JPH01137205A - 光パワー調整方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光通信等に用いられる発光素子又は受光素子
等の光半導体素子と光フプイバを光学的に結合させる光
パワーの調整方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、光通信装置等に用いられる発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）、半導体レーザダイオード（シＤ）等の発光素子や
、フォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ、　ＡＰＤ）等の受
光素子は、伝送媒体である光ファイバと最大の光学的結
合効率が得られるように、通常光学レンズ（以下、レン
ズと称す）や集束性ロンドレンズ及び球レンズを介して
調整を行うようにしている。

第８図は係る光パワー調整装置の全体構成図、第９図は
光半導体素子と光コネクタ部の断面図、第１０図及び第
１１図は従来の光パワーの調整方法を示すフローチャー
トである。

以下、これらの図に基づいて従来の光学的結合のための
光パワー調整方法について説明する。

まず、第８図に示される光パワー調整装置に光半導体素
子ｌを治具（図示なし）を介してクランプ又はホールド
する。そして、その治具は調整装置と連動するように構
成されており、この調整装置の操作により治具を介して
光半導体素子ｌの位置を所望の位置へ移動できるように
なっている。

一方、光フアイバ側は、レンズ２を固着剤により固定し
たレンズホルダ３とコリメータ４とを螺合し接続される
。そこで、このコリメータ４を含むレンズホルダ３は治
具を介しく図示なし）強面に固定する。

以下、光半導体素子として発光素子が用いられる場合に
ついて説明する。

この状態において、光ファイバ５の端点は、光学的結合
状態を表示する測定器と接続されており、−レンズ２を
介して入射する光パワーの状態を常時表示できるように
している。

そこで、発光素子のアノード６とカソード７の間に電圧
を印加し、順バイアスで通電することで発光素子は発光
する。尚、この？ｉｔＨとして、定電流源を用いて一定
電流を供給する。

また、第８図おいて、８はレンズホルダ保持治具、９は
固定治具及び治具を固定するハンドル、１０は光半導体
素子のクランプ治具、１０−１は凹部、ｎ−ｔは押さえ
レバー、１１−２はロックレバ−，１１−３はバイアス
バネ、１２はＺＩＩＩＩ駆動用の精密モータ、１３はＸ
軸駆動用の精密モータ、１４はＹＩＩｌｌ駆動用の精密
モータ、１５はＺステージ、１７は電子制御装置である
。

ここで、光パワーを調整するための制御装置について説
明する。

セットされた光半導体素子をＸ軸方向に移動させるため
には精密モータ１３、同じくＹ軸方向に移動させるため
に精密モータ１４、同じくＺ軸方向に移動するために精
密モータ１２をそれぞれ用いる。

そして、これらのモータはＣ２０（中央処理装置）１８
を具備する電子制御装置１７によって制御される。

この点を更に詳細に説明すると、電子制御装置１７はｃ
ｐｕｔａ、メモ１月９、Ｉ１０インターフェース２０゜
ＫＢ／ＣＲＴ　２１、プリンタ２２等からなる。又、こ
の電子制御装置１７は、光ファイバ５の端点に接続され
る光測定器１６からの測定値が読み込まれるようになっ
ている。更に、Ｉ１０インターフェース２０からの出力
は各精密モータ１２．１３．１４へ接続されている。

そこで、まず、電子制御装置１７に接続されている精密
モータ１３．１４を駆動して、第８図に示されるレンズ
ホルダ３が固定された位置の上方ヘクランプされた光半
導体素子ｌが位置するように移動させる。

次に、この調整治具を用いた調整手順を第１０図のメイ
ンルーチンのフローチャートに則って説明する。

まず、初期設定を行い（ステップ■）、次いで、部品セ
ットの確認を行う　（ステップ■）０次に、−精密モー
タ１２を駆動し、徐々にＺステージ１５を下降させる（
ステップ■）。その時、レンズ２より入射する光パワー
が目標値に近いか否かを測定しくステップ■）、既に目
標値に近ければ、移動ビソヂが１桁小さい微動ルーチン
に移行する。次に、光半導体素子の良否を判定する（ス
テップ■）。

これは、その光半導体素子に通電を行いレンズ２付近に
近づければ、光測定器１６に最小成人る値は予め検知で
きるので、その値に達しているか否かによって判定でき
る。もし、発光又は受光を行っていないと判定すれば、
その光半導体素子の異常をＣＲＴ２１又はプリンタ２２
に表示する（ステップ■）、そして、もう−度、規格値
に近い値を示しているかどうかを判断しくステップ■）
、ＮＯであれば、粗動ルーチンを飛び越し、微動ルーチ
ンに移行する。もし、光パワーが規格値に対して離れて
いるようであれば、そのまま粗動ルーチン（ステップ■
）に入る。

