JPH01140007A - 高さ測定装置 - Google Patents
高さ測定装置Info
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- JPH01140007A JPH01140007A JP62299294A JP29929487A JPH01140007A JP H01140007 A JPH01140007 A JP H01140007A JP 62299294 A JP62299294 A JP 62299294A JP 29929487 A JP29929487 A JP 29929487A JP H01140007 A JPH01140007 A JP H01140007A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflector
- deflection
- height
- scanning
- electron beam
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子ビーム露光装置などの被露光材料面の高
さの測定に用いられる高さ測定装置に関するものである
。
さの測定に用いられる高さ測定装置に関するものである
。
し従来の技術］
例えば、電子ビーム露光装置により半導体ウェハに微細
回路パターンを描画するにあたって、該ウェハ表面の高
さが設定した高さからずれていると、露光された回路の
位置や大きさが所定のものと異なってしまい、特に、半
導体ウェハに多重露光を行う場合には描画精度は著しく
低下してしまう。従って、半導体ウェハの高さを正確に
測定することは高精度な描画を行うために極めて重要で
ある。
回路パターンを描画するにあたって、該ウェハ表面の高
さが設定した高さからずれていると、露光された回路の
位置や大きさが所定のものと異なってしまい、特に、半
導体ウェハに多重露光を行う場合には描画精度は著しく
低下してしまう。従って、半導体ウェハの高さを正確に
測定することは高精度な描画を行うために極めて重要で
ある。
第５図はこのような材料面の高さの測定に用いられる従
来の高さ測定装置の一例を示す構成図である。図におい
て、１は材料２の表面を斜め方向から照射するための光
源である。該光源１の光は部材３に形成されているアパ
ーチャを介してレンズ４に入射され、材料２の表面近傍
に結像される。
来の高さ測定装置の一例を示す構成図である。図におい
て、１は材料２の表面を斜め方向から照射するための光
源である。該光源１の光は部材３に形成されているアパ
ーチャを介してレンズ４に入射され、材料２の表面近傍
に結像される。
５は材料２の表面で反射された光の進行方向に配置され
たレンズであり、反射像をイメージディセクタ管６の光
電検出面上に結像するように′＃ｌ１ｍ！されている。
たレンズであり、反射像をイメージディセクタ管６の光
電検出面上に結像するように′＃ｌ１ｍ！されている。
イメージディセクタ管６は該像の位置に応じた信号を発
生し、該信号に基づいて材料２の表面の高さ変位が演算
される。
生し、該信号に基づいて材料２の表面の高さ変位が演算
される。
このような装置において、材料２が第６図に示すように
２ａから２ｂに高さｈだけ変化したものとする。アパー
チャａＰの虚像Ｐ′とＰ“との間隔をＬルンズ５の倍率
をＭ１光の入、反射角をθとすると、検出面でのアパー
チャ像のズレ伍Δは、 Δ−Ｍ・ｌ ｃｏｓθ！Ｍ・２ ｈｃｏｓθで与えられ
る。ここで、Ｍ及びθは既知であるので、Δが求まれば
容易に高さ変位りを求めることができる。
２ａから２ｂに高さｈだけ変化したものとする。アパー
チャａＰの虚像Ｐ′とＰ“との間隔をＬルンズ５の倍率
をＭ１光の入、反射角をθとすると、検出面でのアパー
チャ像のズレ伍Δは、 Δ−Ｍ・ｌ ｃｏｓθ！Ｍ・２ ｈｃｏｓθで与えられ
る。ここで、Ｍ及びθは既知であるので、Δが求まれば
容易に高さ変位りを求めることができる。
このように構成される装置は、非接触、光学式であり、
電子線に何等の影響を与えることなく電子線の照射点に
おける材料の表面高さを測定することができる。
電子線に何等の影響を与えることなく電子線の照射点に
おける材料の表面高さを測定することができる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、このような装置で用いるイメージディセ
