JPH01154334A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｒ里り辣生光！ 本発明は、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関
し、さらに詳しくは、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を
有し、優れた耐酸化性を有する光磁気記録媒体に関する
。

明の技術的背景ならびにその問題点 鉄、コバルトなどの遷移金属と、デルビウム（Ｔｂ）、
ガドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る非晶質薄膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向とは
逆向きの小ざな反転磁区を形成することができることが
知られている。

この反転磁区の有無を「１」、「Ｏ」に対応させること
によって、上記のような非晶質薄膜にデジタル信号を記
録させることが可能となる。

このような光磁気記録媒体として用いられる遷移金属と
希土類元素とからなる非晶質薄膜としては、たとえば特
公昭５７−２０６９１号公報に１５〜３０原子％のＴｂ
を含むｌ’−ｂ−Ｆｅ系合金非晶質薄膜が開示されてい
る。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添加してなる合金非
晶質薄膜も光磁気記録媒体として用いられている。ざら
にＴｂ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系などの光磁気記録
媒体も知られている。

これらの合金非晶質薄膜からなる光磁気記録媒体は、優
れた記録再生特性を有しているが、使用時にこの非晶質
薄膜は酸化を受けてその特性が経時的に変化してしまう
という実用上の大ぎな問題点があった。

このような遷移金属と希土類元素とを含む合金非晶質薄
膜からなる光磁気記録媒体の酸化劣化のメカニズムは、
たとえば日本応用磁気学会誌第９巻、ＮＯ１２、第９３
〜９６頁で検討されており、以下のような３つのタイプ
があることが報告されている。

イ）孔食 孔食とは合金非晶質薄膜にピンホールが発生することを
意味フるが、この腐食は、十として高湿雰囲気下で進行
し、たとえばＴｂ−Ｆｃ系、Ｈｂ−Ｃｏ系などで著しく
進行する。

口）表面酸化 合金非晶質薄膜に表面酸化層が形成され、カー回転角θ
ｋが経時的に変化し、ついにはカー回転角θｋが減少し
てしまう。

ハ）希土類金属の選択酸化 合金非晶質薄膜中の希土類金属が選択的に酸化され、保
磁力Ｈｃが経時的に大きく変化してしまう。

上記のような合金非晶質薄膜の酸化劣化を防止するため
、従来、種々の方法が試みられている。

たとえば、合金非晶質薄膜を、３ｉ　３　Ｎ４、Ｓｉ　
Ｏ，Ｓｉ　０２　、ＡＩ　Ｎなどの酸化防止保護膜でサ
ンドイッチしたような３層構造にする方法が検討されて
いる。ところがこの保占膜を形成しても必ずしも合金非
晶質薄膜の酸化劣化を充分には防止することができない
という問題点があった。

すなわちもし上記のような酸化防止保護膜にピンホール
などが存在すると、このピンホールから合金非晶質薄膜
の酸化劣化が進行してしまうことを防止することはでき
なかった。

また、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｃ０系などの合金非晶質薄
膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるために、第３
の金属を添加する方法が種々試みられている。

たとえば上述した日本応用磁気学会誌では、１’−ｂ４
”ｅあるいはＴｂ−Ｇｏに、Ｃｏ、Ｎｉ５Ｐｔ。

ＡＩ　、　Ｏｒ　、ｌｉなどの第３金屈を３．５原子％
までの口で添加することによって、ｌ’−ｂ−Ｆｅ系あ
るいはＴｂ−Ｃｏ系の合金非晶質薄膜の耐酸化性を′向
上させる試みがなされている。モしてＴ　ｂ−Ｆ　ｅあ
るいはＴｂ−Ｃｏにｃｏ、Ｎｉ、ｐｔを９圏添加した場
合には、表面酸化の防止および孔食の防止には有効であ
るが、この合金非晶質薄膜中の希土類金属であるＴｂの
選択酸化の防止には効果がないと報告されている。この
ことは、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅあるいはＴｂ−Ｃｏに９足のＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｐｔを添加した場合には、得られる合金非晶
質薄膜では、Ｔｂが選択酸化されてしまい、保磁力Ｈｃ
が経時的に大きく変化してしまうことを意味している。

