JPH01140675A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置

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JPH01140675A
JPH01140675A JP29883087A JP29883087A JPH01140675A JP H01140675 A JPH01140675 A JP H01140675A JP 29883087 A JP29883087 A JP 29883087A JP 29883087 A JP29883087 A JP 29883087A JP H01140675 A JPH01140675 A JP H01140675A
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resistance semiconductor
semiconductor layer
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conversion device
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Takashi Noguchi
隆 野口
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ファクシミリ送信装置等に使用する光電変換
装置に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、光電変換装置において、低抵抗半導体層と高
抵抗半導体層の界面に絶縁層より成るバリア層を設ける
ことにより、暗電流を低くすることができるようにした
ものである。
〔従来の技術〕
センサ一部にポリＳｉ層を形成し、この上に水素化アモ
ルファス５ｉ（ａ−５ｉ　：　Ｈ）　Ｎを形成してヘテ
ロ接合型の光電変換装置を構成することにより、センサ
一部と同じくポリＳ１より成るトランジスタの基体領域
を同一工程で形成することができるため、製造効率を向
上させることができるようにした構成が捉案されている
。（特願昭６０−１９９９６参照）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述したポリＳｉ層とアモルファスＳｉ層との積層構造
より成る光電変換装置の場合、暗電流が充分低くならず
、このためコントラストが良好ではないという問題点が
あった。
本発明は、上記問題点を解決することができる光電変換
装置を提供するものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕 本発明は、低抵抗半導体層（２）と高抵抗半導体層（４
）との積層構造を有する光電変換装置（６）において、
低抵抗半導体層（２）と高抵抗半導体Ｎ（４）の界面に
絶縁層（３）より成るバリア層を設けたことを特徴とす
る。
この絶縁層（３）の厚さは、４０〜１５０人とし、材料
はバリア層となるものであれば何でも良く、例えばＳｉ
ｎｇ、　ＳｉＮ等で形成する。
〔作　用〕
本発明によれば、低抵抗半導体層（２）と高抵抗半導体
層（４）の間に絶縁層（３）を設け、これをバリア層と
したことにより、暗電流をかなり低下させることができ
る。一方、光電流は、絶縁層（３）の厚さが薄く、これ
にトンネル電導するため、低下はあまり生じない。これ
により、ＳＮ比が大きくなって高感度の光電変換装置が
得られる。
〔実施例〕
本発明の実施例を製法例と共に説明する。
先ず第１図Ａに示すように、石英基板り１）上にｎ型（
又はｐ型）不純物がドープされたｎ゛ポリＳｔ層２）を
形成する。
次に第１図Ｂに示すように、例えばＮｚＯと５ｉｌ１４
／Ａｒを原料としてプラズマＣｖＤ法により厚さ約１０
０人のＳｉ０２層（３）を形成する。
次に第１図Ｃに示すように、引続き同じ装置を使用して
、水素化アモルファス５ｉ（ａ−Ｓｉ　：　Ｉｔ　）層
（４）を約１μの厚さに形成する。
次に第１図りに示すように、このアモルファスＳｉ層（
４）上に透明導電膜となるＩＴＯ膜（５）（又は下側か
ら光を入射させるのであれば金属層）を形成して、光電
変換装置（６）を作製する。
上記実施例の縦（サンドインチ）型構造に対して、セン
サ一部を櫛型構造とした光電変換装置（６）を構成する
こともできる。即ち、第２図と第３図に示すように、石
英基板ｆｉｌ上に１０ポリＳｉ層（２）とｐ゛ポリＳｉ
層７）を櫛歯状に交互に配置し、それぞれポリＳｉ層＋
２１．　（７１上に厚さ約７０人のＳｔＯ□層（３）を
形成した後、水素化アモルファス５ｉＪｉｌｆ４１を形
成して光電変換装置（６）を１Ｙ製する。なお、両ポリ
５ｉＪｉｔ２１゜（７）の縦横の一辺はそれぞれ４００
　μｎである。
この櫛型構造に係る光電変換装置（６）について光電流
と暗電流を測定した結果を第４図に示す。同図で曲Ｎａ
Ａが光電流、曲線Ｂが暗電流である。また、第５図にＳ
ｔＯ□層を形成しないで本実施例と同様に作製した従来
例の光電変換装置について光電流と暗電流を測定した結
果を示す、同図で曲線Ｃは光電流、曲線りは暗電流であ
る。従って、本実施例に係る光電変換装置（６）によれ
ば、暗電流は大きく低下しているが、光電流の低下は小
さいことがわかる。この結果、ＳＮ比は従来例より大き
な値が得られることになる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、光電流はあまり低下させないで、暗電
流を大きく低下させることができるため、ＳＮ比が増大
して高感度の光電変換装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は製法例の工程図、第２図は他の実施例の断面図
、第３図は他の実施例の平面図、第４図は実施例の特性
図、第５図は従来例の特性図であ＋１１は石英基板、＋
２１．　＋７１はポリＳｉ層、（４）はアモルファスＳ
ｉ層、（５）はＩＴＯ膜、（６）は光電変換装置である
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 　低抵抗半導体層と高抵抗半導体層との積層構造を有す
    る光電変換装置において、 上記低抵抗半導体層と高抵抗半導体層の界面に絶縁層よ
    り成るバリア層を設けたことを特徴とする光電変換装置
    。
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Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04130671A (ja) * 1990-09-20 1992-05-01 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
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JPS6235583A (ja) * 1985-08-08 1987-02-16 Fujitsu Ltd アモルフアスシリコンフオトダイオ−ドの構成方法

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