JPH01137642A - 表面欠陥検査装置 - Google Patents

表面欠陥検査装置

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JPH01137642A
JPH01137642A JP29681887A JP29681887A JPH01137642A JP H01137642 A JPH01137642 A JP H01137642A JP 29681887 A JP29681887 A JP 29681887A JP 29681887 A JP29681887 A JP 29681887A JP H01137642 A JPH01137642 A JP H01137642A
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JP
Japan
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wafer
inspected
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scattered light
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Pending
Application number
JP29681887A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Inoue
広 井上
Akira Ono
明 小野
Yukihiro Goto
幸博 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えば半導体ウェハ(以下、ウェハと省略す
る)表面に形成されるレジストの欠陥検査に好適な表面
欠陥検査装置に関する。′(従来の技術) 集積回路を製造する工程においてフォトエツチング工程
(PEP工程)があるが、この工程においては特にウェ
ハ表面に形成されるレジストの状態、例えばレジストの
膜厚等を検査することが重要である。第6図はかかる検
査の方法を示す図であって、作業員Aはバキュームピン
セット1を使用してウェハ2を吸着し、この状態でウェ
ハ2をタングステンランプ3のスポット光が照射される
位置に搬送する。そして、作業員Aはスポット光の照射
されたウェハ2からの反射散乱光の強度を目視によって
観察することによってレジストに欠陥が有るかを検査す
る。
ところが、このような検査方法ではウェハ2の表面上に
おける露光のフォーカスずれや溶液の残りの付着等の欠
陥を検出することが難しく見逃すことが多い。さらに、
各作業型によって検査にバラツキを生じる問題がある。
(発明が解決しようとする問題点) 以上のように欠陥を見落としたり、又検査結果にバラツ
キが生じていた。
そこで本発明は、被検査体の欠陥を精度高くかつバラツ
キを生ぜずに検査できる表面欠陥検査装置を提供するこ
とを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は、一様なパターンが形成された被検査体に対し
て光源から所定角度で光を照射しこのときの被検査体か
らの反射散乱光を受けて被検査体の表面欠陥検査を行な
う表面欠陥検査装置において、被検査体の反射散乱光を
撮像する撮像装置と、この撮像装置からの画像信号を受
けて被検査体の大きさよりも小さい各領域の各画像デー
タを互いに比較し、この比較結果から被検査体の欠陥検
査を得る検査手段とを備えて上記目的を達成しようとす
る表面欠陥検査装置である。
(作用) このような手段を備えたことにより、被検査体の反射散
乱光を撮像装置により撮像し、この撮像装置からの画像
信号を受けて検査手段は被検査体の大きさよりも小さい
各領域の異なる各画像データを互いに比較し、この比較
結果から被検査体の欠陥検査を得る。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は表面欠陥検査装置の構成図である。ウェハ2は
移動機構を構成するXY移動テーブル10上に載置され
ている。このXY移動テーブル機構10はX軸テーブル
11及びY軸テーブル12を有し、それぞれX軸モータ
13.Y軸モータ14によって移動するものとなってい
る。
一方、ウェハ2の上方には光源としてのタングステンラ
ンプ15が配置され、このタングステンランプ15から
光がウェハ2の面に所定角度で照射されるようになって
いる。又、ウェハ2の上方にはこのウェハ2の大きさよ
りも小さい撮像領域を持った撮像装置16が配置され、
この撮像装置16によってウェハ2の所定領域を撮像す
るものとなっている。そして、この撮像装置16から出
力される画像信号は検査手段としての画像処理装置17
に送られるようになっている。
この画像処理装置17はウェハ2の大きさより小さい領
域の各画像データを比較し、この比較結果からウェハ2
のレジストにおける欠陥の有無を判断する機能を有する
ものである。具体的には撮像装置16からの画像信号を