したがっＴＴｂ−Ｆｅｃｔ５るいはＴｂ−Ｃｏに３．５
原子％までの少】のＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔを添加しても、得
られる合金非晶質薄膜の耐酸化性は充分には改善されて
いない。

また第９回日本応用磁気学会学術講演概要集（１９８５
年１１月）の第２０９頁には、やはり合金非晶質薄膜の
耐酸化性を向上させる目的で、Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅあるいは
Ｔ　ｂ−Ｆ　ｅ−Ｃｏに、Ｐｔ、ＡＩ、Ｃｒ、Ｔｉを１
０原子％までの最で添加してなる合金非晶質薄膜が教示
されている。ところがＴｂ−ＦｅあるいはＴｂ−Ｆｅ−
Ｃｏに１０原子％までの■のＰｔ　、ＡＩ　、Ｃｒ　、
Ｔｉを添り口しても、表面酸化および孔食はかなり効果
に防止でさるものの、１ｑられる合金非晶質薄膜中のＴ
ｂの選択酸化に対する酸化防止性は充分ではなく、やは
り時間の経過とともに保磁力１−１ｃが大きく変化し、
ついには保磁力Ｈｃが大きく低下してしまうという問題
点は依然としてあった。

さらにまた、特開昭５８−７８０６号公報には、ｐｔ　
Ｃｏなる組成を有し、ｐｔが１０〜３０原子％の最で含
まれている多結晶薄膜からなる磁気薄膜材料が開示され
ている。

ところがこのｐｔ　Ｃｏなる組成を有する多結品薄膜は
、多結晶であるため、成膜後にアニール処理などの熱処
理が必要であり、また結品間の粒界部分がノイズ信号と
して発生することがあり、さらにこの多結晶薄膜はキュ
リー点が高いという問題点がおった。

このような問題点を解決するため、本発明者らは、Ｐｔ
および／またはＰｄの含有圏を１５原子％以上のωで含
有する、膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
膜を提案した。この非晶質合金ａ膜は、優れた耐酸化性
を有するとともに、カー回転角が大きいなどの優れた光
磁気光学特性を有している。

発明の目的 本発明は、上記のような問題点を解決しようとするもの
であって、保磁力が大きくかつカー回転角やファラデー
回転角が大きいなどの優れた光磁気光学特性を有し、し
かも耐酸化性に優れて、経時的に保磁力が変化したりあ
るいはカー回転角が変化することがないような光磁気記
録媒体を提供することを目的としている。

１肌り且ス 本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第１保
護膜と、光磁気記録膜と、第２保護膜とを、この順序で
順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 （Ｐｔおよび／またはＰｄ）。

［ＲＥｘＴＭｌ−ｘ］　１−ｙ （式中、ＲＥはＮｄ　ｓ　Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、　
Ｅｕ、Ｇｄ　、Ｔｂ　、　ＤｙおよびＨＯからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素であり、ＴＭはＦｅお
よび／またはＣＯでめり、０．２＜ｘ＜０．７．０．０
４＜ｙ＜０．１０である）で表わされる膜面に垂直な磁
化容易軸を有する非晶質合金薄膜であることを特徴とし
ている。

本発明に係る上記のような光磁気記録媒体は、保磁力が
大きくかつカー回転角やファラデー回転角が大きいなど
の優れた光磁気特性を有し、しかも耐酸化性に優れて、
経時的に保磁力が変化したりあるいはカー回転角が変化
したりすることがないという優れた特性を有している。