クタ管６は、光電変換面、アパーチャ板、２次１子増倍
管、コレクター電極、静電レンズ、偏向コイル及び各部
の電源などから構成されるので、構造が複雑で大型であ
り、スペースの小さな露光室等への設置は困難である。
クタ管６は、光電変換面、アパーチャ板、２次１子増倍
管、コレクター電極、静電レンズ、偏向コイル及び各部
の電源などから構成されるので、構造が複雑で大型であ
り、スペースの小さな露光室等への設置は困難である。
また、このような装置では、材料２に対して斜め方向か
ら光を照射するとともに斜め方向に反射させていること
から、第７図に示すようにカセット７に収納された材料
２の表面高さを測定する場合には材料２の端はカセット
７の死角になって測定できない。
ら光を照射するとともに斜め方向に反射させていること
から、第７図に示すようにカセット７に収納された材料
２の表面高さを測定する場合には材料２の端はカセット
７の死角になって測定できない。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、
その目的は、比較的小型の簡単な構成で、材料のほぼ全
表面にわたって死角を生じることなくの高さ測定が行え
る高さ測定装置を提供することにある。
その目的は、比較的小型の簡単な構成で、材料のほぼ全
表面にわたって死角を生じることなくの高さ測定が行え
る高さ測定装置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決する本発明は、材料に照射される電子
ビームの光軸をシフトさせるように偏向する第１のデフ
レクタと、第１のデフレクタを通過した電子ビームを偏
向して材料に照射する第２のデフレクタと、所定の角度
幅で走査するための走査電圧を第２のデフレクタに出力
する走査回路と、フラグ信号に従って極性の異なる第１
の偏向電圧を第１のデフレクタに出力する第１の偏向回
路と、フラグ信号に従って極性の異なる第２の偏向電圧
を第２のデフレクタに出力する第２の偏向回路と、第１
のデフレクタと第２のデフレクタの距離をｊｉ’ ｔ
、第１の偏向電圧による偏向角度をθ１、材料の走査画
像がフラグ信号の切り換えに拘らず一致するように第２
の偏向電圧を調整した時の傾向角度をθ２として、次式
により第２のデフレクタと材料面までの距ｍｌｏを演算
する演忰手段、とで構成されたことを特徴とする。
ビームの光軸をシフトさせるように偏向する第１のデフ
レクタと、第１のデフレクタを通過した電子ビームを偏
向して材料に照射する第２のデフレクタと、所定の角度
幅で走査するための走査電圧を第２のデフレクタに出力
する走査回路と、フラグ信号に従って極性の異なる第１
の偏向電圧を第１のデフレクタに出力する第１の偏向回
路と、フラグ信号に従って極性の異なる第２の偏向電圧
を第２のデフレクタに出力する第２の偏向回路と、第１
のデフレクタと第２のデフレクタの距離をｊｉ’ ｔ
、第１の偏向電圧による偏向角度をθ１、材料の走査画
像がフラグ信号の切り換えに拘らず一致するように第２
の偏向電圧を調整した時の傾向角度をθ２として、次式
により第２のデフレクタと材料面までの距ｍｌｏを演算
する演忰手段、とで構成されたことを特徴とする。
１２ｏ＝１１−ｔａｎ θ ｔ／１ａｎ（θ ２−
θ １ ）［作用］ 本発明の高さ測定装置では、電子ビームを偏向する２個
のデフレクタを用いて２つの光軸方向から材料の位置を
測定することにより、デフレクタから材料までの距離、
すなわち材料面の高さを求める。
θ １ ）［作用］ 本発明の高さ測定装置では、電子ビームを偏向する２個
のデフレクタを用いて２つの光軸方向から材料の位置を
測定することにより、デフレクタから材料までの距離、
すなわち材料面の高さを求める。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
駆動系のブロック図である。図において、８は材料２に
照射される電子ビームである。９は電子ビーム８の光軸
をシフトさせるように偏向する第１のデフレクタ、１０
は第１のデフレクタ９を通過した電子ビーム８を偏向し
て材料に照射する描画用の第２のデフレクタである。１
１は対吻レンズ、１２は反射電子検出器、１３は２次電
子検出器である。１４は所定の角度幅θ０を任意の周期