ディジタル化するA/D (アナログ/ディジタル)変
換器18が備えられ、このA/D変換器18でディジタ
ル化された一後に画像データとして画像メモリ19に記
憶されるようになっている。比較部20は画像メモリ1
9に記憶されている各画像データを比較して同一画像部
分を除去し残った画像部分から欠陥を判断する機能を有
するものである。又、画像処理制御部21は画像メモリ
19及び比較部20間における画像データの受渡し等を
行なって画像処理を制御する機能を有し、かつIlo 
(インプット/アウトプット)ボート22を通して取り
込まれるホストコンピュータ23からの指令を受けて画
像処理を実行させる機能を有するものである。ホストコ
ンピュータ23は画像処理装置17に画像処理指令を発
するとともにテーブル制御部24に移動指令を発してウ
ェハ2の撮像領域を変更させる機能を有するものである
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
ウェハ2がXYテーブル移動機構10に載置されると、
ホストコンピュータ23から移動指令がテーブル制御部
24に発っせられる。この移動指令は撮像装置16の撮
像領域Qがウェハ2の中央部にセットする内容となりで
いる。テーブル制御部24は移動指令の内容に応じて各
X軸及びY軸モータ13.14を駆動させ、これにより
撮像装置16の撮像領域Qが第2図に示すようにウェハ
2の中央部にセットされる。このとき、タングステンラ
ンプ15は点灯して光をウェハ2の面に対して所定角度
で照射している。これにより、ウェハ2から反射散乱光
が生じる。この状態に撮像装置16はウェハ2からの反
射散乱光を撮像してその画像信号を出力する。この画像
信号はA/D変換器18によりディジタル化されて第3
図に示す画像データとして画像メモリ19に記憶される
このように画像データが記憶されると画像処理制御部2
1はこの旨をI10ポート22を通してホストコンピュ
ータ23に送る。
この画像処理制御部21からの画像データ記憶の旨を受
けると、ホストコンピュータ23はテーブル制御部24
に対して移動指令を発する。こめ移動指令は撮像装置1
6の撮像領域が第2図に示すように撮像領域R1となる
内容となっている。
この移動指令によってウェハ2は移動され、しかして撮
像装置16は撮像領域R1を撮像してその画像信号を出
力する。そうして、この撮像領域R1の第4図に示すよ
うな画像データが画像メモリ19に記憶される。
さて、このとき画像処理制御部21は画像メモリ19か
ら記憶された第3図及び第4図に示す各画像データを読
み出して比較部20へ渡す。この比較部20はこれら画
像データを受けて各画像データから同一パターン部分の
画像部分を相殺する。
すなわち、同一濃淡レベルとなっている部分つまリウエ
ハ2の同一パターン部分やダンシングラインdが相殺さ
れる。この結果、第5図に示す画像データが得られる。
ここで、撮像領域R1においてウェハ2に欠陥を示す部
分Gが有れば、この部分Gのみが除去されずに残る。し
かして、比較部20はこの部分Gを欠陥として判断して
この旨Eを外部の報知手段へ送出する。
次にホストコンピュータ23は再びテーブル制御部24
に対して移動指令を発する。この移動指令は撮像装置1
6の視野領域が第2図に示すように撮像領域R2となる
内容となっている。この移動指令によってウェハ2は移
動され、撮像装置16はこの撮像領域R2を撮像してそ
の画像信号を出力する。そうして、この撮像領域R1の
画像データが画像メモリ19に記憶される。そして、画
像処理制御部21は画像メモリ19から記憶された各画
像データ、ここではウェハ2の中央部の画像データと撮
像領域R2の画像データとを読み出して比較部20へ渡
す。この比較部20はこれら画像データを受けて同一画
像部分を除去する。
そうして、撮像領域R2においてウェハ2に欠陥を示す
部分が有れば、この欠陥のみが除去されずに残り、しか
して比較部20はこの部分を欠陥として判断してこの旨
Eを外部の報知手段へ送出する。
このようにウェハ2の各部分における画像データとウェ
ハ2の中央部分の画像データとを比較し、その残った画
像データ部分から欠陥が判断される。
このように上記一実施例においては、ウェハ2の大きさ
よりも小さい撮像領域を持つ撮像装置16によりウェハ
2からの反射散乱光を撮像し、このときXY移動テーブ
ル機構10によってウェハ2を移動させて撮像領域を変
更し、このときの各画像データを互いに比較してその比
較結果からウェハ2の欠陥検査を得る構成としたので、
欠陥を示す部分のみが残って容易に欠陥を判断でき、こ
れにより目視では検査できなかった露光のフォーカスず
れや液体の残り等を確実に検出できる。
さらに、タングステンランプ15のウェハ2面への光の
照射にムラがあっても撮像するときの各撮像領域R1、
R2・・・における照射ムラは同一とな′っているため
に比較部20の作用において除去され、従ってタングス
テンランプ15の照射にムラがかなりあってもその影響
を受けず正確に欠陥のみを検出できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、比
