の形状をと
ることができる。
誘電体層（エンハンス効果に有効）としては５ｉｎ２、
Ｔｉｅ、Ｔｉ０Ｎ、Ａｇ５ｉＯ１ＴｉＮ、ＡｆｌＳｉＮ
、ＢＮ、ＳｉＮ、ＡＱＮ。
Ｔｉｅ、Ｔｉ０Ｎ、Ａｇ５ｉＯ１ＴｉＮ、ＡｆｌＳｉＮ
、ＢＮ、ＳｉＮ、ＡＱＮ。
ＡｆｆＳｉＯＮ、 Ｓｉｎ、 ５ｉＯＮなどをあげるこ
とができる。
とができる。
潤滑層としてはカーボン層、二酸化モリブデン、二硫化
タングステン、α−オレフィン重合物、常温で液体の不
飽和炭化水素（ｎ−オレフィン二重結合が末端の炭素に
結合した化合物；炭素数的２０）。
タングステン、α−オレフィン重合物、常温で液体の不
飽和炭化水素（ｎ−オレフィン二重結合が末端の炭素に
結合した化合物；炭素数的２０）。
炭素数１２〜２０の一塩基性脂肪酸と炭素数３〜１２の
一価アルコールよりなる脂肪酸エステル類などをあげる
ことができる。
一価アルコールよりなる脂肪酸エステル類などをあげる
ことができる。
反射層の材料としてはＡｕ、Ａｆｉ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｒ
、Ｎｄ、Ｇｅ、Ｒｈ 、 Ｃｕ 、 ＴｉＮなどが用い
られる。
、Ｎｄ、Ｇｅ、Ｒｈ 、 Ｃｕ 、 ＴｉＮなどが用い
られる。
なお、磁性膜をはじめ前記各層は真空蒸着法、イオンプ
レーテング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの薄膜
形成法により作製される。各層の厚さは１４以下好まし
くは０．０５〜０．５Ｉ！ｓ＜らいが適当である。
レーテング法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの薄膜
形成法により作製される。各層の厚さは１４以下好まし
くは０．０５〜０．５Ｉ！ｓ＜らいが適当である。
実際に、本発明に係る磁性膜をつくるには１例えばＲＦ
スパッタ装置を用い、ターゲット材料に前記の強磁性金
属及び透明性物質（希土類元素及び／又は遷移金属の酸
化物）をターゲット材料とじて基板上に透明磁性膜を堆
積させるようにすればよい。
スパッタ装置を用い、ターゲット材料に前記の強磁性金
属及び透明性物質（希土類元素及び／又は遷移金属の酸
化物）をターゲット材料とじて基板上に透明磁性膜を堆
積させるようにすればよい。
実施例１
イオンビームスパッタ装置を用いてディスク状ポリカー
ボネート基板上に回転速度２ｒｐｍとして下記の条件で
厚さ約２０００人の透明磁性膜を製膜した。
ボネート基板上に回転速度２ｒｐｍとして下記の条件で
厚さ約２０００人の透明磁性膜を製膜した。
ターゲット ＧｄＦｅ（Ｇｄ １０ａｔ＋
ｓ％）基板加熱 なし イオン化ガス Ａｒ（１００％）導入ガス
エアー ベースプレッシャ８ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒイオン銃電
流 １．２■Ａ イオン銃電圧 ９．５ＫＶ イオン入射角 ３０度 導入エアー圧力 ２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
ターゲット−基板間距離 １４鳳隠 この磁性膜をＸ線回折法で調べたところ回折ピークは認
められなかった。断面をＴＥＮ法で調べたところ直径約
１５０〜３００人の柱状構造が観察された。
ｓ％）基板加熱 なし イオン化ガス Ａｒ（１００％）導入ガス
エアー ベースプレッシャ８ Ｘ １Ｏ−７Ｔｏｒｒイオン銃電
流 １．２■Ａ イオン銃電圧 ９．５ＫＶ イオン入射角 ３０度 導入エアー圧力 ２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒ
ターゲット−基板間距離 １４鳳隠 この磁性膜をＸ線回折法で調べたところ回折ピークは認
められなかった。断面をＴＥＮ法で調べたところ直径約
１５０〜３００人の柱状構造が観察された。
光透過率は４５％（λ＝８００ｎｍ）であった。ＶＳＭ
で調べた磁気特性はＨｅ４ （抗磁力）＝１２０００ｅ
、 、Ｈｃ＃（抗磁力）＝３０００ｓ、 Ｍｓ（飽和磁
化）＝５２０ｅ＋＋＋ｕ／ｅｃ、 ５ｑ１（角型比）＝
０．２２、Ｈｘ（垂直磁気異方性磁界）＝４．Ｉ ＫＯ