発明の詳細な説明 以下本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説明
する。

本発明に係る光磁気記録媒体は、第１図に示すように透
明基板１上に、第１保護膜２と、光磁気記録膜３と、第
２保護膜４とを、この順序で順次積層してなり、 前記光磁気記録膜は、 （Ｐｔおよび／またはＰｄ）。

［ＲＥｘＴＭｌ−ｘ］　１−ｙ （式中、ＲＥはＮｄ　、Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、Ｅｕ
、Ｇｄ　、Ｔｂ　、ＤＶおよびＨＯからなる群から選ば
れた少なくとも１種の元素であり、ＴＭはＦｅおよび／
またはＣｏであり、０．２＜ｘ＜０．７．０．０４＜Ｖ
＜０．１０である）で表わされる膜面に垂直な磁化容易
軸を有する非晶質合金薄膜である。

透明基板１としては、従来透明基板として用いられてき
たものを広く用いることができるが、具体的には、ガラ
ス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポ
リカーボネートとポリスチレンとのポリマーアロイ、米
国特許筒４，６１４゜７７８号明細書に示されるような
非晶質ポリオレフィン、ポリ４−メチル−１−ペンテン
、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフオン、ポリニーデ
ルイミド、エチレン・テトラシクロドデセン共重合体な
どを用いることができる。

この透明基板１の厚さは、０．５〜２．５簡好ましくは
１．０〜１．Ｓｍ程度である。

上記のような透明基板１上に設けられる第１保護膜２と
しては、Ｓ！　３Ｎ４　、ＡＩ　Ｎ、ＡＩ　Ｓｉ　Ｎ、
ＢＮなどの窒化物、５１０２、Ｔｂ−３！　０２　、Ｍ
ｇ−３ｌ　０２　、ＡＩ　２０３　、Ｓ！０゜−Ａｌ　
２０３　、Ｍ（］−３！　０２−　ＡＩ　２０３、Ｔｂ
−３！　０２−　ＡＩ　２０３　、［３ａ−３ｉ　０２
　、Ｂａ−Ａｌ　２０３　、Ｂａ−シワ力アルミナ、Ｔ
ｅ−Ａｌ２Ｏ３、ＩＶＨ）−Ａ１２０３、Ｔ！　０２、
Ｓｉ　Ｏ，Ｔｉ０１ｚｎｏ、Ｚ（’０２、Ｔａ２０５、
Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２、インジウ
ム−スズ酸化物などの酸化物、Ｚｎ　Ｓ、Ｃｄ　Ｓなど
の硫化物、Ｚｎ　Ｓｅ　、Ｓｉ　Ｃ，Ｓｉなどが用イラ
レル。

また第１保護膜２として、ＣＨ４、Ｃ８２、テフロン等
のプラズマ重合膜または、ＵＶ硬化性の有機コート膜な
どの有機コート膜を用いることもできる。

この第１保工膜２は、光磁気記録膜を酸化などから守る
保護膜として機能するとともに、エンハンス膜としても
機能する。

このような第１保護膜２の膜厚は、５０〜５０００人好
ましくは１００〜２０００人程度で必る。

このような第１保護膜上に設けられる光磁気記録膜は、
上記のような式で表わされる組成をイエするが、以下に
この光磁気記録膜について具体的に説明する。

（ｉ＞上記式においてＴＭは、ＦｅまたはＣｏあるいは
この両者である。このようなＴＭは、光磁気記録膜を上
記式［Ｉ］で表わした場合に、］−Ｘ（ただし０．２＜
ｘ＜０．７、好ましくは０．２５＜ｘ＜０．５さらに好
ましくは０．３くＸ　＜　０．５である）で示されるよ
うな最で存在している。

ＴＭとしては、ＦｅとＣｏとがともに存在していること
が好ましく、とくにこのＴＭとしては、Ｅｅが１００〜
３５原子％の最で、そしてＣｏが０〜６５原子％のωで
存在しでいることが好ましい。