較部20は比較する各画像データの一方をウェハ2の中
央部分の画像データと限定せず、他の部分の画像データ
を用いたり、又その都度前回記憶した画像データを読み
出して比較するようにしてもよい。又、各撮像領域の各
画像データを得る場合、ウェハ2を移動させるのでなく
、撮像装置16とタングステンランプ15とを一体的に
移動させるようにしてもよい。又、ウェハ2の大きさよ
りも小さい撮像領域の撮像装置16を用いウェハ2を移
動させてウェハ、2の大きさよりも小さい領域の各画像
データを得たが、撮像装置16でウェハ2全体を撮像し
、この画像データからウェハ2の大きさよりも小さい領
域の各画像データを得て、これら各画像データを比較す
るようにしてもよい。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、被検査体の欠陥を
精度高くかつバラツキを生ぜずに検査できる表面欠陥検
査装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる表面欠陥検査装置の一実施例を
示す構成図、第2図乃至第5図は同装置の検査作用を説
明するための図、第6図は従来技術を説明するための図
である。 2・・・ウェハ、10・・・XY移動テーブル機構、1
1・・・X軸テーブル、12・・・Y軸テーブル、13
・・・X軸モータ、14・・・Y軸モータ、15・・・
タングステンランプ、16・・・撮像装置、17・・・
画像処理装置、19・・・画像メモリ、20・・・比較
部、21・・・画像処理制御部、23・・・ホストコン
ピュータ、24・・・テーブル制御部。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図 13図   ′第4図 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一様なパターンが形成された被検査体に対して光
    源から所定角度で光を照射しこのときの前記被検査体か
    らの反射散乱光を受けて前記被検査体の表面欠陥検査を
    行なう表面欠陥検査装置において、前記被検査体の反射
    散乱光を撮像する撮像装置と、この撮像装置からの画像
    信号を受けて前記被検査体の大きさよりも小さい各領域
    の各画像データを互いに比較し、この比較結果から前記
    被検査体の欠陥検査を得る検査手段とを具備したことを
    特徴とする表面欠陥検査装置。
  2. (2)検査手段は、各領域の各画像データから同一パタ
    ーンを有する画像部分を除去し残った画像部分から欠陥
    を判断する特許請求の範囲第(1)項記載の表面欠陥検
    査装置。
JP29681887A 1987-11-25 1987-11-25 表面欠陥検査装置 Pending JPH01137642A (ja)

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JPH01137642A true JPH01137642A (ja) 1989-05-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6449037B2 (en) 1999-08-23 2002-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of and device for detecting micro-scratches
JP2007203516A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Toshiba Corp 画像形成方法および画像形成装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6449037B2 (en) 1999-08-23 2002-09-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of and device for detecting micro-scratches
US6528333B1 (en) 1999-08-23 2003-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of and device for detecting micro-scratches
GB2353592B (en) * 1999-08-23 2004-02-25 Samsung Electronics Co Ltd A method and a device for detecting micro-scratches
JP2007203516A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Toshiba Corp 画像形成方法および画像形成装置

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