ここで、粗動ルーチンについて第１１図を用いて詳細に
説明する。

まず、粗動ルーチンに入ると内蔵されているカウンタが
＋１し、これが、＋４となり、粗動を４回繰り返しくス
テップ■）でも、なお、規格に近くならない場合は、そ
の光半導体素子を不良と判断し、異常表示（ステップ０
）を行う０次に、粗動が４回繰り返、されていない場合
は、＋Ｘ方向に１パルスを発生させ、モータ１３を駆動
し、＋Ｘ方向に１ピツチ移動する（ステップ■）、この
場合、光測定器１６からの測定値を電子制御装置２０に
読み込み（ステップ［相］）、前回読み込んだ値との比
較を行い、判断（ステップ＠）シ、その結果、その値が
向上する場合には、更に、＋Ｘ方向に進み、順次ピッチ
移動させていき、比較結果が低下したら、その位置から
−Ｘ方向に＋１ピツチ移動しくステップ［相］）、その
位置を調整位置とする。；のような調整方法で−Ｘ方向
、＋ｙ、−ｙ、＋ｚ。

−Ｚのそれぞれの方向について調整を行い、各々の方向
でパワーが最大となる位置で調整を終了し、粗動調整を
終了する。

そして、粗動調整を終了したら、再び、第１０図ぶ示ず
メインルーチンに戻る。そして、この時の光半導体素子
１の光パワーがレンズ２より十分に入射し、規格値に近
くならない時、もう−度粗動調整（ステップ■）を行う
、十分に規格値に近い時は、微動ルーチン（ステップ＠
）に移行する。

この微動ルーチン（ステップ［相］）の調整方法は、前
の粗動ルーチンと同様であるが、光半導体素子！を移動
させるピッチ幅を粗動調整におけるピッチ幅の１　／１
０に設定する点が相違する。この微動調整を粗動調整の
場合と同様にｘ、ｙ、ｚ方向に繰り返す事により、規格
値をクリアすることができる。

更に、超微動調整においては、前回の微動調整における
ピッチ幅のｌ／１０、粗動調整の１／１００とピッチ幅
を狭くして、光測定器１６から得られる光パワーが最大
となる位置を探し出す。

以上、光半導素子１が発光素子の場合について説明した
が、次、に、その光半導体素子が受光素子の場合の調整
方法について説明する。

受光素子の調整方法も上記発光素子の場合と概略同様で
あるが、以下の点が異なる。

まず、前記した発光素子が受光素子に代わりセントされ
る。即ち、安定化光源（図示せず）と光ファイバ５とが
対となる光コネクタとをねじ込みにより接続し、その安
定化光源が発した光が光ファイバ５へと伝播されレンズ
２を介して受光素子１へと光が入射される。するとアノ
ード６とカッ−１゛７との間に起電力が誘起され、電流
が発生し、その電流値を測定回路を介し、電流計、又は
、電圧計などの測定器で読み取ってその値が最大となる
様にセントする。受光素子がセットされた後は発光素子
の調整方法と同様であるが、光パワーを読み込むための
測定器１６が電流計又は電圧計となる。

そして、同様にＸ、Ｙ、Ｚ方向の粗動１１整、盗いで微
動調整を行い、最大の電流値又は電圧が得られる位置へ
最終調整し、光学的結合効率が量大になる様に調整する
。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、以上述べた従来の調整方法では１、無駄
なステップが多く、同じ座標上を繰り返し通り、調整の
ための作業時間が長くなり、更に、このような調整方法
においては光半導体素子の光パワーを規格値まで調整で
きずに終了してしまうという問題点があった。また、そ
れとは逆に、規格値を十分満足しているにもかかわらず
、調整工程が全て終了しないため、無駄なステップを費
やし時間を浪費するといった問題点もあった。