でリニアに走査するための走査電圧を第２のデフレクタ
１０に出力する走査回路であり、その出力信号は加算器
１５の一方の入力端子に加えられている。１６はフラグ
信号の°１１”、０”に従って電子ビームを角度±θ１
偏向するための極性の異なる第１の偏向電圧を第１のデ
フレクタ９に出力する第１の偏向回路、１７はフラグ信
号の“１” １１ Ｑ ＩＴに従って電子ビームを角度
±θ２偏向するための極性の異なる第２の偏向電圧を第
２のデフレクタ１０に出力する第２の偏向回路である。
駆動系のブロック図である。図において、８は材料２に
照射される電子ビームである。９は電子ビーム８の光軸
をシフトさせるように偏向する第１のデフレクタ、１０
は第１のデフレクタ９を通過した電子ビーム８を偏向し
て材料に照射する描画用の第２のデフレクタである。１
１は対吻レンズ、１２は反射電子検出器、１３は２次電
子検出器である。１４は所定の角度幅θ０を任意の周期
でリニアに走査するための走査電圧を第２のデフレクタ
１０に出力する走査回路であり、その出力信号は加算器
１５の一方の入力端子に加えられている。１６はフラグ
信号の°１１”、０”に従って電子ビームを角度±θ１
偏向するための極性の異なる第１の偏向電圧を第１のデ
フレクタ９に出力する第１の偏向回路、１７はフラグ信
号の“１” １１ Ｑ ＩＴに従って電子ビームを角度
±θ２偏向するための極性の異なる第２の偏向電圧を第
２のデフレクタ１０に出力する第２の偏向回路である。
例えば第１の偏向回路１６の場合、フラグ１の時に−θ
１をフラグ０の時に十〇１を出力し、第２の偏向回路１
７の場合、フラグ１の時に＋θ２をフラグ０の時に一θ
２を出力する。なお、第２の偏向回路１７の出力信号は
加算器１５の他方の入力端子に加えられている。また、
偏向形式は、静電偏向であっても′ｒＢＩａＩＩ向であ
ってもよい。
１をフラグ０の時に十〇１を出力し、第２の偏向回路１
７の場合、フラグ１の時に＋θ２をフラグ０の時に一θ
２を出力する。なお、第２の偏向回路１７の出力信号は
加算器１５の他方の入力端子に加えられている。また、
偏向形式は、静電偏向であっても′ｒＢＩａＩＩ向であ
ってもよい。
このように構成された装置の動作を、（Ａ）材料２の走
査像を観察しながら高さの測定を行う場合と、（Ｂ）予
め設けられているマークを検出して高さの測定を行う場
合について説明する。
査像を観察しながら高さの測定を行う場合と、（Ｂ）予
め設けられているマークを検出して高さの測定を行う場
合について説明する。
（Ａ）材料２の走査像をＩ！察しながら高さの測定を行
う場合 まず、走査回路１４の出力信号のみで第２のデフレクタ
１０を駆動して走査像の対象物を探す。
う場合 まず、走査回路１４の出力信号のみで第２のデフレクタ
１０を駆動して走査像の対象物を探す。
この時の走査状態は第゛３図（ｂ）のようになる。
ｄ３はこの時の走査幅である。そして、第４図（ｂ）の
ような対象物が見つかったら、第１の偏向回路１６と第
２の偏向回路１７も駆動する。なお、第３図（ａ ）は
第１のデフレクタ９のみを駆動した場合のビーム軌跡を
示している。ｄｌはこの時の走査幅である。第４図のよ
うなＸ走査像の１１合において、ｙ方向のスクリーン上
半分を°Ｏ″とし下半分を“１”とすると、フラグが“
Ｏ″の場合の走査状態は第３図（Ｃ）の実線に示すよう
になり、フラグが“１”の場合の走査状態は第３図（Ｃ
）の破線に示すようになる。従って、観察対蒙物の像は
第４図（ａ）に示すように上下で左右にズレを生じるこ
とになる。
ような対象物が見つかったら、第１の偏向回路１６と第
２の偏向回路１７も駆動する。なお、第３図（ａ ）は
第１のデフレクタ９のみを駆動した場合のビーム軌跡を
示している。ｄｌはこの時の走査幅である。第４図のよ
うなＸ走査像の１１合において、ｙ方向のスクリーン上
半分を°Ｏ″とし下半分を“１”とすると、フラグが“
Ｏ″の場合の走査状態は第３図（Ｃ）の実線に示すよう
になり、フラグが“１”の場合の走査状態は第３図（Ｃ
）の破線に示すようになる。従って、観察対蒙物の像は
第４図（ａ）に示すように上下で左右にズレを生じるこ
とになる。
しかしながら、このような像のズレは、第２の偏向回路
１７の出力信号を調整して第２のデフレクタ１０の偏向
角度θ２を大きくすることにより小さくでき、最終的に
は第３図（ｄ）及び第４図（ｂ）に示すように一致させ