ｅであり、垂直磁化膜であるのが確められた。補償温度
は１９０℃であった。
で調べた磁気特性はＨｅ４ （抗磁力）＝１２０００ｅ
、 、Ｈｃ＃（抗磁力）＝３０００ｓ、 Ｍｓ（飽和磁
化）＝５２０ｅ＋＋＋ｕ／ｅｃ、 ５ｑ１（角型比）＝
０．２２、Ｈｘ（垂直磁気異方性磁界）＝４．Ｉ ＫＯ
ｅであり、垂直磁化膜であるのが確められた。補償温度
は１９０℃であった。
ついで、この磁性膜に最大１２ＫＯｅの磁界を印加しな
がら半導体レーザー（λ＝７８０ｎｍ）を用いてファラ
デー回転角を測定したところ１ 、３ｄｅｇ／−であっ
た、この磁性膜を１ケ月間５％ＮａＣＱ溶液に浸漬した
後測定しても上記特性に変化はなかった。
がら半導体レーザー（λ＝７８０ｎｍ）を用いてファラ
デー回転角を測定したところ１ 、３ｄｅｇ／−であっ
た、この磁性膜を１ケ月間５％ＮａＣＱ溶液に浸漬した
後測定しても上記特性に変化はなかった。
実施例２
イオン化ガスとしてＡｒ（７５％）＋Ｎ、 （２５％）
を用いた以外は実施例１と全く同様（但し、イオン銃電
圧は９ＫＶ、イオン銃電流は２ｍＡとした）にして透明
磁性膜を製膜した。
を用いた以外は実施例１と全く同様（但し、イオン銃電
圧は９ＫＶ、イオン銃電流は２ｍＡとした）にして透明
磁性膜を製膜した。
この磁性膜にはＦａｘＮ（２＜Ｘ≦３）の（００２）
（００４）の回折ピークが観察された。また、柱状構造
の直径は１５０〜３００人で実施例１とほぼ同じであっ
たが、柱状構造はより明瞭に観察された。光透過率も実
施例１と同じであった。
（００４）の回折ピークが観察された。また、柱状構造
の直径は１５０〜３００人で実施例１とほぼ同じであっ
たが、柱状構造はより明瞭に観察された。光透過率も実
施例１と同じであった。
ＶＳＭで調べた磁気特性はＨｃ、＝１３５００ｓ、 Ｈ
ｃ＃＝２９００ｓ、 Ｍｓ＝５００ｅｍｕ／ｃｃ、 Ｓ
ｇ、＝０．２６、Ｈｇ＝５．３ ＫＯｅであり、垂直磁
化膜であるのが確められた。補償温度は２１０℃であっ
た。ファラデー回転角は３．９ｄｅｇ／ＩＪｓであった
。この磁性膜を１ケ月間５％ＮａＣＱ溶液に浸漬した後
測定し、しかも上記特性に変化はなかった。
ｃ＃＝２９００ｓ、 Ｍｓ＝５００ｅｍｕ／ｃｃ、 Ｓ
ｇ、＝０．２６、Ｈｇ＝５．３ ＫＯｅであり、垂直磁
化膜であるのが確められた。補償温度は２１０℃であっ
た。ファラデー回転角は３．９ｄｅｇ／ＩＪｓであった
。この磁性膜を１ケ月間５％ＮａＣＱ溶液に浸漬した後
測定し、しかも上記特性に変化はなかった。
比較例１
ターゲットとしてＦｅ（９９，９９％）を用い、導入エ
アー圧力を８ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒとした以外は実
施例１と全く同様にして透明磁性膜を製膜した。
アー圧力を８ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒとした以外は実
施例１と全く同様にして透明磁性膜を製膜した。
この磁性膜の回折ピークはＦｅＯ（２００）のピークと
α−Ｆｅ（１１０）のブロードなピークが観察された。
α−Ｆｅ（１１０）のブロードなピークが観察された。
但し、実施例１と同様な柱状構造が不明瞭ながら観察さ
れた。透過率は４４％（λ＝８００ｎｍ）であった。但
し、ＶＳＭで調べた磁性特性はＨｃ、＝２９００ｅ、
Ｈｃ＃＝１３００ｓ、 Ｍｓ＝６６０ ｅｍｕ／ｃｃ、
ｓｑ、：ｏ、１：ｌ、Ｓｑ＃”０．１３、Ｈｋ＝２゜
８ ＫＯｅであり、等方性磁化膜であるのが認められた
。 ＳＯＯ℃までは磁化が０になることなく少しづつ減
少し、５００℃では常温の飽和磁化の７５％であった。
れた。透過率は４４％（λ＝８００ｎｍ）であった。但
し、ＶＳＭで調べた磁性特性はＨｃ、＝２９００ｅ、
Ｈｃ＃＝１３００ｓ、 Ｍｓ＝６６０ ｅｍｕ／ｃｃ、
ｓｑ、：ｏ、１：ｌ、Ｓｑ＃”０．１３、Ｈｋ＝２゜
８ ＫＯｅであり、等方性磁化膜であるのが認められた
。 ＳＯＯ℃までは磁化が０になることなく少しづつ減
少し、５００℃では常温の飽和磁化の７５％であった。
ファラデー回転角は０．１ｄｅｇ／Ｉｌａであった。し
