JPH01137624A - ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ半導体装置の製造方法Info
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- JPH01137624A JPH01137624A JP29537287A JP29537287A JPH01137624A JP H01137624 A JPH01137624 A JP H01137624A JP 29537287 A JP29537287 A JP 29537287A JP 29537287 A JP29537287 A JP 29537287A JP H01137624 A JPH01137624 A JP H01137624A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野ン
この発明はＧａＡｓ半導体装置の製造方法に係シ、特に
イオン注入層のアニール方法に関するものである。
イオン注入層のアニール方法に関するものである。
（従来の技術）
プレーナ法を用いたＱａＡｓ Ｉ Ｃの高性能化、扁歩
留シ化には、イオン注入層の最適化されたアニール技術
の確立が必須である。
留シ化には、イオン注入層の最適化されたアニール技術
の確立が必須である。
ところで、ＧａＡｓ結晶基板はＧａとＡｓの蒸気圧の違
いによシ高温でＡ８の解離が問題となる。そこで、上記
アニールを安定に行うために、基板表面を保護膜でキャ
ップする方法が用いられてきた。
いによシ高温でＡ８の解離が問題となる。そこで、上記
アニールを安定に行うために、基板表面を保護膜でキャ
ップする方法が用いられてきた。
この保Ｆａ膜で基板表面をキャップしてアニールを行う
時、保護膜中へのＧａの拡散量の最適化が必要である。
時、保護膜中へのＧａの拡散量の最適化が必要である。
そこで、例えば月刊セミコンダクターワールド１９８７
年６月号Ｐ９４〜１００に開示されるように、Ｇａの拡
散しやすい５ｔＣｈ膜と、逆に拡散しにくいＳｉＮ膜と
の中間の性質をもつ５ｉＯＮ膜を保ｉｌ！膜として用い
ることが提案きれている。
年６月号Ｐ９４〜１００に開示されるように、Ｇａの拡
散しやすい５ｔＣｈ膜と、逆に拡散しにくいＳｉＮ膜と
の中間の性質をもつ５ｉＯＮ膜を保ｉｌ！膜として用い
ることが提案きれている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら’、３ｉＯＮ膜のＩＩｋ−賀制御は難しく
、したがって５ｉＯＮ膜を保護膜に用いてのアニールの
安定化は困難であった。また、保護膜の応力の最適化も
デバイスの藁性能化には必要であるが、５ｉＯＮ膜で、
Ｇａに対し最適な拡散係数と最適な応力の２つを同時に
実現するのは困難であった。
、したがって５ｉＯＮ膜を保護膜に用いてのアニールの
安定化は困難であった。また、保護膜の応力の最適化も
デバイスの藁性能化には必要であるが、５ｉＯＮ膜で、
Ｇａに対し最適な拡散係数と最適な応力の２つを同時に
実現するのは困難であった。
この廠明は、ＧａＡＢ半導体装置のイオン注入層のアニ
ール工程において、保護膜中へのＧａの拡散量の最適化
、および保Ｈ１膜よシ基板に与える応力の最適化を図る
ことができ、かつＡｓの飛散を防止できるＧａＡｓ半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
ール工程において、保護膜中へのＧａの拡散量の最適化
、および保Ｈ１膜よシ基板に与える応力の最適化を図る
ことができ、かつＡｓの飛散を防止できるＧａＡｓ半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明では、下層の５ｔｏ２膜と、上層のＳｉＮ膜か
らなる２層膜を保護膜として、ＧａＡｓ半導体装置のイ
オン注入／１のアニールを実施する。
らなる２層膜を保護膜として、ＧａＡｓ半導体装置のイ
オン注入／１のアニールを実施する。
（作 用）
上記のような方法によれば、ＧａＡｓ基板表面に接する
下層の５ｉＯ１膜の膜厚によシ、保護膜に対するＧａの
拡散量をコントロールでき、最適化を図れる。また、上
層のＳｉＮ膜の膜厚によシ、保護膜よシ基板に与える応
力をコントロールでき、ｋ適ｆヒを図れる。σらに、Ｓ
ｉＮ膜によシ、基板よシのＡｓの飛散が防止される。
下層の５ｉＯ１膜の膜厚によシ、保護膜に対するＧａの
拡散量をコントロールでき、最適化を図れる。また、上
層のＳｉＮ膜の膜厚によシ、保護膜よシ基板に与える応
力をコントロールでき、ｋ適ｆヒを図れる。σらに、Ｓ
ｉＮ膜によシ、基板よシのＡｓの飛散が防止される。
（実施例）
以下この発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
まず第１図（ａｌに示すように、ＧａＡｓ基板１の表面
上にホトレソストパターン２２通常のホトリソ法で形成
し、そのホトシソストパターン２ｔ−マスクとしてＳｔ
のイオン注入を行うことによシ、前記ＧａＡｓ基板１中
に適訳的にｎ型またはｎ増のイオン注入層３ｔ−形成す
る。
上にホトレソストパターン２２通常のホトリソ法で形成
し、そのホトシソストパターン２ｔ−マスクとしてＳｔ
のイオン注入を行うことによシ、前記ＧａＡｓ基板１中
に適訳的にｎ型またはｎ増のイオン注入層３ｔ−形成す
る。
次に、ホトレノスト・ンターン２を除去した後、基板ｌ
の全表面にアニール保護膜の下層部分として、Ｍｒ図（
ｂ）に示すようにＳｉ０ｇ膜４を形成する。
の全表面にアニール保護膜の下層部分として、Ｍｒ図（
ｂ）に示すようにＳｉ０ｇ膜４を形成する。
この５ｉＯｉ膜４は減圧ＣＶＤ法で形成され、膜厚は１
００〜１０００［Ａ）とする。なお、この５ｉＣｈ膜４
の形成法としては、減圧ＣＶＤ法以外に、常圧ＣＶＤ法
あるいはスパッタ法も適用可能である。
００〜１０００［Ａ）とする。なお、この５ｉＣｈ膜４
の形成法としては、減圧ＣＶＤ法以外に、常圧ＣＶＤ法
あるいはスパッタ法も適用可能である。