更に、これらとは別に、発光又は受光パターンが従来と
は全く異なる光半導体素子に対しては調整を行えないな
どの問題があり、技術的に満足できるものではでかった
。

本発明は、上記問題点を除去し、光学的結合の調整作業
をより迅速、かつ的確に行える光パワー調整方法を提供
することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、前記問題点を解決するために、光伝送媒体を
有する光コネクタを固定し、咳光伝送媒体に光半導体素
子の位置合わせを行う光パワー調整方法において、前記
光半導体素子がらの光パヮ−が最大になる位置を粗から
精に多段階に切り換えて探索するに際して、該探索にお
ける調整中の光パワー値を逐次読み取り、その都度目標
値に対する調整状態を判断し、目標値への接近度合に応
じて粗から精に至る中間の過程を飛び越して次段へ移行
させるようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、上記のように、光伝送媒体を有するコ
ネクタを固定し、この光伝送媒体に光半導体素子を保持
し位置合わせを行うに際し、−Ｘ、−Ｙ、−Ｚ方向へ移
行する際のステップの重複を避けるように、粗動、微動
、Ｍｉ微動の各サブルーチンを改良し、更に、この内の
粗動、微動サブルーチンに１ピッチ移動する毎に、規格
値に対し十分達したかを判断し、調整段階を移すルーチ
ン奔付加し、前記光半導体素子と前記光伝送媒体との最
適位置を探索する場合、より高速に、しかも全ての光半
導体素子について規格値を満足し完了させることができ
る。

（実施例） 一以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。

第１図は本発明の光パワー調整方法を示すメインルーチ
ンフロチャート、第２図はそのｔ■動調整サブルーチン
のフロチャート、第３図はＸ７面をサーチするサブルー
チンのフロチャート、第４図は各方向へ１ピツチ移動さ
せるサブルーチンのフロチャート、第５図は光パワーを
読み込みＺ軸を下げるリブルーチンのフロチャー１−を
示す。なお光パワー調整装置の構成は第８図に示す従来
のものと同じであり、また、光半導体素子■とそのクラ
ンプ治具１０への取り付け、及びレンズホルダ３とその
保持治具８との取り付け・方法及び精密モータ１２．１
３．１４と電子制御袋Ｗ１７の構成は従来と同様である
のでそれらの説明は省略する。

そこで、この本発明の光パワー調整方法を第１図のメイ
ンルーチンのフロチャートに則って説明する。

まず、初期設定を行い（ステップ■）、次いで原点復帰
を行い（ステップ■）、部品セットの確認を行う　（ス
テップ０）。次いで精密モータ１２を駆動して、徐々に
Ｚステージ１５を下降させる（ステップ［相］）、その
時、レンズ２より入射する光パワーが目標値に近いか否
かを判定しくステップ＠）、既に目標値に近ければ移動
ピッチが２桁小さい超微動ルーチンに移行する。これは
、Ｚステージ１５を下降させた時点でごく稀に起こりう
る調整が不要な強いパワーの座標上に降りた時に、粗動
ルーチンにて行う１００μｍピッチでの移動ではピッチ
幅が広いため、光パワー値が少し劣化した場合、再び元
の座標に戻るのに多大な時間を要してしまう、このよう
な無駄な時間の浪費をなくすためのものである。

次に、光半導体素子の良否を判定する（ステップ［相］
）、これは、その光半導体素子に通電を行いレンズ２付
近に近付ければ、光測定ｎ１６に最低成人る値は予め検
知できるので、その値（−５０〜−６０ｄＢｍ程度）に
達しているかによって簡単に判定できる。もし、発光又
は受光を行っていなければ、その光半導体素子の異常を
ＣＲＴ　２１若しくは、プリＪり２２に表示する（ステ
ップ０）。そして、その光半導体素子が正常であれば、
次のステップに移る。そして、もう−度規格値から離れ
ているかどうかを判断しくステップａｌ）、もし、Ｎｏ
であれば粗動ルーチンを消び越し、微動ルーチンに移行
する。もし、光パワーが規格値に対して離れているよう
であれば、そのまま粗動ルーチン（ステップ０）に入る
。

ここで、粗動ルーチンについて第２図を用いて詳細に説
明する。

まず、この粗動ルーチンに入ると内蔵されているカウン
タが＋１し、もし、このカウンタが＋４になり粗動を４
回繰り返して（ステップ■）も、なお、粗動サブルーチ
ンに入る前の光パワーの値であつた時は異常表示（ステ
ップ■）を行う。

ここで、＋Ｘ方向へ移動するために各方向へ１ピツチ移
動させるサブルーチンに入る（ステップ＠）、このｌピ
ッチ移動させるサブルーチンについて第３図を用いて詳
細に説明する。