かし、この磁性膜は１ケ月間ＮａＣＭ溶液に浸漬した後
測定しても変化はなかった。
かし、この磁性膜は１ケ月間ＮａＣＭ溶液に浸漬した後
測定しても変化はなかった。
本発明の磁性膜は大きな垂直磁気異方性と磁気光学効果
（ファラデー効果）を有する透明磁性膜であり、更には
適当な補償温度を有する為に、高感度な記録・消去がで
き、かつ、化学的に安定であり、光磁気記録用磁性膜と
して有用なものである。
（ファラデー効果）を有する透明磁性膜であり、更には
適当な補償温度を有する為に、高感度な記録・消去がで
き、かつ、化学的に安定であり、光磁気記録用磁性膜と
して有用なものである。
特許出願人 株式会社 リ コ
Claims (2)
- （１）希土類元素・遷移金属合金とこれら希土類元素及
び／又は遷移金属の酸化物とを主成分とし、柱状構造を
呈し、かつ、垂直磁気異方性を有していることを特徴と
する磁性膜。 - （２）前記柱状構造内部にＣ軸配向の遷移金属窒化物が
含有されている請求項１に記載の磁性膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13870590A JPH0432209A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 磁性膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13870590A JPH0432209A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 磁性膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432209A true JPH0432209A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15228201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13870590A Pending JPH0432209A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | 磁性膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2817318A1 (de) * | 1977-05-25 | 1978-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Bandkassette |
| JP2000018033A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-18 | Shin Daiwa Kogyo Co Ltd | エンジンの排気構造 |
| CN109786080A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 中国计量大学 | 一种光控集成片上电感 |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13870590A patent/JPH0432209A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2817318A1 (de) * | 1977-05-25 | 1978-11-30 | Tdk Electronics Co Ltd | Bandkassette |
| JP2000018033A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-18 | Shin Daiwa Kogyo Co Ltd | エンジンの排気構造 |
| CN109786080A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-05-21 | 中国计量大学 | 一种光控集成片上电感 |
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