ることができる。このようにして像を一致させた状態に
おける偏向角度θ！、θ２を求めることにより、以下の
手順に従って第２のデフレクタ１０から材料面２までの
距離、すなわち材料面の高さ１０が求められる。
１７の出力信号を調整して第２のデフレクタ１０の偏向
角度θ２を大きくすることにより小さくでき、最終的に
は第３図（ｄ）及び第４図（ｂ）に示すように一致させ
ることができる。このようにして像を一致させた状態に
おける偏向角度θ！、θ２を求めることにより、以下の
手順に従って第２のデフレクタ１０から材料面２までの
距離、すなわち材料面の高さ１０が求められる。
なお、第１のデフレクタ９と第２のデフレクタ１０の距
離を！！１とする。第３図（ｄ）において、ΔＰＡＢよ
り、ｄ２−２Ａ’ｔｊａｎθｔ”（１）次に、線分ＡＢ
とＰＯの交点をＱとしてΔＰＡＱが直角３角形であるこ
とより １ＰＡＢ−乙Ｒ−θ１ ・・・（２）但
し、乙Ｒ−９０’を表わしている。また、θ２は本来光
軸シフト用デフレクタ９で偏向された光軸方向線分ＰＡ
Ｃ及びＰＢＤをそれぞれ内側に補正する内炭なので、次
式が成り立つ。
離を！！１とする。第３図（ｄ）において、ΔＰＡＢよ
り、ｄ２−２Ａ’ｔｊａｎθｔ”（１）次に、線分ＡＢ
とＰＯの交点をＱとしてΔＰＡＱが直角３角形であるこ
とより １ＰＡＢ−乙Ｒ−θ１ ・・・（２）但
し、乙Ｒ−９０’を表わしている。また、θ２は本来光
軸シフト用デフレクタ９で偏向された光軸方向線分ＰＡ
Ｃ及びＰＢＤをそれぞれ内側に補正する内炭なので、次
式が成り立つ。
乙ＰＡＣ−θ２＋乙ＯＡＢ＋乙ＰＡＢ
−２ＺＲ−１８０° ・・・（３）これより
乙０ＡＢ＝２乙Ｒ−θ２−乙ＰＡＢ
ここで、乙ＰＡＢの（２）式を代入すると乙０ＡＢ−２
ＺＲ−０２（乙Ｒ−θ１）−ＺＲ＋θ１−θ２
・・・（４）また、ΔＯＡＢが二等辺３角形であるの
で、本来の光軸上にある点Ｐ、０を結ぶ線分ＰＯで分割
すると、へ〇ＡＱＬｔ直角３角形となる。
ＺＲ−０２（乙Ｒ−θ１）−ＺＲ＋θ１−θ２
・・・（４）また、ΔＯＡＢが二等辺３角形であるの
で、本来の光軸上にある点Ｐ、０を結ぶ線分ＰＯで分割
すると、へ〇ＡＱＬｔ直角３角形となる。
そこで、
ｔａｎＬＯＡＢ−線分ＯＱ／線分Ａ Ｑ ・（５）
が成り立つ。また、線分ＯＱ、Ｉｆｉｔ分ＡＱは次のよ
うに表わされる。
が成り立つ。また、線分ＯＱ、Ｉｆｉｔ分ＡＱは次のよ
うに表わされる。
線分０Ｑ−１０・・・（６）
線分ＡＱ−６２／２ ・＜７＞そこ
で、（５）式を変形して（６）、（７）を代入すると 線分ＯＱ−線分ＡＱ−ｔａｎＺＯＡＢ これから ｄｏ ＝ （ｄ ｚ ／２） ・ｔａｎＬＯＡＢ −
（８）次に、ΔＰＡＢは二等辺３角形であることより、
線分ＰＱで垂直２等分することにより、△ＰＡＱは直角
３角形になる。従って、 ｔａｎ乙ＡＰＱ＝線分ＡＱ／線分ＰＱ コレから ｔａｎθｔ −（ｄ ２ ／２＞／Ｖｔ −
（９）（９）式を変形して ｄ ２ ／２ ＝１！＋−ｔａｎθｒ −（１０）こ
こで、（８）式により（４）式と（１０）式を代入する
と １０＝／１−ｔａｎθ１ −ｔａｎ（，４Ｒ−） θ １ − θ ２ ）
・＝ （１１）（１１〉式を変
形すると １０＝／ｓ ・ｔａｎθ１ −ｔａｎ （ＺＲ−（θ２−θ１））＝７１−ｔａｎ
θ＋／１ａｎ（θ２−θり・・・（１２） （１２）式によって材料面の高さＩｌｏを求めることが
できる。
で、（５）式を変形して（６）、（７）を代入すると 線分ＯＱ−線分ＡＱ−ｔａｎＺＯＡＢ これから ｄｏ ＝ （ｄ ｚ ／２） ・ｔａｎＬＯＡＢ −
（８）次に、ΔＰＡＢは二等辺３角形であることより、
線分ＰＱで垂直２等分することにより、△ＰＡＱは直角
３角形になる。従って、 ｔａｎ乙ＡＰＱ＝線分ＡＱ／線分ＰＱ コレから ｔａｎθｔ −（ｄ ２ ／２＞／Ｖｔ −
（９）（９）式を変形して ｄ ２ ／２ ＝１！＋−ｔａｎθｒ −（１０）こ
こで、（８）式により（４）式と（１０）式を代入する
と １０＝／１−ｔａｎθ１ −ｔａｎ（，４Ｒ−） θ １ − θ ２ ）
・＝ （１１）（１１〉式を変
形すると １０＝／ｓ ・ｔａｎθ１ −ｔａｎ （ＺＲ−（θ２−θ１））＝７１−ｔａｎ
θ＋／１ａｎ（θ２−θり・・・（１２） （１２）式によって材料面の高さＩｌｏを求めることが
できる。
この場合の測定精度を上げるのにあたっては、θ０の値
を小さくして観察倍率を低倍から高倍にすればよい。