まず、このサブルーチンに入ると、現在の光パワーの値
が目標値に十分近いかどうかを判断する（ステップ■）
、もし、Ｎｏであれば通常の読み込みとなり、＋Ｘ方向
に１パルスを発生させ、モータ１３を駆動し、＋Ｘ方向
に１ピッチ、つまり、１００μｍ移動しくステップ■）
、光測定器１６からの測定値を電子制御装置２０に送り
（ステップＯ）、このサブルーチンを抜ける。この時、
光パワーのより大きい値を示した時、その座標値を記憶
する（ステップ［相］）、一方、ステップ■において、
ＹＥＳの時は、この１ピツチ移動サブルーチンを飛び越
して粗動サブルーチンを終了させてしまう。

これは調整開始時点ではあまり有効とはいえないが、調
整が中盤に入り、光パワーの値が十分目標値をクリアし
ており、これ以上、粗動サブルーチンを続けても光パワ
ーの向上は見込めないと判断される場合、次の微動サブ
ルーチンに移行させるためのものである。従来では粗動
、微動の各サブルーチンは−通り全てのステップを踏ま
なければ完了することができなかったが、これにより光
パワーが目標値を越えれば、ただちに現在実行中のＪブ
ルーチンを終了させることができる。

ここで、再び、第２図の粗動サブルーチンのフロチャー
トに戻って説明を続ける。

次のステップでは今回移動後に測定した光パワーの値が
前回の光パワーの値よりも太き（なったか（ステップ■
）を判断して、もし、ＹＥＳであれば＋Ｘ方向の繰り返
し数のカウンタを＋１した１＆（ステップ＠）、再び、
＋Ｘ方向へ１ピッチ移動するサブルーチンに入る。もし
、ここで、Ｎ。

であれば、この方向では光パワーは向上しないとして−
Ｘ方向に進む。

次に、前回の＋Ｘ方向のカウンタが２以上であるかどう
かを判断しくステップＯ）、もし、ＹＥＳであれば−Ｘ
方向に１ピツチ移動させ（ステップ［相］）、＋Ｙ方向
へ移動方向を移す、もし、ＮＯであれば、−Ｘ方向へ１
ピツチ移動させるサブルーチンに入り（ステップ■）、
次いで、前回の光パワーの測定値と今回測定した値とを
比較して（ステップｏ）、もし、前回よりも向上すれば
、もう−度１ピッチ移動させるルーチンに入り、光パワ
ーの測定値が劣化するまで続ける。それが終了すると、
今まで進んだ方向とは逆の＋Ｘ方向へ１ピッチ進む（ス
テップｏ）、従来では、全ての方向（十Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ
、−Ｙ、＋Ｚ、−Ｚ）について光パワーが劣化したらそ
の方向とは逆の方向に１ピッチ戻って、次の軸方向に移
るようにしていたが、−例の各方向では、前の調整軸中
において、２回以上１ピツチずつ移動しているとすれば
、既に通ったはずの座標であり、もし、光パワーが移動
Ｎ２回以上で向上したとすれば、測定誤差の範囲であり
、意味のない調整行為となる。

以上、＋Ｘから−Ｘ方向の調整方法についてステップ＠
〜ステップ■までに説明したが、これと同様に＋Ｙから
−Ｙ力方向ついてステップ［相］からステップＯまでに
示し、この調整は前記したＸ軸の調整と同様であるので
、ここで詳細な説明は省略する。

そして、次ステツプで°は、もう−度、光半導体素子の
発光又は受光の有無を判定する（ステップ■）、ここで
は、光測定器１６と光ファイバ５が接ｊＡされないまま
で、誤って調整が開始した場合、メインルーチンの最初
の検出で感知されない時の予備的なステップである。こ
こでも、前回と同様、その光半導体素子に異常が認めら
れれば、異常表示を行い（ステップ０）、今回の調整を
停止させる。

次のステップでは、これまで調整した＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ
、−Ｙ、＋Ｚ、　　−Ｚの各方向に対する調整を−通り
終了して、これで十分目標値に達したかどうかを判定す
る（ステップ◎）、ここで、もし、目標（直をクリアし
ていなければ、このサブル−チンの使用回数を＋１した
（ステップＯ）後に最初のステップ＠に戻る。ここで、
ステップ［相］は、後のルーチンでのみ用いるので無視
する。もし、十分に光パワーが目標値に近い時は、粗動
サブルーチンを終了する。そして、粗動サブルーチンを
終了したら、再び、第１図に示されるメインルーチンに
戻る。そ３して、戻った時の光半導体素子１の光パワー
がレンズ２に人、射し、光ファイバ５を伝播し、光測定
器１６へと伝わり、粗動サブルー、チン中の目標値に対
し１０ｄｎ程高い出力であれば（ステ、プＯ）、微動サ
ブルーチン（ステップ０）を飛び越えて、超微動サブル
ーチン（ステップ＠）へと移行する。もし、そうでなけ
れば、微動サブルーチン（ステップ■）へ移行する。こ
の、微動サブルーチンでは、その調整方法は、これまで
説明した粗動ルーチンと同様であるが、光半導体素子１
を移動させるピッチ幅が粗動調整におけるピッチ幅の１
／１０、即ち、１０μｍに設定する点が相違する。また
、ここでの目標値も、粗動サブルーチンで使用した目標
値より１０ｄＢ高い値を用いる。