なおＴＭとして、５原子％以五好ましくは３原子％以下
のＮｉを含んでいてもよい。

（ｉｉ）Ｐｔおよび／またはＰｄは、光磁気記録膜に４
〜１０原子％好ましくは６〜１０原子％の慴で存在して
いる。

このｐｔおよび／またはＰｄの含有量が４原子％以下で
あると、得られる光磁気記録膜の耐酸化性が充分には改
善されず、たとえ保護膜を設けても、保護膜にピンホー
ルなどがあった場合に、光磁気記録膜が酸化されて経時
的に保磁力ＨＣが変化したりあるいはカー回転角θｋが
減少したりするため好ましくない。

ｐｔまたはＰｄは、それぞれ単独で用いられてもよく、
また組合せて用いられてもよい。

（ｉｉｉ　＞本発明に係る光磁気記録膜は、上記（ｉ＞
および＜ｉｉ）に加えて、少なくとも１種の希土類元素
（ＲＥ）を含んで構成されている。

このＲＥは、Ｎｄ　、　Ｓｍ　、　Ｐｒ　、　Ｑｅ　、
　ＥＵ　。

Ｇｄ　、Ｔｂ　、ｏｙおよびＨＯからなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素である。好ましくはＲＥの６０
原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ、Ｎｔｌ　、Ｇｄ
　、Ｃｅ　、Ｅｕ　、Ｐｒ　、Ｈｏまたは３ｍである。

ざらに好ましくは、ＲＥの８０原子％以上特に好ましく
は９０原子％以上がＴｂであり、残部がＤｙ　、Ｎｄ　
、Ｇｄ　、Ｃｅ　、Ｅｕ　、Ｐｒ、Ｈｏまたは５Ｉｌｌ
である。

上記のような希土類元素ＲＥは、非晶質合金薄膜を上記
式［Ｉ］で表わした場合に、０．２＜ｘく０．７好まし
くは０．２５＜ｘ＜０．５さらに好ましくは０．３＜ｘ
＜０．５であるような第で存在している。

本発明では、上記のような膜面に垂直な磁化容易軸を有
する非晶質合金薄膜からなる光磁気記録膜の膜厚は、２
００〜２０００人好ましくは２００〜１０００人程度で
ある。

上記のような光磁気記録膜３上に設けられる第２保護膜
４としては、　　５１３Ｎ４、△ＩＮ、Ａｔ　Ｓｉ　Ｎ
、ＢＮなどの窒化物、Ｓｉ　０２　、Ｔｂ−３ｉ　０２
　、Ｍ（］−３ｉ○２　、Ｔｅ−Ａ　Ｉ　２０３　、Ｍ
’Ｊ−ＡＩ　　Ｏ、Ｔｂ−３ｉ　Ｏ−Ａｔ　２０３　、
ＭＬＳ！　０２−　Ａｌ　２０３　、［３ａ−３ｉ　０
２　、Ｂａ−Ａ１２０３．３ａ−３ｉ　０２−ＡＩ　２
　Ｃ３、Ｔ！　０２、Ｓ！　Ｏ，Ｔ！　０Ｓｚｎｏ、Ｚ
ｌ’　０２　、Ｔａ２ｏ５、Ｎ１）２０５　、ＣｅＯ２
，５ｎ０２　、ＴｅＯ２、インジウム−スズ酸化物など
の酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳ’：どの硫化物、Ｚｎ　Ｓｅ
　、Ｓｉ　Ｃ，Ｓｉなどが用いられる。