次に、そのＳｉｇｈ膜４上に、アニール保護膜の上層部
分として第１図（ｃ）に示すようにＳｉＮ膜５を形成す
る。このＳｉＮ 膜５はプラズマＣＶＤ法にて５００〜
２０００ＣＡ］の膜厚に形成される。
分として第１図（ｃ）に示すようにＳｉＮ膜５を形成す
る。このＳｉＮ 膜５はプラズマＣＶＤ法にて５００〜
２０００ＣＡ］の膜厚に形成される。
そして、このようにしてＳｉＯ２膜４とＳｉＮ膜５から
なる２層構造のアニール保護膜を形成した状態で第１図
（ｄｌに示すようにイオン注入層３のアニールを行う。
なる２層構造のアニール保護膜を形成した状態で第１図
（ｄｌに示すようにイオン注入層３のアニールを行う。
このアニールは、イオン注入層３のＳｔ イオンを活性
化はぜるためのもので、電気炉を使用し、水素、アルゴ
ン、窒素雰囲気中にて７５０〜９００ ［’Ｃ：］の温
度で５分から３０分行われる。
化はぜるためのもので、電気炉を使用し、水素、アルゴ
ン、窒素雰囲気中にて７５０〜９００ ［’Ｃ：］の温
度で５分から３０分行われる。
そして、このようなアニール工程を終了したら第１図（
ｅ）に示すように、アニール保護膜としてのＳｉＮ膜５
とＳｉ０ｇ膜４を７ツ酸あるいはドライエツチングで除
去し、その後イオン注入層３の上に図示しないが電＆を
配することによ、９ＦＥＴや抵抗といった素子を形成す
る。
ｅ）に示すように、アニール保護膜としてのＳｉＮ膜５
とＳｉ０ｇ膜４を７ツ酸あるいはドライエツチングで除
去し、その後イオン注入層３の上に図示しないが電＆を
配することによ、９ＦＥＴや抵抗といった素子を形成す
る。
（発明の効果ン
以上説明したようにこの発明の製造方法によれば、Ｇａ
Ａｓ半導体装置のイオン注入層のアニール工程において
、５ｉ０２膜（下層）とＳｉＮ 膜（上層）の２層膜を
保護膜としたので、 ■ 保護膜に対するＧａの拡散ｉｔを、下層のＳｉ０ｇ
膜の膜厚でコントロールすることができ、最適化を図る
ことができる ■ 上層のＳｉＮ 膜の膜厚によシ、保護膜よシ基板に
与える応力をコントロールでき、最適化を図ることがで
きる ようになり、ざらに ■ ＳｉＮ 膜によシ、基板よシのＡｓの飛散を防止で
きる。
Ａｓ半導体装置のイオン注入層のアニール工程において
、５ｉ０２膜（下層）とＳｉＮ 膜（上層）の２層膜を
保護膜としたので、 ■ 保護膜に対するＧａの拡散ｉｔを、下層のＳｉ０ｇ
膜の膜厚でコントロールすることができ、最適化を図る
ことができる ■ 上層のＳｉＮ 膜の膜厚によシ、保護膜よシ基板に
与える応力をコントロールでき、最適化を図ることがで
きる ようになり、ざらに ■ ＳｉＮ 膜によシ、基板よシのＡｓの飛散を防止で
きる。
そして、これらによシ優れた活性化率のイオン注入層を
安定に得ることが’５Ｊ能となシ、ＧａＡ ｓ半導体装
置の高集積化、高歩留フ化、高性能化が可能となる。
安定に得ることが’５Ｊ能となシ、ＧａＡ ｓ半導体装
置の高集積化、高歩留フ化、高性能化が可能となる。
第１図はこの発明のＧａＡｓ＃ｉ体装置の製造方法の一
実施例を示す工程断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、３・・・イオン注入層、４・・
・５ｔ（ｈ膜、５・・・ＳｉＮ膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社
実施例を示す工程断面図である。 １・・・ＧａＡｓ基板、３・・・イオン注入層、４・・
・５ｔ（ｈ膜、５・・・ＳｉＮ膜。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）ＧａＡｓ基板に不純物をイオン注入してイオン注
入層を形成する工程と、 （ｂ）そのＧａＡｓ基板の表面に保護膜の一部としてＳ
ｉＯ＿２膜を形成する工程と、 （ｃ）そのＳｉＯ＿２膜上に同じく保護膜の一部として
ＳｉＮ膜を形成する。 （ｄ）そのＳｉＮ膜と前記ＳｉＯ＿２膜を保護膜として
前記イオン注入層のアニールを行う工程とを具備してな
るＧａＡｓ半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29537287A JPH01137624A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29537287A JPH01137624A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137624A true JPH01137624A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17819774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29537287A Pending JPH01137624A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01137624A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111019A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 熱処理方法 |
| JP2012212701A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29537287A patent/JPH01137624A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02111019A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 熱処理方法 |
| JP2012212701A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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