JPH01140776A - イメージセンサ作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はファックス、コピー、イメージスキャナー等の
イメージセンサ素子として利用される。

〔従来の技術〕

第１図に従来技術を示す透光性基板（１）上に光感性を
有する半導体Ｊ！　（２）、遮光性のある電気導電体（
３）を積層しであるイメージセンサ素子である。完全密
着型イメージセンサとして使う場合、読み取り光（５）
を電気導電体（３）側に設けられた窓から入射させ原稿
（４）で反射した光を半導体Ｎ（２）で光電変換して出
力する。この場合、半導体層（２）と電気導電体（３）
を合わせた膜厚は約２〜３μｍに対して透光性基板（１
）は約０．５〜２ｍｍと厚いために原稿（４）で反射し
た光（５）が迷光となりイメージセンサ素子に到達しな
いため分解能が極端に悪くなった。

透光性基板（１）の厚さとしては２００μｌ以下になら
ないと８本／　ｍ　ｍの分解能は得られない。

しかし、透光性基板（１）を２００　ｕａＩ以下の厚さ
にした場合物理的強度に弱くハンドリングの際に破壊す
る可能が強くその基板上に素子を形成することは不可能
だづた。

〔発明の構成］ 本発明を第２図に示しながら説明する。

同図（Ａ）は第１の厚い基板（１）上に薄い透光性基板
（７）を可溶性接着層（６）を介して接着する。その上
に光感度を有する半導体層（２）遮光性電気導電体（３
）を積層しである。

次に透光性を有し耐溶剤性の接着層（８）を介して透光
性の第３の基板（９）を接着する。

その後で溶剤をもちいて可溶性接着層（６）をとり、基
板（１）をとりのぞくことで形成した同図（Ｂ）に示す
ような光電変換素子を作成する。

この場合、読み取り光（５）は透光性原基板（９）、透
光性接着層（８）、透光性薄基板（７）を通過して原稿
（４）に達し反射光（５）を半導体層（２）に導くこと
で光電変換する。

本発明によって厚さ２００μＩ以下の透光性薄基板（７
）の上に光電変換部を形成した完全密着型のイメージセ
ンサ素を形成することが可能になった。

〔実施例〕

第２図を用いて本発明の実施例を示す。

ガラス基板（１）上に両面接着の耐熱性テープ（６）を
はりつけその上に０．１ｍｍの厚さの薄ガラス（７）を
つけた。

その上に公知プラズマＣＶＤ法を用いてアモルファス２
９３７１層を１μｍつけその上に公知のスパッタリング
法を用いてアルミニウム（３）を１μｍつけフォトリソ
グラフィー技術で所定のパターンにエツチングを行った
。その後送光性のポリイミド樹脂（８）と厚ガラス（９
）を積層した。

その後アセトン槽につけることで接着Ｎ（６）を溶かし
基板（１）をとりのぞくことで完全密着型イメージセン
サを形成した。

〔効果］ 厚さ０．２ｍｍ以下の基板の上に強度をそこなうことな
く光電変換部を有したセンサを形成することができた。

又、レンズレスのセンサのためにコストを下げることが
可能になった。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のイメージセンサの構造を示す。 第２図は本発明の工程を示す。 区 寸 Ａ（ 区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、単体で十分な物理的強度を有する第１の基板の上に
   ０．２ｍｍ以下の厚さの透光性の第２の基板を耐熱性と
   特定の溶剤に対し可溶性を有する接着層を介して接着し
   、該第２基板上に透明導電膜、光感度を有する半導体、
   電気導電体とを積層したのち単体で十分な強度を持つ第
   ３の基板を該電気導電体の上に耐溶剤性接着層を介して
   接着し、その後溶剤を用いて第１の基板をはがし、透明
   導電膜上に０．２ｍｍ以下の透光性基板を持つイメージ
   センサ作成方法。