を小さくして観察倍率を低倍から高倍にすればよい。
（Ｂ）予め設けられているマークを検出して高さの測定
を行う場合 まず、第３図［１＞のように、走査回路１４の出力信号
のみで第２のデフレクタ１０を駆動して光軸の真下にマ
ークが位置するようにステージを移動させる。そして、
光軸の真下にマークを位置させた状態で、第１の偏向回
路１６と第２の偏向回路１７も駆動する。これにより、
前述の（Ａ＞の場合と同様に、フラグが０″の場合の走
査状態は第３図（Ｃ）の実線に示すようになり、フラグ
が１″の場合の走査状態は第３図（Ｃ）の破線に示すよ
うになる。そこで、第２の偏向回路１７の出力信号を調
整して第２のデフレクタ１０の偏向角度θ２を大きくす
ることにより、このような見掛は上のマーク位置のズレ
Ｓ＊ 、Ｓ２を小さくでき、Ｒ柊的には第３図（ｄ）に
示すように一致させることができる。このようにして像
を一致させた状態における偏向角度θ１１θ２を求める
ことにより、前述の＜Ａ）と同様の手順に従って第２の
デフレクタ１０から材料面２までの距離、すなわち材料
面の高さ１０が求められる。
を行う場合 まず、第３図［１＞のように、走査回路１４の出力信号
のみで第２のデフレクタ１０を駆動して光軸の真下にマ
ークが位置するようにステージを移動させる。そして、
光軸の真下にマークを位置させた状態で、第１の偏向回
路１６と第２の偏向回路１７も駆動する。これにより、
前述の（Ａ＞の場合と同様に、フラグが０″の場合の走
査状態は第３図（Ｃ）の実線に示すようになり、フラグ
が１″の場合の走査状態は第３図（Ｃ）の破線に示すよ
うになる。そこで、第２の偏向回路１７の出力信号を調
整して第２のデフレクタ１０の偏向角度θ２を大きくす
ることにより、このような見掛は上のマーク位置のズレ
Ｓ＊ 、Ｓ２を小さくでき、Ｒ柊的には第３図（ｄ）に
示すように一致させることができる。このようにして像
を一致させた状態における偏向角度θ１１θ２を求める
ことにより、前述の＜Ａ）と同様の手順に従って第２の
デフレクタ１０から材料面２までの距離、すなわち材料
面の高さ１０が求められる。
このように構成することにより、材料のほぼ垂直方向か
ら電子ビームを照射することによって材料面の高さを測
定することができ、カセットに収納された材料の表面高
さを測定する場合にも従来のような死角を生じることは
ない。
ら電子ビームを照射することによって材料面の高さを測
定することができ、カセットに収納された材料の表面高
さを測定する場合にも従来のような死角を生じることは
ない。
また、走査電子顕微鏡観察の場合のような一般的な材料
であってもその高さを測定できる。すなわら、電子ビー
ムが照射でき、目印となるマークや観察対染物があれば
かなり細かい部分の高さ測定が行える。
であってもその高さを測定できる。すなわら、電子ビー
ムが照射でき、目印となるマークや観察対染物があれば
かなり細かい部分の高さ測定が行える。
また、高さ測定時には材料位置を固定してステージを動
かさないことから、高速処理が行える。
かさないことから、高速処理が行える。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、比較的小
型の簡単な構成で、材料のほぼ全表面にわたって死角を
生じることなくの高さ測定が行える高さ測定装置を提供
することができる。
型の簡単な構成で、材料のほぼ全表面にわたって死角を
生じることなくの高さ測定が行える高さ測定装置を提供
することができる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は第１図の
駆動系のブロック図、第３図及び第４図は動作説明図、
第５図は従来の高さ測定装置の一例を示す構成図、第６
図は第５図の動作説明図、第７図はカセットに収納され
た材料の具体例を示す構成図である。 ８・・・電子ビーム ９・・・第１のデフレクタ
１０・・・第２のデフレクタ １４・・・走査回路 １５・・・加算器１Ｇ・・
・第１の偏向回路 １７・・・第２の偏向回路特許出願
人 日 本 電 子 株 式 会 社
代 理 人 弁 理 士 井 島
藤 冶外１名 （ｃ） ２−可一 （ｄ）
駆動系のブロック図、第３図及び第４図は動作説明図、
第５図は従来の高さ測定装置の一例を示す構成図、第６
図は第５図の動作説明図、第７図はカセットに収納され