また第２保護膜４として、ｐｔ膜、ＰＣＩ膜、Ｔｉ膜、
ＣｒｐＩＡ、Ｚｒ膜、ｌ’Ｊｉ膜、Ｎ　１−Ｃｒ膜など
の金属膜を用いることもできる。

ざらに第２保護膜として、ＣＨ４、Ｃ８２、テフロン等
のプラズマ重合膜またはＵｖ硬化性の有機コート膜など
の有機コート膜を用いることもできる。

この第２保護膜４は、光磁気記録膜＠酸化などから守る
保護膜として機能するとともに、反射膜としても機能す
ることもある。

このような第２保護膜４の膜厚は、無機材料の場合は５
０〜５０００人好ましくは１００〜２０００人程度でお
り、有機材料の場合は１００人〜１００ｔｉＴｒＬ好ま
しくは３００Ａ　〜５００Ｉｉｍ程麿である。

上記のような構造を右する本発明に係る光磁気記録媒体
は、膜面に垂直な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒス
テリシスが良好な角形ループを示す。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場に４３けるカー回転
角である飽和カー回転角（Ｏｋ　、　）と外部磁場ゼロ
におけるカー回転角である残ｍカー回転角（θｋ　）と
の比θに２１０ｋ１か０．８以上であることを意味して
いる。

また上記のような本発明に係る光磁気記録媒体は、優れ
た耐酸化性を有し、第２図に示すようにＰ　ｊ　ａ　Ｔ
ｌ）　２ＢＦｅ　５１Ｃｏ１３なる組成を有する非晶質
合金薄膜と、第１保護膜５１３Ｎ４と、第２保護膜Ｓ！
３Ｎ４とからなる光磁気記録媒体は、たとえば８５℃、
相対湿度８５％の環境下に２４０時間以上保持しても、
その保磁力はほとんど変化しない。これに対して、ｐｔ
を含まないＴｆｉ　２５１ＣＯ７５あるいはＴｂ　２５
Ｆｅ６６ＣＯ９なる組成を有づる非晶質合金薄膜は、８
５°Ｃ１相対湿度８５％の環゛現下に保持すると、その
保磁力は経時的に大きく変化してしまう。さらにこの環
境試験を１０００時間続けると、ｐｔおよび／またはＰ
ｄを含有する系はやはりその保磁力がほとんど変化しな
いのに対し、ｐｔおよび／またはＰｄを含有しない系は
保磁力がほとんど測定できない稈度にまで低下してしま
う。

また、後述する実験例から、ｐｔおよび／またはＰｄを
含む非晶質合金薄膜を含む本発明に係る光磁気記録媒体
では、たとえ保護膜にピンホールなどがあっても、環境
試験後におけるθにの変化も小さいことから表面酸化が
防止されていること、ならびに、顕微鏡による膜表面の
観察から孔食の発生も抑制されていることがわかる。

本発明においては、光磁気記録膜に、上記のような元素
以外の種々の元素を添加して、キュリー温度や補償温度
あるいはｆ−（ｃヤθにの改善あるいは低コスト化を計
ってもよい。これらの元素は、希土類元素に対してたと
えば５０原子％未満の割合で置換可能である。

併用できる他の元素の例としては、 （Ｉ）Ｆｅ　、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的には、Ｓ
ｃ　ＳＴｉ　、Ｖ、Ｃｒ　、Ｍｎ、Ｎｉ　、Ｃｕ　、Ｚ
ｌｌが用イラレル。

これらのうち、Ｔｉ　、Ｎｉ　、　Ｃｕ　、Ｚｎなどが
好ましく用いられる。

（ＩＩ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、ＩＶＩＯ，’Ｔｃ、Ｒｕ
　、Ｒｈ　、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

このうらＺ「、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ＩＩＩ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元索 具体的には、Ｈｆ’　、Ｔａ　、Ｗ、Ｒｅ　、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ＩＶ）Ｉ［ＩＢ族元素 具体的には、Ｂ、ＡＩ　、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ　が用いら
れる。