この微動調整を粗動調整の場合と同様にＸ、Ｙ。

Ｚ方向に繰り返すことにより、目標値をクリアすること
ができる。

更に、超微動調整（ステップ＠）においては、前回の微
動調整におけるピッチ幅の１７１０、粗動調整の１／１
００、即ち、１μｍと、ピッチ幅を狭くして、光測定器
１６から得られる光パワーが最大となる位置を探し出す
、また、ここでの目標値は、規格値となり、微動の目標
値に対し５〜７ｄＢ高い」直となる。ここで、第２図の
点線で囲まれた枠内に示すルーチン（ステップＯ）が超
微動サブルーチンには付加される。

ここで、光パワーを読みＺ軸を下降させるサブルーチン
について第４図を用いて詳細に説明する。

まず、現在の光半導体素子ｌの光パワーが規格値に対し
４ｄＢ以上離れている（ステップ０）場合は、Ｚ軸を５
０μｍ現在の座標よりも下げる（ステップ＠）、そして
、もし、３ｄＢ程度離れている時は（ステップ■）、Ｚ
軸を３０μｍ下降させて（ステップ［相］）、超微動サ
ブルーチンへと戻る。そして、これらと同様に２　ｄｌ
ｌ＃れていれば（ステップ■）、Ｚ軸を２０μｍ下げる
（ステップ０）。そして、超微動サブルーチンへと戻る
。このサブルーチンはｌステップ当たりのピッチ幅が１
μｍと細かいために、光パワーの変化も、これまでの粗
動、微動に比べ小さくなり、なかなか、規格値に達しな
い。そこで、これまでの調整データからＺ軸について、
即ち、＋Ｚ方向について、その他の方向に比べ多いステ
ップ数をかけて調整を行っていることがわかっており、
この＋２方向について、強制的に下げて、このＸ、Ｙ方
向とのステップ数の差を取り除こうとしたものである。

また、ここで、初期の調整開始座標のＺ軸を下げること
も可能だが、予め下げるとレンズ２と接触し、どちらか
を破損する恐れがあり、これを行うことは非常に危険で
ある。このように、このサブルーチンを使用することで
、十Ｚ方向で使用するステップ数を減らすことができる
。

超微動サブルーチンでは、度々、このＺ軸を下げるサブ
ルーチンを使用し、調整の短時間化を実現している。そ
して、再び、第１図に示すメインルーチンに戻る。そこ
では、いままでの調整を行った座標点のうち、最大値の
光パワーを示した座標に移動させる（ステップＯ）、こ
れは、第３図のステップ■で施した処理により、より大
きい光パワーを示した座標はメモ１月９に記憶してあり
、この座標から現在の座標からどれだけ離れているかを
算出して、最大値を示した座標へと移動する。

これは通常の前回の光パワーの値と比較して太き」１値
の座標へと移動する方法だけでも良いが、仮に、次の値
が今回よりも小さい値の時には、前回の座標に戻るが、
ここで、誤差が生じる場合がある。つまり、正確に前の
光パワーの値に戻らない。

これを調整が終了するまでには最大値と比較して約０．
５ｄＢ低くなることがあり、これを補正する目的で付加
したものである。

以上で、光パワーの調整を終了し、作業が終了したごと
を表示する。なお、上記光半導体素子１の光パワー調整
後に、Ｘ、Ｙ方向の移動量と光パワーの損失を測定し、
プロットすると、例えば、第６図に示されるような放物
線の頂点が探し出されることになる。