た材料の具体例を示す構成図である。 ８・・・電子ビーム ９・・・第１のデフレクタ
１０・・・第２のデフレクタ １４・・・走査回路 １５・・・加算器１Ｇ・・
・第１の偏向回路 １７・・・第２の偏向回路特許出願
人 日 本 電 子 株 式 会 社
代 理 人 弁 理 士 井 島
藤 冶外１名 （ｃ） ２−可一 （ｄ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 材料に照射される電子ビームの光軸をシフトさせるよう
に偏向する第１のデフレクタと、第１のデフレクタを通
過した電子ビームを偏向して材料に照射する第２のデフ
レクタと、所定の角度幅で走査するための走査電圧を第
２のデフレクタに出力する走査回路と、フラグ信号に従
つて極性の異なる第１の偏向電圧を第１のデフレクタに
出力する第１の偏向回路と、フラグ信号に従つて極性の
異なる第２の偏向電圧を第２のデフレクタに出力する第
２の偏向回路と、第１のデフレクタと第２のデフレクタ
の距離をｌ＿１、第１の偏向電圧による偏向角度をθ＿
１、材料の走査画像がフラグ信号の切り換えに拘らず一
致するように第２の偏向電圧を調整した時の偏向角度を
θ＿２として、次式により第２のデフレクタと材料面ま
での距離ｌ＿０を演算する演算手段、とで構成されたこ
とを特徴とする高さ測定装置。 ｌ＿０＝ｌ＿１・ｔａｎθ＿１／ｔａｎ（θ＿２−θ＿
１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299294A JPH01140007A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 高さ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62299294A JPH01140007A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 高さ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01140007A true JPH01140007A (ja) | 1989-06-01 |
Family
ID=17870665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62299294A Pending JPH01140007A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 高さ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01140007A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056311U (ja) * | 1991-02-27 | 1993-01-29 | サンユー電子株式会社 | 高さ測定装置 |
| JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
| JP2008121844A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kokuyo Co Ltd | 係合装置 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP62299294A patent/JPH01140007A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056311U (ja) * | 1991-02-27 | 1993-01-29 | サンユー電子株式会社 | 高さ測定装置 |
| JP2002313275A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Seiko Instruments Inc | 試料の高さ出し機能を備えた集束イオンビーム装置 |
| JP2008121844A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kokuyo Co Ltd | 係合装置 |
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