このうちＢ、ＡＩ　、Ｇａが好ましく用いられる。

（Ｖ）ＩＶＢ族元素 具体的には、Ｃ，Ｓｉ　、Ｇｅ　、Ｓｎ　、Ｐｂが用い
られる。

コノウチ、Ｓｉ　、Ｇｅ　、Ｓｎ　、Ｐｂが好ましく用
いられる。

（Ｖｌ＞ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、３ｂ、Ｂｉが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（ＶＩ［）ＶＩＢｌｌｊ、元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ　、Ｔｅ　、ＰＯが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

次に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法について
説明する。

まず、透明基板上に、第１保護膜を成膜きぜる。

透明基板上に第１保護膜を成膜させるには、従来公知の
方法たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電
子ビーム蒸着法、スピンコード法などを採用することが
できる。

次に透明基板上に設けられた第１保護膜上に光磁気記録
膜を成膜するには、基板温度を室温程度に保ち、本発明
に係る光磁気記録膜を構成覆る各元素からなるチップを
所定割合で配置した複合ターゲットまたは所定割合の組
成を有する合金ターゲットを用い、スパッタリング法お
るいは電子ビーム蒸着法などの従来公知の成膜条件を採
用して、この基板（基板は固定していてもよく、また自
転していてもよい）上に所定組成の光磁気記録膜を被着
させればよい。

このように本発明に係る光磁気記録膜は、常温での成膜
が可能であり、膜面に垂直な磁化容易軸を持たせるため
に成膜後にアニール処理などの熱処理をする必要がない
。

なお必要に応じては、基板温度を５０〜６００℃に加熱
しながらまたは一５０°Ｃまで冷却しながら、基板上に
光磁気記録膜を形成することもできる。

またスパッタリング時に、基板を負電位になるようにバ
イアスすることもできる。このようにすると、電界で加
速されたアルゴンなどの不活性ガスイオンはターゲット
物質ばかりでなく成膜されつつある垂直磁化膜をもたた
くことになり、優れた特性を有する垂直磁化膜が得られ
ることがある。

次に上記のようにして成膜された光磁気記録膜上に、第
２保護膜を成膜するが、この際にも従来公知の方法たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法おるいは電子ビーム
蒸着法などを採用することができる。

本発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直な磁化容易
軸を有する垂直磁化膜であるとともに、多くの場合カー
・ヒステリシス・ループが角形性を有して、外部磁場の
ない状態下でのθｋが最大外部磁場での飽和Ｏｋとほぼ
同一であり、保磁力１−１ｃも大きいので、光磁気記録
膜として好適である。また、θｋが良好であることは、
θｆも良好であることを意味し、よってカー効果利用型
、ファラデー効果利用型のいずれの方式に利用覆ること
ができる。

本発明に係る光磁気記録媒体は、上記のような構造のみ
に限定されるものではなく、必要に応じて下地層、酸化
防止膜あるいは高透磁率軟磁性膜の積層などを行っても
よく、単板のほか貼合せて使用することも可能である。

発明の効果 本発明に係る光磁気記録媒体は、透明基板上に、第１保
護膜と、光磁気記録膜と、第２保護膜とを、この順序で
順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 （Ｐｔおよび／またはＰｄ）。

［ＲＥ、　　ＴＭ　１．　　コ　１−Ｖ（式中、ＲＥＬ
、ｔＮｄ　、Ｓｍ　、Ｐｒ　、Ｃｅ　、　Ｅｕ、Ｇｄ、
丁ｂ　、ＤＶおよびＨｏからなる群から選ばれた少なく
とも１種の元素であり、ＴＭはＦｅおよび／またはＧｏ
であり、０．２＜ｘ＜０．７．０．０４＜ｙ＜Ｏ，’ｔ
ｏである）で表わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有す
る非晶質合金薄膜であるため、保磁力が大きくかつカー
回転角やファラデー回転角が大きいなどの優れた光磁気
特性を有し、しかも耐酸化性に優れており、たとえ保護
膜にピンホールなどがあっても経時的に保磁力が変化し
たりあるいはカー回転角が変化したりすることがないと
いう優れた特性を有している。また本発明に係る光磁気
記録膜を基板上に形成するに際して、室温での成膜が可
能でおり、成膜後に熱処理をする必要もない。