また、今まで光半導体素子が発光素子の場合について述
べたが、受光素子、特に、ＰＩＮ−フォトダイオードな
どの光半導体素子では、第６図と同様にプロットすると
、第７図に示されるようになる。この場合、発光素子の
時に使用した粗動サブルーチンは使えなくなる。何故な
ら、発光素子の場合の損失曲線は放物線であり、Ｘ、　
Ｙ、　　Ｚ方向のいずれの場所に移動しても光パワーの
変化を生じ、その変化量から調整を行うことができた。

しかし、受光素子では座標の変化とは全く関係なく、光
パワーの一定の場所が存在し、ここでは粗動サブルーチ
ンは全く効力を失う、そこで、第５図に示されるように
ＸＹ面を探査するサブルーチンを考案した。

ここで、ＸＹ面を探査するサブルーチンについて第５図
を用いて詳細に説明する。

まず、このサブルーチンに入ると＋Ｙ力方向、１ピッチ
進ませる（ステップ０）、そして、この時の光パワーの
値を記憶する。

以下、同様に、＋Ｘ方向へ１ピツチ（ステップ■）、十
Ｙ方向へ２ピツチ（ステップ■）、−Ｘ方向へ２ピツチ
（ステップ［株］）、＋Ｙ力方向３ピッチ（ステップ■
）、十Ｘ方向へ３ピッチ（ステ、７ブ＠）、−Ｙ方向へ
４ピツチ（ステップ０）それぞれ移動した後に、これら
のすべての座標上で最大となった光パワーの値を示す座
標へ移動する。

これにより、第７図中の光パワーが全く変化しなｊ）部
分を抜けることができる０以上でＸＹ面を探査するサブ
ルーチンを終了する０次では、メインルーチンに戻るが
、これ以降は発光素子の場合と同様に微動、超微動のサ
ブルーチンを用いることができる。これにより、光半導
体素子が受光素子の場合でも、光パワーの調整を行なう
ことができる。

以上で、光半導体素子が発光素子の場合、受光素子の場
合いずれでも光パワーが最大になる位置を探し出すこと
が可能となった。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。

（１）粗動中及び微動中であっても光パワーの値が目標
値に極めて近い値であれば、次のピッチ幅に移行させる
ことができる。

（２）−度通った座標を再度通ることがないようにする
ことができる。

（３）調整の最後には最大値を示す座標上の点に戻るこ
とができる。

（４）超微動中に光パワー値を読みＺ軸を下降すること
ができる。

従って、従来のような無駄なステップを排除し、調整行
為自体が簡素化され、調整時間を短縮することができる
。また、従来あった光半導体素子のばらつき等により、
調整が途中で終了して、調整できなくなる等の不具合点
がなくなり、全ての光半導体素子について調整可能とな
り、迅速、かつ、確実な調整を行うことが可能となった
。

また、上記（４）により、光半導体素子の損失曲線が異
なる場合でも、光パワーの調整を行うことができる。

更に、本発明は主に光モジュール等の組立に用いられる
が、更に、光フアイバ同士の光パワー調整後の融着等に
も適用可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光パワー調整方法を示すメインルーチ
ンフロチャート、第２図はその粗動調整サブルーチンの
フロチャート、第３図は各方向へ１ピツチ移動させるサ
ブルーチンのフロチャート、第４図は光パワーを読み込
みＺ軸を下げるサブルーチンのフロチャート、第５図は
ＸＹ面をサーチするサブルーチンのフロチャート、第６
図は半導体素子の距離に関する損失特性図（その１）、
第７図は半導体素子の距離に関する１置火特性図（その
２）、第８図は光パワー調整装置の全体構成図、第９図
は光半導体素子と光コネクタ部の断面図、第１０図及び
第１１図は従来の光パワーの調整方法を示すフローチャ
ートである。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）光伝送媒体を有する光コネクタを固定し、該光伝
   送媒体に光半導体素子の位置合わせを行う光パワー調整
   方法において、 前記光半導体素子からの光パワーが最大になる位置を粗
   から精に多段階に切り換えて探索するに際して、該探索
   における調整中の光パワー値を逐次読み取り、その都度
   目標値に対する調整状態を判断し、目標値への接近度合
   に応じて中間の過程を飛び越して次段へ移行させるよう
   にしたことを特徴とする光パワー調整方法。
2. （２）各軸方向への探索において、ある軸の一方への１
   ピッチの歩進により目標値へ接近しないと判断される場
   合は、該軸の他方への探索に移行させるようにしたこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光パワー調整
   方法。
3. （３）粗から精へ多段階に切り換えて探索する場合、あ
   る段階において所定の規格値に達している場合には、探
   索の最終段階に移行させるようにしたことを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の光パワー調整方法。