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。

実施例 ガラス基板の上に、第１保護膜、光磁気記録膜、第２保
護膜を順次スパッタリングにより、所定の膜厚だけ成膜
した。

保温膜として窒化物や酸化物などの誘電体膜を選んだ場
合は、それぞれの焼結体ターゲットをＲＦングネトロン
スバッターした。一方、保護膜として、金属膜を選んだ
場合は、ＤＣマグネトロンスパッターにより成膜した。

そして、光磁気記録膜については、ターゲットとして、
Ｆｅターゲット上または「ｅＳＣｏターゲット上にｐｔ
および／またはＰｄと、軽希土類金属と、重希土類金属
とのチップを所定割合で配回した複合ターゲットを用い
て、ガラス基板上に、基板を水冷により２０〜３０’Ｃ
の常温付近にコントロールしながらＤＣマグネトロンス
パッタリングにより、表１に示すような組成を有する非
晶質合金薄膜を成膜した。成膜条件は、Ａｒ圧５ｆｆｌ
Ｔｏｒｒ　、　Ａｒ流１３ｓｅｃｍ、　真空到達度５　
Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ　Ｗｌ　下テある。

得られた合金薄膜は、広角Ｘ線回折法により結晶状態を
測定するとともに、組成をＩＣＰ発行分光分析によって
求めた。

また、カー回転角はガラス基板側から測定した外部磁場
ゼロでの残菌カー回転角を斜入射法（λ＝６３３ｎｍ）
で測定した。斜入射法の具体的測定法および装置は、山
川相部監修「磁気材料の測定技術」　（昭和６０年１２
月２５日１〜リケッゾス株式会社発行）第２６１頁〜２
６３頁に記載されている。

得られた非晶質合金薄膜のＸ値、および保磁力（ＨＣＯ
）を表１に示す。

さらに、本発明の非晶質合金薄膜の耐酸化性を確認する
ため、ガラス基板上に成膜された条１′１ぞのままを８
５℃、８５％ＲＨの高温高湿条１′１のオーブン中に放
置する環境試験を行い、２４０時間以上経過後のカー回
転角（θｋ）、保磁力（ＨＣ＞を測定し、それぞれの試
験面の初期値θｋｏ、　Ｈｃｏと比較した。これらの結
果を合せて表１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体の断面図であり、
第２図は本発明に係る光磁気記録媒体の保磁力の変化お
よび比較例に係るＴｂ　２５ＣＯ７５およびＴｂ　２５
Ｆｅ　６６Ｃｏ　９の保磁力の変化を示す図である。 １・・・透明基板　　　　２・・・第１保護膜３・・・
光磁気記録膜　　４・・・第２保護膜代理人　　弁理士
　　鈴　木　俊一部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）透明基板上に、第１保護膜と、光磁気記録膜と、第
   ２保護膜とを、この順序で順次積層してなり、 前記光磁気記録膜が、 （Ｐｔおよび／またはＰｄ） ［ＲＥ＿ｘＴＭ＿１＿−＿ｘ］＿１＿−＿ｙ（式中、Ｒ
   ＥはＮｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
   およびＨｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の元
   素であり、ＴＭはＦｅおよび／またはＣｏであり、０．
   ２＜ｘ＜０．７、０．０４＜ｙ＜０．１０である）で表
   わされる膜面に垂直な磁化容易軸を有する非晶質合金薄
   膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。 ２）０．２５＜ｘ＜０．５である特許請求の範囲第１項
   に記載の光磁気記録媒体。 ３）ＲＥの少なくとも６０原子％以上がＴｂであり、残
   部がＤｙ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｇｄ、またはＨｏ
   である特許請求の範囲第１項に記載の光磁気記録媒体。